详细的MOS管运用电路共29页
mos管整流桥电路
mos管整流桥电路
mos管整流桥电路是一种使用场效应管（MOSFET）构成的整
流桥电路。
整流桥电路用于将交流电转换为直流电，常用于电源和变流器中。
整流桥电路通常由四个MOSFET组成，排列成一个桥式结构。
它的主要功能是将交流输入电压转换为单向的直流输出电压。
整流桥电路的工作原理如下：当输入电压的半周期为正向时，MOSFET1和MOSFET4为导通状态，而MOSFET2和MOSFET3为截止状态。
这使得电流从输入电源流向负载，实
现了正向性的电流传导。
当输入电压的半周期为反向时，MOSFET2和MOSFET3为导
通状态，MOSFET1和MOSFET4为截止状态。
这使得电流从
负载返回到输入电源，实现了反向性的电流传导。
通过交替导通和截止状态的控制，整流桥电路能够将输入电压的交流信号转换为直流信号。
整流桥电路还常常与滤波电路结合使用，以减小输出中的纹波噪声。
整流桥电路具有快速开关速度、高效率和较低的导通压降等优点，可用于各种电源和变流器应用。
在可控直流电源、无线充电器和无线电频率调谐器等应用中，整流桥电路起到了至关重要的作用。
详细讲解MOSFET管驱动电路
详细讲解M O S F E T管驱动电路在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素;这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的;下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创;包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路;1,MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种另一种是JFET,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种;至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底;对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS;原因是导通电阻小,且容易制造;所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS;下面的介绍中,也多以NMOS 为主;MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的;寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍;在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管;这个叫体二极管,在驱动感性负载如马达,这个二极管很重要;顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的;2,MOS管导通特性导通的意思是作为开关,相当于开关闭合;NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况低端驱动,只要栅极电压达到4V或10V就可以了;PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况高端驱动;但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS;3,MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗;选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗;现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有;MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的;MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失;通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大;导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大;缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失；降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数;这两种办法都可以减小开关损失;4,MOS管驱动跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了;这个很容易做到,但是,我们还需要速度;在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电;对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大;选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小;第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压;而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压VCC相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V;如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了;很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管;上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量;而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小;现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了;MOS管的驱动电路及其损失,可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs;讲述得很详细,所以不打算多写了;5,MOS管应用电路MOS管最显着的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光;现在的MOS驱动,有几个特别的需求,1,低压应用当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于三极管的be有左右的压降,导致实际最终加在gate上的电压只有;这时候,我们选用标称gate电压的MOS管就存在一定的风险;同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合;2,宽电压应用输入电压并不是一个固定值,它会随着时间或者其他因素而变动;这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的;为了让MOS管在高gate电压下安全,很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值;在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压,就会引起较大的静态功耗;同时,如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压,就会出现输入电压比较高的时候,MOS管工作良好,而输入电压降低的时候gate电压不足,引起导通不够彻底,从而增加功耗;3,双电压应用在一些控制电路中,逻辑部分使用典型的5V或者数字电压,而功率部分使用12V甚至更高的电压;两个电压采用共地方式连接;这就提出一个要求,需要使用一个电路,让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管,同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题;在这三种情况下,图腾柱结构无法满足输出要求,而很多现成的MOS驱动IC,似乎也没有包含gate电压限制的结构;于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求;电路图如下：图1 用于NMOS的驱动电路图2 用于PMOS的驱动电路这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析：Vl和Vh分别是低端和高端的电源,两个电压可以是相同的,但是Vl不应该超过Vh;Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱,用来实现隔离,同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通;R2和R3提供了aPWM电压基准,通过改变这个基准,可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置;Q3和Q4用来提供驱动电流,由于导通的时候,Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降,这个压降通常只有左右,大大低于的Vce;R5和R6是反馈电阻,用于对gate电压进行采样,采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈,从而把gate电压限制在一个有限的数值;这个数值可以通过R5和R6来调节;最后,R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制,R4提供了对MOS管的gate电流限制,也就是Q3和Q4的Ice的限制;必要的时候可以在R4上面并联加速电容;这个电路提供了如下的特性：1,用低端电压和PWM驱动高端MOS管;2,用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管;3,gate电压的峰值限制4,输入和输出的电流限制5,通过使用合适的电阻,可以达到很低的功耗;6,PWM信号反相;NMOS并不需要这个特性,可以通过前置一个反相器来解决;在设计便携式设备和无线产品时,提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个问题;DC-DC转换器具有效率高、输出电流大、静态电流小等优点,非常适用于为便携式设备供电;目前DC-DC转换器设计技术发展主要趋势有：1高频化技术：随着开关频率的提高,开关变换器的体积也随之减小,功率密度也得到大幅提升,动态响应得到改善;小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级;2低输出电压技术：随着半导体制造技术的不断发展,微处理器和便携式电子设备的工作电压越来越低,这就要求未来的DC-DC变换器能够提供低输出电压以适应微处理器和便携式电子设备的要求;这些技术的发展对电源芯片电路的设计提出了更高的要求;首先,随着开关频率的不断提高,对于开关元件的性能提出了很高的要求,同时必须具有相应的开关元件驱动电路以保证开关元件在高达兆赫级的开关频率下正常工作;其次,对于电池供电的便携式电子设备来说,电路的工作电压低以锂电池为例,工作电压～,因此,电源芯片的工作电压较低;MOS管具有很低的导通电阻,消耗能量较低,在目前流行的高效DC－DC芯片中多采用MOS管作为功率开关;但是由于MOS管的寄生电容大,一般情况下NMOS开关管的栅极电容高达几十皮法;这对于设计高工作频率DC－DC转换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求;在低电压ULSI设计中有多种CMOS、BiCMOS采用自举升压结构的逻辑电路和作为大容性负载的驱动电路;这些电路能够在低于1V电压供电条件下正常工作,并且能够在负载电容1～2pF的条件下工作频率能够达到几十兆甚至上百兆赫兹;本文正是采用了自举升压电路,设计了一种具有大负载电容驱动能力的,适合于低电压、高开关频率升压型DC－DC转换器的驱动电路;电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证,在供电电压,负载电容为60pF时,工作频率能够达到5MHz以上;自举升压电路自举升压电路的原理图如图1所示;所谓的自举升压原理就是,在输入端IN 输入一个方波信号,利用电容Cboot将A点电压抬升至高于VDD的电平,这样就可以在B端输出一个与输入信号反相,且高电平高于VDD的方波信号;具体工作原理如下;当VIN为高电平时,NMOS管N1导通,PMOS管P1截止,C点电位为低电平;同时N2导通,P2的栅极电位为低电平,则P2导通;这就使得此时A点电位约为VDD,电容Cboot两端电压UC≈VDD;由于N3导通,P4截止,所以B点的电位为低电平;这段时间称为预充电周期;当VIN变为低电平时,NMOS管N1截止,PMOS管P1导通,C点电位为高电平,约为VDD;同时N2、N3截止,P3导通;这使得P2的栅极电位升高,P2截止;此时A 点电位等于C点电位加上电容Cboot两端电压,约为2VDD;而且P4导通,因此B点输出高电平,且高于VDD;这段时间称为自举升压周期;实际上,B点电位与负载电容和电容Cboot的大小有关,可以根据设计需要调整;具体关系将在介绍电路具体设计时详细讨论;在图2中给出了输入端IN电位与A、B两点电位关系的示意图;驱动电路结构图3中给出了驱动电路的电路图;驱动电路采用Totem输出结构设计,上拉驱动管为NMOS管N4、晶体管Q1和PMOS管P5;下拉驱动管为NMOS管N5;图中CL为负载电容,Cpar为B点的寄生电容;虚线框内的电路为自举升压电路;本驱动电路的设计思想是,利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极B点电位抬升,使得UB>VDD+VTH ,则NMOS管N4工作在线性区,使得VDSN4 大大减小,最终可以实现驱动输出高电平达到VDD;而在输出低电平时,下拉驱动管本身就工作在线性区,可以保证输出低电平位GND;因此无需增加自举电路也能达到设计要求;考虑到此驱动电路应用于升压型DC－DC转换器的开关管驱动,负载电容CL很大,一般能达到几十皮法,还需要进一步增加输出电流能力,因此增加了晶体管Q1作为上拉驱动管;这样在输入端由高电平变为低电平时,Q1导通,由N4、Q1同时提供电流,OUT端电位迅速上升,当OUT端电位上升到VDD－VBE时,Q1截止,N4继续提供电流对负载电容充电,直到OUT端电压达到VDD;在OUT端为高电平期间,A点电位会由于电容Cboot 上的电荷泄漏等原因而下降;这会使得B点电位下降,N4的导通性下降;同时由于同样的原因,OUT端电位也会有所下降,使输出高电平不能保持在VDD;为了防止这种现象的出现,又增加了PMOS管P5作为上拉驱动管,用来补充OUT端CL的泄漏电荷,维持OUT端在整个导通周期内为高电平;驱动电路的传输特性瞬态响应在图4中给出;其中a为上升沿瞬态响应,b为下降沿瞬态响应;从图4中可以看出,驱动电路上升沿明显分为了三个部分,分别对应三个上拉驱动管起主导作用的时期;1阶段为Q1、N4共同作用,输出电压迅速抬升,2阶段为N4起主导作,使输出电平达到VDD,3阶段为P5起主导作用,维持输出高电平为VDD;而且还可以缩短上升时间,下降时间满足工作频率在兆赫兹级以上的要求;需要注意的问题及仿真结果电容Cboot的大小的确定Cboot的最小值可以按照以下方法确定;在预充电周期内,电容Cboot 上的电荷为VDDCboot ;在A点的寄生电容计为CA上的电荷为VDDCA;因此在预充电周期内,A点的总电荷为Q_{A1}=V_{DD}C_{boot}+V_{DD}C_{A} 1B点电位为GND,因此在B点的寄生电容Cpar上的电荷为0;在自举升压周期,为了使OUT端电压达到VDD,B点电位最低为VB＝VDD+Vthn;因此在B点的寄生电容Cpar上的电荷为Q_{B}=V_{DD}+V_{thn}Cpar 2忽略MOS管P4源漏两端压降,此时Cboot上的电荷为VthnCboot ,A点寄生电容CA的电荷为VDD+VthnCA;A点的总电荷为QA2=V_{thn}C_{BOOT}+V_{DD}+V_{thn}C_{A} 3同时根据电荷守恒又有Q_{B}=Q_{A}-Q_{A2} 4综合式1～4可得C_{boot}=\frac{V_{DD}+V_{thn}}{v_{DD}-v_{thn}}Cpar+\frac{v_{thn}}{v_{DD}-v_{ thn}}C_{A}=\frac{V_{B}}{v_{DD}-v_{thn}}Cpar+\frac{V_{thn}}{v_{DD}-v_{thn}}C_{ A} 5从式5中可以看出,Cboot随输入电压变小而变大,并且随B点电压VB变大而变大;而B点电压直接影响N4的导通电阻,也就影响驱动电路的上升时间;因此在实际设计时,Cboot的取值要大于式5的计算结果,这样可以提高B点电压,降低N4导通电阻,减小驱动电路的上升时间;P2、P4的尺寸问题将公式5重新整理后得：V_{B}={V_{DD}-V_{thn}\frac{C_{boot}}{Cpar}-V_{thn}\frac{C_{A}}{Cpar} 6 从式6中可以看出在自举升压周期内, A、B两点的寄生电容使得B点电位降低;在实际设计时为了得到合适的B点电位,除了增加Cboot大小外,要尽量减小A、B两点的寄生电容; 在设计时,预充电PMOS管P2的尺寸尽可能的取小,以减小寄生电容CA;而对于B点的寄生电容Cpar来说,主要是上拉驱动管N4的栅极寄生电容,MOS管P4、N3的源漏极寄生电容只占一小部分;我们在前面的分析中忽略了P4的源漏电压,因此设计时就要尽量的加大P4的宽长比,使其在自举升压周期内的源漏电压很小可以忽略;但是P4的尺寸以不能太大,要保证P4的源极寄生电容远远小于上拉驱动管N4的栅极寄生电容;阱电位问题如图3所示,PMOS器件P2、P3、P4的N-well连接到了自举升压节点A上;这样做的目的是,在自举升压周期内,防止他们的源/漏--阱结导通;而且这还可以防止在源/漏--阱正偏时产生由寄生SRC引起的闩锁现象;上拉驱动管N4的阱偏置电位要接到它的源极,最好不要直接接地;这样做的目的是消除衬底偏置效应对N4的影响;Hspice仿真验证结果驱动电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证;在表1中给出了电路在不同工作电压、不同负载条件下的上升时间tr和下降时间tf 的仿真结果;在图5中给了电路工作在输入电压、工作频率为5MHz、负载电容60pF条件下的输出波形;结合表1和图5可以看出,此驱动电路能够在工作电压为,工作频率为5MHz,并且负载电容高达60pF的条件下正常工作;它可以应用于低电压、高工作频率的DC－DC转换器中作为开关管的驱动电路;结论本文采用自举升压电路,设计了一种BiCMOS Totem结构的驱动电路;该电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计,可在电压供电条件下正常工作,而且在负载电容为60pF的条件下,工作频率可达5MHz以上;。
mos管恒流源电路
mos管恒流源电路介绍在电子电路中，常常需要使用恒流源来对电路中的负载进行电流控制。
MOS管恒流源电路是一种常见的电路配置，它可以提供稳定的电流输出并对负载电阻的变化具有一定的抵抗能力。
本文将对MOS管恒流源电路进行全面、详细、完整且深入地探讨。
基本原理MOS管恒流源电路是通过MOS管的工作原理来实现恒流输出的。
当MOS管处于饱和区时，其漏极电流与栅极电压成正比。
通过合理的电路设计和偏置设置，可以使得MOS管工作在饱和区，从而实现恒流输出。
电路结构MOS管恒流源电路的基本结构如下所示：Vdd|R|+---| ||MOS|| |---|GND其中，Vdd为电源电压，R为负载电阻，MOS为MOS管。
通过控制MOS管的栅极电压，可以控制电路中的电流。
工作原理MOS管恒流源电路的工作原理如下：1.当电源电压Vdd施加在电路上时，MOS管的栅极电压为0V，此时MOS管处于截止区，没有漏极电流流过负载电阻R。
2.当把栅极电压逐渐增加时，当栅极电压达到某个阈值电压时，MOS管开始进入饱和区。
此时，栅极电压的增加将导致漏极电流的增加。
3.当栅极电压继续增加时，MOS管的漏极电流逐渐稳定在一个恒定值。
这是因为MOS管的饱和区特性决定了漏极电流与栅极电压成正比。
4.当电源电压Vdd变化时，由于MOS管的饱和区特性，漏极电流基本保持不变，从而实现了对负载电阻变化的抵抗能力。
设计与优化设计和优化MOS管恒流源电路时，需要考虑以下几个关键因素：1. MOS管尺寸选择MOS管的尺寸选择对电路的性能有重要影响。
较大的MOS管尺寸可以提供更大的漏极电流范围，但也会增加电路的功耗和面积。
因此，需要根据具体应用需求综合考虑。
2. 偏置电路设计为了使MOS管能够工作在饱和区，需要设计合适的偏置电路。
常见的偏置电路包括电流镜电路和电流源电路。
合理的偏置电路设计可以提高电路的稳定性和性能。
3. 电源电压选择电源电压的选择也会影响电路的性能。
mos管吸收电路
mos管吸收电路mos管（MOSFET）是一种常用的电子器件，可以在电路中起到放大、开关和调节电流的作用。
在很多电子设备和电路中，都可以看到mos管的身影。
本文将重点介绍mos管的吸收电路及其工作原理。
一、mos管的基本结构和特性mos管由一片绝缘层上夹着两片掺杂相反的半导体材料组成。
其中，绝缘层被称为栅介质，两片半导体材料分别被称为源和漏。
源和漏之间通过栅介质隔开，形成一个绝缘的结构。
mos管的工作原理基于栅极电压的变化来控制源漏之间的电流。
mos管可以分为n沟道和p沟道两种类型，分别对应着不同的工作原理。
n沟道mos管中，栅极电压高于阈值电压时，栅极与沟道之间形成正向电场，使得沟道导通，源漏之间产生电流。
而p沟道mos管则相反，栅极电压低于阈值电压时，栅极与沟道之间形成反向电场，使得沟道导通。
二、mos管的吸收电路mos管的吸收电路是一种常见的电路应用。
它利用mos管的特性，将外部电路与mos管的漏极相连，通过改变漏极电压来实现对mos 管的控制。
吸收电路通常用于电源管理、信号处理和功率放大等电路中。
吸收电路可以分为共源极、共漏极和共栅极三种类型。
其中，共源极电路是最常见的一种，它将电源与mos管的源极相连，通过改变源极电压来控制mos管的工作状态。
共源极电路具有电压增益高、电流放大能力强的特点，常用于放大器和开关电路中。
共漏极电路将电源与mos管的漏极相连，通过改变漏极电压来控制mos管的工作状态。
共漏极电路具有电流放大能力强、输出电阻高的特点，常用于电流源和电流放大器中。
共栅极电路将电源与mos管的栅极相连，通过改变栅极电压来控制mos管的工作状态。
共栅极电路具有输入电阻高、电流放大能力强的特点，常用于放大器和开关电路中。
三、mos管的工作原理mos管的工作原理可以用三个工作区域来描述：截止区、放大区和饱和区。
在截止区，mos管的栅极电压低于阈值电压，导致栅极与沟道之间形成反向电场，使得沟道不导通，源漏之间没有电流流过。
mos管典型电路
MOS管典型电路1. 引言金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种重要的电子器件，广泛应用于各种集成电路和功率电子系统中。
它具有高速开关、低功耗、高输入阻抗等特点，因此在现代电子技术中起着不可或缺的作用。
本文将介绍MOS管的典型电路及其应用。
2. MOS管基本原理MOS管由金属-氧化物-半导体结构组成，其基本原理是通过施加在栅极上的电压来控制漏极和源极之间的电流。
当栅极施加正向偏置时，形成一个由P型半导体构成的沟道，使得漏极和源极之间形成导通通路。
反之，当栅极施加负向偏置时，沟道被截断，导致漏极和源极之间断开。
3. MOS管典型电路3.1 基本放大电路基本放大电路是MOS管最常见的应用之一。
它利用MOSFET的放大特性来实现信号放大功能。
基本放大电路由一个MOS管和若干个电阻组成。
输入信号通过电容耦合到栅极，当输入信号变化时，栅极电压也发生变化，从而控制漏极-源极之间的电流。
输出信号则通过漏极-源极之间的电压来获取。
3.2 开关电路MOS管的高速开关特性使其在开关电路中得到广泛应用。
开关电路常见的应用场景包括数字逻辑门、存储器单元等。
在数字逻辑门中，MOS管可以被用作开关，控制信号的传输和处理。
存储器单元中，MOS管可以实现数据的读取和写入操作。
3.3 反馈放大电路反馈放大电路是一种将一部分输出信号反馈到输入端以增强或抑制某些特性的技术。
在MOS管反馈放大电路中，输出信号通过一个反馈网络回传到输入端，从而改变输入端的工作状态。
这种结构可以提高系统的稳定性、增益和线性度。
4. MOS管典型应用4.1 音频功放音频功放是一种将低功率音频信号转换为高功率驱动扬声器的装置。
MOSFET作为音频功放的关键元件之一，具有低失真、高效率的特点，广泛应用于音响系统中。
它可以将输入的音频信号放大到足够的功率以驱动扬声器，并保持音质清晰。
4.2 直流-直流转换器直流-直流转换器是一种将输入直流电压转换为输出直流电压的装置。
MOS管驱动电路详解
MOS管驱动电路综述连载（一）时间：2009-07-06 8756次阅读【网友评论2条我要评论】收藏在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。
这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P 沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
原因是导通电阻小，且容易制造。
所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
2、MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
3、MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
mos管典型电路
MOS管（金属氧化物半导体场效应管）是一种常见的半导体器件，可以用于各种电子电路中的信号放大、开关、电源管理等。
下面介绍几个典型的MOS管电路：共源极放大电路：共源极放大电路是一种常见的MOS管放大电路，它通过调节输入电压来控制输出电压的放大倍数。
该电路具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点，适用于信号放大应用。
共漏极放大电路：共漏极放大电路是另一种常见的MOS管放大电路，它通过调节输入电压来控制输出电流的放大倍数。
该电路具有输入阻抗低、输出阻抗高的特点，适用于功率放大应用。
电平转换或隔离电路：在数字信号传递过程中，不同的系统之间或设备之间数字接口电平经常不一致，需要用到电平转换电路。
可以使用专门的集成IC实现电平转换，或者使用MOS管自行搭建。
搭建时需要注意电平的高低和方向，以及外接电路电平是否确定，是否双向通信和通信速率等因素均影响具体电路的细节考虑。
以上是MOS管的典型电路示例，实际应用中还有很多种电路拓扑结构，需要根据具体的应用场景和需求进行选择。
mos管典型开关电路
mos管典型开关电路
典型的MOS管开关电路包括以下几种常见的配置：
1. 单端驱动开关电路：在这种电路中，MOS管的控制信号通
过一个信号源驱动，例如一个微控制器的输出引脚。
MOS管
的源极连接到接地，负载连接到漏极，并且漏极通过一个电流限制电阻与电源连接。
控制信号高电平时，MOS管导通，使
得漏极与源极之间的电压接近于零，从而使负载获得电源供电；控制信号低电平时，MOS管截止，漏极与源极之间的电压为
电源电压，负载断电。
2. 高侧开关电路：在这种电路中，MOS管的源极连接到正电源，负载与漏极相连，而漏极通过一个电流限制电阻与地相连。
控制信号高电平时，MOS管导通，使得漏极与源极之间的电
压接近于零，从而使负载获得电源供电；控制信号低电平时，MOS管截止，漏极与源极之间的电压为电源电压，负载断电。
3. 低侧开关电路：在这种电路中，MOS管的源极连接到地，
负载与漏极相连，而漏极通过一个电流限制电阻与正电源相连。
控制信号高电平时，MOS管截止，漏极与源极之间的电压为
电源电压，负载获得电源供电；控制信号低电平时，MOS管
导通，使得漏极与源极之间的电压接近于零，负载断电。
这些典型的MOS管开关电路可以根据具体的应用要求进行设
计和调整，例如可以加入反馈电路、保护电路、滤波电路等，以满足不同的电路功能需求。
mos管桥式整流电路
mos管桥式整流电路摘要：1.MOS 管桥式整流电路的概念和结构2.MOS 管桥式整流电路的工作原理3.MOS 管桥式整流电路的优缺点4.MOS 管桥式整流电路的应用领域正文：一、MOS 管桥式整流电路的概念和结构MOS 管桥式整流电路，是一种基于MOSFET（金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管）的整流电路。
它的主要结构包括四个MOSFET 管子，分别组成两个桥臂，一个桥臂由两个N 沟道MOSFET 管子串联组成，另一个桥臂由两个P 沟道MOSFET 管子串联组成。
二、MOS 管桥式整流电路的工作原理MOS 管桥式整流电路的工作原理主要依赖于MOSFET 管子的开关特性。
当输入交流电压的正半周期时，两个N 沟道MOSFET 管子被导通，而两个P 沟道MOSFET 管子处于截止状态，使得交流电压的正半周期通过负载；当输入交流电压的负半周期时，两个P 沟道MOSFET 管子被导通，而两个N 沟道MOSFET 管子处于截止状态，使得交流电压的负半周期通过负载。
这样，在整流电路的输出端，就可以得到一个脉动的直流电压。
三、MOS 管桥式整流电路的优缺点MOS 管桥式整流电路具有以下优点：1.结构简单，只需要四个MOSFET 管子就可以实现整流功能；2.控制电路简单，只需要两个输入信号就可以控制四个MOSFET 管子的开关；3.整流效率高，因为MOSFET 管子的导通电阻很小，所以整流电路的损耗较小。
然而，MOS 管桥式整流电路也存在一些缺点：1.耐压能力较低，因为MOSFET 管子的最大电压较低；2.输出电压的脉动较大，因为MOSFET 管子的开关速度较慢，导致输出电压的脉动频率较低。
四、MOS 管桥式整流电路的应用领域MOS 管桥式整流电路广泛应用于各种电子设备中，例如电源、电视机、收音机等。
NMOSPMOS管驱动电路图
NMOS PMOS管驱动电路图Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。
Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。
R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比拟陡直的位置。
Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。
R5和R6是反应电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反应，从而把gate电压限制在一个有限的数值。
这个数值可以通过R5和R6来调节。
最后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。
必要的时候可以在R4上面并联加速电容。
图1 用于NMOS的驱动电路这个电路提供了如下的特性：1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。
3，gate电压的峰值限制4，输入和输出的电流限制5，通过使用适宜的电阻，可以到达很低的功耗。
6，PWM信号反相。
NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。
在设计便携式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个问题。
DC-DC转换器具有效率高、输出电流大、静态电流小等优点，非常适用于为便携式设备供电。
目前DC-DC转换器设计技术开展主要趋势有：〔1〕高频化技术：随着开关频率的提高，开关变换器的体积也随之减小，功率密度也得到大幅提升，动态响应得到改善。
小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级。
〔2〕低输出电压技术：随着半导体制造技术的不断开展，微处理器和便携式电子设备的工作电压越来越低，这就要求未来的DC-DC变换器能够提供低输出电压以适应微处理器和便携式电子设备的要求。