《模拟电子技术基础》(第四版)_第6章
模拟电子技术基础(第4版)ppt课件
多子浓度高
多子浓度很 低，且很薄
面积大
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。
华成英 hchya@
二、晶体管的放大原理
（发射结正偏） uBE U on 放大的条件 （集电结反偏） uCB 0，即 uCE uBE
少数载流 子的运动 因集电区面积大，在外电场作用下大 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 因基区薄且多子浓度低，使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合 因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区 基区空穴 的扩散
华成英 hchya@
§1.3
晶体三极管
一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响
五、主要参数
华成英 hchya@
一、晶体管的结构和符号
为什么有孔？
小功率管
中功率管
大功率管
华成英 hchya@
2、本征半导体的结构
共价键
由于热运动，具有足够能量 的价电子挣脱共价键的束缚 而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中 留有一个空位置，称为空穴 自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。 动态平衡 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高， 热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对 的浓度加大。
指数曲线
若正向电压 UT，则i ISe u
u UT
若反向电压u UT，则i IS
2. 伏安特性受温度影响
反向特性为横轴的平行线
T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ 增大1倍/10℃
T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移
华成英 hchya@
华成英 hchya@
模拟电子技术基础-课程作业
教材 模拟电子技术基础（第四版） 清华大学模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。
(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。
(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。
(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4若将PN 结短接，在外电路将( c )。
(a)产生一定量的恒定电流 (b)产生一冲击电流 (c)不产生电流5电路如图所示，二极管D 1、D 2为理想元件，则在电路中( b )。
(a)D 1起箝位作用，D 2起隔离作用 (b)D 1起隔离作用，D 2起箝位作用 (c)D 1、D 2均起箝位作用 (d)D 1、D 2均起隔离作用D 1V 2V u O6二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而( a )。
(a)增大(b)减小 (c)不变7电路如图所示，二极管型号为2CP11，设电压表内阻为无穷大，电阻R =5k Ω，则电压表V 的读数约为( c )。
(a)0.7V (b)0V (c)10VR8电路如图所示，二极管D 为理想元件，输入信号u i 为如图所示的三角波，则输出电压u O的最大值为( c )。
(a)5V (b)10V (c)7VDu O9电路如图所示，二极管为理想元件，u i =6sin ωt V ，U =3V ，当ωt =π2瞬间，输出电压 u O 等于( b )。
(a)0V (b)6V(c)3VDu O10电路如图所示，二极管D 1，D 2，D 3均为理想元件，则输出电压u O ＝( a )。
(a)0V (b)－6V (c)－18V0V3--11电路如图所示，设二极管D1，D2为理想元件，试计算电路中电流I1，I2的值。
23k+-答：D1导通、D2截止.所以：I1=（12V+3V）/ 3k=5mA I2=012电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压uO的波形，并说明t1,t2时间内二极管D1，D2的工作状态。
模拟电子技术基础(第四版)期末复习资料
该复习资料，不一定适用于本校，但有比没有要好。
第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管，锗管。
*开启电压------硅管，锗管。
分析方法------ ----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路或压降;若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
三、稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件)CBO CEO B CBC)(1I I i iIIβββ+=∆∆==其中I CEO是穿透电流（越小越好），I CBO是集电极反向电流。
模拟电子技术基础(第四版)
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《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
数字电子技术基础第四版课后答案6
数字电子技术基础第四版课后答案6第六章脉冲波形的产生和整形[题6.1]用施密特触发器能否寄存1位二值数据，说明理由。
[解]不能，因为施密特触发器不具备记忆功能。
[题6.2]在图P6.2（a）所示的施密特触发器电路中，已知R110k，R230kG1和G2为CMOS反相器，VDD=15Ｖ。
（1）试计算电路的正向阈值电压ＶＴ＋、负向阈值电压ＶＴ－和回差电压△VT。
（2）若将图P6.2（b）给出的电压信号加到P6.2（a）电路的输入端，试画出输出电压的波形。
［解］R11015VT1VRTH1302V10V2(1)R11015VT1VRTH1302V5V2VTVTVT5V(2)见图A6.2。
［题6.3］图P6.3是用ＣMOS反相器接成的压控施密特触发器电路，试分析它的转换电平ＶT+、VT-以及回差电压△ＶT与控制电压ＶCO的关系。
,则根据叠加定理得到[解]设反相器G1输入端电压为IR2//R3R1//R3R1//R2VCO0R1R2//R3R3R1//R2R2R1//R3VTH时，IVT，因而得到（1）在I升高过程中00。
当升至IIIVTHVTR2//R3R1//R2VCOR1R2//R3R3R1//R2R1R1R1R1//R2R1R2//R3VTVTHVCOVTH1RVCORRRR//RR//R32331223 VTH时，IVT，于是可得（2）在I降低过程中0VDD。
当降至I VTHVTR2//R3R1//R3R1//R2VCOVDDR1R2//R3R3R1//R2R2R1//R3 R1//R3R1R2//R3R1//R2VVVCODDTHR3R1//R2R2R1//R3R2//R3VTR1R1R1VTH1RRRVCO323RRVTVTVT21VTH1VDDR2R2（3）（与VCO无关）根据以上分析可知，当Vco变小时，VT+和VT-均增大，但回差电压△VT不变。
[题6.4]在图P6.4施密特触发器电路中，若G1和G2为74LS系列与非门和反相器它们的阈值电压VTH=1.1V，R1=1KΩ，二极管的导通压降VD=0.7V，试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。
模拟电子技术基础(第四版)完整 童诗白ppt课件
4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又 不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动 会达到平衡，载流子的浓度就一定了。
5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升 高，基本按指数规律增加。
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莆田学院三电教研室－－模拟电路多媒体课件
3. 空间电荷区产生内电场
空间电荷区正负离子之间电位差 Uho —— 电位壁垒； —— 内电场；内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。
4. 漂移运动 内电场有利 于少子运动—漂 移。
少子的运动 与多子运动方向 相反
阻挡层
P
空间电荷区
N
内电场
Uho
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第一章 常用半导体器件
T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:
n = p =1.43×1010/cm3
本征锗的电子和空穴浓度:
n = p =2.38×1013/cm3 10
莆田学院三电教研室－－模拟电路多媒体课件
第一章 常用半导体器件
小结
带负电的自由电子
1. 半导体中两种载流子
带正电的空穴
2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现， 称为 电子 - 空穴对。
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体 称为本征半导体
+4
+4
+4
将硅或锗材料提
纯便形成单晶体，
共 价
它的原子结构为 键
+4
+4
价 电 子
+4
共价键结构。
+4
当温度 T = 0 K 时，半导 体不导电，如同绝缘体。 图 1.1.1
模拟电子技术基础(第四版)答案
（2）估算 ：
（3）
（4） ，频率特性曲线略。
三、（1）60 103
（2）10 10
（3）
习题
5.1（1） ①①
（2） ①①①③
5.2
5.3
5.4（1）直接耦合；
（2）三级；
（3）当f＝104Hz时，φ’＝－135o；当f＝105Hz时，φ’＝－270o。
5.5
5.6（1）
2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V。
带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V。
2.5（1）×（2）×（3）×（4）√（5）×（6）×（7）×（8）√
（9）√（10）×（11）×（12）√
二、（1）×（2）√（3）√（4）√（5）×
三、
四、（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。
（2）第一级：采用共集-共基形式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载（T5、T6）增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数。
（2）图略。
5.7
图略。
5.8（1）（a）（2）（c）（3）（c）
5.9
5.10（1）C1（Rs＋Ri）＝C2（Rc＋RL），C1:C2＝5 : 1。
（2）
5.11 减小，因为在同样幅值的 作用下， 将减小， 随之减小， 必然减小。
fL减小，因为少了一个影响低频特性的电容。
fH减小，因为 会因电压放大倍数数值的减小而减小。
4.16T1－共射电流的放大管，T2和T3－互补输出级，T4、T5、R2－消除交越失失真。
模电第四版习题答案
模电第四版习题答案模拟电子技术是电子工程领域中非常重要的基础课程，其习题答案对于学生理解和掌握课程内容至关重要。
以下是模拟电子技术第四版习题的部分答案，供参考：第一章：半导体基础1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
在室温下，硅的电阻率大约是1kΩ·cm，而锗的电阻率大约是0.6kΩ·cm。
2. N型半导体中，多数载流子是自由电子，而P型半导体中，多数载流子是空穴。
3. PN结的正向偏置是指给P型半导体加上正电压，N型半导体加上负电压，此时PN结导通。
第二章：二极管1. 整流二极管主要用于将交流电转换为脉动直流电，稳压二极管主要用于电路中稳定电压。
2. 一个理想的二极管在正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大。
3. 齐纳二极管是一种特殊类型的稳压二极管，它在反向偏置时具有稳定的电压。
第三章：双极型晶体管1. 双极型晶体管（BJT）分为NPN和PNP两种类型，其中NPN型BJT在基极-发射极结正向偏置时导通。
2. 晶体管的放大区是基极电流变化引起集电极电流变化的区域。
3. 晶体管的饱和区是指基极电流足够大，使得集电极电流达到最大值，此时晶体管不能进一步放大信号。
第四章：场效应晶体管1. 场效应晶体管（FET）的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
2. JFET（结型场效应晶体管）和MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种常见的FET。
3. MOSFET在截止状态下，其源极和漏极之间的电阻非常大，几乎相当于断路。
第五章：放大器基础1. 放大器的主要功能是接收一个电信号并将其转换为更大的电流或电压信号。
2. 共射放大器是最常见的BJT放大器配置之一，它具有较高的电压增益和中等的电流增益。
3. 差分放大器能够放大两个输入信号之间的差值，对共模信号不敏感。
第六章：反馈放大器1. 反馈放大器通过将输出信号的一部分反馈到输入端来稳定放大器的性能。
2. 负反馈可以提高放大器的稳定性和线性度，但可能会降低增益。
模拟电子技术基础第四版习题解答完整版
模拟电子技术基础第四版习题解答Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。
五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。
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xf只由xo产生
F: 反馈网络
xi — 输入信号 A xd — 净输入信号 xf xf — 反馈信号 xo — 输出信号 F 正反馈 xd = xi + xf 反馈：将放大器输出信 负反馈 xd = xi – xf
开环放大倍数 A= xo / xd 反馈系数
号的一部分或全部经反
xi
xd
xo
F= xf / xo
.
RL
电流放大倍数
Io Ai Ii
希望
Ri , Ro
引入电流并联负反馈，可以使 深度电流并联负反馈下
Ri , Ro Ri 0, Ro
恒流源
信号源上无损失
.
Io RS .+ US_
+ . Ui _
放大 电路
RL
互导放大倍数
Io Aiu Ui
虚断
2. uo / ui 与集成运放无关，只与反馈电阻有关，即非常稳定
is
RS ii
2. 电压并联反馈
id
ui if
A
F
RL
uo xi xf
F
xd
A
xo
在放大器输出端 在放大器输入端
xo以电压 uo 的形式出现 xi, xf, xd以电流 ii , if, id 的形式出现
is
RS ii
id
ui if
id
F A
RL
1 Aiif Fii
id 0
us ii Rs
if
io
ui 0
Ausf
R
u
uo io RL Aiif RL Rs ii Rs us
o
F
例图
ui
ii
R1
+ +
输出端判断法:
让uo=0，
• • 若反馈不存在了，则为电压反馈 若反馈仍然存在，则为电流反馈
简易输入端判断法: 反馈(xf)与输入(xi)分别加在基本放大器（运放）的2个输 入端（b,e 或uP,uN )上, 串联反馈 (uf, ui)
反馈(xf)与输入(xi)同时加在基本放大器（运放）的1个输 入端（b,e 或uP,uN)上, 并联反馈 (if, ii) 简易输出端判断法: 如uo是对地的电压，则看反馈支路是否与uo有交叉点：
RS .+ US_
+ . Ui _
放大 电路
+ Uo _
.
RL 负载
信号源
电压放大倍数
Uo Au Ui
希望
Ri , Ro
引入电压串联负反馈，可以使 深度电压串联负反馈下
Ri , Ro
Ri , Ro 0
恒压源
信号源上无损失
Ｉi RS ＩS
.
.
Io 放大 电路
反馈与ui都加在Ａ的同一点（交叉点）上 并联反馈
is
RS ii
id
ui if
A
RL
io
u
F
xf xo
if io
Fii
o
F
xo io Af Aiif xi ii
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
is
RS ii
id
ui if
A
RL
io u
o
因为深度负反馈下：
1 Af F
这里：
xd 0
us RS
+
-
ii
ui
u
o
xf
A
F
xo
F
在放大器输出端
在放大器输入端
xo以电流 io 的形式出现 xi, xf, xd以电压ui , uf, ud 的形式出现
ud
RS
A
RL
io
在放大器输出端
o
u
+ s-
ui uf
u
F与A串联 R o=0时，反馈仍然存在 当u
当io=0时，反馈不存在了 电流反馈
F
在放大器输入端 电压 ud , ui , u f ，KVL(回路形式) 反馈支路与ui无交叉点 反馈与输入加在Ａ的不同点上 串联反馈
ui uf
A
xi xf
xd
A
F
xo
ud
RS
A F
RL
并联
uo
ui
us uf
+
ui uf
串联 电压串联
is
RS
ii id
ui if
并联
A
RL
uo
电压并联 并联
ii
if
A
F
ii
if
电流串联
ud
RS
A
RL
io
R
us-
+
ui uf
串联
u
o
F
串联
is
RS ii
id
ui if
A
RL
io
电流并联 R
u
o
F
例图
1. 有交流反馈
i ui uf
2. 组态判断 输入端:
o
u
R1
输出端:
o
RL
io=0时，反馈不存在了 uo=0时，反馈仍然存在，电流反馈
反馈支路与ui无交叉点，串联反馈 ui加在uP, 反馈加在uN, 串联反馈
+ +
ui
i
o
RL uo
uf +R
1
Fui
uf io
R1
3. 极性判断：用瞬时极性法
uf削弱了ui的作用 uf,ui同相
负反馈
用虚短虚断做
i
o
uN uP ui
ui
uf
R1
R
RL uo
u N 0 uo R1 RL RL uo ui R1
io 1 1 Aiuf 深度负反馈下： ui Fui R1
uo io RL RL Auf Aiuf RL ui ui R1
AF 0
AF
若
Af A
1 AF
深度负反馈 反馈深度
环路增益 1+AF>>1
A A 1 Af 1 AF AF F Af 与 A 无关,即非常稳定
深度负反馈下：
1 已知深度负反馈下： Af F
而按定义：
xo Af xi
F
xf xo
xo xo 因此深度负反馈下： xi x f
u
F
Ausf
uo uo Rs us ii Rs
us ii Rs Auif
深度串联负反馈
虚短
负反馈下
虚断
深度并联负反馈
虚断
虚短
深度负反馈下
虚断虚短同时存在
例图
ii
ui
R1 if RF
2. 组态判断 输出端:
uo
RL
1.
有交流反馈
uo=0时，反馈不存在了，电压反馈；
(uo是对地的电压，反馈支路与uo有交叉点,电压反馈)；
uf
3. 极性判断：用瞬时极性法 注意： 对串联反馈, uf削弱了ui的作用
求uf (F)时，要断开ui，uf，ud回路
uf，ui同相
负反馈
ui
R1
u
RF
o
uf
RL
深度负反馈下： A uo 1 R1 RF uuf R1 Fuu ui 虚短 1. uo与RL无关，恒压源
ud 0
输入端: 反馈支路与ui有交叉点，并联反馈；
(输入ui和反馈都加在uＮ(交叉点)上，并联反馈)
交叉点以左为信号源
ii
ui
uo
+
R1 if RF
_
RL
3. 极性判断：用瞬时极性法 注意： 对并联反馈, if削弱了ii的作用
Fiu
if uo
1 RF
求if (F)时，要让输入端的交叉点（节点）接地 if, ii 同相 负反馈
ud
RS
A
RL
io
u
+ s-
ui uf
u
o
R
F
Af
F
1 Af F
xf xo
uf io
Fui
xo io Aiuf xi ui
因为深度负反馈下：
xd 0
1 ud 0 这里： Aiuf Fui uo io ( R / / RL ) Aiuf ( R / / RL ) Auf ui ui
第六章 放大电路中的反馈 正反馈
反馈
{
第8章
反馈的极性
负反馈 直流反馈 交流反馈
第6,7章 稳定Q点 稳定和改善交流指标 电压串联负反馈 电压并联负反馈 电流串联负反馈 电流并联负反馈 电压串联正反馈 电压并联正反馈 电流串联正反馈 电流并联正反馈
反馈
{
交流负反馈的组态
交流正反馈的组态
{ {
为什么要加交流负反馈？ 改善放大电路的性能
A
RL
uo
在放大器输出端 F与A相并联 当uo=0时，反馈不存在了
F
在放大器输入端 电流 id , ii , i f ，KCL(节点形式)
电压反馈
反馈支路与ui有交叉点（节点） 反馈与ui都加在Ａ的同一点（交叉点）上 并联反馈 输入端交叉点以左为信号源
is
RS ii
id
ui if
A
RL
uo
F
xf xo
例图
ui
R1
u
RF
1.