(完整版)材料科学基础名词解释

材料科学基础名词解释

第一章固体结构

1、晶体:原子按一定方式在三维空间内周期性地规则重复排列，有固定熔点、各向异性。

非晶体:原子没有长程的周期排列，无固定的熔点，各向同性等。

2、中间相:两组元A 和B 组成合金时，除了形成以A 为基或以B 为基的固溶体外，还可能形成晶体结构与A，B 两组元均不相同的新相。由于它们在二元相图上的位置总是位于中间，故通常把这些相称为中间相。

3、晶体点阵：由实际原子、离子、分子或各种原子集团，按一定几何规律的具体排列方式称为晶体结构或晶体点阵。

4、配位数:晶体结构中任一原子周围最近邻且等距离的原子数。

5、晶格：描述晶体中原子排列规律的空间格架称之为晶格。

6、晶胞:在点阵中取出一个具有代表性的基本单元（最小平行六面体）作为点阵的组成单元，称为晶胞。

7、空间点阵：由周围环境相同的阵点在空间排列的三维列阵成为空间点阵。

8、晶向：在晶格中，穿过两个以节点的任一直线，都代表晶体中一个原子列在空间的位向，称为晶向。

9、晶面：由节点组成的任一平面都代表晶体的原子平面，称为晶面。

10、晶向指数（晶面指数）：为了确定晶面、晶向在晶体中的相对取向、就需要一种符号，这种符号称为晶面指数和晶向指数。国际上通用的是密勒指数。

一个晶向指数并不是代表一个晶向，二十代表一组互相平行、位向相同的晶向。

11、晶向族：原子排列相同但空间位向不同的所有晶向称为晶向族，以表示。

12、晶面间距：相邻两个平行晶面之间的垂直距离。低指数晶面的面间距较大，而高指数晶面的面间距较小。晶面间距越大，则该晶面上原子排列越紧密，该原子密度越大。

13、配位数：每个原子周围最近邻且等距离的原子数目，称为配位数。

14、多晶型性：有些金属固态在不同温度或不同压力范围内具有不同的晶体结构，这种性质称为晶体的多晶型性。

15、多晶型性转变：具有多晶型性的金属在温度或压力变化时，由一种结构转变为另一种结构的过程称为多晶型性转变，也称为同素异构转变。

16、晶体缺陷：通常把晶体中原子偏离其平衡位置而出现不完整性的区域称为晶体缺陷。

17、间隙原子：进入点阵间隙总的原子称为间隙原子。间隙原子由同类原子形成称为自间隙原子，由外来杂志原子形成称为异类间隙原子。

19、置换原子：异类原子占据原来基体原子的平衡位置，则称为置换原子。

20、线缺陷：晶体中线缺陷指各种类型的位错，它是晶体中某处一列或若干列原子发生了有规律的错排现象，错排区是细长的管状畸变区域。

21、位错：位错是晶体中已滑移区与未滑移区的边界线。

22、位错环：在一个圆形区域内部发生滑移，外部不滑移，因而得到封闭的圆周边界。这种封闭位错叫做位错环。

23、柏氏矢量：可以揭示位错本质并能描述位错行为的矢量，称为柏氏矢量。刃型位错，柏氏矢量与位错线互相垂直，螺型位错的柏氏矢量与其位错线互相平行。

24、全位错：柏氏矢量的模等于该晶向上原子的间距则此位错称为全位错或者单位为错；如果小于，则称为不全位错。

25、柏氏矢量的特性：柏氏矢量是完整晶体中对应回路的不封闭段，所以b是位错周围晶体弹性变形的叠加，b越大，弹性性能越高。

26、位错密度：位错密度是单位体积晶体中所含的位错线的总长度或晶体中穿过单位截面面

积的位错线数目。当位错密度较低时，晶体的强度随着位错密度的增加而减少，当位错密度较高时则相反。因此，提高工程材料的强度，可以才去两条相反的途径：要么尽量减小位错密度，要么尽量增大位错密度。前者是晶须，后者是非晶态材料。

27、滑移：所谓滑移是指位错线沿滑移面的移动，任何类型的位错都能进行滑移

28：攀移：所谓攀移是指位错线垂直于滑移面的移动，只有刃型位错才能进行攀移。

28、在滑移时，刃型位错的滑移方向垂直于位错线而与柏氏矢量平行。

29、位错攀移在低温下较难进行，另作用于半原子面的正应力以及晶体中的过饱和空位均有利于攀移的进行。

30、位错的应变能：晶体中位错的存在引起点阵畸变，导致能量增高，此增量称为位错的应变能，或称为位错的能量。刃型位错弹性应变能约为螺型位错的1.5倍。

31、位错源：能增殖位错的地方称为位错源。

32、位错的增殖：经过剧烈冷变形的金属中位错密度比经过充分退火的金属要高出4~5个数量级，变形过程汇总位错肯定是以某种方式不断增殖。

33、位错的塞积：在切应力的作用下，位错源所产生的大量位错沿滑移面运动时，如果遇上障碍物（如固定为错，杂质粒子，晶界等），领先位错会在障碍物前被阻止，后续位错被堵塞起来，形成位错的塞积。塞积的位错群体就称为位错的塞积群，最靠近障碍物的位错称为领先位错。

34、位错的交割：在晶体形变过程中，任意一条位错线的运动，除了受与其相连接的位错线牵制外，还会遇到具有不同方向和不同滑移面上的其他位错线，这就出现了位错线的互相交割。

35、位错割阶：由于位错线不能中断，故出现了小台阶，它相当于一小段螺型位错线，称为位错割阶。

36、晶体结构条件：是指柏氏矢量必须连接晶体中的一个原子平衡位置到另一个平衡位置。37：能量条件：是指柏氏矢量必须使位错处于最低能量。

38、肖克莱不全位错：面心立方晶体中的不全位错，层错区与完整晶体区的交线M（垂直于纸面）即为肖克莱不全位错。

39、弗兰克不全位错：层错区与右半部分完整晶体之间的边界（垂直于纸面）就是弗兰克不全位错。

40、位错反应：由几个位错合成为一个新位错或由一个位错分解为几个新位错的过程称为位错反应。由几何条件，能量条件决定。

41、离子晶体中的位错特点：1.滑移面不一定是最密排面，但柏氏矢量仍为最短的点阵矢量。

2.刃型位错的附加半原子面是包括两个互补的附加半原子面。

3.刃型位错在滑移面上滑移时，沿着位错线没有粒子和电荷的移动，因而位错露头处的有效电荷不改变符号。

42、与金属相比，共价晶体和离子晶体中固有的位错，特别是可动的位错很少，另外，金属在变形时可大量增殖位错，而共价晶体和离子晶体由于结合力很强，位错运动时点阵阻力大，这些都是导致其变形比金属困难。

43、面缺陷：一是晶体的外表面，二是晶体的内界面。

44、晶界：相邻晶粒之间的界面称为境界。

45、小角晶界：两个相邻晶粒位向差小于10度的晶界称为小角晶界。又可分为对称倾侧晶界，扭转晶界

46、界面能：由于晶界上原子排列不规则，产生点阵畸变，引起能量升高，这部分能量称为界面能。小角度界面能岁位向差的增大而增加，大角界面能基本是一恒定值，与位向差无关，且比小角界面能大很多。

47、在多晶体中，即使一个晶粒内，原子排列也并不是十分规整，其中会出现位向差很小（通