分享一个比较经典的MOS管驱动电路
MOS管开关电路图九种简单的简易详解
MOS管开关电路图九种简单的简易详解
今天我们分享的是，MOS管开关电路图九种简单的简易详解，请看下方
第一种：mos管开关电路图
MOS管的开关特性
静态特性
MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。
由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
工作特性如下：
※uGS<开启电压UT：MOS管工作在截止区，漏源电流iDS基本为0，输出电压uDS≈UDD，MOS管处于“断开”状态，其等效电路如下图所示。
※ uGS>开启电压UT:MOS管工作在导通区，漏源电流iDS=UDD/(RD+rDS)。
其中，rDS为MOS管导通时的漏源电阻。
输出电压UDS=UDD·rDS/(RD+rDS)，如果rDS>>RD，则uDS≈0V，MOS管处于“接通”状态，其等效电路如上图(c)所示。
动态特性
MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。
下图(a)和
(b)分别给出了一个NMOS管组成的电路及其动态特性示意图。
工作中常用的几个mos管驱动电路
工作中常用的几个mos管驱动电路常用的几个MOS管驱动电路MOS管是一种常用的电子元件，广泛应用于各个领域的电路中。
在工作中，我们经常会用到一些与MOS管相关的驱动电路，以确保MOS管能够正常工作。
本文将介绍几个常用的MOS管驱动电路。
1. 单级MOS管驱动电路单级MOS管驱动电路是一种简单但有效的驱动电路。
它由一个MOS管和一个电阻组成。
通过控制输入信号的电压，可以控制MOS 管的导通和截止，从而控制输出电压的高低。
这种驱动电路适用于一些简单的应用场景，如LED灯的驱动等。
2. 双级MOS管驱动电路双级MOS管驱动电路是一种更复杂但更稳定的驱动电路。
它由两个MOS管和一些电阻、电容等元件组成。
其中一个MOS管负责放大输入信号，另一个MOS管负责输出信号的驱动。
这种驱动电路具有较高的驱动能力和稳定性，适用于一些要求较高的应用场景，如电机驱动、功率放大等。
3. 高侧驱动电路高侧驱动电路是一种特殊的MOS管驱动电路，用于控制MOS管的源极电压。
由于MOS管的源极电压与驱动信号的电压之间存在差异，因此需要采用一些特殊的电路来实现高侧驱动。
常见的高侧驱动电路包括级联电阻和电容、反相器等。
这种驱动电路适用于一些对源极电压控制要求较高的应用场景，如电源开关、电动汽车驱动等。
4. 低侧驱动电路低侧驱动电路是一种常见的MOS管驱动电路，用于控制MOS管的漏极电压。
它通常由一个MOS管和一个电阻组成，通过控制输入信号的电压，可以控制MOS管的导通和截止，从而控制输出信号的高低。
低侧驱动电路适用于一些对漏极电压控制要求较高的应用场景，如LED驱动、电机控制等。
总结：在工作中，我们经常会用到一些与MOS管相关的驱动电路。
本文介绍了几个常用的MOS管驱动电路，包括单级驱动电路、双级驱动电路、高侧驱动电路和低侧驱动电路。
这些驱动电路都有各自的特点和适用场景，可以根据具体的需求选择合适的驱动电路。
通过合理使用这些驱动电路，可以确保MOS管能够正常工作，提高电路的性能和稳定性。
MOS管工作原理及其驱动电路
MOS管工作原理及其驱动电路MOS管（金属-氧化物-半导体场效应管）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。
它的工作原理基于PN结和增强型场效应晶体管（JFET）的特性，但却具有更高的输入阻抗、更低的功耗和更好的高频特性。
MOS管由三个主要组成部分构成：栅极（G），漏极（D）和源极（S）。
在工作原理方面，MOS管的栅极主要用于控制漏极和源极之间的电流流动，而这个控制过程在固有电荷的作用下进行。
MOS管具有两种不同的工作方式：增强型和耗尽型。
增强型MOS管是最常用的类型，在没有栅极电压的情况下，其通道是关闭的。
通过施加正向栅极电压，源极到漏极之间的电流流动开始增加。
电流的增加程度取决于施加的栅极电压。
耗尽型MOS管则是通过施加负向栅极电压来控制电流的，其工作原理与增强型相似，只是电压的极性相反。
为了对MOS管进行驱动，需要合适的驱动电路。
驱动电路主要包括电源、信号发生器、输入阻抗匹配电路和输出驱动电路。
在驱动电路中，其中最重要的是输入信号的幅度和频率与MOS管的特性进行匹配。
在MOS管的驱动电路中，输入信号通常通过信号发生器提供。
信号发生器的输出通常是一个方波或脉冲信号，其幅度和频率需要与MOS管的特性相匹配。
信号发生器的输出通过输入阻抗匹配电路来匹配MOS管的输入阻抗，以确保输入信号的准确传递。
输入阻抗匹配电路通常包括电阻、电容和电感等元件，用于提供合适的输入阻抗。
电阻和电容用于匹配信号发生器和MOS管之间的阻抗，而电感则用于提供必要的补偿和滤波。
输出驱动电路用于提供足够的功率和电流来驱动MOS管的栅极。
输出驱动电路通常包括驱动晶体管和功率放大器等元件。
驱动晶体管用于放大输入信号，并通过功率放大器将信号放大成足够的功率和电流来驱动MOS 管的栅极。
总之，MOS管是一种重要的半导体器件，其工作原理基于PN结和增强型场效应晶体管。
为了驱动MOS管，需要合适的驱动电路来匹配输入信号和MOS管的特性。
输入信号通过信号发生器和输入阻抗匹配电路进行匹配，而输出驱动电路则提供足够的功率和电流来驱动MOS管的栅极。
经典mos管应用电路
问题：此电路为什么会烧坏Mos管？
经典分析
此电路是一个非常经典的小电流MOS管驱动电路，但LZ将之移到大电流应用上，水土不服，出了点小问题。
1. 烧MOS管不是由于Q41没有饱和所致，而是由于驱动电流不足，驱动大功率MOS管时（由于其栅极电容的存在），无法快速对其栅极电容充电，引起栅极电压上升缓慢，切换功耗大大增大，引起烧MOS管。
2.D41不能省，一般MOS管的栅极极限电压为15-16V, 此稳压管起保护MOS管作用，防止过高电压（本电路去掉R42时可高达+30V !）对MOS管的栅极冲击引起击穿损坏。
3. R42不能省，起到限制光耦最大输出电流，及对IN4744A的限流作用。
由于光耦的最大输出电流一般较小，过份减小R42加大光耦输出电流，易引起光耦加速老化及损坏，因此，比较好的方法是在光耦输出端用NPN三极管加一级射极跟随器, 放大输出驱动电流。
另外，可在R45上并联一只几十至百皮皮法的小电容，起加速MOS管的饱和。
4. R43不能大幅增加，一般加大到10K为上限，其原因在于，当MOS管关断时，储存一定驱动电压的栅极电容通过R43放电，最终将MOS管关断，如R43太大，MOS管关断时间增加，关断速度减慢，引起关断时的切换功耗大大增大，引起烧MOS管。
当然，最好的方法是在栅极加负压，加速MOS管关断，但这样成本会高些。
双mos管推挽驱动电路
双mos管推挽驱动电路双MOS管推挽驱动电路是一种典型的半导体开关，是由两个MOS管组成的，它可以在电路中起到开关功能，也常用来向负载供电。
它能产生宽脉冲脱离射频（LF），以满足宽带、高速和低功耗的要求，具有低成本和易集成等优势，广泛应用于射频（RF）信号处理和数据传输。
双MOS管推挽驱动电路的基本特点是：①路径数量少：双MOS管推挽驱动电路只有两个MOS管，可以将电路简化成一个简单的双路结构，减少接口器件，便于控制和调试。
②反射损耗低：由于路径少，驱动电路可以设计出一个高抗劫的网络，降低反射损耗，减少信号失真，并提高发射质量。
③低静态和动态功耗：驱动电路结构优化设计，可以有效降低静态和动态功耗，在低功耗的应用场合得到良好应用。
双MOS管推挽驱动电路是一种比较常见的MOS管推挽驱动电路，它有可编程和可变温度特性，可以控制单位时间交换信号的开关。
双MOS管推挽驱动电路可以用于负载的触发，操作原理是当上拉电流输入，使电流Ig2通过放大管的输出端的的MOS管的Control极由高改低时，负载结构上的MOS管的两个结尾，其中一个结尾由低改高，另一个仍然保持为低。
从而实现负载的控制，从而实现驱动电路的有效控制。
双MOS管推挽驱动电路是一种简单的射频（RF）发射器驱动电路，它具有体积小、成本低、工作速度快、功耗低等优势，广泛应用于射频信号处理和数据传输，常用于射频低噪声放大器（LNA）、混频器、运动检测、声音数据传输、扫描技术等场合。
同时，双MOS管推挽驱动电路在分立型线性电路以及各种参数调整电路中也可以得到广泛应用，例如：偏置电路中用于稳定偏置电流，同时可以用来控制常量和可变电流，高抗劫网络中用于增加和减少负载抗劫，运用于外围网络中用于增加电容抗劫或者驱动机器人电路中。
综上所述，双MOS管推挽驱动电路能够实现宽带、低功耗和射频的良好应用，同时又具有成本低、结构简单等优势，因此受到不少设计人员的青睐。
5种常用MOS电路
5种经典MOSFET驱动电路MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。
MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。
下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。
在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。
但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。
更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。
对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。
当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
（2）开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
（3）关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。
（4）驱动电路结构简单可靠、损耗小。
（5）根据情况施加隔离。
下面介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路。
1：电源IC直接驱动MOSFET图1 IC直接驱动MOSFET电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式，使用这种驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。
第一，查看一下电源IC手册，其最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。
第二，了解一下MOSFET的寄生电容，如图1中C1、C2的值。
如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢。
如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把图1中Rg减小，也不能解决问题！IC 驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能无限减小。
mos管的驱动方法
mos管的驱动方法MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是一种单极性半导体器件，被广泛用于电子电路中的电流调节、放大和开关控制等应用。
为了有效地使用MOS管，需要学习正确的驱动方法。
本文将详细介绍MOS管的驱动方法。
一、MOS管基本结构二、MOS管驱动方式MOS管的驱动方式需要根据应用场合和电路参数进行选择。
通常，驱动方式分为两种：电压驱动和电流驱动。
1. 电压驱动电压驱动是一种常见的MOS管驱动方式，它通过控制栅极电压大小来调节源漏之间的电流。
在电压驱动中，栅电极与源电极连接，如果栅极与源极之间的电压为零，则MOS管处于关闭状态；如果栅极与源极之间的电压为正，则MOS管被打开，从而使电流流过源漏之间的沟道。
反之，如果栅极与源极之间的电压为负，则MOS管会被过度耗损并加热，不利于器件寿命。
2. 电流驱动电流驱动方式是一种根据MOS管的性能特点而采用的驱动方式。
它通过控制栅极电流的大小来调节源漏之间的电流。
通常，在电流驱动中，栅极电流与源极之间的电压是恒定的，而源极与漏极之间的电压则会随着电流的变化而变化。
电流驱动的优点是可以减小MOS管的开关时间，同时可以提高电路的工作效率。
三、MOS管的驱动电路MOS管的驱动电路是一种将输入信号转换为MOS管控制电压或电流输出的电路。
在MOS 管的驱动电路中，常用的驱动电路包括单级放大器驱动、两级放大器驱动和反馈放大器驱动等。
1. 单级放大器驱动单级放大器驱动是一种简单的MOS管驱动电路，它通过单个晶体管来放大输入信号并产生控制电压输出。
在单级放大器驱动中，输入信号被放大后，通过一个电容器来转换为栅极控制电压，并驱动MOS管。
2. 两级放大器驱动两级放大器驱动是一种更复杂的MOS管驱动电路，它由两级放大器组成，可以提供更高的增益和更好的稳定性。
在两级放大器驱动中，第一级放大器可以增强输入信号并调整其频率响应，第二级放大器则可以放大信号并驱动MOS管。
MOS管驱动电路
MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点我们在应用MOS管和设计MOS管驱动的时候，有很多寄生参数，其中最影响MOS管开关性能的是源边感抗。
寄生的源边感抗主要有两种来源，第一个就是晶圆DIE和封装之间的Bond ing线的感抗，另外一个就是源边引脚到地的PCB走线的感抗（地是作为驱动电路的旁路电容和电源网络滤波网的返回路径）。
在某些情况下，加入测量电流的小电阻也可能产生额外的感抗。
我们分析一下源边感抗带来的影响：1.使得MOS管的开启延迟和关断延迟增加由于存在源边电感，在开启和关段初期，电流的变化被拽了，使得充电和放电的时间变长了。
同时源感抗和等效输入电容之间会发生谐振（这个谐振是由于驱动电压的快速变压形成的，也是我们在G端看到震荡尖峰的原因），我们加入的门电阻Rg和内部的栅极电阻Rm都会抑制这个震荡（震荡的Q值非常高）。
我们需要加入的优化电阻的值可以通过上述的公式选取，如果电阻过大则会引起G端电压的过冲（优点是加快了开启的过程），电阻过小则会使得开启过程变得很慢，加大了开启的时间（虽然G端电压会被抑制）。
园感抗另外一个影响是阻碍Id的变化，当开启的时候，初始时di/dt偏大，因此在原感抗上产生了较大压降，从而使得源点点位抬高，使得Vg电压大部分加在电感上面，因此使得G点的电压变化减小，进而形成了一种平衡（负反馈系统）。
另外一个重要的寄生参数是漏极的感抗，主要是有内部的封装电感以及连接的电感所组成。
在开启状态的时候Ld起到了很好的作用（Subber吸收的作用），开启的时候由于Ld的作用，有效的限制了di/dt/（同时减少了开启的功耗）。
在关断的时候，由于Ld的作用，Vds电压形成明显的下冲（负压）并显著的增加了关断时候的功耗。
下面谈一下驱动（直连或耦合的）的一些重要特性和典型环节：直连电路最大挑战是优化布局实际上驱动器和MOS管一般离开很远，因此在源级到返回路径的环路上存在很大的感抗，即使我们考虑使用地平面，那么我们仍旧需要一段很粗的PCB线连接源级和地平面。
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问题提出：
现在的MOS驱动，有几个特别的需求，
1，低压应用
当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V 左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。
这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。
同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。
2，宽电压应用
输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。
这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。
为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate 电压的幅值。
在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。
同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。
3，双电压应用
在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。
两个电压采用共地方式连接。
这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS 管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。
在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。
于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。
电路图如下：
图1 用于NMOS的驱动电路
图2 用于PMOS的驱动电路
这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析：
Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超
过Vh。
Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。
R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。
Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。
R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。
这个数值可以通过R5和R6来调节。
最后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。
必要的时候可以在R4上面并联加速电容。
这个电路提供了如下的特性：
1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。
3，gate电压的峰值限制
4，输入和输出的电流限制
5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。
6，PWM信号反相。
NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。