水浴沉积法制备太阳能电池用CdS薄膜

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CIGS薄膜太阳能电池解读

CIGS薄膜太阳能电池解读

CIGS薄膜太阳能电池的结构
金属栅电极 减反射膜(MgF2) 窗口层ZnO 过渡层CdS 光吸收层CIGS 金属背电极Mo 玻璃衬底 高阻ZnO
低阻AZO
CIGS薄膜太阳能电池的结构
结构原理


减反射膜:增加入射率 AZO: 低阻,高透,欧姆接触 i-ZnO:高阻,与CdS构成n区 CdS: 降低带隙的不连续性,缓 冲晶格不匹配问题 CIGS: 吸收区,弱p型,其空间电 荷区为主要工作区 Mo: CIS的晶格失配较小且热膨 胀系数与CIS比较接近
测试设备主要有:台阶仪,SEM,XRD, RAMAN、分度光透射仪、I-V 分析系统等
铜铟镓硒(CIGS)太阳电池制造工艺路 线
清洁—基膜—单元或多元磁控溅射—沉积—硒化—防护膜—随机检 测—印刷—切割—检测—组装—检测—包装。
CIGS薄膜太阳能电池的制备
• CIGS薄膜太阳能电池的底电极Mo和上电极n-ZnO一般采用磁控溅射的 方法,工艺路线比较成熟 • 最关键的吸收层的制备有许多不同的方法,这些沉积制备方法包括:蒸发 法、溅射后硒法、电化学沉积法、喷涂热解法和丝网印刷法



CIGS的性能不是Ga越多性能越好的,因为短路电流是随 着Ga的增加对长波的吸收减小而减小的。 当x=Ga/(Ga+In)<0.3时,随着的增加,Eg增加, Voc也增 加; x=0.3时带隙为1.2eV;当x>0.3时,随着x的增加,Eg减小, Voc也减小。 G.Hanna等也认为x=0.28时材料缺陷最少,电池性能最好。
CIGS薄膜太阳能电池介绍
二、铜铟硒(CIS)薄膜太阳能电池介绍 三、铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池介绍
一、第三代太阳能电池

【国家自然科学基金】_cds薄膜_基金支持热词逐年推荐_【万方软件创新助手】_20140729

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推荐指数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2011年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41
推荐指数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2009年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
科研热词 近空间升华法 薄膜 纳米粒子 红外发射率 窗口层 磁控溅射 硫化镉 真空蒸发 界面 深能级瞬态谱 太阳能电池 太阳电池 复合膜 壳聚糖 化学水浴沉积(cbd) 光透过性质 光致发光 zns/cds单带差超晶格 cds薄膜 cds多晶薄膜 cds/cdte太阳电池 cds
科研热词 阳极氧化 透明导电薄膜 透射电子显微镜表征 衬底温度 表面光电压谱 纳米颗粒 纳米晶 硫化镉 相转移 界面扩散 电荷转移过程 电沉积 电化学 深能级瞬态谱(dlts) 液相沉积法 水热法 氧化铝纳米线 未掺杂sno2薄膜 异质薄膜 射频磁控溅射法 太阳电池 多孔氧化铝膜 复合物 吸附 单带差超晶格 单层膜 化学浴沉积法 化学浴沉积 制备温度 光电特性 光电性能 光学带隙 光吸收边 介孔二氧化钛 zns薄膜 zno/cds纳米棒阵列 tio2 ehd cdte薄膜 cdte太阳能电池 cdte太阳电池 cdte cds量子点 cds纳米晶薄膜 cds多晶薄膜 cdsxte1-x cds/ccdte太阳电池 cds

CIGS太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的制备与表征

CIGS太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的制备与表征
按照实验设计要求 ,依次改变沉积时间 、退火时 间 、退火温度 。用上述同样的操作多次沉积薄膜 ,制得 研究所需的一组薄膜 。
2 实验结果和讨论
2. 1 薄膜的 XRD 分析 在本次实验中 ,对 ZnS薄膜的单个衍射图谱进行
分析发现 。即使在 400 ~500 ℃较高温度下退火也没 有出现明显的强峰 , 表明所制备的 ZnS薄膜非常的 薄。 有研究表明薄膜越厚其晶体结晶度越高 ,晶体结 构的有序度也越好 [ 5 ] 。所以有必要进行多次沉积使 薄膜达到一定的厚度 ,本次实验中采用三次沉积制备 ZnS薄膜 。
图 1是 CBD 制备的 ZnS薄膜分别在未退火以及 200 ℃、300 ℃和 400 ℃退火后的 XRD 图谱 。可以发 现 ,当薄膜未进行退火处理时的 XRD 图谱中未出现明 显的 衍 射 峰 值 , 是 非 晶 状 态 的 , 结 晶 状 态 不 好 。在 200 ℃下退火 1 h时和 200 ℃退火时间 2 h发现时间 延长衍射峰的强度增加了 。在退火时间相同 ( 2 h)的 情况下 ,衍射峰的强度随着退火的温度增加而逐渐增 强 , ZnS晶粒晶化现象愈趋明显 。
Jan. 25, 2008 , Vol. 25 No. 1
式中 , hv = hc /λ。 而吸收系数与透射率有如下关系 :
a = ln (1 / T) d 式中 , d为薄膜厚度 ; T为透射率 ; k为波尔兹曼常数 ; Eg为半导体的禁带宽度 ;λ为波长 。
图 2 在 60 ℃和 80 ℃时 ZnS薄膜厚度随沉积时间变化曲线
2. 3 ZnS薄膜的光学性能和禁带宽度 ZnS薄膜的透射谱如图 3 所示 (所用的波长范围
为 200 ~ 900 nm ) , 一 般 文 献 报 道 透 过 率 为 35 ~ 90%。

铟矿资源报道之二——铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池行业

铟矿资源报道之二——铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池行业

铟矿资源报道之二——铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池行业一、薄膜电池行业概述由于晶体硅电池成本长期处于高位,业内一直通过提升电池转换效率、降低硅片切割厚度等技术来降低成本。

与此同时,薄膜电池作为第二代太阳能电池逐渐受到行业关注并增长迅速。

图1:光伏电池分类关于光伏电池未来的发展趋势:晶体硅电池随着工艺的不断改进、成本的持续下降,短期内依然处于主导地位。

而薄膜涂层电池由于其低成本的特点,其在转换效率方面还有提升的空间,未来市场份额势必会有明显的增长。

而从市场预测情况来看,未来薄膜电池中CIGS薄膜电池的增速最为明显。

1 CIGS 薄膜电池概况CIS是CuInSe2的缩写,是一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元化合物半导体材料。

由于它对可见光的吸收系数非常高,所以是制作薄膜太阳电池的优良材料。

以P型铜铟硒(CuInSe2)和N型硫化镉(CdS)做成的异质结薄膜太阳电池具有低成本,高转换效率和近于单晶硅太阳电池的稳定性。

近年研究将Ga替代CIS材料中的部分In,形成CuIn1-xGaxSe2(简称CIGS)四元化合物。

由ZnO/CdS/CIGS结构制作的太阳电池有较高的开路电压,转换效率也相应地提高了许多。

CIGS电池在实验室已经达到19.9%的转换率,远高于其他薄膜电池。

二、CIGS薄膜电池优势1 薄膜电池的低成本优势所在,相对于晶硅电池材料成本便宜薄膜电池相对于晶硅电池最大的优势在于成本,在前几年多晶硅价格处于高位的时候,薄膜电池的成本优势更为明显。

通过我们前面的分析也可以看出,即使在近期多晶硅大幅下降的情况下,薄膜电池的成本优势依然明显。

CIGS薄膜电池具备相对于晶硅电池的成本优势,CIGS电池采用了廉价的玻璃做衬底,采用溅射技术为制备的主要技术,这样Cu,In,Ga,Al,Zn的耗损量很少。

而对大规模工业生产而言,如能保持比较高的电池的效率,电池的价格以每瓦计算会比相应的单晶硅和多晶硅电池的价格低得多。

另外,我们前面一直讨论的是光伏电站的初始建站成本,实际薄膜电池的弱光效应是其由于晶硅电池的另一大优势。

《旋涂法制备CICS薄膜太阳能电池光吸收层》范文

《旋涂法制备CICS薄膜太阳能电池光吸收层》范文

《旋涂法制备CICS薄膜太阳能电池光吸收层》篇一一、引言随着人类对可再生能源的迫切需求,太阳能电池的研究与发展变得日益重要。

CICS(铜铟镓硒)薄膜太阳能电池作为一种新型的太阳能电池,因其高转换效率、低成本和环保等优点,受到了广泛关注。

光吸收层作为太阳能电池的核心部分,其制备工艺对电池性能具有重要影响。

本文将重点探讨旋涂法制备CICS薄膜太阳能电池光吸收层的过程及其对电池性能的影响。

二、旋涂法制备CICS薄膜的原理与步骤1. 原理:旋涂法是一种常用的薄膜制备技术,其基本原理是利用高速旋转产生的离心力将溶液均匀涂布在基底上,从而形成所需的薄膜。

此方法具有操作简便、成本低、成膜均匀等优点。

2. 步骤:(1)准备基底:选择合适的基底材料,如玻璃、不锈钢等,并进行清洗处理,以获得良好的基底表面。

(2)配置溶液:将CICS材料溶解在适当的溶剂中,制备成均匀的溶液。

(3)旋涂:将基底放置在旋涂机的中心,将溶液滴在基底上,启动旋涂机进行旋涂。

通过调整旋涂机的转速和时间,控制薄膜的厚度和均匀性。

(4)热处理:旋涂完成后,对薄膜进行热处理,以消除内部应力、提高结晶质量和稳定性。

三、旋涂法制备CICS薄膜的优点与挑战1. 优点:(1)操作简便:旋涂法设备简单、操作方便,适合大规模生产。

(2)成本低:旋涂法所需的原材料和设备成本较低,有利于降低太阳能电池的制造成本。

(3)成膜均匀:通过控制旋涂机的转速和时间,可以获得均匀的薄膜,提高太阳能电池的性能。

2. 挑战:(1)薄膜质量:如何提高CICS薄膜的结晶质量和稳定性,是制备高质量光吸收层的关键。

(2)成分控制:CICS材料的成分对薄膜的性能具有重要影响,如何精确控制成分比例,是制备高性能CICS薄膜的关键问题之一。

(3)环境因素:环境因素如温度、湿度等对旋涂过程和薄膜性能产生影响,需要合理控制环境条件以保证薄膜质量的稳定性。

四、提高CICS薄膜质量的措施1. 优化旋涂工艺:通过调整旋涂机的转速、时间和溶液浓度等参数,控制薄膜的厚度和均匀性,提高薄膜的质量。

CIGS薄膜太阳能电池解析

CIGS薄膜太阳能电池解析

现在CIGS组件处于产业化初级阶段,主要是美国、德国和日本等发达国 家公司。其工艺各具特色,主要采用的都是真空溅射技术,区别主要是制备 CIGS吸收层的部分工艺差别。下表给出了主要公司生产工艺比较。可以看出, 最主流形式是溅射金属预制层后硒化工艺。该工艺对溅射设备防腐要求低,维 护简单,生产过程更容易控制。也有采用四元化合物靶直接溅射CIGS的研究, 由于设备防腐要求高,吸收层存在缺陷,溅射后仍需要热退火处理,这种方法 现阶段没有表现出产业化优势。

CuInSe2黄铜矿晶格结构
非晶硅薄膜太阳能电池的优点
• • • • • • 低成本 能量返回期短 大面积自动化生产 高温性好 弱光响应好(充电效率高) 其他
• 低成本
• 单结晶硅太阳电池的厚度<0.5um。 • 主要原材料是生产高纯多晶硅过程中使用的硅烷,这种气体, 化学工业可大量供应,且十分便宜,制造一瓦非晶硅太阳能 电池的原材料本约RMB3.5-4(效率高于6%) • 且晶体硅太阳电池的基本厚度为240-270um,相差200多倍, 大规模生产需极大量的半导体级,仅硅片的成本就占整个太 阳电池成本的65-70%,在中国1瓦晶体硅太阳电池的硅材料 成本已上升到RMB22以上。
非晶硅太阳电池的市场
• 大规模地成本发电站
• 1996年美国APS公司在美国加州建了一个400千瓦的非晶硅电 站,引起光伏产业振动。 • Mass公司(欧洲第三大太阳能系统公司)去年从中国进口约 5MWp的非晶硅太阳能电池。 • 日本CANECA公司年产25MWp的非晶硅太阳能电池大部分输往 欧洲建大型发电站(约每座500KWp-1000KWp)。 • 德国RWESCHOOTT公司也具有30MWp年产量,全部用于建大规模 太阳能电站。

CIGS电池技术分析

CIGS电池技术分析本文主要阐述铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池的研究进展,概述了CIGS薄膜太阳能电池的薄膜构成及特性。

介绍了CIGS薄膜吸收层的制备技术,如多元共蒸发法、溅射后硒化法及缓冲层的制备技术。

1、CIGS薄膜太阳电池的结构及性能特点CIGS是一种半导体材料,是在通常所称的铜铟硒(CIS)材料中添加一定量的ⅢA族Ga元素替代相应的In元素而形成的四元化合物。

鉴于添加Ga元素后能适度调宽材料的带隙,使电池的开路电压得到提高,因此,近年来CIGS反而比CIS更受关注。

本文中描述的CIGS和CIS将具有同等意义。

单晶硅、多晶硅以及非晶硅属于元素半导体材料,尤其单晶硅,在电子、信息科学领域占据着不可撼动的地位,作为硅太阳电池,只是它诸多的重要应用之一。

与硅系太阳电池在材料性质上有所不同的是,CIGS属于化合物半导体范畴。

固体物理学的单晶硅金刚石型晶体结构和CIGS黄铜矿型晶体结构如图1所示。

图1::晶硅金刚石结构和CIGS黄铜矿结构太阳电池的基本原理是光生伏特效应:光照下,pn结处的内建电场使产生的非平衡载流子向空间电荷区两端漂移,产生光生电势,与外路连接便产生电流单结CIGS薄膜太阳电池的基本结构由衬底、背电极层、吸收层、缓冲层、窗口层、减反层、电极层组成。

典型的CIGS薄膜太阳电池的结构为:Glass/Mo/CIGS/ZnS/i-ZnO/ZAO/MgF2,如图2所示。

图2CIGS是一种直接带隙材料,对可见光的吸收系数高达105(cm-1),优于其他电池材料。

对比图3中的各种薄膜电池材料吸收系数的曲线,可知CIGS材料的吸收系数最高。

CIGS薄膜电池的吸收层仅需1~2mm厚,就可将阳光全部吸收利用。

因此,CIGS最适合/做薄膜太阳电池,其电池厚度薄且材料用量少,大大降低了对原材料的消耗,减轻了In等稀有元素的资源压力。

除了材料上的有点之外,CIGS薄膜太阳能电池还具有抗辐射能力强、发电稳定性好、弱光发电性好、并且转换效率是薄膜太阳能电池之首,目前室内转换效率可达20%。

ZnSe化学浴制备方法


电沉积ZnSe薄膜法
国内的ZnSe 薄膜制备技术主要是分 子束外延(MBE)和有机金属化学 气相沉积(MOCVD),这些技术都 需要比较昂贵的设 备、较高的工艺成本和特殊甚至是有 毒的原料。 而电化学沉积具有设备和操作简单、 成本廉价、易于控制和大面积沉积等 优点,因此采用电沉积制备ZnSe 薄 膜有着重要的意义。
•烘干及热处理 •采用上述反应物和工艺过程所
得到的ZnSe薄膜样品一般呈浅 黄色,在干燥箱烘干后,
•颜色变为黄色,最后将样品置
于气氛炉中热处理,在N 气氛下 400℃退火1 h,即得颜色
•2 •为亮黄色的ZnSe薄膜样品。


分子束外延生长法
MBE法的突出优点 是能生长极薄的单晶 薄膜,并能够控制膜 厚和组分与掺杂。但 是这种方法容易在界 面上生成Ga-Se键, 引入高密度的缺陷。
THANKS
化学浴沉积具体过程...
试验步骤 首先是反应所需的阴离子前驱物硒代硫酸钠的制备:将一定量的分析纯硒粉加入热的 Na SO 溶液中,90°C恒温磁力搅拌加热 8小时以上,放置一夜然后过滤出多余的硒 粉。
衬底的处理:普通商用 75×25×1mm 玻璃片,用重铬酸钾溶液浸泡 24 小时以后, 置于丙酮中超声清洗,然后在无水乙醇中超声清洗,最后用去离子水超声清洗。烘箱 中烘干备用。薄膜沉积装置为本实验室自制的化学浴装置。 ZnSe 薄膜的沉积:将一定量的浓度为0.5mol/L 的醋酸锌溶液中加入体积比为 87% 的三乙醇胺溶液并搅拌使之均匀混合,待溶液中出现了白色絮状物时,给溶液中加入 一定的 25%的水合肼溶液,并搅拌均匀。接着通过加入适量的 NaOH溶液来调节反 应溶液的 pH值,此时,溶液澄清,加入一定量的新配制的硒代硫酸钠溶液,再加去 离子水将溶液体积调节到 100mL。85-2 型恒温磁力搅拌器上放置一个大烧杯,装上 去离子水形成恒温水浴,将盛有反应溶液的烧杯,在室温下搅拌均匀,置于 70°C恒 温水浴中,然后把经过洁净处理并烘干的玻璃衬底垂直插入反应溶液中进行薄膜沉积。

NSTDA非晶硅薄膜太阳能生产工艺流程

NSTDA非晶硅薄膜太阳能生产工艺流程1. 材料准备:首先,需要准备用于制备非晶硅薄膜太阳能电池的基础材料,包括硅基底材料和各种化学溶液。

2. 清洗:将硅基底材料进行清洗,以确保表面干净无尘和油脂,以确保后续生产步骤的质量。

3. 沉积非晶硅薄膜:利用化学气相沉积(CVD)技术,在基础材料表面沉积非晶硅薄膜。

这一步骤需要精密的控制温度、压力和化学气体浓度等参数。

4. 结构化:利用光刻和蚀刻技术,将已沉积的非晶硅薄膜进行结构化,形成太阳能电池的电极结构。

5. 金属化:在结构化的非晶硅薄膜表面,沉积金属电极,以建立电池的电流传输路径。

6. 组装封装:将制备好的非晶硅薄膜太阳能电池进行组装封装,以保护电池并方便其在实际应用中的安装和使用。

整个工艺流程需要高度的技术和设备支持,以确保最终产品的质量和性能。

NSTDA非晶硅薄膜太阳能生产工艺流程是一个集成了材料科学、工艺工程、控制技术等多种学科知识的复杂工程,对工艺技术人员的要求也非常高。

通过不断的技术创新和工艺优化,可以提高非晶硅薄膜太阳能电池的效率和稳定性,促进其在可再生能源领域的应用和推广。

NSTDA(National Science and Technology Development Agency)是泰国的国家科学和技术发展机构,致力于促进科技创新和应用,以推动泰国的可持续发展。

在太阳能领域,NSTDA致力于研发和推广新型的太阳能电池技术,其中非晶硅薄膜太阳能电池就是其中之一。

非晶硅薄膜太阳能电池是一种第三代薄膜太阳能电池技术,它采用非晶硅(a-Si)材料作为光电材料,相比于传统的硅晶太阳能电池,非晶硅薄膜太阳能电池具有成本较低、柔性化、轻质化等优势,有望成为未来太阳能领域的重要技术。

其制备工艺需要精密的控制和高度的技术要求,才能实现高效的太阳能电池生产。

在制备非晶硅薄膜太阳能电池的生产工艺中,核心部分是非晶硅薄膜的沉积。

这一步骤一般采用化学气相沉积(CVD)技术,通过将气相的非晶硅物质输送到基板表面,通过化学反应形成非晶硅薄膜。

CdTe太阳能电池解析

四川大学正在进行0.1m2组件生产线的建设和大面积 电池生产技术的研发。
2.碲化镉太阳能电池原理
Ⅱ一Ⅵ族化合物 能隙为1.45eV 直接禁带半导体
CdTe
吸收系数~105/cm
CdTe多晶薄膜制备 技术较多,且简单 高效、稳定且相对
低成本
2.碲化镉太阳能电池原理
2.碲化镉太阳能电池原理
CdTe太阳能电池发电的原理是基于光伏效应,即由太阳光子与半导体相互作而 产生电势从而输出电流对外做功。 p/n结型太阳能电池的基本工作原理是:P型半导体和n型半导体结合在一 起形成p-n结,由于多数载流子的扩散形成空间电荷区,同时形成一个不断增 强的从n型到P型半导体的内建电场,导致多数载流子反向飘移。当这一过程 达到平衡,扩散电流和飘移电流相等。当有光照射p-n结,且光子能量大于P-n 结的禁带宽度时。吸收层的电子获得能量跃迁到导带,同时在价带中产生空穴。 在P-n结附近会产生电子.空穴对。产生的非平衡载流子由于内建电场作用向 空间电荷区两端漂移从而产生光生电势。将p-n结与外电路导通,电路中会出 现电流。这一现象称为光生伏特效应,简称光伏效应。
➢国内四川大学的碲化镉薄膜太阳能电池工业化生产技术研究 进展顺利,将推动我国碲化镉薄膜太阳能电池的规模生产。
参考文献
【l】冯垛生,张淼,赵慧,林珊.2009.太阳能发电技术与应用[M】,北京: 人民邮电出版社.
【2】杨德仁.2006.太阳电池材料【M】,北京:化学工业出版社. 【3】刘柏谦,洪慧,王立刚.2009.能源工程概论【M】,北京:化学工业出
CdTe太阳能电池
10cm*10cm小型碲化镉薄膜太阳能电池模组
碲化镉太阳能电池研究进展 碲化镉太阳能电池原理 碲化镉太阳能电池制作工艺 碲化镉太阳能电池成本估算 碲化镉太阳能电池优势与缺陷
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1999年9月 南昌航空工业学院学报September 1999第13卷第3期 JournalofNanchangInstituteofAeronauticalTechnologyVo1.13 No.3

水浴沉积法制备太阳能电池用CdS薄膜敖建平,徐勤友,孙国忠(南昌航空工业学院 材料工程系,江西南昌330034)

摘要:本文用化学沉积法和电化学沉积法制备太阳能电池用半导体薄膜硫化镉(CdS),对成膜的影响因素进行了测试。结果表明,化学沉积CdS质量较好,沉积速度较慢,受pH的影响较大,且水浴容器壁上沉积有大量的CdS膜。电化学沉积CdS的电流密度在0.5~2.5mA󰃗cm2的范围内,沉积速度快,材料消耗少,但是对电流密度过于敏感,

成膜参数难以控制。

关键词:太阳能电池;CdS薄膜;制备;化学沉积;电化学沉积。中图分类号:TM914.42

前言

水浴法制备化合物半导体薄膜是太阳能电池的一个发展的重要方向,它包括水浴化学沉积法和水浴电化学沉积法。水浴法具有成本低、成膜温度低、适合于制备大面积薄膜、易于实现连续生产、无污染、材料消耗量少等优越性,受到人们极大的关注,是目前太阳电池研究的热点〔1〕。CdS是一种n-型半导体,室温下能带间隙为2.42eV,通常作为化合物半导体太阳电池的窗口层〔2〕。多采用水浴化学沉积的方法制备。本文用水浴化学沉积法和电化学方法,在不同基体上制备了CdS半导体薄膜,对成膜条件及膜的性能进行了探索性研究。

1 实验1.1 水浴化学沉积CdS

将Cd(NO3)2、KOH、SC(NH2)

2单独配成0.02M、0.5M、0.2M的溶液NH4Cl和

NH4NO3配成浓度为0.04M和1.46M的混合溶液待用。以不锈钢片、钼片、钛合金片和玻璃片作为试样,进行化学沉积。将10mlKOH溶液倒入10ml的Cd(NO3)

2溶液中,搅拌均匀,再依次倒入10ml的

NH4Cl和NH4NO3混合溶液、10ml的硫脲溶液,搅拌得到无色透明的混合溶液,用氨水调节pH值为9.75,置于80±3℃的恒温水浴中,将试片垂直浸入混合溶液中进行化学沉积。1.2 水浴电化学沉积CdS

收稿日期:1999-08-28 第一作者:敖建平,女,1961年生,副教授。将CdCl2和Na2S2O3分别配成浓度为0.2M和0.01M的溶液备用。将30mlCdCl2溶液和30mlNa2S2O3溶液混合均匀,用稀HCl调节pH为2.0,以钼片、不锈钢片和钛片作为试样,碳棒作为阳极,采用恒电流法进行电化学沉积。1.3 Cu2S󰃗CdS太阳电池的制备将沉积有CdS的试片干燥,在2%CuCl+1%盐酸羟胺溶液(90℃)中浸泡5~15S,然后在120℃的空气中热处理1h,再在140℃的空气中热处理4h,取出后空冷。即可制得Cu2S󰃗CdS太阳电池。

2 实验结果与讨论2.1 化学水浴沉积在水浴化学沉积过程中,溶液中的Cd(NO3)

2提供Cd2+,KOH提供OH-,硫脲提供

S

2-

,

铵盐提供NH

+

4且作为缓冲盐存在,发生如下反应

〔3〕

:

Cd2++4NH+4+4OH-→Cd(NH3)42++4H2OS=C(NH2)2+2OH-→S2-+2H2O+CH2N2

Cd2++S2-→

CdS

在pH值为8.0、温度为80±3℃的条件下,CdS以一定的速度沉积在试片上成膜,其膜的形成及化学反应过程可表示为:

Cd(NH3)2+4+S=C(NH2)2+2OH-→

CdS+CH2N2+2H2O

或Cd(NH3)2+4+S=C(NH2)2+4OH-→CdS+6NH3+CO

2-

3+H2O

实验表明,若将Cd(NO3)

2溶液用相同浓度的CdSO4代替,则不能沉积出CdS膜层。

2.1.1 成膜速度及其影响因素CdS膜层的质量与基体表面的状态有很大的关系。试验表明,当玻璃试片经过仔细除油-

清洗-丙酮擦洗-蒸馏水冲洗-干燥后,进行沉积可得到质量较好的膜层。若清洗不够彻底,

则沉积膜与玻璃基体的结合力差,膜的均匀性也差。沉积时间对成膜的影响如表1所示。透明的玻璃试片上沉积CdS层的颜色可以判断膜层的相对厚薄,颜色越深,膜层越厚。表1 沉积时间对玻璃上沉积CdS状态的影响试片编号1#2#3#

沉积时间(min)

120150180

膜层颜色淡黄淡黄深黄膜层干涉色亮黄浅黄浅蓝带黄膜层附着力一般较好较好表观质量不均匀均匀均匀 注:1.沉积温度80±30℃,pH=8.0;2.膜层颜色为透明玻璃试样上CdS的目测颜色;3.干涉颜色为CdS在侧光时的反射色;4.附着力试纸擦拭测定,擦试时基本不损坏为好,稍损为一般,有较多损坏为较差。 试样材料对CdS沉积速度的影响如表2所示。从表中可以看出,CdS薄膜在金属基体上

第3期 敖建平 等:水浴沉积法制备太阳能电池用CdS薄膜 13

的沉积速度比在玻璃上快。一般采用钼作为太阳电池的背电级,是因为它与化合物半导体具有良好的晶格匹配性,CdS在其上可以直接以表面上的钼原子团作为晶核沉积,所以沉积的速度也要快些。而玻璃是非晶结构的材料,CdS在其上沉积必须先形成晶核再长大,所以速度要慢些。表2 基体材料对沉积速度的影响

试样编号基体材料沉积时间(min)沉积速度(nm󰃗min)

5#玻璃1201.256#玻璃1501.17#钼1501.98#钼1501.7

注:沉积条件同表1。

2.1.2 氨水对化学沉积过程的影响在化学沉积过程中,由于反应温度较高,溶液中的NH

+

4在碱性条件下会形成NH3逸出反

应体系,降低溶液的pH值。实验测试了,添加氨水维持pH不变与不添加氨水时对沉积速度的影响,结果如表3所示。从表中可以看出,当添加氨水维持pH不变时,反应中出现黄色CdS悬浮物的时间要长,而不加氨水时则出现黄色悬浮物的时间短。此外,当维持pH不变时,CdS沉积的速度更快。表3 氨水对CdS在玻璃试片上沉积速度的影响

试样编号溶液出现黄色悬浮物时间(min)沉积膜的时间(min)是否滴加氨水膜的厚度(Λm)沉积速度(nm󰃗min)

11#20120不加5.400.4512#25180不加8.250.4613#30120加6.360.5314#30180加9.000.50 注:沉积条件同表1。此外,在试片上沉积CdS的同时,容器壁上也沉积出一层CdS。这种反应是一种无效反应,良费原材料。因此,进一步研究的目标应该是将这种无效反应减少到最小。2.2 电化学浴沉积2.2.1 电沉积时间对CdS层表观质量的影响在不锈钢试样上电沉积CdS时,沉积时间对质量的影响较大,如表4所示。从表中可以看出,随着沉积时间的延长,膜的干涉色发生变化,表观均匀平整,当沉积时间达到50min时,表观变得不均匀且不平整。表4 时间对不锈钢上电沉积CdS膜表观质量的影响试片编号1#2#3#4#5#

沉积时间(min)

510203050

干涉颜色蓝色蓝色红色银红色彩虹色表观状态表观均匀平整不均匀、有麻点 注:电流密度为1mA󰃗cm

2

;沉积温度为80±30℃。

2.2.2 电流密度对电化学沉积的影响

14 南昌航空工业学院学报 1999年不同电流密度沉积CdS的结果如表5所示。从表中可以看出,当电流密度为1mA󰃗cm

2

时,沉积速度为4nm󰃗min,而电流为1.12mA󰃗cm2时,沉积速度为6.4nm󰃗min,达到最大值。随后电流密度增加,沉积速度反而下降。当电流密度足够大时,试样表面就不能沉积出CdS膜层。由此可见电流密度对膜层沉积的速度影响非常大,且不能用一般的法拉弟方法进行计算。这一点还说明电化学沉积对电流密度过于敏感,成膜参数难以控制,不利于膜层质量的控制。曾经有人用恒电位沉沉积CdS薄膜,沉积速度在1~60nm󰃗min之间〔4,5〕。表5 钼试样上不同电流密度对沉积速度的影响

试样编号电流密度mA󰃗cm2膜层厚度Λm沉积速度

nm󰃗min

1#0.54.12.12#1.08.04.03#1.0912.66.34#1.1212.86.45#1.2810.65.36#1.55.42.77#2.04.22.18#2.52.81.49#3.01.00.5 比较表2和表5,还可以看出,电化学沉积的速度远大于化学沉积。此外,电化学沉积,不会在容器壁上沉积CdS膜。所以电化学沉积与化学沉积相比,具有生产过程短、原材料消耗少的特点。这有利于提高生产效率,降低生产成本。2.3 CdS光电性能测试为了检测所制得CdS薄膜的光电性能,本实验还制备Cu2S󰃗CdS太阳电池。方法是将上述制备好的厚度为12.6Λm的CdS膜在90℃的2%CuCl+1%盐酸羟胺溶液中浸泡8S,取出进行热处理,以得到Cu2S层。反应式为:

CdS+2CuCl=Cu2S+CdCl2

控制反应时间,即可得到不同厚度的Cu2S膜。热处理是在120℃的空气中保持1小时,再

在140℃的空气中保持4小时。以基体金属为一个电极,在膜层表面压一小片与基体相同的金属作为另一个电极,用数字电压表可测出其开路电压和短路电流。测量结果如表6所示。从表中可以看出,用这种方法制备的Cu2S󰃗CdS具有太阳电池的特征,在阳光下,有开路电压和短路电流。在测量过程中,当用物体遮挡照在电池上的阳光时,开路电压及短路电流减小,当用凸透镜聚光在电池上时,开路电压和短路电流增加。这是没有采用任何贵重设备制备的太阳电池,工艺过程十分简单,虽然离实际应用的要求还有较大的差距,但是值得人们进一步去研究。

3 结论(1)化学沉积CdS薄膜的速度受沉积过程中的pH变化的影响,若维持pH不变则可得到

较大的沉积速度;

第3期 敖建平 等:水浴沉积法制备太阳能电池用CdS薄膜 15

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