半导体制冷片工作原理
半导体制冷片发电
半导体制冷片发电
半导体制冷片发电是一种新型的发电方式，它利用半导体材料的热电效应，将热能转化为电能。
这种发电方式具有高效、环保、安全等优点，因此备受关注。
半导体制冷片发电的原理是利用半导体材料的热电效应。
当半导体材料的两端温度不同时，就会产生电势差，从而产生电流。
这种现象被称为“塞贝克效应”。
利用这种效应，可以将热能转化为电能。
半导体制冷片发电的优点主要有以下几点。
首先，它具有高效性。
相比传统的热能发电方式，半导体制冷片发电的效率更高，能够将更多的热能转化为电能。
其次，它具有环保性。
半导体制冷片发电不会产生任何污染物，对环境没有任何影响。
再次，它具有安全性。
半导体制冷片发电不需要燃烧任何燃料，因此不存在火灾、爆炸等安全隐患。
半导体制冷片发电的应用范围非常广泛。
它可以用于太阳能、地热能、生物质能等各种能源的转化。
此外，它还可以用于制冷、空调等领域。
在制冷领域，半导体制冷片发电可以取代传统的制冷剂，从而减少对环境的污染。
半导体制冷片发电的发展前景非常广阔。
随着环保意识的不断提高，人们对新型能源的需求也越来越大。
半导体制冷片发电作为一种高效、环保、安全的新型能源，将会得到更广泛的应用和推广。
半导体制冷片发电是一种非常有前途的新型能源。
它具有高效、环保、安全等优点，可以用于各种能源的转化和制冷领域。
相信在不久的将来，半导体制冷片发电将会成为一种主流的能源形式。
半导体制冷主要基于什么原理
半导体制冷主要基于什么原理
半导体制冷技术是一种通过半导体材料实现制冷的方法，主要基于Peltier热
电效应。
Peltier效应是指在两种不同导电性能的导体之间由电流通过时，会产生
热量的现象。
半导体制冷器通常由一对P型和N型半导体片组成，它们被连接在
一起以形成一个热电对。
正常情况下，P型和N型半导体片之间存在温差时，当电流通过时，其中一端
会吸收热量而另一端则会释放热量。
这导致热量从一个端口传输到另一个端口，使得一个端口冷却，而另一端口则变热。
这种现象被称为Peltier制冷效应。
半导体制冷器通过控制电流的方向和大小，可以实现在两端的温度差异。
当目
标端需要降温时，电流会被反向传输，导致该端吸收热量；当目标端需要升温时，则电流方向被调整以释放热量。
与传统的压缩式制冷技术相比，半导体制冷技术具有许多优点。
首先，它们没
有移动部件，因此无需使用冷却剂，这降低了维护成本并增加了可靠性。
其次，半导体制冷器结构简单且体积小巧，适用于一些有限空间或需要快速制冷的应用。
然而，半导体制冷技术也存在一些挑战。
由于制冷器的性能受温度差异影响较大，其制冷效率较压缩式制冷技术稍低。
此外，大功率的半导体制冷器通常需要较大的散热器以有效散热，增加了系统复杂性和成本。
总的来说，半导体制冷技术在小型制冷系统和特殊环境下有着广泛的应用前景。
随着半导体材料和制造工艺的不断改进，半导体制冷技术的性能和效率将会进一步提升，为制冷行业带来更多创新和可能性。
用半导体制冷片制热案例
用半导体制冷片制热案例
半导体制冷片在设计上主要用于制冷，其工作原理基于珀尔帖效应，当电流通过两种不同材料组成的回路时，在接头处会产生吸热或放热现象。
在制冷模式下，一个面吸收热量变冷，而另一面则释放热量变热。
然而，从实际应用的角度看，半导体制冷片可以“制热”，但这并非其直接的制热功能，而是利用其工作的对称性特点。
当改变电流方向时，原本制冷的一面会变成发热端，而原本发热的一面则转变为制冷端。
这样，在需要加热的应用场景中，可以通过将原来的散热器部分用作加热源来实现“制热”。
例如，在一些实验室设备、小型恒温装置或特定微型环境控制场合中，如果空间有限且无需大功率加热，就可以使用半导体制冷片作为精确控温元件，通过切换电流方向来实现快速升温或降温。
需要注意的是，由于半导体热电效应的转换效率相对较低，所以相比于专门的电热元件如电阻丝等，半导体制冷片在制热模式下的能效比不高，通常不作为经济高效的大型或高功率加热解决方案的选择。
但在需要紧凑型结构、快速响应及精确温度控制的应用场合，它仍有其独特的优势。
半导体制冷片原理电压高了不工作
半导体制冷片原理电压高了导致不工作半导体制冷片是一种利用半导体材料在电场作用下发生热熵变，使得一侧变冷，另一侧变热的技术。
在制冷片工作过程中，电压是一个重要的参数，过高或过低的电压都会导致制冷片不工作。
本文将探讨电压高了导致半导体制冷片不工作的原因和解决方法。
原因分析1. 过高的电压会烧坏半导体材料半导体材料在设计时通常会有一个额定的电压范围，在这个范围内工作时才能正常发挥作用。
如果电压过高，会导致半导体材料过热，甚至烧坏，导致制冷片无法正常工作。
2. 过高的电压会导致电路保护措施触发为了保护电路和器件不受损坏，半导体制冷片通常会设置一些过压保护电路。
当输入电压超过设计范围时，保护电路会自动断开电路，导致制冷片停止工作。
3. 过高的电压会影响制冷效果在一定范围内，电压的调节可以改变半导体制冷片的制冷效果。
但是如果电压过高，会导致制冷片运行不稳定，制冷效果下降甚至完全失效。
解决方法1. 检查输入电压首先，需要检查制冷片的输入电压是否在设计范围内，如果电压过高，需要立即停止供电，并调整输入电压到合适范围内。
2. 检查电路连接检查制冷片的电路连接是否正确，确保接线无误，避免出现短路或接触不良的情况。
3. 联系厂家或维修人员如果以上方法无法解决问题，建议联系制冷片厂家或专业维修人员进行进一步检测和维修。
结语在使用半导体制冷片时，务必注意保持正常的电压输入，避免过高或过低的电压对制冷片造成损坏。
同时，在使用过程中遇到问题时，及时采取正确的解决方法，保证制冷片的正常运行和制冷效果。
以上就是关于半导体制冷片电压过高不工作的原因和解决方法，希望对读者有所帮助。
半导体制冷片温差发电原理
半导体制冷片温差发电原理半导体材料是半导体制冷片温差发电原理的核心组成部分。
常见的半导体材料包括硅、锗和硒等。
这些材料具有特殊的电导性，它们的导电性质是介于导体和绝缘体之间的，即在一定温度下，它们既能导电，也能断电。
当一个半导体材料的一端温度高于另一端时，由于温度差异，材料中的电子在移动过程中受到阻碍。
这种阻碍导致电子流向被加热的一端，从而导致电流的产生。
这种产生电流的现象被称为热电效应。
半导体制冷片的结构包括P型半导体和N型半导体。
在P型半导体中，杂质的掺入使得电子的浓度较低，电空穴的浓度较高。
而在N型半导体中，杂质的掺入使得电子的浓度较高，电空穴的浓度较低。
当两种不同类型的半导体材料连接时，形成一个电势差，这个电势差被称为PN结。
当制冷片的一端加热时，热电效应使得热电流从冷端流向热端。
换句话说，由于温度差异，热能通过电子的热电效应转化为电能。
这产生的电能可以用来驱动其他设备工作，如发电机、电池等。
而当制冷片的一端冷却时，热电效应将变为反向流动，即电流会从热端流向冷端。
半导体制冷片温差发电原理可以应用于多种场景。
例如，在蓄电池中，可以利用太阳能或人体发热产生的热能来产生电能，从而延长蓄电池的使用寿命。
此外，在一些微型设备中，如计算机芯片、传感器和手表等，可以应用半导体制冷片温差发电原理来为设备供电和散热。
总之，半导体制冷片温差发电原理是一种利用温度差异产生电能的技术。
通过半导体材料的热电效应，热能可以转化为电能，从而实现对温度差异的直接利用。
这种技术在能源节约和环境保护方面具有广阔的应用前景。
半导体制冷片工作原理
半导体制冷片工作原理致冷器件是由半导体所组成的一种冷却装置，随着近代的半导体发展才有实际的应用，也就是致冷器的发明。
其工作原理是由直流电源提供电子流所需的能量，通上电源后，电子负极(-)出发，首先经过P型半导体，于此吸热量，到了N型半导体，又将热量放出，每经过一个NP模块，就有热量由一边被送到令外一边造成温差而形成冷热端。
冷热端分别由两片陶瓷片所构成，冷端要接热源，也就是欲冷却之。
在以往致冷器是运用在CPU的，是利用冷端面来冷却CPU，而热端面散出的热量则必需靠风扇来排出。
致冷器也应用于做成车用冷/热保温箱，冷的方面可以冷饮机，热的方面可以保温热的东西。
半导体致冷器的历史致冷片是由半导体所组成的一种冷却装置，于1960左右才出现，然而其理论基础Peltier effect可追溯到19世纪。
下图(1)是由X及Y两种不同的金属导线所组成的封闭线路，通上电源之后，A点的热量被移到B点，导致A点温度降低，B点温度升高，这就是著名的Peltier effect。
这现象最早是在1821年，由一位德国科学家Thomas Seeback首先发现，不过他当时做了错误的推论，并没有领悟到背后真正的科学原理。
到了1834年，一位法国表匠，同时也是兼职研究这现象的物理学家JeaNPeltier，才发现背后真正的原因，这个现象直到近代随着半导体的发展才有了实际的应用，也就是「致冷器」的发明。
一、因半导体致冷片薄而轻巧，体积很小，不占空间，并可以携带，做成车用电冷/热保温箱，放置车上，不占空间，并可变成冰箱及保温箱，夏天可以摆上几瓶饮料，就可以便冰饮，在冬天就可以变成保温箱。
图(1) 致冷器件的作用原理致冷器的名称相当多，如 Peltier cooler、thermoelectric、thermoelectric cooler (简称 T.E 或 T.E.C)、thermoelectric module，另外又称为热帮浦 (heat pump)。
半导体制冷片TE介绍
半导体制冷片TE 介绍半导体制冷片(TE)也叫热电制冷片，是一种热泵，它的优点是没有滑动部件，应用在一些空间受到限制，可靠性要求高，无制冷剂污染的场合。
半导体制冷片的工作运转是用直流电流，它既可制冷又可加热，通过改变直流电流的极性来决定在同一制冷片上实现制冷或加热，这个效果的产生就是通过热电的原理，以下的图就是一个单片的制冷片，它由两片陶瓷片组成，其中间有N型和P型的半导体材料(碲化铋)，这个半导体元件在电路上是用串联形式连结组成半导体制冷片的工作原理是:当一块N型半导体材料和一块P型半导体材料联结成电偶对时，在这个电路中接通直流电流后，就能产生能量的转移，电流由N型元件流向P型元件的接头吸收热量，成为冷端由P型元件流向N型元件的接头释放热量，成为热端。
吸热和放热的大小是通过电流的大小以及半导体材料N、P的元件对数来决定，以下三点是热电制冷的温差电效应。
1、塞贝克效应(SEEBECKEFFECT)一八二二年德国人塞贝克发现当两种不同的导体相连接时，如两个连接点保持不同的温差，则在导体中产生一个温差电动势:ES=S.△T式中:ES为温差电动势S(?)为温差电动势率(塞贝克系数)△T为接点之间的温差2、珀尔帖效应(PELTIEREFFECT)一八三四年法国人珀尔帖发现了与塞贝克效应的效应，即当电流流经两个不同导体形成的接点时，接点处会产生放热和吸热现象，放热或吸热大小由电流的大小来决定。
Qл=л.Iл=aTc式中:Qπ为放热或吸热功率π为比例系数，称为珀尔帖系数I为工作电流a为温差电动势率Tc为冷接点温度3、汤姆逊效应(THOMSONEFFECT)当电流流经存在温度梯度的导体时，除了由导体电阻产生的焦耳热之外，导体还要放出或吸收热量，在温差为△T的导体两点之间，其放热量或吸热量为:Qτ=τ.I.△TQτ为放热或吸热功率τ为汤姆逊系数I为工作电流△T为温度梯度以上的理论直到本世纪五十年代，苏联科学院半导体研究所约飞院士对半导体进行了大量研究，于一九五四年发表了研究成果，表明碲化铋化合物固溶体有良好的制冷效果，这是最早的也是最重要的热电半导体材料，至今还是温差制冷中半导体材料的一种主要成份。
半导体制冷片对人体有害吗
半导体制冷片对人体有害吗在现代生活中，半导体制冷片作为一种常见的制冷设备被广泛使用，但有关半导体制冷片对人体健康的影响却备受争议。
在探讨这个问题之前，我们需要先了解什么是半导体制冷片，以及其工作原理。
什么是半导体制冷片？半导体制冷片是一种基于Peltier效应的热电技术制冷设备。
它由两种不同导电性的半导体材料组成，在通电时产生热量传递至制冷片的一侧，同时在另一侧吸收热量，实现制冷的目的。
这种制冷方式相比传统压缩机制冷具有体积小、无噪音、无震动、无振动等优点，因此在小型制冷设备中得到广泛应用，例如小型冰箱、汽车冷藏盒等。
半导体制冷片对人体有害吗？尽管半导体制冷片在实用性方面有诸多优势，但关于其对人体健康的影响，却存在一些争议。
一些研究表明，长时间暴露在半导体制冷片产生的电磁场中可能对人体产生一定的影响，如头痛、眩晕等不适症状。
此外，制冷片通过热传导的方式可能使局部皮肤温度过低，导致皮肤受损或不适。
然而，目前这些影响都处于较为有限的研究范围之内，且研究结果相互矛盾。
因此，对于普通家用小型制冷设备中使用的半导体制冷片，一般认为在正常使用情况下，对人体健康影响较小。
但对于长时间暴露于较大功率、密集布局的制冷装置中，则存在一定潜在风险。
因此，为了确保安全，建议在使用半导体制冷片的设备时，遵循以下几点注意事项：1.避免将制冷片直接贴近皮肤长时间使用，以免影响局部血液循环和皮肤功能。
2.避免长时间暴露于制冷设备产生的电磁场中，尤其是儿童、孕妇等特殊群体。
3.定期清洁和保养制冷设备，保持通风良好，避免过度循环制冷片产生过多热量。
4.如有明显不适症状，应立即停止使用，并就医咨询。
总的来说，半导体制冷片对人体健康的影响取决于使用条件和个体感受，在正常使用情况下，对人体健康的影响较小。
但仍需遵循相关使用建议，注意使用安全，确保身体健康。
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半导体制冷片工作原理 Company Document number：WUUT-WUUY-WBBGB-BWYTT-1982GT半导体制冷片工作原理致冷器件是由半导体所组成的一种冷却装置，随着近代的半导体发展才有实际的应用，也就是致冷器的发明。
其工作原理是由直流电源提供电子流所需的能量，通上电源后，电子负极(-)出发，首先经过P型半导体，于此吸热量，到了N型半导体，又将热量放出，每经过一个NP模块，就有热量由一边被送到令外一边造成温差而形成冷热端。
冷热端分别由两片陶瓷片所构成，冷端要接热源，也就是欲冷却之。
在以往致冷器是运用在CPU的，是利用冷端面来冷却CPU，而热端面散出的热量则必需靠风扇来排出。
致冷器也应用于做成车用冷/热保温箱，冷的方面可以冷饮机，热的方面可以保温热的东西。
半导体致冷器的历史致冷片是由半导体所组成的一种冷却装置，于1960左右才出现，然而其理论基础Peltier effect可追溯到19世纪。
下图(1)是由X及Y两种不同的金属导线所组成的封闭线路，通上电源之后，A点的热量被移到B点，导致A点温度降低，B点温度升高，这就是着名的Peltier effect。
这现象最早是在1821年，由一位德国科学家Thomas Seeback首先发现，不过他当时做了错误的推论，并没有领悟到背后真正的科学原理。
到了1834年，一位法国表匠，同时也是兼职研究这现象的物理学家JeaNPeltier，才发现背后真正的原因，这个现象直到近代随着半导体的发展才有了实际的应用，也就是「致冷器」的发明。
一、因半导体致冷片薄而轻巧，体积很小，不占空间，并可以携带，做成车用电冷/热保温箱，放置车上，不占空间，并可变成冰箱及保温箱，夏天可以摆上几瓶饮料，就可以便冰饮，在冬天就可以变成保温箱。
二、致冷器件的结构与原理下图(2)是一个制冷器的典型结构。
图(2) 致冷器的典型结构致冷器是由许多N型和P型半导体之颗粒互相排列而成，而NP之间以一般的导体相连接而成一完整线路，通常是铜、铝或其它金属导体，最后由两片陶瓷片像夹心饼干一样夹起来，陶瓷片必须绝缘且导热良好，外观如下图(3)所示，看起来像三明治。
图(3) 致冷器的外观以下详细说明N型和P型半导体的原理:三、N型半导体(1) 如果在锗或硅中均匀掺杂五价元素，由于价电子间会互相结合而形成共价键，故每个五价元素会与邻近四价之锗或硅原子互成一共价键，而多出一个电子来，如图(4)所示，这就称为N型半导体。
(N表示negative，电子带负电) 。
图(4) N型半导体(2) 由于加入五甲元素后会添加电子，故五价元素又被称为施体原子。
(3) 加入五价元素而产生之自由电子，在N型半导体里又占大多数，故称为多数载体(majority carriers) 。
由温度的引响所产生之电子─电洞对是少数，所以N型半导体中称电洞为少数载体(minority carriers) 。
四、P型半导体(1) 如果在锗或硅中均匀掺杂三价元素，由于价电子间会互相结合而形成共价键，故每个三价元素会与邻近四价之锗或硅原子互成一共价键，而多缺少一个电子，在原子中造成一个空缺来，这个空缺我们称为电洞，如图(5)B 所示，加入三价元素之半导体就称为P型半导体。
(P表示positive，电洞视为正电荷) 。
图(5) P型半导体(2) 由于加入三价元素后会造成一个空缺，故三价元素又被称为受体原子。
(3)加入三价元素而产生之电洞，在P型半导体中是多数载体。
受热使共价键破坏而产生的电子电洞为少数，故P型半导体中称电子为少数载体。
(4) 通常我们都用正电荷代表电洞。
但侍体中的原子不能移动，所以电洞(一个空位)也应该是不能移动的。
五、P-N结合(1) 当P型半导体或N型半导体被单独使用时，由于其导电力比铜、银等不良，但却比绝缘体的导电力良好，故实际上，就等于一个电阻器一样，如下图(6)所示。
图(6) P-N结合(2) 但若将数片P或N型半导体加以适当的组合，则会产生各种不同的电气特性，而使半导体零件的功能更多彩多姿。
今天我们要先看看把一块P型半导体与N型半导体结合起来的情况。
(3) 当一块P型半导体与N型半导体结合起来时，如下图所示，由于P型半导体中有很多的电洞，而N型半导体中有许多电子，所以当P-N结合起来时，结合面附近的电子会填入电洞中，P-N结合起来时，如下图(7)(a)所示。
图(7)或许你会以为N型半导体中的电子会不断的透过接合面与电洞结合，直到所有的电子或电洞消失为止。
事实上，靠近接合面的N型半导体失去了电子后就变成正离子，P型半导体失去了一些电洞后就变成负离子，如上图(7) (b)所示。
此时正离子会排斥电洞，负离子会排斥电子，因而阻止了电子、电洞的继续结合，而产生平衡之状态。
(4) 在P-N接合面(P-Njunction)附近没有载体(电子或电洞)，只有离子之区域称为空乏区(depletioNregion) 。
(5) 空乏区的离子所产生的阻止电子、电洞通过接合面的力量，称为障碍电位(potential barrier) 。
障碍电位视半导体的掺杂程度而定，一般而言，Ge 的P-N接合面约为~，而Si 的P-N接合面约为~。
六、正向偏压(1) 若把电池的正端接P型半导体，而把负端接N型半导体，如下图(8)所示，则此时P-N接合面的偏压型式称为”正向偏压”。
图(8)加上正向偏压E(2) 若外加电源E 足够大而克服了障碍电位，则由于电池的正端具有吸引电子而排斥电洞的特性，电池的负端有吸引电洞而排斥电子之特性，因此N型半导体中的电子会越过P-N接合面而进入P 型半导体与电洞结合，同时，电洞也会通过接合面而进入N型半导体内与电子结合，造成很大的电流通过P-N接合面。
(3) 因为电池的负端不断的补充电子给N型半导体，电池的正端则不断的补充电洞给P 型半导体，(实际上是电池的正端不断的吸出P型半导体中之电子，使P 型半导体中不断产生电洞) ，所以通过P-N接合面的电流将持续不断。
(4) P-N接合在加上正向偏压时，所通过之电流称为正向电流(IF) 。
七、反向偏压(1) 现在如果我们把电池的正端接N而负端接P，则电子、电洞将受到E之吸引而远离接合面，空乏区增大，而不会有电子或电洞越过接合面产生接合，如下图(9)所示，此种外加电压之方式称为反向偏压。
图(9)加上反向偏压E(2) 当P-N接合面被加上反向偏压时，理想的情形应该没有反向电流(IR=0)才对，然而，由于温度的引响，热能在半导体中产生了少数的电子─电洞对，而于半导体中有少数载体存在。
在P-N接合面被接上反向偏压时，N型半导体中的少数电洞和P 型半导体中的少数电子恰可以通过P-N接合面而结合，故实际的P-N接合再加上反向偏压时，会有一”极小”之电流存在。
此电流称为漏电电流，在厂商的资料中多以IR表之。
[注] ：在实际应用时多将I R忽略,而不加以考虑。
(3) IR与反向偏压之大小无关，却与温度有关。
无论或硅，每当温度升高10℃，IR就增加为原来的两倍。
八、崩溃 (Breakdown)(1) 理想中，P-N接合加上反向偏压时，只流有一甚小且与电压无关之漏电电流IR.。
但是当我们不断把反向电压加大时，少数载体将获得足够的能量而撞击、破坏共价键，而产生大量的电子一对洞对。
此新生产之对子及电洞可从大反向偏压中获得足够的能量去破坏其它共价键，这种过程不断重复的结果，反向电流将大量增加，此种现象称为崩溃。
(2) P-N接合因被加上「过大」的反向电压而大量导电时，若不设法限制通过P-N接合之反向电流，则P-N接合将会烧毁。
九、二极管之V-1（电压-电流）特性把P-N接合体加上两根引线，并用塑料或金属壳封装起来，即成为二极管。
二极管的电路符号如图(10)(b)所示，两支引线分别称为阳极和阴极。
图(10) 二极管欲详知一个组件之特性并加以应用，较佳的方法是研究此组件之V-I（电压-电流）特性线。
下图(11)为二极管之正向特性曲线。
由特性曲线可看出二极管所加之正向偏压低于切入电压(cutiNvoltage)时，电流很小，一旦超过切入电图(11) 典型的二极管正向特性压，电流IF既急速上升（此时IF的最大值是由外部电阻R加以限制）。
硅二极管的切入电压为，锗二极管的切入电压为。
二极管流有正向电流时，其正向压降VF几乎为一定数，不易受正向电流的变化所影响，设计电路时，可以采用表(1)的数据。
表(1) 常温时二极管的正向压降注意！当温度升高的时候，二极管的正向压降VF会降低，其降低量为ΔVF = K ×ΔΔT = 温度变化量，℃K = 硅为-2 mV /℃，锗为 mV/℃由于晶体管的B-E 极间也为P-N接合，故也有负温度特性，这使得晶体管电路的性能受到温度所影响，故吾人常使用与晶体管同质料（锗或硅）的二极管作为晶体管的偏压，以使两者之△VF互相抵消。
图(12) 典型的二极管反向特性上图(12)为二极管的反向特性曲线图。
由此图可得知：(1) 未崩溃以前，反向电流IR为固定值，不随反向电压而变动。
(2) 硅之IR甚小，通常小于10μA，锗之IR则高达数百倍。
整流二极体很少以锗制造，也就是为了这个缘故。
(3) 二极管，无论锗或硅，当温度每增高10℃时，IR约升为原来的两倍。
(4) 当反向偏压达到崩溃电压VBD后，电流会迅速增加，此时必须由外加电阻R限制住IR，否则二极管会烧毁。
十、二极管的规格整流二极管之主要规格有：(1) 额定电流-以电阻为负载时，二极管所能通过的最大「平均电流」，厂商的规格表中多以IO表。
(2) 耐压-亦称为最大反向耐压(peak inverse voltage；简称PIV)，此电压乃指不令二极管产生崩溃的最大反向电压，规格表中多以VR表之。
十一、致冷晶片作工的原理以及运用实例直流电源提供了电子流动所需的能量，通上电源之后，电子由负极(-)出发，首先经过P 型半导体，于此吸收热量，到了N型半导体，又将热量放出，每经过一个NP模块，就有热量由一边被送到另外一边，造成温差，而形成冷热端。
冷热端分别由两片陶瓷片所构成，冷端要接热源，也就是欲冷却之物，如CPU，而热端要接散热片风扇，将热量排出。
于各接面之间，一样要涂上散热膏，以利热量之传导。
以上就是致冷器的基本架构。
致冷器的用途很多，其中一个主要的用途就是超频，而听说现在市面上卖的车用冰热保温箱也是使用这种芯片。
目前致冷器所采用的半导体材料最主要为碲化铋(Bismuth Telluride)，加入不纯物经过处理而成N型或P型半导体，听说市面上的致冷芯片都竖外进口，并氟内制造，因为成本昂贵。
十二、热能转换能转换(冰块溶解):一物体历经一传递能量的交互作用过程后，内能的变化为E，假设在此过程中，外对物体所做的功为W，则传入物体或传出体之热量Q定义为 Q= E-W 当Q为正时，物体吸热;Q为负值时，物体放热。