高频电子线路课件(谢嘉奎第四版)1-5

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高频电子线路课件(谢嘉奎第四版)1-3

高频电子线路课件(谢嘉奎第四版)1-3
阻大。
② 采用自举电路
R1 ,R2 , C2,取代 R 。特 点:交流电位由 O 经 C2 自举到 C 点,即 vC vO。
工作原理:Av 1,故 vB vO vC,通过 R2 的交流电流 i 0, 因而从 B 点向虚线框看进去的交
流电阻(vB/i)很大,趋于无穷,T3 的交流负载电阻便近似等于
图 1-3-4 二极管偏置电路
3.VBE 倍增电路
VBB
VBE3(1
R1 R2
)
(1)偏置电路
由 T3、R1、R2 组成,且由电 流源 IR 激励,为互补功率管 T1、 T2 提供偏置电压 VBB。
图 1–3–5 VBE 倍增偏置电路
T3、R1 构成电压并联负反馈电路,反馈电路的输出电 阻很小,几乎不影响输入信号的传输。
1.3 乙类推挽功率放大电路
从原理电路到实用电路,还需解决如下等问题:
① 交越失真 —— 加偏置电路; ② 双电源 —— 单电源供电; ③ 互补管难配 —— 准互补推挽电路; ④ 安全 —— 过载保护; ⑤ 充分激励 —— 输入激励电路。
一、交越失真和偏置电路
1.交越失真(Crossover Distortion) (1)定义 在零偏置条件下,考虑到导通电压的影响,输出电压 波形在衔接处出现的失真,称交越失真。
五、输入激励电路
1.必要性
互补功放, 功率管为射随器,Av < 1。若要求输出最大 信号功率,则要求激励
级提供振幅接近电源电
压的推动电压(单电源
为 VCC /2 )。
2.电路 T3:输入激励级, T3 的直流负载 R(忽略 T1 和 T2基 极电流),直流负 载线为Ⅰ。
图 1–3–9(a) 未加自举电容的电路 (b)输入激励级图解分析

第1讲 1绪论(高频)

第1讲 1绪论(高频)

绪 论 年开始, 代移动通信技术。 从1996年开始,出现了第 代移动通信技术。 年开始 出现了第2.5代移动通信技术 2000年,开始研究第三代移动通信技术,我国是以 年 开始研究第三代移动通信技术, 大唐电信集团为代表提出的TD-SCDMA。ITU确定 。 大唐电信集团为代表提出的 确定 了三个3G通信系统的接口技术标准,即:WCDMA、 了三个 通信系统的接口技术标准, 通信系统的接口技术标准 、 CDMA2000以及 以及TD-SCDMA。 以及 。 CDMA使用码分扩频技术,先进功率和话音激活 使用码分扩频技术, 使用码分扩频技术 至少可提供大于3倍 网络容量。 至少可提供大于 倍GSM网络容量。 网络容量
高频电子线路
电子线路(非线性部分) 非线性部分)
谢嘉奎主编,高等教育出版社, 谢嘉奎主编,高等教育出版社,第四版
安 颖
2010年8月 年 月
ananying@
绪 论
关于课程的说明 关于课程的说明
模拟电子技术) 先学课程 电子线路的线性部分(模拟电子技术)
相关课程 信号与系统 后继课程 通信原理 专业基础课, 课程性质 专业基础课,考试 主要内容 无线通信系统中的基本模拟电路单元
绪 论
1G——模拟技术时代已成为历史 模拟技术时代已成为历史 1G 1G是以美国的AMPS系统和英国改进型系统TACS为代 1G是以美国的AMPS系统和英国改进型系统TACS为代 是以美国的AMPS系统和英国改进型系统TACS 表的模拟蜂窝移动通信网。对应的接入技术是FDMA 表的模拟蜂窝移动通信网。对应的接入技术是FDMA 技术,主要关注语音信号的传输。 技术,主要关注语音信号的传输。 2G——窄带数字技术时代已到中后期 窄带数字技术时代已到中后期 2G 2G是以欧洲的GSM和美国的IS-95为代表的窄带数字 2G是以欧洲的GSM和美国的IS-95为代表的窄带数字 是以欧洲的GSM和美国的IS 蜂窝移动通信系统。对应的接入技术分别是TDMA TDMA和 蜂窝移动通信系统。对应的接入技术分别是TDMA和 窄带CDMA技术,接收电子邮件或网页。 CDMA技术 窄带CDMA技术,接收电子邮件或网页。

电子线路 非线性部分 第四版 谢嘉奎 课件 第五章 角度解调

电子线路 非线性部分 第四版 谢嘉奎 课件 第五章 角度解调

5.3.3 相位鉴频器 (鉴相器phase detector) 鉴相器是用来比较两个同频输入电压 u1 (t ) 和 u2 (t ) 的相位,而输 出电压 u0 ( t ) 是两个输入电压相位差的函数, uo (t ) 即 uo ( t ) = f [ϕ1 ( t ) − ϕ 2 ( t )] 鉴相器 u (t )
u1 u2
调频脉 冲序列
低通滤波器或 脉冲计数器
u3 单稳 u4

u FM
限幅放大
微分
半波整流 (a)
低通滤波
uo
u FM
t
u1
t
u2 u3
t t
u4 uo (b)
t t
2. 鉴频器的主要特性
能全面描述鉴频器主要特性的是鉴频特性曲线。它是指鉴频器的输出 电压uo(t),与其输入FM信号瞬时频偏Δω(t)或Δf(t)之间的关系曲线
5.3
调频波的解调原理及电路
5.3.1 鉴频方法及其实现模型 5.3.2 振幅鉴频器(斜率鉴频器) 5.3.3 相位鉴频器 5.3.4 比例鉴频器 5.3.5 移相乘积鉴频器
5.3 调频波的解调原理及电路
5.3.1 鉴频方法及其实现模型
1. 鉴频方法 调频信号的解调是从调频波 uFM = U cos[ωo t + m ∫ uΩ (t )dt ] 中 恢 复 出 原 调制信号 uΩ (t ) 过程,完成调频波解调过程的电路称为频率检波器 将调频波进行特定的波形变换,根据波形变换特点的不同,可归 纳以下几种实现方法: 第一种方法,将调频波通过频率—幅度线性变换网络,将调频波变换 成调频—调幅波,再通过包络检波器检测出反映幅度变化的解调电 压。把这种鉴频器称为斜率鉴频器,或称振幅鉴频器 。

线性电子线路(谢嘉奎)第四版第一章课件

线性电子线路(谢嘉奎)第四版第一章课件

ni pi AT e 2kT
3 2
Eg 0
ni pi AT e 2kT
式中,浓度单位为cm , A——常量 (硅:3.88×1016 cm-3K-3/2,锗:1.76×1016cm-3K-3/2) T——热力学温度
-3
3 2
Eg 0
k——是玻尔兹曼常数(8.63×10-5 eV/K),
Eg0 ——T=0 K(即-273℃)时的禁带宽度,导带与价 带间的距离(硅为1.21 eV, 锗为0.785 eV) 该公式的核心是什么? 载流子浓度是温度的函数
ni pi AT e 2kT
公式表明,本征半导体的载流子浓度和温度、材料有关。 将相关参数带入公式中,可以得到300K时硅的 ni=1.43×1010cm-3 (教材给出1.5×1010cm-3,不准确)。 由此可以看到,尽管本征半导体在室温情况下具有一 定的导电能力,但是,本征半导体中载流子的数目远小于 原子数目(硅:4.96×1022cm-3),因此本征半导体的导 电能力很低。 结论:室温下本征半导体的导电能力非常弱 说明:本征半导体的导电能力随温度升高,增加很快 硅,500K时:ni=3.53×1014cm-3, 600K时 : ni=4.81×1015cm-3
3.本征激发和复合 因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现 的,称为电子-空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去,称为复合
本征激发
+4 +4 +4
+4
+4 +4
+4 +4 +4
复合
本征激发数目越多,复合量 越大,使得本征激发数目减 少;这又使得复合减少。 最终,在一定温度下达到动态平衡

高频电子线路第章-PPT精品.ppt

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参数的交流振荡信号的装置。和放大器一样也是能量转换
器。它与放大器的区别在于,不需要外加信号的激励,其输
出信号的频率,幅度和波形仅仅由电路本身的参数决定。 低频正弦振荡器
振荡器 分类
正弦振荡 高频正弦振荡器
微波振荡器 矩形波振荡器
非正弦波振荡器 三角波振荡器
锯齿波振荡器
应用范围:在发射机、接收机、测量仪器(信号发生 器)、计算机、医疗、仪器乃至电子手表等许多方面振荡器 都有着广泛的应用。
5.3.1
其中 A ( s ) V o ( s )
U i(s)
为放大器的电压增益
F (s) U f (s) V o (s)
为反馈网络的反s)
Uf Ui
(s) (s)
为开环电压增益(环路增益)
D(s) 1AL(s)
为反馈放大器的特征多项式
由(5.3.1)式可知,若令Us(s)=0,则Af(s)趋于无穷, 就是说
第5章 高频振荡器
5.1 概述 5.2 反馈振荡器 5.3 振荡器的分析方法 5.4 互感耦合振荡器 5.5 三点式振荡器 5.6 振荡器频率稳定度 5.7 石英晶体振荡器 5.8 振荡器中的几种现象 5.9 RC振荡器 5.10 负阻振荡器
5.1 概 述
振荡器——就是自动地将直流能量转换为具有一定波形
互感耦合振荡器大信号等效电路
U o
GmU i
GoejC2Gier1jL

A U U oi
Gm
GjCr1jL
式中 GGoe2Gie
其中 N 2
N1
5.4.1
而 F U U o f r j j M L IL ILr jjM L
根据起振条件 AF 1 ,即

《高频电子线路》PPT课件

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uo(t)
uΩ(t)
Δuc
uo(t)=uΩ(t)+UDC
包含了直流及低频调制分量。
峰值包络检波器的应用型输出电路
+ (a) ui
-
VD
Cd
+
+UDC -
+
C uo R
RL uΩ
-
-
(b)
+ ui
-
VD

+
C uo R Cφ
-
t
UDC t
+ UDC -
图(a):电容Cd的隔直作用,直流分量UDC被隔离,输出信号为解调恢复后 的原调制信号uΩ,一般常作为接收机的检波电路。 图(b):电容Cφ的旁路作用,交流分量uΩ(t)被电容Cφ旁路,输出信号为直 流分量UDC,一般可作为自动增益控制信号(AGC信号)的检测电路。
rd C R
②对高频载波信号uc来说,电容C的容抗
1 R ,电容C相当于短
cC
路,起到对高频电流的旁路作用,即滤除高频信号。
理想情况下,RC低通滤波网络所呈现的阻抗为分析
+ uD -
当输入信号ui(t)为调幅波时,那么载波正半 +
周时二极管正向导通,输入高频电压通过二 ui
☺调幅解调的分类
振幅调制
AM调 制DSB调制
SSB调制
包络检波 解调
同步检波
峰值包络检波 平均包络检波 叠加型同步检波 乘积型同步检波
☺调幅解调的方法
1. 包络检波
调幅波
t 调幅波频谱
非线形电路
ωc-Ω ωc ωc+Ω ω
低通滤波器
包络检波输出
t 输出信号频谱

高频电子线路第五章(new)PPT课件



-
49
各变量对功放工作状态影响的总结 功放在过压和欠压工作状态的一个重要特点
-
50
解:1)
-
51
-
52
5.5 高频功率放大器的电路组成
要使高频功放正常工作,在其输入和输出端需接 有直流通路和交流通路: ➢ 直流馈电线路:为晶体管各级提供合适的偏置及能
量功率; ➢ 交流匹配网络:使高频交
流信号能有效地进行传输。
高频与射频线路
第五章 高频功率放大器
-
1
学习内容
➢ 掌握高频功率放大器的工作原理;
➢ 掌握高频功率放大器的折线近似分析法;
➢ 掌握高频功率放大器的电路组成原则与匹 配网络的计算;
➢ 了解倍频器的工作原理。
-
2
5.1 概述
高效率输出 高功率输出
话 筒
音频 放大器
调制器
变频器
激励放大
输出功 率放大
载波 振荡器
低频区:
中频区:
β0
高频区:
故高频区或中频区的分析和
计算是相当困难,本节将从低
频区的静态特性来解析晶体管
的高频功放的工作原理。-
6
高频放大器的工作状态:
+

+ +- -

+
功放基本电路
-
7
iC
iC
VBB
VBZ
vB
0
0
-
8
Class-A Amplifier
0
0
甲类放大器工作状态
-
9
Class-B Amplifier
证放大器传输到负载的
功率最大,即它起着匹

《高频电子线路》课件

《高频电子线路 》PPT课件
目录
• 高频电子线路概述 • 高频电子线路基础知识 • 高频电子线路中的信号传输 • 高频电子线路中的放大器 • 高频电子线路中的滤波器 • 高频电子线路中的混频器与变频

01
高频电子线路概述
高频电子线路的定义与特点
总结词
高频电子线路是研究高频信号传输、处理和应用的电子线路。其特点包括信号频率高、频带宽、信号传输速度快 、信号失真小等。
02
高频电子线路基础知识
高频电子线路的基本元件
电阻器
用于限制电流,调节电 压,起到分压、限流的
作用。
电容器
用于存储电荷,实现信 号的滤波、耦合和旁路

电感器
用于存储磁场能量,实 现信号的滤波、选频和
延迟。
晶体管
高频电子线路中的核心 元件,用于放大和开关
信号。
高频电子线路的基本电路
01
02
03
04
混频器与变频器的应用实例
混频器的应用实例
在无线通信中,混频器常用于将信号从低频转换为高频,或者将信号从高频转 换为低频。例如,在接收机中,混频器可以将射频信号转换为中频信号,便于 后续的信号处理。
变频器的应用实例
在雷达系统中,变频器可以将发射信号的频率改变,从而实现多普勒测速或者 目标识别。在电子对抗中,变频器可以用于干扰敌方雷达或者通信系统。
传输。
音频系统中的扬声器驱动电路
02
利用音频放大器将音频信号放大后驱动扬声器,实现声音的重
放。
测量仪器中的前置放大器
03
利用电压或电流放大器将微弱信号放大后传输至后续电路,实
现信号的处理和分析。
05
高频电子线路中的滤波器
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当 VS = VREF 时 误差放大器输出静态电压,经电压比较器使 T1 管的 导通时间为 ton 或占空系数为 d0,稳压器的输出电压
VO = VREF
R1 R2 = f T
调解过程如下: VO VS ton d VO 反之亦然。
1.5.3 开关型稳压器
开关型稳压器的调整管工作在开关状态,通过控制开 关的启闭时间来调整输出电压。
一、直流–直流变换器 1.降压型变换器
如图 1–5–15(a)所示,电路由开关 S、续流二极管 D 和低通滤波器 L1、C2 组成。 S 闭合:vA = VI,D 截止, 电感 L1 充电。
S 断开:vA = 0,D 导通 (设VD(on) = 0),电感 L1 放电。
稳压二极管构成的基准电压源电路如图 1–5–13(a)所示。
基准电压 VREF
VREF = VZ - 2V(on)
VZ - 3V(on) R2VZ ( R1 - 2 R2 )V(on) R1 = R1 R2 R1 R2
VZ(6 ~ 8 V)具有正温度系数,V(on) 具有负温度系数。
满足 R1 - 2 R2 = - VZ / T 时,基准电压 VREF 的温 R2 V(on) / T 度系数
1.5.2 串联型稳压器
一、工作原理 1.组成
串联型稳压器的组成 如图 1-5-12(a)所示。 串联型稳压器组成: 调整管、取样电路、 基准电压源和比较放大器。
图 1-5-12(a)
串联稳压电路的组成方框图
串联型稳压器组成: 调整管 —— 功率管或 复合管与负载串联。 比较放大器 —— 单管 放大器、差分放大器、集 成运放等。 基 准 电 压 源 —— 温 度 系数很小的电压源电路。
图 1-5-12(a)
串联稳压电路的组成方框图
串联型稳压器的工作原理如图 1–5–12(b)所示。
T5 — 调整管,工作在放大区。 VB5 VCE5 。
R1、R2 取样电路。 取样电压
R2 VS = nVO = VO R1 R2
基准电压 VREF 由 T1 、 T2 组成的差分 放大器作为比较放大器, T3 、 T4 为有源负载。
集成 PWMLTC1148 构成开关稳压电路如图 1–5–20 所示。
图 1-5-20 用集成 PWMLTC1148 构成的开关稳压电路
本章作业
第四版1-3;1-6;1-7;1-9;1-13;1-20 第五版1-3;1-6;1-10;1-11;1-15;1-24
参考书: 旺胜宁,程东红编,谢嘉奎审. 《电子线路(第四版》教学指导书. 高等教育出版社,2003.5
三、开关稳压电路举例
用集成串联稳压器 LM105 构成开关稳压电路如图 1– 5 –19 所示。
点画线框内为 LM105 的内部电路。
在外部电路中: T14 、 T15 — 开关管; L1 、 C2 — 低通滤波器; R9 、 R10 —取样电阻;D2 — 续流二极管;R8 — 限流取样电阻; R11、C3 — 积分电路
2.7800 系列三端式集成串联稳压电路
典型应用电路图 1-5-14(a)所示。
输出电压 VO 固定,5 V、6 V、 9 V、12 V 。
输入电压 VI 一般应比输出电 压高 3 V 以上。 C1、C2 消振作用。
内部电路如图 1-5-14(b) 所示。
3.基准电压电路
能隙基准电路,由T1、T2、T7、R1、R3、R10 及 R2、T5、 T6、T3、T4 组成。
4.比较放大器
基准电路和比较放 大器形成一个整体,由 T3 、 T4 、 T11 、有源负 载 T9 构成 CE–CC 组 和放大器。
5.调整管 T16 、 T17 组成复 合调整管。
图 1–5–14(b)
6.保护电路
过流保护,T15、R11、R12。 过热保护,T14、R7 组成,R7 具有正温度系数。 7.启动电路 由 D1 及 T12、T13、 R4、R5、R18 等组成。
一、半波整流电路
半波整流电路如图 1–5–1(a) 所示。
在图 1–5–1(a)中,Tr — 电源变压器;D — 整流二极 管;RL — 负载电阻;CL — 滤波电容。 设 v2 =V2msin t 忽略二极管的导通电压,并 设导通电阻为 RD。 v2 > vo 二极管导通,电 容充电。 v2 < vo 二极管截止,电 容放电。
二、稳压性能 1.稳压系数 SV
输入电压变化 VI 时,输出电压的相对变化量称为稳 压系数
VO SV = VO
VI = 恒值
2.负载调整率 SI
输入电压 VI 不变,输出电流变化时,输出电压的相对 变化量称为负载调整率
VO SI = VO V ,I
I
O = 恒值
1.稳压系数 SV
VO SV = VO
2.升压型变换器
升压型变换器如图 1–5– 16 所示。 当 S 闭合时,D 截止, vA = 0。 1 i L = VI t on L1 图 1-5-16 升压型变换器原理电路 当 S 断开时,D 导通,vA = VO。 1 i L = (VI - VO )t off L1 根据 i L i L = 0 求得 T 1 VO = VI = VI t off 1-d d 恒小于 1,所以为升压型变换器。
O
2.桥式整流电路
如图 1–5–5(a)所示,v2 正峰值附近 D1、D3 导通, D2、D4 截止。
v2 负峰值附近 D2、D4 导 通,D1、D3 截止。
图 1–5–5
桥式整流电路及其电压和电流波形
IO 与 VO 与全波整流电路相同,但截止时的反向 电压由两只二极管共同承担。
电压和电流的波形如图 1–5–5(d)、(e)、(f)所示。
图 1–5–15(a)
原理电路
降压型变换器的波形如图 1-5-15(b) 所示,忽略 VO 上叠加的纹波电压,S 闭合: vL = vA - VO = VI - VO 当S断开时: vA=0 ,vL = - VO t 1 根据 i L = v Ldt L 0
iL =
1 (VI - VO )t on L1
VS =nV0=R2V0/(R1+R2) 当 VS = VREF 时
VREF =nV0=R2V0/(R1+R2) VO = VI - VCE5 = VREF/n
n=R2/(R1+R2) ,n为取样比
若 VI 或 RL 变化使 VO 增加 VO VS (VREF 不变) VC2 = VB5 VCE5 VO 。 反之亦然。
VREF =0 T
如图 1–5– 13(b) 所 示 的 能 隙基准电压源 电路中(能隙 概念见注解)
VT I 1 I2 = ln R3 I 2
忽略 T3 管的基极电流
R2 I1 VREF I 2 R2 VBE(on)3 = VT ln VBE(on)3 R3 I 2 VT 具有正温度系数,VBE(on) 具有负温度系数。适当选 择电阻的比值(R2/R3),可以使 VREF 的温度系数为零。
图 1- 5- 5
桥式整流电路及其电压和电流波形
三、三种整流电路的性能
1.半波整流电路
优点:元件少,电路简单。 缺点:VO 小,纹波大。
2.全波整流电路
优点:VO 大,纹波小。 缺点:二极管承受的反向电压高。
3.桥式整流电路
优点: VO 大,纹波小,输出功率相同时,变压器的 伏安容量比全波整流小。
VI = 恒值
2.负载调整率 SI 3.输出电阻 Ro
VO SI = VO
VI,I O = 恒值
将稳压源等效为一个电压源时的内阻。
VO Ro = I O VI = 恒值
除以上参数外,还有纹波抑制比 Srip 和输出电压温度系数 ST 等。
三、集成串联稳压电源 1.基准电压源电路
设 T 管的 发射结和 D2 、 D3 的正向导通 电压均相等, 用 V(on) 表示。
i
L
1 = ( -V0 )t off L1
调整 d 就可以改变输出电压, d 恒小于 1,所以为降压型变 换器。
为保持 iL 连续

i L i L =0 VO = dVI
t on t on d= = 图 1–5–15(a) 原理电路 t on t off 降压型变压器的原理电路及相应的波形 T 图 1-5-15
动态平衡后,二极管电 流 iD = iO 是一串窄脉冲序列。
参见图 1–5–1(b)和图 1–5–1(c),经过 RL CL 的滤波, 输出电压是直流电压 VO 和一个锯齿状波动电压的叠加。 波动电压称为纹波电压。
直流电压 VO 及纹波电 压的大小与 RL 和 CL 的数值 有关。
如图 1–5–2(a)所示,CL 一定时,RL 越小,纹波越大。
如图 1–5–2(b)所示,RL 一定时,CL 越大,纹波越小。
二、全波和桥式整流电路 1.全波整流电路
全波整流电路如图 1–5–4(a) 所
示。 当 v2 > vO 时,二极管导通,所 以在 v2 的正负半周 D1 和 D2 轮流 导通。 稳态波形如图 1–5–4(b)所示。
由于电流脉冲的频率比半波整流提高一倍,输出的直 流电流 IO 和输出电压 VO 比半波整流电路大,RL 和 CL 的 滤波作用提高,纹波电压比半波整流电路小。
缺点:二极管数量多。
四、倍压整流电路
倍压整流电路如图 1– 5–9 所示。适用于 VO 大, IO 小的场合。 动态平衡后,v2 正峰 值附近 D1 导通,向 CL1 充 电 , 充 电 电 压 vO1 , v2 负峰值附近 D2 导通,向 CL2 充电,充电电压 vO2。 负载 RL 上的电压为半波整流电路的两倍。 同样原理可以构成多次倍压电路。
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