Summary-磷扩散概论
电池片背部磷扩散
电池片背部磷扩散【原创版】目录1.电池片背部磷扩散的概述2.电池片背部磷扩散的作用3.电池片背部磷扩散的工艺流程4.电池片背部磷扩散的优缺点5.我国在电池片背部磷扩散技术方面的发展正文一、电池片背部磷扩散的概述电池片背部磷扩散是一种在太阳能电池片生产过程中的关键技术，主要作用是在电池片的背面进行磷元素的扩散，形成 p 型区域，从而实现光电转换。
磷扩散是太阳能电池制造过程中的重要环节，对电池片的性能有着至关重要的影响。
二、电池片背部磷扩散的作用1.形成 p 型区域：电池片背部磷扩散的主要目的是在电池片背面形成 p 型区域，与正面的 n 型区域形成 p-n 结，为电子和空穴的分离和传输创造条件。
2.提高光电转换效率：通过背部磷扩散，可以优化电池片的内部结构，提高光电转换效率，从而提高太阳能电池的整体性能。
3.降低电池片的生产成本：电池片背部磷扩散是一种较为成熟的技术，相较于其他生产工艺，具有较低的生产成本，有助于降低电池片的生产成本，提高市场竞争力。
三、电池片背部磷扩散的工艺流程电池片背部磷扩散的工艺流程主要包括以下几个步骤：1.清洗：对电池片进行清洗，去除表面的油污和杂质，为磷扩散创造良好的条件。
2.制备磷源：采用磷酸或磷酸酯等作为磷源，进行磷扩散。
3.扩散：将磷源加入到电池片背面，通过高温烧结，使磷元素向硅片内部扩散。
4.退火：在扩散过程中，通过控制温度和时间，使磷元素在硅片内部形成均匀的 p 型区域。
5.后处理：扩散完成后，对电池片进行后处理，如清洗、刻蚀等，以去除表面残留物，提高电池片的性能。
四、电池片背部磷扩散的优缺点优点：1.工艺成熟，易于实现；2.生产成本较低；3.可以提高电池片的光电转换效率。
缺点：1.扩散过程对温度和时间的控制较为严格，工艺参数的调整需要经验积累；2.磷扩散可能导致电池片的不均匀性，影响电池片的性能。
五、我国在电池片背部磷扩散技术方面的发展我国在电池片背部磷扩散技术方面取得了显著的成果。
POCl3磷扩散原理优秀课件
POCl3磷扩散原理
生成的P2O5又进一步与硅作用，生成 SiO2和磷原子，由此可见，在磷扩散时， 为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对 硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的 同时通入一定流量的氧气 。
POCl3磷扩散原理
在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应 式为：
2P2O5 5Si 5SiO2 4P
POCl3磷扩散原理
由如分前果的面没，反有生应外成式来的可 的PC以 氧l5是看 （不出O2易，）分P参O解与C的l其3热，分分并解解且是时对不，硅充 有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但在有 外P2O来5并O2放存出在氯的气情（况C下l2，）P其C反l5会应进式一如步下分：解成
TCA清洗原理
其基本原理是：三氯乙烷（C2H3Cl3）高温氧 化分解，产生的氯分子与重金属原子化合后 被气体带走，达到清洗石英管道的目的。其 反应式为：
加热 C2H3Cl3 + O2 Cl2 + H2O + CO2 +……
关于方块电阻--什么是方块电阻
扩散层的薄层电阻也称方块电阻， 常分别用Rs和R口表示。所谓薄层电阻， 就是表面为正方形的半导体薄层在电流 方向（电流方向平等于正方形的边）所 呈现的电阻。为了表示薄层电阻不同于 一般电阻，其单位常用[欧姆/方块]或 [Ω/口]表示 。
扩散方块电阻的测试
方块电阻的测试—四探针
目前生产中，测量方块电阻广泛采用四探针法。
使用环境：温度23度
相对湿度≤65%
无高频干扰 无强光直射
用途：测量半导体材料的电阻率，方块电阻，导
电膜方块电阻。
原理：使用四根处在同一水平面上的探针压在所测
磷扩散
扩散方块电阻控制在47-52Ω/□之间。同 一炉扩散方块电阻不均匀度≤20%，同一 硅片扩散方块电阻不均匀度≤10%。 表面无明显因偏磷酸滴落或其他原因引 0℃ ℃ 出炉 3min 3min 大N2 25 25
操作状态 STP103E STP125E 流量 （L/min) STP103E STP125E
大N2，O2，小N2 18 18 2.5 2.5 1.8 1.8
在太阳电池扩散工艺中，扩散层薄层电 阻是反映扩散层质量是否符合设计要求 的重要工艺指标之一。 对应于一对确定数值的结深和薄层电阻， 扩散层的杂质分布是确定的。
扩散层的薄层电阻也称方块电阻，常分 别用，就是表面为正方形的半导体薄层 在电流方向（电流方向平行于正方形的 边）所呈现的电阻。
目前生产中，测量扩散层 薄层电阻广泛采用四探针 法。测量装置示意图如图 所示。图中直线陈列四根 金属探针（一般用钨丝腐 蚀而成）排列在彼此相距 为S一直线上，并且要求 探针同时与样品表面接触 良好，外面一对探针用来 通电流、当有电流注入时， 样品内部各点将产生电位， 里面一对探针用来测量2、 3点间的电位差。
清洗
扩散
饱和 回温 装片
关源，退舟
卸片
送片
方块电阻测量
初次扩散前，扩散炉石英管首先连接 TCA装置，当炉温升至设定温度，以设 定流量通TCA60分钟清洗石英管。 清洗开始时，先开O2，再开TCA；清洗 结束后，先关TCA，再关O2。 清洗结束后，将石英管连接扩散源瓶， 待扩散。
每班生产前，须对石英管进行饱和。 炉温升至设定温度时，以设定流量通小 N2（携源）和O2，使石英管饱和，20分 O 20 钟后，关闭小N2和O2。 N O 初次扩散前或停产一段时间以后恢复生 产时，需使石英管在950℃通源饱和1小 时以上。
膦催化science-概述说明以及解释
膦催化science-概述说明以及解释1.引言1.1 概述膦催化是一种重要的有机合成方法，它在近年来受到了广泛的关注和研究。
膦作为催化剂能够有效地促进化学反应的进行，而且具有高效、高选择性以及绿色环保等诸多优点。
由于其独特的反应机制和广泛的反应适应性，膦催化已经成为有机合成领域中的热点研究方向。
膦催化的基本原理是通过膦催化剂与底物之间的相互作用来降低反应活化能，进而提高反应速率和选择性。
膦催化剂能够与底物形成稳定的中间体，从而改变反应路径和活性中心，促进化学反应的进行。
与传统的有机催化剂相比，膦催化剂具有更强的活性和更广的反应适应性，可以催化各种底物的各种反应，包括不对称催化、串联反应、环化反应等。
在有机合成中，膦催化广泛应用于碳-碳键和碳-异原子键的构建，包括C-C键的交叉偶联反应、C-N键和C-O键的形成反应等。
通过膦催化反应，有机化合物的构建变得更加高效和可控，可以合成各种复杂的天然产物、药物分子和功能性化合物。
此外，膦催化还可以实现选择性催化和不对称催化，在制药、材料科学和化学生物学等领域具有广泛的应用前景。
综上所述，膦催化作为一种独特而有效的有机合成方法，正在不断地引起研究者们的关注。
通过深入研究其基本原理和拓展其应用领域，我们可以进一步提高膦催化的效率和选择性，为有机化学领域的发展做出更大的贡献。
1.2文章结构文章结构：本文主要包括三个部分：引言、正文和结论。
引言部分将对膦催化的概念和基本原理进行概述，并介绍文章的结构和目的。
正文部分将分为两个小节：膦催化的基本原理和膦催化在有机合成中的应用。
首先，我们将详细介绍膦催化的基本原理，包括膦配体与过渡金属的配位作用和催化循环机理等内容。
然后，我们将探讨膦催化在有机合成中的广泛应用，包括不对称催化、碳-碳键和碳-杂原子键的构建、环化反应等方面，并结合具体的反应实例进行说明。
结论部分将对全文进行总结，再次强调膦催化在有机合成中的重要性和广泛应用，并展望膦催化在未来的发展前景。
硼扩散 磷扩散 差别
硼扩散磷扩散差别
硼扩散和磷扩散是半导体制造过程中的两种重要技术。
它们都可以用
来向半导体材料中引入杂质，从而改变材料的导电性能。
然而，硼扩
散和磷扩散在实现方式、扩散速度、扩散深度和效果等方面存在差别。
首先，硼扩散和磷扩散的实现方式不同。
硼扩散通常是在高温下进行
的外延扩散过程，它需要将半导体材料放入硼酸盐中进行扩散，然后
在高温下烧结硼酸盐，形成硼化层。
而磷扩散则需要将磷化氢气体转
化为磷酸盐，并将其喷洒到半导体材料表面，然后将其加热，使磷化
氢分子向表面扩散并融入半导体材料中。
其次，在扩散速度方面，硼扩散和磷扩散也存在差别。
硼扩散速度较慢，需要耗费更长时间来完成。
而磷扩散速度较快，可以在短时间内
完成。
这也使得磷扩散更加适合制造复杂的电子元件。
另外，在扩散深度和效果方面，硼扩散和磷扩散也存在差别。
硼扩散
更适合浅层扩散，可以获得更浅的杂质分布。
而磷扩散可以获得更深
的杂质扩散，因此适用于制造较深的通孔和导体。
总之，硼扩散和磷扩散技术在半导体制造中都有着重要的应用。
它们的差别在于实现方式、扩散速度、扩散深度和效果等方面。
了解硼扩散和磷扩散的差别可以帮助半导体制造商更好地选择适合自己需求的技术，并帮助他们制造出更高性能的电子元件。
磷扩散原理
磷扩散原理
磷扩散是一种重要的固体材料表面处理技术，它能够在金属材料表面形成一层磷化物层，从而提高材料的硬度、耐磨性和耐腐蚀性。
磷扩散原理是指在高温下，磷原子在金属表面扩散并与金属原子结合形成磷化物层的过程。
本文将对磷扩散原理进行详细介绍。
磷扩散的原理主要包括扩散过程和化合过程两个方面。
首先是扩散过程，磷原子首先需要在金属表面进行扩散。
在高温下，金属表面的晶格结构会变得松散，磷原子便可以比较容易地进入金属晶格之中。
一旦磷原子进入金属晶格，它们就会开始在晶格中自由移动，直到达到平衡浓度。
在扩散过程中，温度是一个非常关键的因素，通常情况下，较高的温度可以加快磷原子的扩散速度，从而缩短扩散时间。
其次是化合过程，当磷原子扩散到金属晶格中后，它们会与金属原子结合形成磷化物层。
这个过程实际上是一个化学反应过程，磷原子与金属原子之间会发生化学键的形成，从而形成磷化物。
这种磷化物层通常具有很高的硬度和耐腐蚀性，能够有效地提高金属材料的性能。
磷扩散原理的实际应用非常广泛，特别是在金属加工和制造领域。
通过磷扩散技术，可以显著提高金属材料的表面硬度和耐磨性，延长材料的使用寿命。
同时，磷化物层还可以提高金属材料的耐腐蚀性能，使其在恶劣环境下仍能保持良好的性能。
总之，磷扩散原理是一种重要的固体材料表面处理技术，它通过磷原子在金属表面的扩散和化合过程，形成磷化物层，从而提高金属材料的性能。
通过对磷扩散原理的深入研究和应用，可以进一步拓展其在金属加工和制造领域的应用范围，为材料表面处理技术的发展做出更大的贡献。
磷扩散
磷扩散的原理
• 5POCl3 3PCl5 + P2O5 • 2P2O5 + 5Si 5SiO2 + 4P • 4PCl5 +5O2 2P2O5 +10Cl2 • 4 POCl3 + 3O2 2P2O5 + 6Cl2 • 2P2O5 + 5Si 5SiO2 + 4P
磷扩散
太阳能电池的心脏
磷扩散
磷扩散的目的 磷扩散的原理 扩散的设备 扩散的流程 磷扩散的工艺卫生及注意事项
磷扩散的目的
• 我们知道，太阳能电池的心脏是一个PN结。 我们知道，太阳能电池的心脏是一个PN结。
我们需要强调指出，PN结是不能简单地用 我们需要强调指出，PN结是不能简单地用 两块不同类型（p型和n 两块不同类型（p型和n型）的半导体接触 在一起就能形成的。要制造一个PN 在一起就能形成的。要制造一个PN结，必 PN结，必 须使一块完整的半导体晶体的一部分是P 须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型 区域，另一部分是N 区域，另一部分是N型区域。也就是在晶体 内部实现P型和N 内部实现P型和N型半导体的接触。我们制 造PN结 PN结
＞600
POCl3
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中文名称：三氯氧磷 英文名称：phosphorus oxychloride 别名：氧氯化磷；氯化磷酰；磷酰氯；三氯氧化磷 CAS No.：10025-87-3 分子式：POCl3 分子量：153.33 153.33 危险标记：20（酸性腐蚀品） 包装类别：O52 包装方法：闭口厚钢桶，采用2～3毫米厚的钢板焊接制成，桶身套有 两道滚箍。螺纹口、盖、垫圈等封口件配套完好，每桶净重不超过 300 公斤；玻璃瓶或塑料桶（罐）外全开口钢桶；玻璃瓶或塑料桶 （罐）外普通木箱或半花格木箱；磨砂口玻璃瓶或螺纹口玻璃瓶外普 通木箱；安瓿瓶外普通木箱。
磷扩散
扩散间洁净度、温度、 扩散间洁净度、温度、湿度
洁净度： 洁净度：万级净化间，净化插片台(净化度：100级)、净化保护柜（净化度:100级） 温度： ± ℃ 温度：23±2℃ 湿度： 湿度：<50%
扩散工段生产操作规程
• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • 1.开机操作 开机操作 1.1开机前检查确认内容： 1.1.1 检查电源。打开电控柜电源开关。确定整机上电正常，电源指示灯亮。 1.1.2 检查气源。确定氧气、压缩空气、氮气的压力为 0.4-0.6MPa。 1.1.3 检查排气系统。检查各风口排风应有风吸出。 1.1.4 检查水源。确定冷却水进出水阀应在打开状态。 1.1.5 检查源瓶。确认源瓶上的进气出气阀门已打开，各接口连接正常。 1.1.6 检查BV100恒温水槽。确定温度正常。如需开关机，按开关机按钮3秒以上。 1.1.7 检查急停按扭。确定按扭正常。 1.2其它检查内容： 1.2.1 检查净化台。应干净，无废液，无其它物品。 1.2.2 检查接液槽。各面应干净，无废液。 1.2.3 检查气源柜。各面应干净，无废液。 1.2.4 检查BV100水槽。水面正常，水中无杂物。 1.3开启监控系统： 1.3.1 启动计算机。按下电控柜面板上的“上电”按钮 。 1.3.2 启动扩散炉监控系统。双击屏幕上“扩散炉监控系统” 图标，输入密码登陆监 控系统软件。 1.3.3 启动加热。按加热按钮前先将温度设定为0才可操作。 1.3.4 当加热按钮按下后加热指示灯亮时，开机完成。
扩散炉开关机作业
• • • • • • • • 在开机前，先去废气室查看水电气是否准备就绪。 水—冷却水；查看是否有冷却水（将进水开关关闭，听是否有水流的声音） 电—配电柜是否送电(门上有电压显示，如显示380V电压，说明已送电)， 总闸及控制各扩散炉分闸是否合上。 气—大氮、小氮、氧气及压缩空气。在扩散炉最上方有四路进气管，从右 至左分别是压缩空气、氧气、小氮和大氮，查看其控制阀是否打开（一般 情况下是常开，遇特殊情况时才关闭）。查看调压阀是否在正确压力. 在查看水电气准备就绪以后，来到扩散炉控制面板前，先把抽风开关打开， 然后把控制电脑电源打开，等电脑启动完毕后，打开程序，登陆，给各炉 管上电，在程序的手动操作界面，给各炉管通大氮。 在手动操作界面，炉外SV设定目标温度（与将要运行程序的第一步温度相 同），设定完毕后，点确定，看数值是否能够输入，如果不能输入，退出 程序，再进一次，重复上述动作。 在确认上述情况都无误以后，在自动运行界面，选择将要运行的程序，最 后将加热开关打开，开始加热。 关机：在关机前确保程序没有运行任何工艺，然后退出程序，关闭计算机 电源，到废气室查看保护氮阀门是否打开。
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