碲镉汞材料
“弱p型”和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究
（ ｙＬ ｂ ｒ ｔｒ ｆ ｎｒｒｄＩ ｇｎ ｔｒ ｌ ａ ｄＤｅｅ ｔｒ， ｈ ｎ ｈ ｎ ｔ ｕｅｏ Ｋｅ ａ ｏ ａｏｙｏ ｆａｅ Ｉ ｍａ ｉｇＭａｅｉ ｓ ｎ ｔｃｏｓ Ｓ ａ ｇ ａ Ｉ ｓｉ ｔ ｆ ａ ｉ ｔ
Ｔｃｎｃｌ ｈ ｓ ｓ Ｃ ｉｅｅ ｃｄｍ ｆ ｃ ｎ ｅ， ｈ ｎ ｈ ｏｏ３ ｅｈ ｉ ｙｉ ， ｈｎｓ ａ ｅ ｙｏ ｉ ｃｓＳ ａｇ ａ ２ ｏ８） ａＰ ｃ Ａ Ｓｅ ｌ
低迁移 率 ｎ型材 料和 “ Ｐ型”材料 。通过 变温 变磁 场 的霍尔 测试对 两种 碲镉 汞材 料 弱 的磁 输运特 性进 行 了测试 ，并结合 迁移 率谱技 术分 析 了两者 的差 别。结果表 明，利 用
迁移 率谱技术 可 以很 好地 区分这 两种碲 镉 汞材料 。 关键词 ： 尔测量； Ｈ Ｃ Ｔ ；磁 输运；迁移 率谱 霍 ｇｄｅ 中图分 类号：Ｔ ２５ Ｎ ０． Ｎ １ ；Ｔ ３４ ５文献标识码 ：Ａ ＤＯ ：０ ９９ｊｓ ． ７— ８ ． １． ． １ ２ Ｉ１ ． ６／ ｉｎ１ ２ ７５ ０ １ ６ ０ ３ ．ｓ ６ ８ ２ ０ ０
文章编号： １７—７５２ １）６００－ ６２ ８ （０ １ ・０ １ ５ ８ ０ ０
‘ Ｐ型 ’和 低 迁 移 率 ｎ型 碲 镉 汞 体 ‘ 弱 ’ 材 料 的 迁 移 率 谱 研 究
张可锋 林 杏 潮 张莉 萍 王 仍 焦 翠 灵 陆 液 王妮 丽 李 向阳
（ 中国 科 学院 上 海 技 术 物 理研 究Байду номын сангаас 红 外 成像 材 料 与 器 件 重 点 实验 室 ，上海 ２０８） ００ ３
ｇｅｔｒ ｈｎｔａ ｆｈ ｏ ｓ（＝ ／ ｈ≈１ ， ｏｅｉ ｌ ｔ ｂ ｔｒ ｒｄｗｔ ｉｏｉ ｒｉ ｓ ｒ ｅ ａ ｔ ｅ ｌ ｂ ａ ｔ ｈ ｏｔ ｈ ｅ ０）ｉｉｍ ｒ ｌｅ ｅｎｅｆ ｅ ｉ ｍ ｎ ｒｙｃ ｒ ｒ． ｔｓ ｋ ｙ ｏ ｉ ｅ ｈ ｔ ａ ｅ
CdZnTe衬底对碲镉汞气相外延表面形貌的影响
CdZnTe衬底对碲镉汞气相外延表面形貌的影响王仍;焦翠灵;张莉萍;张可锋;陆液;杜云辰;邵秀华;林杏潮;李向阳【摘要】利用气相外延技术在CdZnTe衬底上生长Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过在不同晶向、不同极性、不同晶向偏离角度CdZnTe衬底上的外延结果发现,CdZnTe衬底对外延形貌的影响非常大.(111)面衬底上外延形貌明显优于(211)面衬底的外延形貌.对于同是〈111〉CdZnTe晶向的衬底,(111)Cd面CdZnTe衬底上的外延形貌明显优于(111)Te面.对于(111)Cd面CdZnTe衬底,当晶向偏离角度不同时,其外延形貌也有差异,晶向偏离角越小表面形貌越好.【期刊名称】《激光与红外》【年(卷),期】2015(045)009【总页数】4页(P1064-1067)【关键词】Hg1-xCdxTe晶体;CdZnTe衬底;(111)Cd面;(111)Te面【作者】王仍;焦翠灵;张莉萍;张可锋;陆液;杜云辰;邵秀华;林杏潮;李向阳【作者单位】中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083【正文语种】中文【中图分类】TN213在红外探测器和材料的研制项目中,碲镉汞已成为半导体材料与器件研究中最主要的方向之一[1],碲镉汞的相关项目大约占80%～90%。
碲镉汞富汞热处理技术的研究
（ ｈｎｈｉ ｎｔｕ ｆ ｅｈｉａ Ｐ ｙｉ ， ｈｎｓ ｃｄｍ ｆ ｃｅｃｓＳａ ｇａ ２０ ８ ） Ｓ ａｇ ａ Ｉｓｔｔ ｏ Ｔ ｃｎｃｌ ｈｓ ｓ Ｃ ｉ ｅＡ ａｅ ｙｏ ｉｎｅ ｈｎ ｉ ００ ３ ｉｅ ｃ ｅ Ｓ ｈ
ｌ ｎ ｅ ｄ ｓ ｓｅ ｃ ｎ ｂ ｓ ｄ ｆｒｔ ｅ ｈ ａ ｅ ｔ ｎ ｆ ａｇ ｒ ａ，ｍｕｔ－ ｙ ｒ ｅｅ ｏ ｓ ｓｒ ｔ Ｃｄ ｅ ｅ ｉ ｘ ａ ｆ ｗ ａ ｎ ａｅ ｙ ｔ ｍ ａ ｅ ｕ ｅ ｏ ｈ ｅ ｔ ｒ ａｍｅ ｔｏ ｒｅ ａ ｅ ｏ ｌ ｔ ｌ ｌ ｌ ｅ ，ｈ ｔｒ －ｕ ｔａｅ Ｈｇ Ｔ ｐｔ ｉ ｉａ ｂ ａ ｌ ｍａｅ ａｓ ｒ ｑ ｉｅ ｙ ｔ ｉ — ｅ ｅ ａｉ ｎ Ｈｇ Ｔ ｎ ｒ ｒ ｄ ｆｃ ｌ ｎ ｒａ ． ｔ ｒ ｅ ｕ ｒ ｄ ｂ ｈ ｒ ｇ ｎ ｒ ｔ Ｃｄ ｅ ｉ ｆ ｅ ｏ ａ ｐ ａ ｅ ａ ｒ ｙ ｉ ｌ ｄ ｏ ａ ｌ
好的保护。研 究结果表明， 碲镉汞开管富汞热处理技术可用于第三代碲镉汞红外焦平面技术
所需大面积 多层掺杂异质外延材料的制备。 关键词 ： 碲镉汞； 热处理； 砷掺杂 ； 红外焦平面阵列 中图分 类号 ：Ｎ １ ；Ｎ ０ ． ５ Ｔ ２５ Ｔ ３４２ 文献 标识 码 ： Ａ
Ｓ ｕ ｙ ｏ ｎ ａ ｃ ｎｏｏ ｙ ｆ ｒ Ｈｇ Ｔｅ ａ － ｉｈ Ｃｏ ｉ ｏ ｔ ｄ ｆＡｎ ｅ ｌＴｅ ｈ ｌ ｇ ｏ Ｃｄ ｔＨｇ ｒｃ ｎｄ ｔ ｎ ｉ
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第３ ６卷 第 １ 期 １
２０ ０ ６年 １ 月 １
碲镉汞红外探测器量子效率计算研究
第４９卷 第７期 激光与红外Ｖｏｌ．４９，Ｎｏ．７ ２０１９年７月 ＬＡＳＥＲ ＆ ＩＮＦＲＡＲＥＤＪｕｌｙ，２０１９ 文章编号：１００１ ５０７８（２０１９）０７ ０８７１ ０５·红外材料与器件·碲镉汞红外探测器量子效率计算研究王 亮，杨 微（华北光电技术研究所，北京１０００１５）摘 要：首先分析了量子效率计算的相关方法，然后分析红外碲镉汞探测器测试过程。
对器件进行电学性能测试及光谱响应测试基础上，利用测试方法和测试数据计算出探测器产生的电子数。
再将实际电子数与理论分析的光子数相比，计算出探测器对不同红外波段量子效率，最高可达６６％，达到了国外同类型器件响应的量子效率指标。
本文的研究为评价碲镉汞探测器的光电转换性能提供了一种有效的方法。
关键词：碲镉汞；量子效率；电性能测试；光谱响应中图分类号：ＴＮ２１３ 文献标识码：Ａ ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１ ５０７８．２０１９．０７．０１５ＳｔｕｄｙｏｎｔｈｅｑｕａｎｔｕｍｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｏｆＨｇＣｄＴｅｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒＷＡＮＧＬｉａｎｇ，ＹＡＮＧＷｅｉ（ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏ Ｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｆｉｒｓｔ，ｔｈｅｍｅｔｈｏｄｏｆｑｕａｎｔｕｍｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｉｓａｎａｌｙｚｅｄｉｎｔｈｅｐａｐｅｒ Ｔｈｅｎ，ｔｈｅｔｅｓｔｐｒｏｃｅｓｓｏｆＭＣＴｄｅｔｅｃｔｏｒｉｓａｎａｌｙｚｅｄ Ｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｔｅｓｔｒｅｓｕｌｔｓｏｆｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐａｒａｍｅｔｅｒｓａｎｄｓｐｅｃｔｒａｌｒｅｓｐｏｎｓｅｏｆｔｈｅｄｅｖｉｃｅ，ｔｈｅｎｕｍｂｅｒｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｓｐｒｏｄｕｃｅｄｂｙｔｈｅｄｅｔｅｃｔｏｒｉｓｃａｌｃｕｌａｔｅｄｂｙｔｈｅｔｅｓｔｍｅｔｈｏｄａｎｄｔｅｓｔｄａｔａ Ｂｙｃｏｍｐａｒｉｎｇｔｈｅａｃｔｕａｌｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｎｕｍｂｅｒｗｉｔｈｔｈｅｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌｐｈｏｔｏｎｎｕｍｂｅｒ，ｔｈｅｑｕａｎｔｕｍｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｏｆｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｆｏｒｄｉｆｆｅｒｅｎｔｂｒａｎｄｓｉｓｃａｌｃｕｌａｔ ｅｄ，ｗｈｉｃｈｃａｎｂｅｕｐｔｏ６６％，ｒｅａｃｈｉｎｇｔｈｅｑｕａｎｔｕｍｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｉｎｄｅｘｏｆｔｈｅｒｅｓｐｏｎｓｅｏｆｔｈｅｓａｍｅｔｙｐｅｏｆｄｅｖｉｃｅｓａ ｂｒｏａｄ．ＴｈｉｓｓｔｕｄｙｐｒｏｖｉｄｅｓａｎｅｆｆｅｃｔｉｖｅｍｅｔｈｏｄｆｏｒｅｖａｌｕａｔｉｎｇｔｈｅｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆＨｇＣｄＴｅｄｅ ｔｅｃｔｏｒＫｅｙｗｏｒｄｓ：ＨｇＣｄＴｅ；ｑｕａｎｔｕｍｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ；ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｔｅｓｔ；ｓｐｅｃｔｒａｌｒｅｓｐｏｎｓｅ作者简介：王 亮（１９８６－），男，工程师，主要从事红外探测器测试及评价研究。
As掺杂碲镉汞富碲液相外延材料特性的研究
导致在表面形成 了高于主体层浓度 １ —２个量级 的高浓度表面层 ， 并导致 了Ａ 受主的浓度 在 Ｈ Ｃ Ｔ ｓ ｇ ｄ ｅ薄膜 中呈非 均匀分布． 考虑这一效应并采用双层模 型的霍尔参数 计算方 法后 ， ｓ 杂 Ｈ Ｃ Ｔ Ａ 掺 ｇ ｄ ｅ液相 外延材料 的 电学行 为得到
了较好 的解释 ， 并较为准确地获得 了退火后材料表面层与主体层的受主浓度及受主能级等 电学参数． 关 键 词： 碲镉汞 ； 效应 ； ｓ 杂； 霍 Ａ 掺 激活退火 ； 双层模 型
ＸＵ Ｑ ｎ － ｉｇ Ｙ Ｎ ｉ － ｏ ｇ ｉｇＱ ｎ ， Ａ Ｇ Ｊ ｎＲ ｎ ａ
（ ｅ ａ ｏ ｔ ｆ ｎ ａ ｄＩ ａｉ ａｅ ａ ｎ ｅｅｔｒ，Ｓａｇ ａ Ｉｓ ｔ ｅｏ ｅｈ ｉ ｌ Ｋ ｙＬ ｂｒ ｏ ｏ ｆ ｒ ｍ ｇ ｇＭ ｔ ｌ ａｄＤ ｔ ｏｓ ｈｎｈ ｉｎｔｕ ｆ ｃｎｃ ａｒ ｙ Ｉｒ ｅ ｎ ｉ ｒ ｓ ｃ ｉｔ Ｔ ａ Ｐ ｙｉ ， ｈ ｅｅＡ ａｅ ｙｏ ｃ ｎ ｅ，Ｓａｇ ａ ２０ ８ ， ｈｎ ） ｈ ｓ ｓ Ｃ ｉ ｓ ｃｄｍ ｆ ｉ ｃｓ ｈｎｈ ｉ ００ ３ Ｃ ｉａ ｃ ｎ Ｓｅ
Ａｓ 杂 碲 镉 汞 富 碲 液 相 外 延 材 料 特 性 的 研 究 掺
仇光 张 寅， 传杰， 魏彦 陈晓 锋， 静，徐庆 杨 庆， 建荣
（ 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室 ， 上海 ２０ ８ ） ０ ０ ３ 摘 要 ： 富碲液 相外延 Ａ 掺杂碲镉汞 （ ｇ ｄ ｅ 材料的研 究发现 ， 电学性能存在着 不稳定性 ， 对 ｓ Ｈ ＣＴ ） 其 材料霍 尔参 数的实 验数据 与均匀材料 的理论计算结果也不能很好 的吻合． 过采用剥 层变温霍 尔测量和 二次离子质谱 （ Ｉ Ｓ 测试 对 通 ＳＭ ） 材料纵 向均匀性进行检测 的结果显 示， 外延材料 中的 Ａ 在 高温富汞 激活退 火过程 中具 有 向材料表 面扩散 的效应 ， ｓ
碲镉汞As掺杂技术研究
现 已获得 １ ０ １坤 ｍ｜掺杂水平 的 Ｐ型材料。在成功实现 Ａ 的掺杂后， 一 ０ ｃ ３ ｓ 研究人 员对激活退
火做了一些研究。研 究发现， 需要在汞压下经过高温退火， ｓ Ａ 原子才能 占据 Ｔ 位成为受主杂 ｅ 质。对 Ａ 在碲镉汞 中的扩散系数也进行 了 ｓ 研究。
关 键词 ： 碲镉 汞 ； 子柬 外延 ； ｓ 杂 分 Ａ 掺 中图分类 号 ：Ｎ １ ；Ｎ ０ ． Ｔ ２ ５Ｔ ３４２ ５ 文献标识 码 ： Ａ
ｓ ｅ Ｂ ｓｎ ｒｅ ｉ ｒ ｃ ｅ１ ｅ ｈ ｖ ｏ ｎ ｈ ａ ｃ ｉｖ － ｐ ｏ ｉ ｇ ｉ ０ 一１ ａ ｉ ． ｙ ｕ ｉｇ ａ ｓ ｎ ｃｃ ａ ｋ ｃ ｌ．ｗ ａ ｅｆ ｕ ｄ ｔｅ ｗ ｙｔ ａ ｈ ｅ ｅ Ｐ ｔ ｅ ｄ ｐ ｎ １ ｔ ｏ ｙ ｎ ０ ｍ ｌ ｖ ｌ ．Ｔ ｃｉ ｅ ｅｓ ｏ ａ ｔ —
Ｒｅ ｅ ｒ ｈ ｏ ｓ ｎ ｃ Ｄｏ ｉ ｇ ｉ ＢＥ Ｃｄ ｓ ａ ｃ ｆＡｒ ｅ ｉ ｐ ｎ ｎ Ｍ Ｈｇ Ｔｅ
ＷＵ Ｙ ｎ ＷｕＪｎ ａ ， ｕ ，ＷＥ ｉ — ｕ Ｈ ＮＬ ，Ｙ ｉａｇ ＷＡ Ｇ Ｙ ａ—ｈｎ ， Ｉ ｎ ｚ ，Ｃ Ｅ ｕ ｕＭｅ ｆ ， Ｎ ｕｎｚａｇ Ｑ ｇｈ －ｎ Ｆ ｉ ｇｌｎ ， ＩＯ Ｙ— ｉｇ Ｈ ｉ ＵＸａ －ａｇ ＱＡ ｉ ｎ ， Ｅｌ） ｎ ｉ ｍ
ｃ ｐｏ ｎｙｗｈ ｎ ａ ｎ ａｉｇｕ ｄ ｒｍｅｃ ｒ ｒｓｕｅ ．Ａｒｅ ｉ ｉｕ ｉｎ ｉ Ｃｄ ｅｗ ｓａｓ ｔｄｅ ． ｅ ｔｒｏ ｌ ｅ ｎ ｅ ｌ ｎ ｅ ｒｕｙｐｅｓ ｒｓ ｎ ｓｎｃ ｄｆ ｓｏ ｎ Ｈｇ Ｔ ａ ｏｓｕ ｉｄ ｌ
Ｋｅ ｒ ｓ Ｈｇ Ｔ ； Ｅ； ｏ ｉ ｇ ｙ ｗｏ ｄ ： Ｃｄ ｅ ＭＢ Ａｓ ｄ ｐ ｎ
MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵
ＬＡ ｉ— ｎ ， Ｃ Ｅ ｏｇＬｉ ＬＮ Ｃ ｕ Ｈ ｉ ． ｉｇ ， ＤＮ ｕ— ｎ ， 既 Ｉ Ｏ ＱｎＪ ｕ Ｈ Ｎ Ｈ ｎ ．ｅ， Ｉ ｈｎ ， Ｕ Ｘａ Ｎｎ ｏ ＩＧＲ ｉｕ Ｊ
ＭＢ Ｅ原 位 碲 化 镉 钝 化 的碲 镉 汞 长 波光 电二 极 管 列 阵
叶 振华 ， 黄 建 ， 尹文 ， 胡伟 婷 达， 冯婧文 ， 路 ， 陈 廖亲 陈 君 ， 洪雷 ， 林 春 ， 胡晓宁 ， 丁 瑞军 ， 何 力
ｒ ｍｏ ａ ，Ｚ Ｓ ｄｅ ｅ ｔ ｃ ｆ ｍ ｅ ｏ ｉ ｏ ，ｍｅａｌ ａｉ ｎ ａ ｄ ｉ ｄ ｕ ｂ ｍｐ ａ ｒ ｙ ａ ｒｃ ｔ ｎ，Ｈｇ Ｔ ｏ ｇ ｗ ｖ ｌｎ ｈ ｉ ｆ － ｅ ｖ ｌ ｎ ｉｌ ｃｒ ｌ ｄ ｐ ｓｔ ｎ ｉｉ ｉ ｔ ｉ ｔ ｎ ｉ ｍ— ｕ ｒａ ｓｆｂ ｉａ ｉ ｌ ｚ ｏ ｎ ｏ Ｃｄ ｅ ｌ ｎ ・ ａ ｅｅ ｇ ｎｒ ｔ ａ
第３ ０卷第 ６期
２１ 年 １ ０１ ２月
红 外 与 毫 米 波 学 报
Ｊ ｎｒｒｄ Ｍｉ ｉ ．Ｉｆａｅ ｌ ｍ．Ｗ ａ ｅ ｌ ｖｓ
Ｖｏ．３ １ ０，Ｎ ． ｏ６
Ｄｅ ｅ ｅ ２０１ ｃ ｍｂ ｒ， １
文章编号 ：０ １ ０ ４ ２ １ ）６— ４ ５— ５ １０ —９ １ （０ １ ０ ０ ９ ０
（ ． 国科学院上海技术物理所 ， １中 红外成像材料与器件 重点 实验 室 ， 上海 ２ ０ ８ ； ００ ３
２ 中 国科学院研究生 院 ， ． 北京 １０ ３ ） ０ ０９
碲镉汞深能级载流子弛豫时间的皮秒泵浦-探测研究
示 了碲镉汞材料 中深 能级特性的复杂性． 此外还 研究 了弛豫 时间随泵浦脉冲 能量 的变化关 系． 关 键 词 ： 镉 汞 ； 能 级 ； 豫 时 间 ； 浦 － 测 碲 深 驰 泵 探 中图分类号 ：４３ ０ ７ 文 献 标 识 码 ： Ａ
Ｐｉ ｏ ｅ ｏ ｕ ｐ ｐｒ ｂ ｆ ｃ ｒ ｉ ｒ ｒ ｌ ｘ ｔｏ ｉ ｅ ｃ ｓ ｃ ｎｄ ｐ ｍ － ｏ ｅ ｏ ａ ｒｅ ｅａ ａ ｉ ｎ ｔｍ
第３ ０卷第 ６期
２１ ０ １年 １ ２月
红 外 与 毫 米 波 学 报
Ｊ ｎｒｒｄ Ｍｉｉ ．Ｉ ｆ ｅ ｌ ｍ．Ｗ ａ ｅ ａ ｌ ｖｓ
Ｖｏ ．３ １ ０，Ｎｏ ６
Ｄｅ ｅ ｃ ｍｂｅ ， ０１１ ｒ２
文章编 号 ：０ １ ９ １ （０ １ ０ １０ — ０ ４ ２ １ ）６—０ ０ ０ ５ ３— ５
ｔｅ ｃ ｌ ｕ ａｉｎ ｅ ｗ ｅ ｐ ｌｖ ｌｒ ｌ ａｉ ｎ ｔ ｏ ｓ ｎ ｓ ａ ｅ ｉ ｔ ｄ ｃ ｄ ｍｐｙ ｎ ｗ ｙ ｅ ｆｔ ｅ ｄ ｅ ｅ ｅ ｓ ｈ ｈ ａｃ ｌｔ ｓｗｈ ｎ ｔ ｏ ｄ ｅ ｅ ｅ ｅａ ｔ ｉ ｃ ｎ ｔ ｔ ｒ ｎ ｒ ｕ ｅ ，ｉ ｌｉ ｇ ｔ ｏ ｔｐ ｓ ｏ ｅ ｐ ｌ ｖ ｌ ．Ｔ ｅ ｏ ｘ ｏ ｍｅ ａ ｏ ｈ
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碲镉汞材料
碲镉汞材料是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景。
本文将从碲镉汞材料的基本特性、制备方法、应用领域等方面进行介绍。
一、碲镉汞材料的基本特性
碲镉汞是一种化合物，化学式为HgCdTe，是由汞(Hg)、镉(Cd)和碲(Te)三种元素组成的。
碲镉汞材料具有良好的光电性能，具有宽的能带隙和高的迁移率，适用于红外光谱范围。
同时，碲镉汞材料还具有较高的光电转化效率、较低的暗电流和低的噪声等特点，使其在红外探测器、光电子器件等领域具有广泛的应用。
碲镉汞材料的制备方法主要有物理气相沉积法、分子束外延法、液相外延法等。
其中，物理气相沉积法是一种常用的制备方法。
该方法通过将汞、镉和碲等原料加热蒸发，使其在基片上沉积形成碲镉汞薄膜。
通过控制沉积温度、气压和沉积速率等参数，可以得到具有所需性能的碲镉汞材料。
三、碲镉汞材料的应用领域
碲镉汞材料具有优异的光电性能，因此在红外探测器、光电子器件等领域有广泛的应用。
在红外探测器方面，碲镉汞材料可以制成不同波段的探测器，用于红外成像、红外导航、红外通信等领域。
在光电子器件方面，碲镉汞材料可以制成光电二极管、光电倍增管、光电晶体管等器件，用于光通信、光谱分析、显像系统等领域。
此
外，碲镉汞材料还可以应用于太阳能电池、激光器等领域，具有广阔的市场前景。
碲镉汞材料是一种具有重要应用前景的半导体材料。
它具有良好的光电性能，制备方法多样，应用领域广泛。
随着科技的不断发展，碲镉汞材料在红外探测、光电子器件等领域的应用将会越来越广泛，为人们的生活和工作带来更多便利。