常用压电陶瓷片性能参数
压电陶瓷（ＰＤＦ）
平移台系列纳米定位偏转台系列纳米定位动电源系列压电陶瓷驱微仪系列高精度测其他定制及 产品代理进口5低压驱动超长的使用寿命刚度大亚毫秒的响应速度亚纳米的分辨率光学成像激光调准精密机械聚焦显微微定位特点应用XP 6×6/18XP 4.5×4.5/18 XHP 150/14-10/12XP 6×6/18电压与位移曲线XP 6×6/18蠕变曲线D31：-290picometer/VoltD33：+635picometer/Volt相对介电常数Rel.dielectric constant ε：5400居里温度Curie temperature ℃：150℃密度Density ：8g/cm 3弹性柔顺常数S 33 ：18×10-12m 2/N 使用温度：-50~80℃居里温度：150℃空载满幅值最大使用频率：123HzXP 6×6/18XP 4.5×4.5/18XHP 150/14-10/12外形尺寸[mm]±0.16×6×184.5×4.5×18OD/ID ：14/10 标称位移 [μm]±10%181812最大位移[μm]±10%242416静电容量[μF]±20%1.80.82.7刚度 [N/μm]±10%7030270响应频率 [kHz]455065标称推力[N]1400600 4000 型号其他使用参数：压电陶瓷材料特性：低压叠堆压电陶瓷-推荐型号术参数www.xm tkj.c o m *************X M T 芯明天科技024681012141618200102030405060708090100110120130140150S 输出位移（u m ）驱动电压V （v ）压电陶瓷XP 6×6/18驱动电压与输出位移测试曲线图6×6×203×4×9XP 6×6/20XP 3×4/92013 1.40.17492569100100020018 9标称位移是在0~150V 驱动电压下的位移，最大驱动电压可在-30V~150V ；建议在0~150V 驱动电压下使用。
压电陶瓷性能参数解析
压电陶瓷性能参数解析 Document number：NOCG-YUNOO-BUYTT-UU986-1986UT在机械自由条件下，测得的介电常数称为自由介电常数，在εT表示，上角标T表示机械自由条件。
在机械夹持条件下，测得的介电常数称为夹持介电常数，以εS表示，上角标S表示机械夹持条件。
由于在机械自由条件下存在由形变而产生的附加电场，而在机械受夹条件下则没有这种效应，因而在两种条件下测得的介电常数数值是不同的。
根据上面所述，沿3方向极化的压电陶瓷具有四个介电常数，即ε11T，ε33T，ε11S，ε11S。
（2）介质损耗介质损耗是包括压电陶瓷在内的任何介质材料所具有的重要品质指标之一。
在交变电场下，介质所积蓄的电荷有两部分：一种为有功部分（同相），由电导过程所引起的；一种为无功部分（异相），是由介质弛豫过程所引起的。
介质损耗的异相分量与同相分量的比值如图1-1所示，Ic为同相分量，IR为异相分量，Ic与总电流I的夹角为δ，其正切值为(1-4)式中，ω为交变电场的角频率，R为损耗电阻，C为介质电容。
由式（1-4）可以看出，I R大时，tanδ也大；I R小时tanδ也小。
通常用tanδ来表示的介质损耗，称为介质损耗正切值或损耗因子，或者就叫做介质损耗。
处于静电场中的介质损耗来源于介质中的电导过程。
处于交变电场中的介质损耗，来源于电导过程和极化驰豫所引起的介质损耗。
此外，具有铁电性的压电陶瓷的介质损耗，还与畴壁的运动过程有关，但情况比较复杂，因此，在此不予详述。
（3）弹性常数压电陶瓷是一种弹性体，它服从胡克定律：“在弹性限度范围内，应力与应变成正比”。
设应力为T，加于截面积A的压电陶瓷片上，其所产生的应变为S，则根据胡克定律，应力T与应变S之间有如下关系S=sT(1-5)T=cS(1-6)式中，S为弹性顺度常数，单位为m2/N；C为弹性劲度常数，单位为N/m2。
但是，任何材料都是三维的，即当施加应力于长度方向时，不仅在长度方向产生应变，宽度与厚度方向上也产生应变。
参数压电陶瓷材料性能参数
压电陶瓷系列
宽W[mm]
7.8 7.8 7.8 7.8 7.8 7.8 7.8 7.8 7.8
高H[mm]
0.7 1.25 1.8 0.7 1.25 1.8 0.7 1.25 1.8
+100V
-100V
Vin +/- 100V
5.2
120
22
4500
7000
HPSt 150/20-15/12
20×15
13.5
16/12
5
450
75
8000
11000
HPSt 150/20-15/25
20×15
27
32/25
10
230
22
8000
11000
HPSt 150/20-15/40
20×15
40.5
50/40
15
150
15
8000
11000
最大负载 [N]
300 300 300 800 800 2000 2000 4000 4000 8000 8000 16000
环形叠堆压电陶瓷
特点
多种外径尺寸可供选择 亚纳米的分辨率 亚毫秒的响应时间 最大外径：20mm
应用
光学 光学调整 精密机械
成像 精密定位 聚焦显微
技术参数
型号 HPSt 150/14-10/12
延长使用寿命。
* 以上陶瓷内外径尺寸不包含树脂层厚度，内外径树脂厚度均为0.5±0.05mm。更多型号可与销售工程师联系。
叠堆压电陶瓷片 方形压电陶瓷片
Type A01
Type A02
技术参数
型号
长L[mm]
压电陶瓷性能参数解析
上角标S表示机械夹持条件。
由于在机械自由条件下存在由形变而产生的附加电场，而在机械受夹条件下则没有这种效应，因而在两种条件下测得的介电常数数值是不同的。
根据上面所述，沿3方向极化的压电瓷具有四个介电常数，即ε11T，ε33T，ε11S，ε11S。
〔2〕介质损耗介质损耗是包括压电瓷在的任何介质材料所具有的重要品质指标之一。
在交变电场下，介质所积蓄的电荷有两局部：一种为有功局部〔同相〕，由电导过程所引起的；一种为无功局部〔异相〕，是由介质弛豫过程所引起的。
介质损耗的异相分量与同相分量的比值如图1-1所示，Ic为同相分量，IR为异相分量，Ic与总电流I的夹角为δ，其正切值为(1-4)式中，ω为交变电场的角频率，R为损耗电阻，C为介质电容。
由式〔1-4〕可以看出，IR 大时，tanδ也大；IR小时tanδ也小。
通常用tanδ来表示的介质损耗，称为介质损耗正切值或损耗因子，或者就叫做介质损耗。
处于静电场中的介质损耗来源于介质中的电导过程。
处于交变电场中的介质损耗，来源于电导过程和极化驰豫所引起的介质损耗。
此外，具有铁电性的压电瓷的介质损耗，还与畴壁的运动过程有关，但情况比拟复杂，因此，在此不予详述。
〔3〕弹性常数压电瓷是一种弹性体，它服从胡克定律："在弹性限度围，应力与应变成正比〞。
设应力为T，加于截面积A的压电瓷片上，其所产生的应变为S，则根据胡克定律，应力T与应变S之间有如下关系S=sT (1-5) T=cS (1-6) 式中，S为弹性顺度常数，单位为m2/N；C为弹性劲度常数，单位为N/m2。
但是，任何材料都是三维的，即当施加应力于长度方向时，不仅在长度方向产生应变，宽度与厚度方向上也产生应变。
设有如图1-2所示的薄长片，其长度沿1方向，宽度沿2方向。
沿1方向施加应力T1，使薄片在1方向产生应变S1，而在方向2上产生应变S2，由〔1-5〕式不难得出S1=S11T1(1-7)S2=S12T1(1-8)上面两式弹性顺度常数S11和S12之比，称为迫松比，即(1-9)它表示横向相对收缩与纵向相对伸长之比。
压电陶瓷参数整理
压电材料的主要性能参数（1）介电常数ε介电常数是反映材料的介电性质，或极化性质的，通常用ε来表示。
不同用途的压电陶瓷元器件对压电陶瓷的介电常数要求不同。
例如，压电陶瓷扬声器等音频元件要求陶瓷的介电常数要大，而高频压电陶瓷元器件则要求材料的介电常数要小。
介电常数ε与元件的电容C，电极面积A和电极间距离t之间的关系为ε=C·t/A式中C——电容器电容；A——电容器极板面积；t——电容器电极间距当电容器极板距离和面积一定时，介电常数ε越大，电容C也就越大，即电容器所存储电量就越多。
由于所需的检测频率较低，所以ε应大一些。
因为ε大，C就相应大，电容器充放电时间长，频率就相应低。
(2)压电应变常数压电应变常数表示在压电晶体上施加单位电压时所产生的应变大小：31(/) td m VU=式中 U——施加在压电晶片两面的压电；△t——晶片在厚度方向的变形。
压电应变常数33d是衡量压电晶体材料发射性能的重要参数。
其值大，发射性能好，发射灵敏度越高。
（3）压电电压常数33g压电电压常数表示作用在压电晶体上单位应力所产生的压电梯度大小：31(m/N) PUg VP=•式中 P——施加在压电晶片两面的应力；PU——晶片表面产生的电压梯度，即电压U与晶片厚度t之比，PU=U/t。
压电电压常数33g是衡量压电晶体材料接收性能的重要参数。
其值大，接收性能好，接收灵敏度高。
（4）机械品质因数机械品质因数也是衡量压电陶瓷的一个重要参数。
它表示在振动转换时材料内部能量消耗的程度。
产生损耗的原因在于内摩擦。
m E E θ=储损m θ值对分辨力有较大的影响。
机械品质因数越大，能量的损耗越小，晶片持续振动时间长，脉冲宽度大，分辨率低。
（5）频率常数由驻波理论可知，压电晶片在高频电脉冲激励下产生共振的条件是: 022LL C t f λ== 式中 t ——晶片厚度；L λ——晶片中纵波波长；L C ——晶片中纵波的波速； 0f ——晶片固有频率。
压电陶瓷性能参数解析
压电陶瓷性能参数解析T=cS(1-6)式中，S为弹性顺度常数，单位为m2/N；C为弹性劲度常数，单位为N/m2。
但是，任何材料都是三维的，即当施加应⼒于长度⽅向时，不仅在长度⽅向产⽣应变，宽度与厚度⽅向上也产⽣应变。
设有如图1-2所⽰的薄长⽚，其长度沿1⽅向，宽度沿2⽅向。
沿1⽅向施加应⼒T1，使薄⽚在1⽅向产⽣应变S1，⽽在⽅向2上产⽣应变S2，由（1-5）式不难得出S1=S11T1(1-7)S2=S12T1(1-8)上⾯两式弹性顺度常数S11和S12之⽐，称为迫松⽐，即(1-9)它表⽰横向相对收缩与纵向相对伸长之⽐。
同理，可以得到S13，S21，S22，其中，S22=S11，S12。
极化过的压电瓷，其独⽴的弹性顺度常数只有5个，即S11，S12，S13，S33和S44。
独⽴的弹性劲度常数也只有5个，即C11，C12，C13，C33和C44.由于压电瓷存在压电效应，因此压电瓷样品在不同的电学条件下具有不同的弹性顺度常数。
在外电路的电阻很⼩相当于短路，或电场强度E=0的条件下测得的称为短路弹性顺度常数，记作S E。
在外电路的电阻很⼤相当于开路，或电位移D=0的条件下测得的称为开路弹性顺度常数，记作S D。
由于压电瓷为各向异相性体，因此共有下列10个弹性顺度常数：S E11，S E12，S E13，S E33，S E44，S D12，S D13，S D33，S D44。
同理，弹性劲度常数也有10个：C E11，C E12，C E13，C E33，C E44，C D11，C D12，C D13，C D33，C D44。
（4）机械品质因数。
压电陶瓷材料的主要性能及参数
压电陶瓷材料的主要性能及参数自由介电常数εT33（free permittivity）电介质在应变为零（或常数）时的介电常数，其单位为法拉/米。
相对介电常数εTr3（relative permittivity）介电常数εT33与真空介电常数ε0之比值，εTr3=εT33/ε0，它是一个无因次的物理量。
介质损耗（dielectric loss）电介质在电场作用下，由于电极化弛豫过程和漏导等原因在电介质内所损耗的能量。
损耗角正切tgδ（tangent of loss angle）理想电介质在正弦交变电场作用下流过的电流比电压相位超前90 0，但是在压电陶瓷试样中因有能量损耗，电流超前的相位角ψ小于900，它的余角δ（δ+ψ=900）称为损耗角，它是一个无因次的物理量，人们通常用损耗角正切tgδ来表示介质损耗的大小，它表示了电介质的有功功率（损失功率）P与无功功率Q之比。
即：电学品质因数Qe（electrical quality factor）电学品质因数的值等于试样的损耗角正切值的倒数，用Qe表示，它是一个无因次的物理量。
若用并联等效电路表示交变电场中的压电陶瓷的试样，则Qe=1/ tgδ=ωCR机械品质因数Qm（mechanical quanlity factor）压电振子在谐振时储存的机械能与在一个周期内损耗的机械能之比称为机械品质因数。
它与振子参数的关系式为：泊松比（poissons ratio）泊松比系指固体在应力作用下的横向相对收缩与纵向相对伸长之比，是一个无因次的物理量，用δ表示：δ= - S 12 /S11串联谐振频率fs（series resonance frequency）压电振子等效电路中串联支路的谐振频率称为串联谐振频率，用f s 表示，即并联谐振频率fp（parallel resonance frequency）压电振子等效电路中并联支路的谐振频率称为并联谐振频率，用f p 表示，即f p =谐振频率fr（resonance frequency）使压电振子的电纳为零的一对频率中较低的一个频率称为谐振频率，用f r 表示。