saber下MOSFET驱动仿真实例
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
saber 下MOSFET 驱动仿真实例
设计中，根据IXYS 公司IXFN50N80Q2 芯片手册中提供的ID-
VDS，ID-VGS 和Cap-VDS 等特性曲线及相关参数，利用saber 提供的Model Architect 菜单下Power MOSFET Tool 建立IXFN50N80Q2 仿真模型，图5-1 所示MOSFET DC CharacterisTIcs 设置，图5-2 所示MOSFET Capacitance CharacterisTIcs 设置，Body Diode 参数采用默认设置。
首先验证Rg、Vgs、Vds 关系，仿真电路如图
这里电路中加入了一定的电感Lg，仿真电路寄生电感，取值是
0.05uH，有没有什幺依据?我当时是想导线计算电感的时候好像是要加上
0.05u，就放了个0.05u。