电磁屏蔽效能
商务用电磁屏蔽效能指标
商务用电磁屏蔽效能指标《商务用电磁屏蔽效能指标》随着电子技术的快速发展，商务领域中的电磁干扰问题变得越来越突出。
电磁干扰可能导致商务设备的故障，影响数据传输的准确性以及客户信息的安全性等。
为解决这一问题，电磁屏蔽技术的应用变得日益重要。
然而，商务用电磁屏蔽效能的评估与研究仍然是一个热门的课题。
商务用电磁屏蔽效能指标是评价商务设备对电磁干扰的抵抗能力的重要参数。
这些指标通常涉及设备的电磁兼容性、屏蔽材料的性能等方面。
以下是其中一些常用的指标。
第一个指标是电磁兼容性，指商务设备在电磁环境中工作时的抗干扰能力。
它通常通过测量设备的电磁敏感度来评估。
电磁敏感度是指设备在受到外界电磁场干扰时所产生的干扰信号的强度。
较低的电磁敏感度表示设备具有较好的电磁屏蔽效能。
第二个指标是屏蔽材料的性能。
商务用电磁屏蔽常常需要使用屏蔽材料来阻挡干扰电磁波的传播。
屏蔽材料的性能是指其对电磁波的反射、透射和吸收的能力。
反射是指电磁波从材料上反射出去的能力，透射是指电磁波穿过材料的能力，吸收是指电磁波被材料吸收的能力。
屏蔽材料具有较好的反射和吸收能力，可以减少电磁波的传播，提高电磁屏蔽效能。
第三个指标是屏蔽性能的一致性。
商务用电磁屏蔽往往需要使用多种屏蔽材料，因此确保不同屏蔽材料的屏蔽性能一致是非常重要的。
这可以通过确保屏蔽材料的物理和化学特性相似来实现。
一致性的屏蔽材料可以确保商务设备的不同部分都能获得相同的屏蔽效能。
最后一个指标是成本效益。
商务用电磁屏蔽的设计和实施通常需要大量的资源。
因此，评估电磁屏蔽效能时，需要综合考虑成本和效益。
这意味着在保证电磁屏蔽效能的前提下，要选择成本相对较低的方法和材料，以确保商务用电磁屏蔽的可行性和可持续性。
总之，商务用电磁屏蔽效能指标是商务设备在电磁干扰环境中抵抗干扰的重要参数。
电磁兼容性、屏蔽材料性能、屏蔽性能一致性和成本效益是评估商务用电磁屏蔽效能的重要指标。
通过合理评估和综合考虑这些指标，商务企业可以选择合适的电磁屏蔽方法和材料，保障商务设备的正常运行和数据安全。
屏蔽效能实验的实验原理
屏蔽效能实验的实验原理屏蔽效能实验是一种广泛用于研究电磁波屏蔽性能的实验方法。
其基本原理是将待测试的电子设备（被称为“发射端”）和试验用的电磁波接收系统（被称为“接收端”）分别放置于屏蔽室内，然后分别测量发射端和接收端的电磁波信号强度，在不同的频率下进行比较，以此评估屏蔽效能。
本文将介绍屏蔽效能实验的详细步骤和注意事项，以及如何解释实验结果。
一、实验步骤1、选择实验设备：首先需要选择待测试的电子设备和电磁波接收系统。
建议在实验开始前对设备进行充分的调试和漏洞修复，确保实验的稳定性和准确性。
2、设置实验条件：将待测试的电子设备放置于一个特制的屏蔽机箱内，保证在测量期间完全隔离环境中的干扰源。
同时将电磁波接收系统放置于另一个屏蔽机箱内，以确保只有要测试的信号能够被接收到。
3、准备实验设备：在测试前需要将所有的设备进行标定和测试，并确保发射端和接收端的信号源频率相同。
4、开始测量：开始测试前，需要确定测试频率、测试距离以及输入功率等参数。
在测量过程中，需要记录下发射端和接收端的信号强度，并计算出屏蔽效率。
5、分析实验结果：根据实验数据，可以绘制出屏蔽效率与频率的关系曲线。
通过分析曲线可以了解到电磁波在测试条件下的传输特性和屏蔽效能的优劣。
二、注意事项1、实验室环境：要求实验室内干燥、温度稳定，避免杂波和电磁干扰因素的干扰。
2、测试距离：测试距离与测试结果的准确性直接相关，太近会忽略屏蔽效应，而太远则会有其他因素影响结果。
3、添加加噪声：如果需要更准确的测试结果，则可以添加一定程度的加噪声来模拟现实环境中的实际情况，提高实验结果的可信度。
三、结果分析1、屏蔽效率：最终结果以屏蔽效率值作为评价指标，屏蔽效率值越高，表示该屏蔽室的屏蔽效能越好。
2、频率谱分析：通过频率谱分析可以了解到不同频段屏蔽效能的表现，对于研究电磁波屏蔽特性具有指导意义。
结论：在实际生产中，电子设备的屏蔽性能是非常重要的。
屏蔽效能实验是评估电子设备屏蔽效能的标准方法。
电磁屏蔽室屏蔽效能质量控制检测操作细则 (2)
电磁屏蔽室屏蔽效能质量控制检测操作细则为规范实施电磁屏蔽室屏蔽效能质量控制检测，参照国标《电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法》（GB /T 12190-2006），结合我单位检测设备，制定《电磁屏蔽室屏蔽效能质量控制检测操作细则》。
1.目的规定各边尺寸不小于2.0m的电磁屏蔽室屏蔽效能的测量和计算方法。
2.范围测试频率范围为9kHz~18GHz。
根据需要，频率向两端可以扩展到50Hz和100GHz。
3.测量位置1）测量设备布置位置如图所示。
发射环与接收环离屏蔽室的距离均为0.3m，两者应共面并垂直于屏蔽墙、天花板或其他待测平面。
在每一个频点和测试位置,信号源的输出值为5.6.4中测量参考场在没有屏蔽室时，将接收环天线与发射环天线相距；0.6m与屏蔽室壁厚度之和，并且使两个环天线处于同一平面。
2）在测试过程中,通常使发射环天线固定不动，而将接收环天线升高或降低(至少在共平面上移动接.缝总长的1/4)，以保证测得最坏的情况。
应使用检测仪器的最大读数来确定屏蔽效能。
在寻找最坏的情况时允许发射环和接收环近似共面，但最终测量时应保证两者共面。
3）对单扇门，应在图2 a)和图2 b)所示的14个位置上进行小环测试。
环面应垂直于门缝。
对于水平门缝，要求环位于拐角和门缝的中间;对垂直门缝,要求环分别位于拐角、距门顶部和门底部的1/3处。
垂直接缝的上端和下端应按图2b)进行测试。
4）对多扇门，上述的测试位置分别应用于每扇门，见图2b)和图2c)。
5）对尺寸超过1.5mX2.5m的门，应再增加一些测试位置以保证两个测量点问距不超过1m.6）采用板材构件的屏蔽室,其接缝区域的电性能是不均匀的。
不连续区域是指用铆接、螺接、钎焊或熔焊连接的部位。
不连续处的测试方法与门的测试方法基本相同，只是这时不论水平还是垂直接缝，环的中心都应位于每一接缝的中点（见图2d）。
7 7）通风孔，接口板或连接器板的屏蔽性能测试与接缝的测试方法相似。
电磁屏蔽的基本概念
电磁屏蔽的基本概念EMI屏蔽是指电磁波的能量被材料吸收或反射造成的衰减，通常以屏蔽效能（Shield ing Effective ness, SE ）表示。
屏蔽效能是指未加屏蔽时某一观测点的电磁波功率密度与经屏蔽后同一观测点的电磁波功率密度之比，即屏蔽材料对电磁信号的衰减值：SE = 20 log （p i/ p o）式中P i,和P0。
分别表示入射和透射电磁波的功率密度，屏蔽效能的单位为分贝（dB ）。
衰减值越大，表明屏蔽效能越好。
EMI屏蔽有近场和远场两种。
当辐射源和屏蔽材料之间的距离（D）大于通入/2 n二时,属于远场屏蔽，其中入是辐射源的波长。
当D V入/2 n时，属于近场屏蔽。
电磁波人射到材料表面时，会发生吸收、反射、内部反射和透射（如下图）。
“一甲旣赫料总一巒料订一更射谨诃一曬收皿一佰一蚌用軸:7—肉肚翩）屏蔽效能为电磁波被屏蔽层反射、吸收及内部反射之和，表示公式为：SE=R + A + B式中R为反射损耗,A为吸收损耗,B为内部反射损耗。
A与电磁波的类型（电场或磁场）无关,只要电磁波通过屏蔽材料就有吸收，并与材料厚度呈线性增加，与材料的电导率及磁导率有关。
电导率和磁导率大的材料吸收损耗大。
多层材料的叠加可减小磁畴壁，从而增加磁导率，故而材料越厚，吸收损耗越大。
R不仅与材料的表面阻抗有关，同时还与辐射源的类型及屏蔽材料到辐射源的距离有关。
对于高频,A的值很大,B可以忽略不计；于低频,A的值很小,B就必须考虑。
ICP （intrinsic conductive polymer）材料，如PANI（聚苯胺）、PPY（聚吡咯）、PTH（聚噻吩），具有较高的电导率和介电常数，加上质轻、环境稳定性好等优点，是应用前景十分广阔的EMI屏蔽。
尤为重要的是，ICP不仅能通过反射损耗，更能通过吸收损耗达到EMI屏蔽目的，因而比金属屏蔽材料更具优势。
下表为典型金属材料和ICP材料物理性能的比较。
电磁屏蔽效能原理
电磁屏蔽效能原理
电磁屏蔽效能原理是利用屏蔽体对电磁能流的反射、吸收和引导作用，其与屏蔽结构表面和屏蔽体内部感生的电荷、电流与极化现象密切相关。
电磁屏蔽与屏蔽体接地与否并没有关系。
真正影响屏蔽体屏蔽效能的只有两个因素：一个是整个屏蔽体表面必须是导电连续的，另一个是不能有直接穿透屏蔽体的导体。
屏蔽体上有很多导电不连续点，最主要的一类是屏蔽体不同部分结合处形成的不导电缝隙。
这些不导电的缝隙就产生了电磁泄漏，如同流体会从容器上的缝隙上泄漏一样。
解决这种泄漏的一个方法是在缝隙处填充导电弹性材料，消除不导电点。
这就像在流体容器的缝隙处填充橡胶的道理一样。
这种弹性导电填充材料就是电磁密封衬垫。
电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法
电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法电磁屏蔽室（EMC）是一种专门用于测试电子设备对电磁干扰容忍度的实验室。
其内部有特殊的金属屏蔽结构，可以屏蔽外部电磁波干扰，以保证实验结果的准确性。
然而，电磁屏蔽室的屏蔽效能需要得到精确的测量，本文将介绍电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法。
一、屏蔽效能的定义屏蔽效能是指电磁屏蔽室内部对外部电磁波的屏蔽能力。
通常使用衰减（dB）来表示，即单位长度内电磁波功率的减少量。
例如，衰减10dB表示电磁波功率降低了10倍。
二、屏蔽效能的测量方法1. 磁场测量法磁场测量法是一种常用的屏蔽效能测量方法。
该方法通过在电磁屏蔽室内放置一组磁场探头，分别测量屏蔽室内外的磁场强度，并计算出屏蔽效能。
由于磁场的传播特性与电场不同，因此该方法适用于低频电磁波的屏蔽效能测量。
2. 频域扫描法频域扫描法是一种基于电场测量的屏蔽效能测量方法。
该方法通过在电磁屏蔽室内放置一组电场探头，分别测量不同频率下的电场强度，并计算出相应的屏蔽效能。
该方法适用于高频电磁波的屏蔽效能测量。
3. 平面波激励法平面波激励法是一种基于传输线理论的屏蔽效能测量方法。
该方法通过在电磁屏蔽室外部放置一组电磁波发生器，并将发生器输出的电磁波通过传输线输入到电磁屏蔽室内部，然后测量屏蔽室内部的电磁波功率，并计算出相应的屏蔽效能。
该方法适用于电磁波频率较高的情况。
三、屏蔽效能的评价屏蔽效能的评价通常采用以下两种指标：1. 透过波比透过波比是指电磁波穿过电磁屏蔽室时的衰减量。
该指标越大，说明屏蔽效能越好。
2. 反射波比反射波比是指电磁波在电磁屏蔽室内部被反射的程度。
该指标越小，说明屏蔽效能越好。
四、注意事项在进行电磁屏蔽室屏蔽效能测量时，需要注意以下事项：1. 测量前需要将电磁屏蔽室内部的杂物清理干净，以保证测量结果的准确性。
2. 测量时需要保证电磁屏蔽室内部没有电子设备运行，以避免干扰测量结果。
3. 不同测量方法的适用范围不同，需要根据具体情况选择合适的测量方法。
电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法
电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法一、简介电磁屏蔽室的屏蔽效能测量是检测电磁屏蔽室对外部电磁场的屏蔽效果的重要手段，其目的是为了判定电磁屏蔽室是否能够达到预期的屏蔽效能。
二、屏蔽效果的测量原理屏蔽效能的测量是利用电磁屏蔽室内部的电压池及电流池在外部电磁场的作用下产生的失真电压与失真电流，使用示波器来测量电压与电流的正常电压和电流，从而计算出屏蔽室内的失真电压和失真电流，从而计算出屏蔽室内的屏蔽效能。
三、测量方法1、准备工作：安装相应的测试设备，如示波器、屏蔽室内部的电压池及电流池，外部电磁场生成装置等。
2、测量步骤：（1）用示波器记录电压池及电流池内的正常电压与电流；（2）打开外部电磁场生成装置，记录放电后屏蔽室内的电压池及电流池内的失真电压与失真电流；（3）计算出屏蔽室内的屏蔽效能。
四、实际测量在实际测量中，主要采用的方法是幅度法、相位法和峰值法。
它们的具体测量步骤如下：（1）幅度法：①首先，设定一定的频率。
②然后，用示波器记录屏蔽室内电压池及电流池内的正常电压与电流。
③将外部电磁场的强度依次增大，当外部电磁场的强度达到某一固定值时，记录屏蔽室内的电压池及电流池内的失真电压与失真电流，然后计算出屏蔽室内的屏蔽效能。
（2）相位法：①首先，设定一定的频率，用示波器记录屏蔽室内电压池及电流池内的正常电压与电流。
②然后，将外部电磁场的强度依次增大，当外部电磁场的强度达到某一固定值时，记录屏蔽室内的电压池及电流池内的失真电压与失真电流，并计算它们的相位差，最后计算出屏蔽室内的屏蔽效能。
（3）峰值法：①首先，设定一定的频率，用示波器记录屏蔽室内电压池及电流池内的正常电压与电流。
②然后，将外部电磁场的强度依次增大，当外部电磁场的强度达到某一固定值时，计算屏蔽室内失真电压与失真电流的峰值，然后计算出屏蔽室内屏蔽效能。
五、总结电磁屏蔽室的屏蔽效能的测量是植基于外部电磁场对其内部的影响，通过测量电压池及电流池内的正常电压与电流，以及外部电磁场影响下的失真电压与失真电流计算出屏蔽室内的屏蔽效能。
低频磁场屏蔽效能计算公式
低频磁场屏蔽效能计算公式引言。
在现代社会中，我们经常会接触到各种电子设备，例如手机、电脑、电视等等。
这些电子设备产生的电磁辐射对人体健康可能会造成一定的影响。
因此，研究电磁辐射的屏蔽效能就显得尤为重要。
本文将介绍低频磁场屏蔽效能的计算公式，帮助人们更好地评估和控制电磁辐射对人体的影响。
低频磁场屏蔽效能计算公式。
低频磁场屏蔽效能是指材料对低频磁场的屏蔽能力。
在实际应用中，我们通常使用屏蔽效能来评估材料的屏蔽性能。
低频磁场屏蔽效能的计算公式如下：SE = 20log(μ/μ')。
其中，SE表示屏蔽效能，μ表示未屏蔽时的磁导率，μ'表示屏蔽后的磁导率。
磁导率是材料对磁场的响应能力，是衡量材料屏蔽性能的重要参数。
通过这个公式，我们可以计算出材料的屏蔽效能，进而评估材料对低频磁场的屏蔽能力。
应用举例。
为了更好地理解低频磁场屏蔽效能的计算公式，我们可以通过一个具体的应用举例来说明。
假设我们有一种材料，其未屏蔽时的磁导率为1.5，屏蔽后的磁导率为0.5。
根据上面的公式，我们可以计算出这种材料的屏蔽效能为20log(1.5/0.5) ≈9.54dB。
这意味着这种材料对低频磁场的屏蔽效能约为9.54dB，屏蔽能力较强。
影响因素。
低频磁场屏蔽效能受到多种因素的影响，主要包括材料的磁导率、材料的厚度、磁场的频率等。
首先，磁导率是衡量材料对磁场响应能力的重要参数，磁导率越大，材料的屏蔽效能越高。
其次，材料的厚度也会影响屏蔽效能，一般来说，材料的厚度越大，屏蔽效能越高。
最后，磁场的频率也会对屏蔽效能产生影响，不同频率下材料的屏蔽效能可能会有所不同。
实际应用。
低频磁场屏蔽效能的计算公式在实际应用中具有重要意义。
首先，通过计算屏蔽效能，我们可以评估材料对低频磁场的屏蔽能力，选择合适的材料来保护人体免受电磁辐射的影响。
其次，我们可以通过计算屏蔽效能来优化材料的设计，提高材料的屏蔽性能。
最后，通过计算屏蔽效能，我们可以对不同材料的屏蔽性能进行比较，选择最适合的材料来满足特定的应用需求。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
<14>
在工程中，当需要考虑如何应用吸收特性时，可以考虑如下原则： • 屏蔽材料越厚，吸收损耗越大。 • 磁导率越高，吸收损耗越大。 • 电导率越高，吸收损耗越大。 • 频率越高，吸收损耗越大。
<15>
影响反射损耗的因素
• 材料特性。屏蔽材料的电导率越高，磁导率越低，反射损耗就越 大。 • 场源特性。对于同一屏蔽材料， 不同的场源特性有不同的反射 损耗。通常，磁场反射损耗小于平面波反射损耗和电场反射损 耗，即Rm<Rw<Re； 因此从可靠性考虑，计算种的屏蔽效能时， 应以磁场反射损耗代入计算。
r
5.82 107 S/m
<13>
在具体应用中，由于前面的吸收损耗关系将损耗值与金属层厚度联 系起来，因此，可以对金属厚度的确定提供指导。若A=100dB， μr=1，σr=1，则当频率为1MHz时，屏蔽壳体的厚度为t=0.76mm。随 着频率的增加，获得一定屏蔽效能所需的金属层的厚度会随之减少。 若将其它损耗因素再考虑在内，则所需厚度可能更小。因此，在高 频情况下，选择屏蔽壳体的厚度时，一般并不需要从电磁屏蔽效果 考虑，而只要从工艺结构和机械性能考虑即可。
平面波源 电场源 磁场源 -
Rw 168.1 10lg(r f / r )
Re 321.7 10lg(r r 2 f 3 / r ) Rm 14.56 10lg( r r 2 f / r )
• 多次反射修正：
Z m Z w 2 0.1 A j 0.23 A B 20 lg 1 ( ) 10 e Zm Zw 10 lg[1 2 10 0.1 A cos(0.23 A) 10 0.2 A ]
SE 20 lg | pe t (1 qe 2t ) 1 e 1t | 20 lg | e t | 20 lg | p | 20 lg | 1 qe 2t | A R B
其中屏蔽效能对应于吸收损耗、反射损耗、多次反射损耗之和。
<7>
对于良导体，若令：k • 吸收损耗：
Z1 / Z 2则有：
A 20 lg | e t | 20 lg et 8.686t
• 反射损耗：
• 多次反射修正：
( k 1) 2 R 20 lg | p | 20 lg | | 4k
B 20 lg | 1 qe
2t
| 20 lg | 1
( k 1) 2 ( k 1) 2
·媒质的本征阻抗：
Z
c
j , j
c
j
j
良导体： ·传播常数： 良导体：
( )
Zm j j c
j j
j
j (1 j ) f
<5>
屏蔽材料吸收衰减（A-吸收损耗） 多次反射（B-多次反射修正）
导体平板的屏蔽效能
屏蔽的平面波模型特别适用于屏蔽结构的尺寸远大于骚扰场的波长且 骚扰源至屏蔽体之间的距离相对较大的情形。
下面在平面波垂直入射的情况下具体对单层屏蔽体的屏蔽效能进行分 析讨论。
<6>
屏蔽效能的计算
考虑厚度为t的屏蔽体，其两侧为自由空间Z1=Z2。屏蔽效能的计算， 则根据单层屏蔽体的屏蔽效能，可以得到
<9>
反射损耗 电磁波在媒质交界面的反射损耗，与两种媒质的特性阻抗的差别相关。
对于具体媒质而言，与其自身物理特性相关的主要有本征阻抗和传播 常数两个物理量。从理论角度来看，这两个物理量又是有着内在联系 的，其在一定程度上从路和场的联系中反映了媒质物理电磁参数（介 电常数、磁导率）的内在关联。
<10>
<11>
• 波阻抗：
远场：
ZW
0 120 377 0
1 2 f 0 r
近场（以电场为主）：
Z we
ZW 2 r
Z we
近场（以磁场为主）：
Z wm ZW 2 r
Zwm 2 f 0 r
一般情况下，自由空间的波阻抗比金属屏蔽体的波阻抗大得多。
电磁波在穿透屏蔽体时的能量吸收损耗主要是由于涡流引起的。涡 流的作用：
• 产生反磁场来抵消原干扰磁场。
• 产生热损耗。
因此，频率越高，屏蔽体越厚，涡流损耗也越大。
<4>
屏蔽原理与分析方法
表面反射（R-反射损耗）
原理组成： 分析方法： 电磁感应原理，分析屏蔽体上的涡流的屏蔽效应来计算屏蔽效能。 平面波理论计算反射与衰减。 等效传输线理论计算反射与衰减。
e 2t |
Note：吸收损耗与多次反射损耗间存在如下关系
B 10 lg[1 2 10 0.1 A cos(0.23 A) 10 0.2 A ]
<8>
• 屏蔽效能：
SE R A B(dB)
• 吸收损耗： • 反射损耗：
A 8.98 t 0.131t
f r r (dB)
<12>
吸收损耗
当电磁波通过金属层时，感应出的涡流产生欧姆损耗，并转化 为热能而耗散。 对此工程上有：
A 20 lg e rt 20 lg e t
20 t lg e 8.68 t 0.131t f r r (dB)
其中：
-相对于铜的电导率，铜： r -相对磁导率， t -厚度（mm）。
<2>
电磁屏蔽：当频率较高，或在离干扰源较远的地方(即远场条件)不 论干扰源本身特性如何，均可看作平面波电磁场，此时电场和磁场 都不可忽略 高频电磁屏蔽的原理主要依据电磁波到达金属屏蔽体时产生的反射 及吸收作用。
波阻抗相差愈大，由反射引起的损耗也愈大；而反射和频率有关， 频率愈低，反射愈严重。
<3>
5.7 电磁屏蔽效能
<1>
电磁场屏蔽 一般在远离干扰源的情况下，电磁干扰均是电场和磁场同时存在 的高频辐射电磁场。
近区存在两种特殊情况，于是可以分别按电场屏蔽和磁场屏蔽来 考虑：
• 对于高电压、小电流的干扰源，近场以电场为主，其磁场 分量可以忽略 • 对于低电压、大电流的干扰源，近场以磁场为主，其电场 分量可以忽略