场效应管工作原理
结型场效应管p沟道的工作原理
结型场效应管p沟道的工作原理
一、结型场效应管简介
结型场效应管（JFET，Junction Field Effect Transistor）是一种半导体器件，具有电压控制、电流放大等特点。
它根据导电沟道的类型可分为n沟道和p沟道两种。
今天，我们将重点探讨p沟道结型场效应管的工作原理。
二、p沟道结型场效应管结构
p沟道结型场效应管的主要结构包括：源极（S）、漏极（D）、栅极（G）以及绝缘层。
在p型半导体基片上，通过掺杂形成n型沟道，栅极绝缘层将沟道与栅极隔离。
三、p沟道工作原理
1.开启状态：当栅极电压大于沟道电压时，栅极与沟道之间形成正向电压，电子流经沟道，器件处于开启状态。
2.关闭状态：当栅极电压小于沟道电压时，栅极与沟道之间形成反向电压，电子流受到限制，器件处于关闭状态。
3.放大作用：在开启状态下，栅极电压的变化会影响沟道电流，从而实现电流的放大。
四、影响p沟道场效应管性能的因素
1.栅极电压：栅极电压对p沟道场效应管的开启和关闭状态起到关键作用。
2.沟道长度：沟道长度影响电子在沟道内的传输速度，进而影响器件的响应速度。
3.沟道宽度：沟道宽度决定了电子流过的面积，影响电流大小。
4.材料参数：材料特性如电子迁移率、介电常数等对器件性能也有重要影响。
五、应用领域与发展前景
1.应用领域：p沟道结型场效应管广泛应用于放大、开关、滤波、振荡等电子电路。
2.发展前景：随着微电子技术的发展，p沟道结型场效应管在高速、高频、低功耗等领域有巨大的应用潜力。
总之，p沟道结型场效应管作为一种重要的半导体器件，其工作原理与应用领域值得我们深入探讨。
场效应管的基础知识
场效应管的基础知识：
场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制半导体器件中的电流流动的半导体器件。
以下是场效应管的基础知识：
1.工作原理：场效应管利用电场效应原理，通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间
的电流。
当栅极电压为零时，源极和漏极之间没有电流。
当栅极电压不为零时，电场效应使得半导体内的电子聚集在沟道的一侧，形成导电沟道，从而使得源极和漏极之间有电流流动。
2.结构：场效应管的结构包括源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）三个电
极。
源极和漏极之间是半导体材料，称为沟道。
栅极位于源极和漏极之间，通过控制栅极电压来控制沟道的通断。
3.类型：场效应管有N沟道和P沟道两种类型。
N沟道场效应管的源极和漏极之间是
N型半导体，P沟道场效应管的源极和漏极之间是P型半导体。
4.特性曲线：场效应管的特性曲线包括转移特性曲线和输出特性曲线。
转移特性曲线
表示栅极电压对漏极电流的影响，输出特性曲线表示漏极电流与漏极电压之间的关系。
5.应用：场效应管广泛应用于电子设备中，如放大器、振荡器、开关等。
由于场效应
管具有体积小、重量轻、寿命长等优点，因此在便携式设备、移动通信等领域得到广泛应用。
场效应管工作原理
场效应管⼯作原理场效应管⼯作原理MOS场效应管电源开关电路。
这是该装置的核⼼，在介绍该部分⼯作原理之前，先简单解释⼀下MOS 场效应管的⼯作原理。
MOS 场效应管也被称为MOS FET，既Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor（⾦属氧化物半导体场效应管）的缩写。
它⼀般有耗尽型和增强型两种。
本⽂使⽤的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。
它可分为NPN型PNP型。
NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。
由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。
我们知道⼀般三极管是由输⼊的电流控制输出的电流。
但对于场效应管，其输出电流是由输⼊的电压（或称电场）控制，可以认为输⼊电流极⼩或没有输⼊电流，这使得该器件有很⾼的输⼊阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
为解释MOS场效应管的⼯作原理，我们先了解⼀下仅含有⼀个P—N结的⼆极管的⼯作过程。
如图6所⽰，我们知道在⼆极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，⼆极管导通，其PN结有电流通过。
这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电⼦被吸引⽽涌向加有正电压的P型半导体端，⽽P型半导体端内的正电⼦则朝N型半导体端运动，从⽽形成导通电流。
同理，当⼆极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电⼦被聚集在P型半导体端，负电⼦则聚集在N型半导体端，电⼦不移动，其PN结没有电流通过，⼆极管截⽌。
对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前⾯分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截⽌状态（图7a）。
当有⼀个正电压加在N沟道的MOS 场效应管栅极上时，由于电场的作⽤，此时N型半导体的源极和漏极的负电⼦被吸引出来⽽涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电⼦聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从⽽形成电流，使源极和漏极之间导通。
用 场效应管(mosfet)控制电源开关的电路工作原理
用场效应管(mosfet)控制电源开关的电路工作原理嘿，朋友们！咱们今天来聊聊用场效应管（MOSFET）控制电源开关的电路工作原理。
这玩意儿听起来是不是有点高大上？其实啊，没那么玄乎！先来说说场效应管是啥。
它就像是电路里的一个“智能阀门”。
普通的阀门，要么开，要么关，简单粗暴。
可场效应管这个“智能阀门”就不一样啦，它能根据输入的信号，精准地控制电流的通过量，是不是很神奇？想象一下，电流就像水流，电源就是水源，而场效应管就是控制水流大小和开关的水闸。
当我们需要电流通过的时候，就好比打开水闸，让水哗哗地流；当不需要的时候，就把水闸关上，滴水不漏。
那它到底是怎么做到精准控制的呢？这就得从场效应管的结构说起啦。
它里面有个叫“栅极”的东西，这个栅极就像是水闸的控制杆。
给栅极加上不同的电压，就相当于转动控制杆，从而改变场效应管的导通程度。
比如说，当栅极电压较低时，场效应管就像一个半开的水闸，只有少量电流能通过；当栅极电压足够高时，它就完全打开，电流可以畅通无阻。
这是不是跟咱们调节水龙头的大小有点像？在控制电源开关的电路中，场效应管的作用可大了去了。
它能快速地开启和关闭电源，反应速度那叫一个快！就好比你在跑步比赛中，听到枪声瞬间起跑一样迅速。
而且啊，场效应管的功耗还特别低。
这意味着啥？意味着它在工作的时候不会像个“电老虎”一样，吃掉太多的能量，能给咱们省电呢！再比如说，咱们的手机、电脑里都有它的身影。
如果没有场效应管这么精准地控制电源开关，咱们的设备说不定一会儿就没电啦，那得多烦人呐！总之，用场效应管控制电源开关的电路工作原理，其实就是利用它的特殊结构和特性，实现对电流的精准控制。
它就像是电路世界里的一位超级英雄，默默地守护着电流的通行，为我们的电子设备稳定运行立下了汗马功劳。
您说，这场效应管是不是特别厉害？。
场效应管功放电路原理
场效应管功放电路原理场效应管功放电路是一种在音频电路中广泛使用的放大器。
这种电路依赖于场效应管的输出功率进行放大，可提供高品质的音频输出。
在本文中，我们将解释场效应管功放电路的原理，以及它是如何工作的。
场效应管（FET）是一种半导体器件，与双极型晶体管相比，其特点是输入电阻高、输出电阻低，并且具有高增益和低噪声。
由于这些优点，场效应管在音频电路中经常被用作放大器。
场效应管功放电路的基本原理如下：信号源通过输入电容连接到场效应管的栅极。
栅极电压变化，通过栅极和源极之间的通道控制了场效应管的电流。
输出电容将电流信号连接到负载，如扬声器或耳机。
一个负反馈网络可以添加在输出和输入之间，以确保输出信号匹配输入信号。
放大器的设计和实现是针对性的。
如果希望放大器具有高功率输出，需要使用高功率的场效应管。
此类场效应管需要与合适的散热器相连。
因为这些场效应管工作时会产生大量的热量。
另外，输出电容的大小应适当地选择，以确保信号不被截断。
场效应管功放电路的另一个关键因素是选择适当的电源电压和电源电容。
电源电压可以影响放大器的最大输出功率，但是过高的电源电压可能会使放大器过载。
电源电容可以降低电源的波动，从而提高放大器的噪声性能。
但是，选择过大的电源电容可能会导致初始启动时的过电流。
在设计场效应管功放电路时，还需要选择适当的输入和输出电容，以确保阻止带外信号。
输入电容是信号源和放大器之间的阻断电容，而输出电容是放大器和负载之间的阻断电容。
总的来说，场效应管功放电路是一种在音频应用中非常重要的放大器。
它具有高输入阻抗，低输出阻抗和高增益，是电子产品中广泛应用的器件之一。
合适的选型和设计可以使其产生出清晰、高质量的音频效果。
场效应管的作用及原理
场效应管的作用及原理
场效应管是一种重要的电子器件，它在电子技术中起着至关重要的作用。
本文将介绍场效应管的作用及原理。
一、场效应管的作用
场效应管的主要作用是放大和开关信号。
它可以根据输入信号的大小，通过控制栅极电压来改变输出信号的幅度。
场效应管具有高输入阻抗和低输出阻抗的特性，因此可以有效地将输入信号放大，并将放大后的信号输出到负载上。
此外，场效应管还可以作为开关使用，通过控制栅极电压来控制导通或截止状态，实现信号的开关控制。
二、场效应管的原理
场效应管的工作原理是基于电场控制电流的机制。
它由源极、漏极和栅极组成。
当栅极施加正电压时，栅极与源极之间形成一个正电场，这会吸引漂浮在栅极上的自由电子，使得栅极与源极之间形成导电通道。
电子通过通道流向漏极，形成电流。
此时，场效应管处于导通状态。
相反，当栅极施加负电压或不施加电压时，栅极与源极之间的电场消失，导电通道关闭，电流无法通过。
此时，场效应管处于截止状态。
由于栅极与源极之间的电场可以通过改变栅极电压来控制，因此场效应管具有电压控制电流的特性。
栅极电压变化可以引起漏极电流的变化，从而实现对信号的放大或开关控制。
三、总结
场效应管是一种重要的电子器件，它可以实现信号的放大和开关控制。
其工作原理是通过电场控制电流，栅极电压的变化可以改变漏极电流，从而实现对信号的控制。
场效应管具有高输入阻抗和低输出阻抗的特性，适用于各种电子设备中的放大和开关电路。
通过深入理解场效应管的作用和原理，我们可以更好地应用和设计电子电路，推动电子技术的发展。
场效应管的结构及工作原理 和应用例题讲解
场效应管的结构及工作原理和应用例题讲解嘿呀！今天咱们来好好聊聊场效应管的结构及工作原理和应用例题讲解。
首先呢，咱们来瞅瞅场效应管的结构哇！场效应管分成好几种类型，像结型场效应管和绝缘栅型场效应管等等。
就拿绝缘栅型场效应管来说吧，它里面又有增强型和耗尽型之分呢。
哎呀呀，这结构可复杂又精细！
再说说它的工作原理呀！简单来讲，场效应管是通过电场来控制电流的。
比如说，在栅极上加不同的电压，就能改变导电沟道的宽窄，从而控制源极和漏极之间的电流。
哇塞，是不是很神奇！
接下来咱们看看它的应用，这可太广泛啦！在电子电路中，场效应管可以用来做放大器，增强信号的强度呢。
还有哦，在数字电路里，它能当开关使用，控制电路的通断。
哎呀呀，这可真是太重要啦！
给您举个应用例题讲解讲解哈。
比如说，在一个音频放大电路中，咱们就用场效应管来放大声音信号。
首先，根据输入信号的大小和频率，选择合适的场效应管型号。
然后呢，设计好电路的参数，像偏置电压、负载电阻啥的。
哇！通过合理的调试和优化，就能让声音变得更加清晰、响亮。
还有在电源管理方面，场效应管也大有用处呀！比如说，在直流-直流转换器中，它可以高效地控制电流的流动，提高电源的转换效率。
哎呀，这可不得了！
在通信领域呢，场效应管也是不可或缺的哟！比如在手机的射频
放大器中，它能让信号传输更加稳定和可靠。
哇哦！
总之呀，场效应管的结构、工作原理以及应用真是太重要、太广泛啦！咱们可得好好掌握，才能在电子电路的世界里畅游无阻呢！您说是不是呀？。
场效应管过压保护电路原理
场效应管过压保护电路原理随着现代电子设备的广泛应用，如何保护电路免受过压的损害成为了一个重要的问题。
过压保护电路是一种常用的解决方案，其中场效应管（MOSFET）起着关键作用。
本文将介绍场效应管过压保护电路的原理和工作原理。
1. 引言过压是指电路中电压超过了设定的安全范围。
过压可能导致电路元件的烧毁或设备的损坏，因此需要一种有效的过压保护机制。
场效应管作为一种常见的电子元件，可以通过控制其导通状态来实现过压保护。
2. 场效应管的基本原理场效应管是一种三端元件，包括源极、栅极和漏极。
其导通状态由栅极电压控制。
当栅极电压高于一定阈值时，场效应管导通；否则，场效应管截止。
场效应管有两种类型：N沟道型和P沟道型。
在本文中，我们将重点介绍N沟道型场效应管。
3. 过压保护电路的设计过压保护电路通常由一个过压检测电路和一个场效应管组成。
过压检测电路用于检测电路中的电压是否超过设定值，一旦检测到过压，就会控制场效应管的导通状态以阻断电路。
4. 过压检测电路过压检测电路通常由一个电压比较器和一个参考电压源组成。
电压比较器将电路中的电压与参考电压进行比较。
当电路中的电压超过参考电压时，电压比较器输出高电平信号，触发场效应管的导通。
否则，电压比较器输出低电平信号，场效应管截止。
5. 场效应管的工作原理当场效应管导通时，其漏极和源极之间的电阻非常小，几乎可以忽略不计。
这样，过压时电路中的电流会通过场效应管流向地，从而保护电路免受过压的损害。
当过压消失时，电压比较器检测到电路中的电压低于参考电压，输出低电平信号，使场效应管截止，电路恢复正常工作状态。
6. 过压保护电路的应用场效应管过压保护电路广泛应用于各种电子设备中，如电源、电路板和电动机控制电路等。
通过合理设计和使用过压保护电路，可以保护电子设备免受过压的损害，延长设备的使用寿命。
7. 小结场效应管过压保护电路通过控制场效应管的导通状态来保护电路免受过压的损害。
过压保护电路由过压检测电路和场效应管组成，过压检测电路用于检测电路中的电压是否超过设定值，一旦检测到过压，就会触发场效应管的导通。
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1、结型场效应管的管脚识别：
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换)，余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型
注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。3、估测场效应管的放大能力
将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加之1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
三、场效应管的参数
场效应管的参数不少，包括直流参数、交流参数和极限参数，但普通使用时关注以下主要参数：
1、I—饱和漏源电流。是指结型或者耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U=0时的漏源电流。DSSGS
2、U—夹断电压。是指结型或者耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。P
3、U—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。T
众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从左下图上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区(源极S)出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。
场效应管，此外一极是屏蔽极(使用中接地)。
2、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触此外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
创造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。
Field-Effect-Transistor)，属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加之正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加之正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，于是“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。
目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。
六、常用场效用管
1、MOS场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor
(2)．判定源极S、漏极D
由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低(普通为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
(3)．测量漏-源通态电阻RDS(on)
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS(on)=3.2W，大于0.58W(典型值)。
四、场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。
本方法也合用于测MOS管。为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。
(4)．检查跨导
将万用表置于R×1k(或者R×100)档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1(a)符号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料(衬底)指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形
二、场效应三极管的型号命名方法
现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D
是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
4、g—跨导。是表示栅源电压U—对漏极电流I的控制能力，即漏极电流I变化量与栅源电压UMGSDDGS
变化量的比值。g是衡量场效应管放大能力的重要参数。
M
5、BU—漏源击穿电压。是指栅源电压U一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一DSGS
项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BU
DS。
6、P—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使DSM
用时，场效应管实际功耗应小于P并留有一定余量。
DSM
7、I—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场DSM
效应管的工作电流不应超过I
DSM
几种常用的场效应三极管的主要参数
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。
场效Байду номын сангаас管工作原理
场效应管工作原理
场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。普通的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参预导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
一、场效应管的分类
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极彻底绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET)；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：
(1).MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或者用锡纸包装
(2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。表1列出六种VMOS管的主要参数。其中，IRFPC50的外型如右上图所示。
VMOS场效应管的检测方法
(1)．判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和此外两个管脚是绝缘的。
MOS场效应管的检测方法
(1)．准备工作
测量之前，先把人体对地短路后，才干摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
(2)．判定电极
将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。(3)．检查放大能力(跨导)