常用半导体器件 选择复习题
半导体器件(附答案)
第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________A. B. C.3．稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少C. 不变7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8．面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW11D.2AP610．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。
若其他参数不变，当温度上升到40℃，则D U 的大小将 ____A. 等于 0.7VB. 大于 0.7VC. 小于 0.7V11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____A. 两种B. 三种C. 四种12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ）A. 两种B. 三种C. 四种14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __（2）__有很大关系。
半导体物理试题及答案
半导体物理试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这是由于（）。
A. 半导体的原子结构B. 半导体的电子结构C. 半导体的能带结构D. 半导体的晶格结构答案：C2. 在半导体中，电子从价带跃迁到导带需要（）。
A. 吸收能量B. 释放能量C. 吸收光子D. 释放光子答案：A3. PN结形成的基础是（）。
A. 杂质掺杂B. 温度变化C. 压力变化D. 磁场变化答案：A4. 半导体器件中的载流子主要是指（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 光子答案：C5. 半导体的掺杂浓度越高，其导电性能（）。
A. 越好B. 越差C. 不变D. 先变好再变差答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体的导电性能可以通过改变其________来调节。
答案：掺杂浓度2. 半导体的能带结构中，价带和导带之间的能量差称为________。
答案：带隙3. 在半导体中，电子和空穴的复合现象称为________。
答案：复合4. 半导体器件中的二极管具有单向导电性，其导通方向是从________到________。
答案：阳极阴极5. 半导体的PN结在外加正向电压时，其内部电场会________。
答案：减弱三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述半导体的掺杂原理。
答案：半导体的掺杂原理是指通过向半导体材料中掺入少量的杂质元素，改变其电子结构，从而调节其导电性能。
掺入的杂质元素可以是施主杂质（如磷、砷等），它们会向半导体中引入额外的电子，形成N型半导体；也可以是受主杂质（如硼、铝等），它们会在半导体中形成空穴，形成P型半导体。
2. 描述PN结的工作原理。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体结合而成的结构。
在PN结中，P型半导体的空穴会向N型半导体扩散，而N型半导体的电子会向P型半导体扩散。
由于扩散作用，会在PN结的交界面形成一个内建电场，该电场会阻止更多的载流子通过PN结。
01常用半导体器件练习题
第1章常用半导体器件一．选择题1、半导体导电的载流子是____C____，金属导电的载流子是_____A__。
A．电子B．空穴C．电子和空穴Ｄ．原子核2、在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是___A_____型半导体。
A. PB. NC. PND. 电子导电3、纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是____B____型半导体。
A. PB. NC. PND. 空穴导电4、N型半导体多数载流子是B，少数载流子是 A ；P型半导体中多数载流子是A ，少数载流子是B 。
A．空穴B．电子Ｃ．原子核Ｄ．中子5、杂质半导体中多数载流子浓度取决于 D ，少数载流子浓度取于 B 。
A．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度6、PN结正向导通时，需外加一定的电压U，此时，电压U的正端应接PN结的 A ，负端应接PN结 B 。
A．P区B．N区7、二极管的反向饱和电流主要与 B 有关。
(当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。
)A．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度8、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 A 的关系曲线。
A．V D-I D B．V D-r D C．I D-r D D．f-I D9、用万用表测量二极管的极性，将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管的 C 。
A．正极B．负极C．无法确定10、下列器件中， B 不属于特殊二极管。
A．稳压管B．整流管C．发光管D．光电管11、稳压二极管稳压，利用的是稳压二极管的 C 。
A．正向特性B．反向特性C．反向击穿特性12、稳压管的稳定电压V Z是指其 D 。
A ．反向偏置电压B ．正向导通电压C ．死区电压D ．反向击穿电压13、光电二极管有光线照射时，反向电阻 A 。
(反压下，光照产生光电流)A ．减少B ．增大C ．基本不变D ．无法确定14、三极管的主要特征是具有____C____作用。
半导体器件试题
第八章 半导体器件 一、单项选择题1、当 温 度 升 高 时，半 导 体 的 导 电 能 力 将（ ）。
(a) 增 强 (b) 减 弱 (c) 不 变2、电 路 如 图 所 示， 输 入信 号u i = 6sin ωt V 时， 二 极 管D 承 受 的 最 高 反 向 电 压 为（ ）。
(a) 3 V (b) 6 V (c) 9 V5k Ωu O3、整 流 电 路 如 图 所 示，已 知输 出电 压 平 均 值 U O 是18 V ， 则 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 U 2 是（ ）。
(a) 40 V(b) 20 V (c) 15 V(d) 12.7 Vu O+-4、在电 感 电 容 滤 波 电 路 中，欲使滤波 效 果 好， 则 要 求（ ）。
(a) 电 感 大 (b) 电 感 小 (c) 电 感 为 任 意 值5、已 知 某 晶 体 管 的 I CEO 为 200μA ， 当 基 极 电 流 为 20μA 时， 集 电 极 电 流 为1mA ，则 该 管 的 I CBO 约 等 于 （ ）。
(a) 8 mA (b) 10 mA (c) 5μA (d) 20μA 6、二 极 管 接 在 电 路 中， 若 测 得 a 、b 两 端 电 位 如 图 所 示，则 二 极 管 工 作 状 态 为（ ）。
(a) 导 通 (b) 截 止 (c) 击 穿-6.3V D7、整 流 电 路 如 图 所 示，输 出电 流 平 均 值I O mA =50，则 流 过 二 极 管的 电 流 平 均 值I D 是（ ）。
(a)I D =50 mA(b)I D =25 mA(c)I D=12.5 mA~u O8、整 流 滤 波 电 路 如 图 所 示， 二 极 管 的 导 通 角 （ ）。
(a) 等 于180︒(b) 小 于 180︒(c) 大 于 180︒～Du O+-9、电 路 如 图 1 所 示， 二 极 管 D 为 理 想 元 件，U u =3V,i =6sin ωt V ， 则 输 出 电 压 u O 的 波 形 为 图2 中（ ）。
半导体器件基础测试题
半导体器件基础测试题第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。
模拟电子科学与技术 第一单元复习题
第一章 常用半导体器件一、判断题：正确： “√”，错误：“×”。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ）（5）稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在正向导通状态。
（ ）（6）PN 结正偏时正向电阻很小，呈现低阻态，反偏时反向电阻很大，呈现高阻态。
（ ）（7）在本征半导体中，自由电子与空穴总是成对出现的。
（ ）（8）PN 结外加正向电压时导通，外加反向电压时截止。
（ ）（9）最大整流电流是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。
（ ）（10）二极管最高反向工作电压就是击穿电压。
（ ）（11）双极型晶体管比场效应管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
（ ）（12）当晶体管工作在饱和区时，晶体管失去线性放大作用。
（ ）（13）在测量的稳压管参数时，稳压管的稳定电流Iz 是与稳定电压Uz 所对应的稳压管电流，只要不超过额定功率，电流愈大，稳压效果愈好。
（ ）（14）稳压管电路中，外加反向电压必须大于稳压管的稳定电压，并且必须串联一个电阻来限制反向击穿电流，从而保证稳压管安全正常工作，故称这个电阻为限流电阻。
（ ）（15）晶体管能够放大的内部条件是发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度，并且基区很薄，集电结面积较大。
（ ）（17）在本征半导体晶体中掺入微量的五价杂质元素，可形成P 型半导体。
( )（18）在本征半导体晶体中掺入微量的五价杂质元素，可形成N 型半导体。
( )（19）普通硅二极管的正向导通压降约等于0.7V （ ）。
（20）普通锗二极管的正向导通压降约等于0.7V （ ）。
（21）普通硅二极管的正向死区电压（门槛电压）约等于0.5V （ ）。
（22）普通锗二极管的正向死区电压（门槛电压）约等于0.5V （ ）。
半导体器件物理复习题答案
半导体器件物理复习题答案一、选择题1. 半导体材料中，导电性介于导体和绝缘体之间的是：A. 导体B. 绝缘体C. 半导体D. 超导体答案：C2. PN结形成后，其空间电荷区的电场方向是：A. 由N区指向P区B. 由P区指向N区C. 垂直于PN结界面D. 与PN结界面平行答案：B3. 在室温下，硅的本征载流子浓度大约是：A. \(10^{10}\) cm\(^{-3}\)B. \(10^{12}\) cm\(^{-3}\)C. \(10^{14}\) cm\(^{-3}\)D. \(10^{16}\) cm\(^{-3}\)答案：D二、简答题1. 解释什么是PN结，并简述其工作原理。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的结构。
P型半导体中空穴是多数载流子，N型半导体中电子是多数载流子。
当P型和N型半导体接触时，由于扩散作用，空穴和电子会向对方区域扩散，形成空间电荷区。
在空间电荷区，由于电荷的分离，产生一个内建电场，这个电场的方向是从N区指向P区。
这个内建电场会阻止进一步的扩散，最终达到动态平衡，形成PN结。
2. 描述半导体中的扩散和漂移两种载流子运动方式。
答案：扩散是指由于浓度梯度引起的载流子从高浓度区域向低浓度区域的运动。
漂移则是指在外加电场作用下，载流子受到电场力的作用而产生的定向运动。
扩散和漂移共同决定了半导体中的电流流动。
三、计算题1. 假设一个PN结的内建电势差为0.7V，求其空间电荷区的宽度。
答案：设PN结的空间电荷区宽度为W，内建电势差为Vbi，则有：\[ V_{bi} = \frac{qN_{A}N_{D}}{2\varepsilon}W \] 其中，q是电子电荷量，\( N_{A} \)和\( N_{D} \)分别是P型和N型半导体中的掺杂浓度，\( \varepsilon \)是半导体的介电常数。
通过这个公式可以计算出空间电荷区的宽度W。
四、论述题1. 论述半导体器件中的载流子注入效应及其对器件性能的影响。
半导体器件期末考试试题
半导体器件期末考试试题# 半导体器件期末考试试题## 一、选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间，这是因为： - A. 温度影响- B. 掺杂效应- C. 晶格结构- D. 电子空穴对2. PN结形成后，其两侧的电势差是：- A. 正值- B. 负值- C. 零- D. 无法确定3. 下列哪个不是半导体器件的特性参数：- A. 载流子浓度- B. 迁移率- C. 击穿电压- D. 频率响应4. MOSFET的全称是：- A. 金属-氧化物-半导体场效应晶体管- B. 金属-半导体-氧化物场效应晶体管- C. 金属-氧化物-半导体二极管- D. 金属-氧化物-半导体变容二极管5. 以下哪个是半导体器件的制造工艺：- A. 光刻- B. 焊接- C. 铸造- D. 热处理## 二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述PN结的工作原理及其在半导体器件中的应用。
2. 描述MOSFET的工作原理，并说明其在集成电路设计中的重要性。
3. 解释半导体材料的掺杂过程，并举例说明掺杂对半导体器件性能的影响。
## 三、计算题（每题25分，共50分）1. 假设一个N型半导体的掺杂浓度为\[10^{15}\] cm\[^{-3}\]，计算其在室温下的电子浓度。
假设电子的亲和力为0.7eV。
2. 给定一个PN结，其正向偏置电压为0.7V，反向击穿电压为100V。
若PN结处于反向偏置状态，计算其反向偏置电压为50V时的耗尽区宽度。
假设耗尽区宽度与电压的关系为线性。
## 四、论述题（共30分）1. 论述半导体器件在现代电子技术中的重要性，并展望其在未来技术发展中的潜在应用。
请注意，以上试题仅为示例，实际考试内容可能根据教学大纲和课程内容有所不同。
考生应根据所学知识和理解，认真作答。
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第4章常用半导体器件-选择复习题
1．半导体的特性不包括。
A. 遗传性
B.光敏性
C.掺杂性
D. 热敏性
2．半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为。
A.漂移运动
B. 扩散运动
C.有序运动
D.同步运动
3．N型半导体中的多数载流子是。
A.自由电子
B.电子
C.空穴
D.光子
4．P型半导体中的多数载流子是。
A.空穴
B.电子
C. 自由电子
D.光子
5．本征半导体中掺微量三价元素后成为半导体。
A.P型
B.N型
C.复合型
D.导电型
6．本征半导体中掺微量五价元素后成为半导体。
A. N型
B. P型
C.复合型
D.导电型
7．在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是。
A.扩散运动
B.漂移运动
C.有序运动
D.同步运动
8．将一个PN结两端各加一条引线，再封装起来，就成为一只。
A.二极管
B. 三极管
C.电子管
D.晶闸管
9．当外电场与内电场方向相同时，阻挡层，电子不容易通过。
A.变厚
B.变薄
C. 消失
D.变为导流层
10．当外电场与内电场方向相反时，阻挡层，电子容易通过。
A.变薄
B. 变厚
C. 消失
D.变为导流层
11．PN结的基本特性是。
A.单向导电性
B. 半导性
C.电流放大性
D.绝缘性
12．晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构。
A.截止区
B. 发射区
C.基区
D.集电区
13．稳压二极管一般要串进行工作，以限制过大的电流。
A 电阻 B电容 C电感 D电源
14．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V
15．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V
16．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A． 3V B．0 V C．10V D．1.5V
17．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V
18．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A． 3V B．0V C．10V D．1.5V
19．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．3 V B． 0V C．10V D．1.5V
20．三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是 C 。
21．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压U CC，I C 近似等于零时，则该管的工作状态为。
A. 截止
B. 饱和
C.放大
D.不能确定
22．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE近似等于0，I C近似等于U CC/R C，则该管的工作状态为。
A.饱和
B.截止
C.放大
D.不能确定
23．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 6V
B. 4.6V
C. 5.3V
D. 1.4V
24．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 10.6V
B. 1.4V
C. 5.3V
D. 0V
25．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 1.4V
B. 4.6V
C. 5.3V
D. 6V
26．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 0.7V
B. 4.6V
C. 1.4V
D. 6V
27．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 5.3V
B. 4.6V
C. 1.4 V
D. 6V
28．二极管的用途不包括。
A. 放大
B.钳位
C.保护
D.整流
29．工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为。
A. U BE>0，U BC<0
B. U BE>0，U BC>0
C. U BE<0，U BC<0
D. U BE<0，U BC>0
30．在如图所示的二极管电路中，二极管Ｄ1导通；Ｄ2截止。
设二极管正向压降为0V，则ＵAB为_______V。
Ａ. ０Ｂ.12 Ｃ. 15 D.27
31．晶体三极管工作在截止区的特点是_______。
Ａ.发射结和集电结均反偏Ｂ. 发射结和集电结均正偏
Ｃ.集电结正偏,发射结反偏Ｄ.集电结反偏,发射结正偏
32．晶体三极管工作在饱和区的特点是_______。
Ａ.发射结和集电结均正偏Ｂ.发射结和集电结均反偏
Ｃ.集电结正偏,发射结反偏Ｄ.集电结反偏,发射结正偏
33．晶体三极管工作在放大区的特点是_______。
Ａ.集电结反偏,发射结正偏Ｂ.发射结和集电结均反偏
Ｃ.集电结正偏,发射结反偏Ｄ.发射结和集电结均正偏34．适宜在低频电路工作的二极管是________。
Ａ. 面接触二极管Ｂ. 点接触二极管Ｃ.随便哪种均可35．适合在高频电路工作的二极管是________。
Ａ.点触型二极管Ｂ.面触型二极管Ｃ.随便哪种均可
36．稳压管的正常工作区域就是它的反向击穿区，在这个区域里电流幅度变化很大，而电压变化
______。
Ａ.很小Ｂ.很大Ｃ.不会变Ｄ.不定37．某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：2V，1.8V，9V。
则可以判断此三极管为 ________。
Ａ..锗NPN管Ｂ锗PNP管Ｃ.硅PNP管Ｄ.硅NPN管38．某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：2V，1.3V，5V。
则可以判断此三极管为：______。
Ａ. 硅NPN管Ｂ.锗NPN管Ｃ.硅PNP管Ｄ. 锗PNP管39．某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：-2V，-1.8V，-5V。
则可以判断此三极管为：______。
Ａ.锗PNP管Ｂ.锗NPN管Ｃ.硅PNP管Ｄ.硅NPN管40．某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：-2V，-1.3V，-5V。
则可以判断此三极管为：______。
Ａ.硅PNP管Ｂ.锗NPN管Ｃ. 锗PNP管Ｄ.硅NPN管
41．适宜在低频工作的二极管是________。
A.面接触二极管
B.点接触二极管
C.随便哪种均可
42．适合在高频工作的二极管是________。
A.点触型二极管
B.面触型二极管
C.随便哪种均可
43．在图示电路中，U Z1=2V，U Z2=5V，正向导通时U D＝0.7V，其输出电压为________V。
A. 7
B. 2.7
C. 5.7
D. 3.7
44．在图示电路中，U Z1=2V，U Z2=5V，正向导通时U D＝0.7V，其输出电压为________V。
A. 5.7
B. 7
C. 2.7
D. 3.7
45．在图示电路中，U Z1=2V，U Z2=5V，正向导通时U D＝0.7V，其输出电压为________V。
A. 2.7
B. 7
C. 5.7
D. 3.7
46．稳压管的正常工作区域就是它的反向击穿区，在这个区域里电流幅度变化很大，而电压变化______。
A.很小
B. 很大
C.不会变
D.不定
47．电路如图所示，二极管正向导通时U D＝0.7V，输出的电压应为：________V。
A.0.7
B. 4.7
C. 3.3
D. 12
48．图示电路中，稳压管的稳压值为U Z1=2V，U Z2=5V，稳压管正向导通时U D＝0.7V，则输出电压U0为________。
A. 2
B. 7
C. 5
D. 0.7
49．图示电路中，稳压管的稳压值为U Z1=2V，U Z2=5V，稳压管正向导通时U D＝0.7V，则输出电压U0为________。
A. 0.7
B. 7
C. 5
D. 2
50．图示电路中，稳压管的稳压值为U Z1=2V，U Z2=5V，稳压管正向导通时U D＝0.7V，则输出电压U0为________。
A. 0.7
B. 7
C. 5
D. 2
51．图示电路中，稳压管的稳压值为U Z1=2V，U Z2=5V，稳压管正向导通时U D＝0.7V，则输出电压U0为________。
A. 1.4
B.2.7
C. 5.7
D. 7。