工程造价管理基本概念讲解ppt

ch1系统概述

第一章系统概述 内容简介 一个SDH网络由许多网元组成。WaveStar ADM16/1网元具有复用和线路传输功能。本章将着重对WaveStar ADM16/1系统的外观、特性、内部结构、网络应用、单元盘组成以及网络管理进行介绍，让读者能够对系统有一个概括性的了解。 主要内容 1.1WaveStar ADM16/1系统简介 1.1.1系统外观：机架与子架 1.2WaveStar ADM16/1系统结构与网络应用 1.2.1WaveStar ADM16/1基本结构 1.2.2WaveStar ADM16/1网络应用 1.3WaveStar ADM16/1系统子架与单元盘简述 1.3.1子架设计 1.3.2单元盘描述 1.3.3用户面板(UPL) 1.3.4输入/输出接线盒(I/O Box) 1.4WaveStar ADM16/1系统特性 1.5WaveStar ADM16/1系统技术参数 1.6WaveStar ADM16/1与朗讯科技网络管理体系 1.6.1ITM网管系列 1.6.2ITM-CIT技术参数

1.1WaveStar ADM16/1系统简介 WaveStar ADM16/1系统是为了将同步信号(G.703)和准同步信号(G.702)灵活地复用进2.5G(STM-16)等级的信号而设计的。WaveStar ADM16/1可以用作STM-16等级分插复用器、终端复用器和小型本地交叉连接系统。WaveStar ADM16/1特别适用于建设高效灵活的大容量的网络。 1.1.1 系统外观：机架与子架 WaveStar ADM16/1子架可安装在标准的ETSI机架上，也可安装在抗地震的机架上,每个机架可安装两个子架。 机架标准尺寸如下： ETSI机架：高x宽x深=2200mm/2600mmx600mmx600mm 抗地震的机架：高x宽x深=2200mmx600mmx600mm 图1-1 一个ETSI机架可安装两个WaveStar ADM16/1系统 图1-2(a)是WaveStar ADM16/1子架前视图,子架尺寸为: 高x宽x深=1000mmx500mmx545mm 从图中可以看见系统的底板(背板)，底板上有许多槽位可用于安插各种单元盘。 图1-2(b)是WaveStar ADM16/1子架后视图,包括了进出背板的电缆。

Ch1

Ch1 1电器是接通和断开电路或调节，控制和保护电路及电气设备用 的电工器具。 2电器分类：（按工作电压等级分）（1）高压电器（2）低压电器（按动作原理分）（1）手动电器（2）自动电器（按用途分）（1） 3 5 6 7 蚀，为此，必须采取有效的措施进行灭弧，以保证电路和电器元 件工作安全可靠。 8常用的灭弧装置有电动力灭弧，灭弧栅和磁吹灭弧。 9接触器按其主触头所控制主电路电流的种类可分为交流接触器

和直流接触器两种。 10交流接触器线圈通以交流电，主触头接通，分断交流主电路。直流接触器线圈通以直流电流，主触头接通，切断直流主电路。铁心用硅钢片冲压而成，线圈做成短而粗的圆筒状绕在骨架上。 11继电器主要用于控制与保护电路或用于信号转换。 12 13 15 16 生弯曲而推动执行机构动作的一种保护电器。 它主要用于交流电动机的过载保护，断相及电流不平衡运动的保护及其他电器设备发热状态的控制。 17由于热惯性的原因，热继电器不能用于短路保护。

18时间继电器的延时方式有两种（1）通电延时：接收输入信号后延迟一定的时间，输出信号才发生变化。当输入信号消失后，输出瞬时复原。（2）断电延时：接收输入信号时，瞬时产生相应的输出信号。当输入信号消失后，延迟一定的时间，输出才复原。18速度继电器主要用于笼型异步电动机的反接制动控制。使用时， 20 21 1 电气安装接线图3种。 2、绘制电气原理图应遵循以下原则：(1)电气控制线路根据电路通过的电流大小分为主电路和控制电路。主电路用粗线条画在原理图的左边，控制电路用细线条画在原理图的右边。

（2）电气原理图中，所有电气元件的图形、文字符号必须采用国 家规定的统一标准。 (3)采用电气元件展开图的画法。（4）所有按钮、触头均按没有外力作用和没有通电时的原始状态画出。（5）控制电路的分支线 路，按照动作先后顺序排列。 3、 ——KM 图 4 5、利用两个接触器的辅助常闭触头互相控制的方式，称为电气互锁。图2-17，该线路既有接触器常闭触头的电气互锁，也有复合按钮常闭触头的机械互锁，即具有双重互锁。 6、绕线转子电动机可采用转子串电阻的方法调速。

电路与模拟电子技术基本概念

Ch1 1．电流的实际方向是正电荷在电场（路）中运动的方向， 2．任意假定电流、电压为某一方向，这个假定的方向被称为是参考方向。 3．电压或电流为正值，表示参考方向和实际方向相同，电压或电流为负值，表示参考方向和实际方向相反。 4．电气设备的额定值是指制造厂为了使产品在规定的工作条件下正常运行而规定的正常容许值。 5．电路的工作状态有开路、短路、负载状态。 Ch2 1．基尔霍夫电流定律描述的是流入某结点的电流之和等于流出该结点的电流之和。 2．基尔霍夫电压定律描述的是绕行回路一周电压升之和等于电压降之和； 3．设电路有b条支路、n个结点，则用基尔霍夫电流定律可列出(n-1)个独立的结点电流方程（KCL），用基尔霍夫电压定律可列出[b -(n-1)]个独立的回路电压方程（KVL）。 4．理想电压源和理想电流源之间不能等效变换。 5．电流和电压可以直接用叠加原理来求解，但功率的计算不能直接用叠加原理。6．选取参考结点一般遵循以下原则：（1）连接支路最多；（2）纯电压源的一端； （3）待求电压的一端；（4）受控源控制电压的一端。 Ch3 1．正弦量是随时间按正弦规律变化的电量，正弦电压、电流的大小和方向都是变

化的。 2．正弦量的三个要素是指：频率、幅值和初相位。 3．初相位ψ一般按-180°～+180°的范围确定。 4．在求两个正弦量的相位差时，必须要注意“三个相同”的原则：两个正弦量必须是相同的时刻、相同的函数、相同的频率。 5．把表示正弦量的复数称为相量。 6．相量有两种表示形式：一是相量图，二是相量式。 7．相量只表示正弦量，而不是等于正弦量。 8．横轴标tω、对应的刻度表示就要用角度或弧度；横轴标t、对应的刻度表示就要用时间，两者一定要统一。 9．正弦交流电路中的功率有瞬时功率、有功功率、无功功率和视在功率。10．无功功率的单位为乏（var）或千乏（kvar），在而有功功率的单位是瓦（W）或千瓦（kW）。视在功率的单位是伏安（V·A）或千伏安（kV·A）。 11 路功率容量的利用率。 12．提高功率因数的办法是在负载上并联电容器。 13．有效值相量与最大值相量在文字符号上的区别是：最大值相量加小写“m”下标而有效值相量则不没有。如 I&表示最大值相量，而I&表示有效值相量。 m Ch4 1．由三相交流电动势构成的三相交流电源有两种接法：一种是星形（Y）联结，另一种是三角形（△）联结。 2．星形联结的三相电源，线电压大小为相电压的3，线电压相

集成电路设计习题答案15章

CH1 1．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请 说出是什么定律？ 晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。 拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。环境： IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯 片设计 3．多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？ MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义：降低成本。 4．集成电路设计需要哪四个方面的知识？ 系统，电路，工具，工艺方面的知识 CH2 1．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用? 原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低 廉 2．GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,11 3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？ 接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触 4．说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。P13 5．列出你知道的异质半导体材料系统。 GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点? SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低 7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？ 肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。 8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21 CH3 1．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方 法，并比较各自的优缺点。 意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓 度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态 生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生 长 2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。P28,29 3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？ 作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。 4．X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？ X 射线（X-ray）具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子束扫描法，，由于高速电子的波长很短，分辨率很高 5．说出半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。 热扩散掺杂和离子注入法。与热扩散相比，离子注入法的优点如下：1.掺杂的过程可通过调整杂质剂量与能量来精确控制杂质分布。2.可进行小剂量的掺杂。3.可进行极小深度的掺杂。4.较低的工业温度，故光刻胶可用作掩膜。5.可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。缺点：价格昂贵，大剂量注入时，半导体晶格会遭到严重破坏且难以恢复 6．列出干法和湿法氧化法形成SiO2的化学反应式。 干氧 2 2 S i O O Si→ +湿氧 2 2 2 2 2H S i O O H Si+ → + CH4 1．Si工艺和GaAs工艺都有哪些晶体管结构和电路形式？见表4.1 2．比较CMOS工艺和GaAs工艺的特点。 CMOS工艺技术成熟，功耗低。GaAs工艺技术不成熟，工作频率高。 3.什么是MOS工艺的特征尺寸？ 工艺可以实现的平面结构的最小宽度，通常指 最小栅长。 4.为什么硅栅工艺取代铝栅工艺成为CMOS工艺 的主流技术？ 铝栅工艺缺点是，制造源漏极与制造栅极需要 两次掩膜步骤（MASK STEP），不容易对齐。硅