模拟电子电路基础(胡飞跃)第5章答案
大学课程模拟电子技术基础第5章课件
1 ( f )2 fL
90o tan1 f
fL
90o tan1 f
fL
1. 当 f fL 时, 20 lg A&u 0 dB, 0o
2. 当 f fL 时,
3. 当 f fL 时,
20lg A&u 20lg 2 3 dB, 45o
20 lg
A&u
20 lg
f fL
20dB／十倍频
高 路通
电
幅频图
fL
相频图
低
通 电
fH
路
极间 电容
低通电路
fH : 上限截止频率
A&u
1
1 j
f
fH
5.1.3 波特图
幅频特性——Ｘ：lg f ， Ｙ： 20 lg A&u
相频特性——Ｘ：lg f ， Ｙ：
f
高通电路：
A&u
fL 1 ( f )2
fL
20 lg
A&u
20 lg
f fL
20 lg
( f )
相频特性: 放大电路放大倍数的相位随频率变 化的关系
5.1.2 RC电路的频率响应
耦合 电容
高 通 电 路
: 时间常数
A&u
U&o U&i
R
R
1
1 1 1
jC
j RC
令
L
1 RC
1
则
fL
L 2
1
2
1
2 RC
jf
A&u
1
1
L
1 1 fL
1
fL jf
j
jf
电子技术基础模拟部分第5章
•5.1.3 P沟道MOSFET
•5.1.4 沟道长度调制效应
•实际上饱和区的曲线并不是平坦的 •修正后
•L的单位为m
•当不考虑沟道调制效应时，＝0，曲线是平坦的。
•5.1.5 MOSFET的主要参数
•一、直流参数
•1. 开启电压VT （增强型参数） •2. 夹断电压VP （耗尽型参数） •3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） •4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ）
•二、交流参数
•1. 输出电阻rds
•NMOS增强 型
•当不考虑沟道调制效应时，＝0，rds→∞
•5.1.5 MOSFET的主要参数
•二、交流参数
•2. 低频互导gm
•考虑到 •则
•其中
•5.1.5 MOSFET的主要参数
•三、极限参数
•1. 最大漏极电流IDM •2. 最大耗散功率PDM •3. 最大漏源电压V（BR）DS •4. 最大栅源电压V（BR）GS
•靠近漏极d处的电位升高 •电场强度减小•沟道变薄
•整个沟道呈楔形分 布
•2. 工作原理
•（2）vDS对沟道的控制作用
•当vGS一定（vGS >VT ） 时•v，DS•ID•沟道电位梯度
当vDS增加到使vGD=VT 时，
在紧靠漏极处出现预夹断。
在预夹断处：vGD=vGS-vDS
=VT
•2. 工作原理
•3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 •（2）转移特性
•5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET
•1. 结构和工作原理（N沟道）
•二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 •可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流
•5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET
模拟电子技术基础王卫东最新版课后习题答案第五章
第五章 放大电路的频率特性5.1 已知某级联放大电路的电压增益函数为：)10)(10(10100)(6713++⨯-=s s s A u试画出它的幅频波特图和相频波特图；?))(0(=dB A u解：由题可知 0)(lim =∞→s A u s （即m n >，极点数目大于零点数目），且极点数值较大。
该增益函数为高频增益函数。
故中频增益为100)(lim )0(0-===→s A A A u s u o即 dB dB A u 40100lg 20))(0(=-= 中频段相移 o o 180-=ϕ 由频率响应函数)101)(101(100)10)(10(10100)(767613ωωωωωjjj j j A u ++-=++⨯-=可得幅频特性 2726)10(1lg 20)10(1lg 20100lg 20))((ωωω+-+--=dB A u 2726)10(1lg 20)10(1lg 2040ωω+-+-=dB 相频特性 761010180)(ωωωϕarctgarctgo---=画出其幅频波特图和相频波特图分别如题5.1解图(a)和(b)所示。
4020题5.1解图-180o - -270o -360o5.3某放大器增益函数为：)10)(10()10(10)(322+++-=s s s s s A u ，试画出它的幅频波特图和相频波特图。
解：由题可知该放大器增益函数存在两个一阶极点：101=p ，3210=p ；两个一阶零点：01=z ，2210=z 。
根据一阶零、极点波特图的特点，画出其幅频波特图和相频波特图分别如题5.3解图(a)和(b)所示。
5.6单级共射放大电路如题5.6图所示。
已知Ω=K R c 2，Ω===K R R R L e s 1，Ω=K R R b b 10//21，F C μ51=，F C μ102=，F C e μ100=，BJT 参数44=β，Ω=K r be 4.1，试估算出该放大器源电压增益的低频截止频率L f 。
第五章 习题及解答
解答：
习题5..2解答
5.3电路和 、 的波形如图5-29所示，试画出相应Q的波形。
5.4电路如图5-30所示，设Q1、Q2的初始状态均为0，试画出在CP的作用下，Q1和Q2的波形图。
图5-29习题5..3图图5-30习题5.4电路图
解答：
习题5..3解答习题5.4解答
5.5试画出图5-31（a）所示的电路在图5-31（b）的激励信号的作用下，Q和Z的波形（设Q的初始状态为0）。
第五章
5.1根据图5-27（a）和图5-27（b）所示的电路，分别在表5-6和表5-7的空格中填入正确的数值或符号。
图5-27习题5.1电路图
解答：
表5-6图5-27（a）对应表格表5-7图5-27（b）对应表格
J K
Qn+1
D
Qn+1
0 1
×，×
0
1，0
×
1
1 0
1 1
1
0 11Βιβλιοθήκη 05.2假设如图5-28所示的各触发器的起始状态均为0，试画出在CP作用下Q端的波形。
图5-31习题5..5图
解答：
习题5..5解答
5.6逻辑电路如图题5-32所示，已知CP和X的波形，试画出Q1和Q2的波形。触发器的初始状态均为0。
解答：
`
图5-32习题5..6图`
5.7逻辑电路如图5-33所示，已知CP'和A的波形，画出触发器Q端的波形，设触发器的初始状态为0。
解答：
5.8逻辑电路和各输入信号波形如图5-34所示，画出两触发器Q端的波形。两触发器的初始状态均为0。
图5-34习题5..8图
解答：
5.9逻辑电路和输入信号波形如图5-35所示，画出各触发器Q端的波形。触发器的初始状态均为0。
《电路与模拟电子技术基础》课后习题答案
习题 11－1在题图1－1 所示电路中，（1）选d 为参考点，求Va、V b和V c；（2）选c 为参考点，求Va、V b和V d。
题图1－1解（1）当选d 为参考点时，V a =u ad = 3VV b =ubd=ubc+ucd= 2 - 1 = 1V ；Vc=ucd=-1V（2）当选c 为参考点时，V a =u ad +u dc = 3 + 1 = 4VV b =ubc= 2V ；Vd=udc= 1V1－2 求题图1－2 中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
题图1－2解I = 2A ；U = 5I - 3 + 3I = 13V电流源功率电压源功率P1=-2 ⋅U =-26W （产生）P2=-3 ⋅I =-6W （产生）1－3 试求题图1－3 (a)（b）所示电路的电流I 及受控源功率。
(a)(b)题图1－3解（a）2I + 4I + 6 = 0 ；I =-1A受控电压源功率6P = 4I ⋅I =-4W （产生）（b）I = = 2A3受控电流源功率P = 2I ⋅ (-3 ⨯ 2I + 2) =-40W （产生）1－4 求题图1－4 中的I 、U S 。
题图1－4解I = 2 - 3 +2 ⨯(2 - 3) + 2 ⨯5= 7A1US= 2I + 2 ⨯(2 - 3) + 5⨯ 2 = 14 - 2 +10 = 22V 1－5 试求题图1－5 中的I 、I X 、U 及U X 。
题图1－5解I = 3 -1= 2A ；I X =-1 -I =-3AU = 5 ⋅IX=-15VUX = 5 ⋅IX- 2 ⨯ 3 - 4 =-25V1－6 电路如题图1－6 所示，求图(a)中的ab 端等效电阻及图（b）中电阻R 。
(a)(b)题图1－6⎛ 6 + 6 ⨯ 6 ⎫ ⨯ 18⎪ 解 (a) R =⎝ 6 + 6 ⎭+ 4 = 6 + 4 = 10Ω 6 + 6 ⨯ 6 + 186 + 6(b) R =38 - 3 - 3 = 12 Ω72 41－7 电路如题图 1－7 所示，求图（a ）中的电压U S 和U 及图（b ）中U = 2V 时电压U S 。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
第五章 数字电路基础试题及答案
第五章 数字电路基础一、填空题：1.（7-4易）______AB AB +=。
2.（7-4易）_____A AB +=。
3.（7-4中）______A AB +=。
4.（7-4难）___________AB AC BC ++=。
5.（7-2易）逻辑代数有 、 和逻辑非三种基本运算。
6.（7-4易）1____A ⊕=。
7.（7-4易）A ⊙1=__________。
8.（7-2易）如果输入与输出的关系是"有0出1，全1出0"，这是 逻辑运算。
"全0出0，有1出1"，这是 逻辑运算。
9.（7-2中）异或门的逻辑功能是 、 。
10.（7-1易） 晶体二极管具有____________特性，利用这一特性可作开关电路。
11.（7-1易）晶体二极管从导通到截止需要一段时间，称之为_______________。
12.（7-1易） 晶体三极管通过对其基极电位控制，可使其处于________状态或_______状态。
13.（7-1易） 晶体三极管的U BE _____ U th (填>,<,或=)时，其处于截止状态。
（U th 为三极管发射结导通电压）。
14.（7-1中） 在实验和实际中，可在三极管的基极电阻上并联一个______________来加速管子开启和关闭速度。
15.（7-3易） n 个变量有________个最小项。
16.（7-2易） 三态输出与非门的输出端有三种状态：______，______，______。
17.（7-3中） （127）10＝( )2=( )8=( )1618.（7-3中） （254.25）10＝（ ）2＝（ ）8＝ （ ）1619.（7-3难）（2.718）10＝（ ）2（小数点后保留4位）＝ （ ）8＝（ ）1620.（7-4难）AB A C BC ++=_______________。
21.（7-1易）逻辑变量的取值有种，即。
模拟电子电路基础答案(胡飞跃)第6章答案
-VCC(-15V)
VC2 0
又R1 R2 R1 R2 14.7k
习题6.5
β足够大，故所有三极管基极 电流为0，则
5 0.7 0.7 (5V ) I REF 1mA 8.6k 所有BJT均匹配，故 I1=IREF=1mA I2=3IREF=3mA I3=2IREF=2mA
习题6.13
（1）直流分析：假设所有BJT都工作在放大区 VZ VBE IE3 0.978mA 4.7k
IC IC1 IC 2 IC 3 / 2 I E 3 / 2 0.485mA
VE1 VE 2 VC 3 0.7V
VT3
VC1 VC 2 VCC IC RC 9.5265V
IREF
I6
VT1和VT3、VT4构成电流源， 可得
I3 I 4 I REF 1.86mA I5
VT5和VT6构成电流源，可得
I6 I5 1.86mA
VT2和VT7、VT8、 VT9构成电流源，可得
I7 2I REF 3.72mA
I9 I REF 1.86mA I10
1 W I D1 nCox (VGS 1 Vt ) 2 2 L
VT2
I D1 107.65 A
I D2 (W / L)2 I D1 21.53 A (W / L)1
习题6.4
VEE(15V) R1 R2
该电路作为恒流源电路设计，基本要求 VT2要工作在放大区，因此有
VEC 2 VEC ( sat ) 0.3V
VE 3 VEE VZ VBE 7.4V
显然三个BJT都工作在放大区 (2)小信号参数： gm IC / VT 19.4mA / V 差模电压增益 Ad gm RC 98.94V / V (3)
模拟电子技术第五版基础习题与解答
模拟电子技术第五版基础习题与解答近年来，随着电子技术的飞速发展，模拟电子技术成为了电子领域中不可或缺的一部分。
针对这一现象，本文将为读者介绍《模拟电子技术第五版》的基础习题与解答。
第一章：放大电路基础知识习题一：1. 解释放大电路中的增益概念。
2. 请说明共射放大电路的特点及其适用范围。
3. 对于共集放大电路，它的输出特点是什么？如何计算其电压增益？解答一：1. 放大电路的增益是指输出信号与输入信号之间的比例关系。
通常用电压增益(Av)和功率增益(Ap)来表示。
2. 共射放大电路输入阻抗较高，输出阻抗较低，适用于信号放大和阻抗匹配。
3. 共集放大电路的输出电压与输入电压具有相同的相位，但电压增益小于1，计算公式为Av = (1+β)*Rc / (Re + (1+β)*Rc)。
第二章：场效应管习题二：1. 解释场效应管的工作原理。
2. 请列举并描述几种常见的场效应管类型及其特点。
3. 对于n沟道增强型MOSFET，如何进行静态工作点分析与计算？解答二：1. 场效应管是一种电压控制器件，根据栅极电压的大小来调节电流。
其工作原理主要有MOSFET和JFET两种。
2. 常见的场效应管类型包括MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）和JFET（结型场效应管）。
MOSFET具有输入阻抗高、功耗低等特点；而JFET具有低噪声、电压放大倍数高等特点。
3. 对于n沟道增强型MOSFET，静态工作点分析与计算需要考虑栅极电流与漏极电流之间的关系，以及沟道导电性等因素。
第三章：运算放大器习题三：1. 解释运算放大器的原理。
2. 请列举并描述几种典型的运算放大器电路。
3. 对于反相运算放大器，它的电压增益如何计算？解答三：1. 运算放大器是一种增益很大的差分放大电路，它可以将微弱的输入信号放大成较大的输出信号。
2. 典型的运算放大器电路包括反相运算放大器、非反相运算放大器、综合运算放大器等。
它们分别具有不同的输入输出关系和放大性能。
模拟电子技术第五章
题 某差动放大电路如图5-16所示，设对管的β=50，r bb ′=300Ω,U BE =，R W 的影响可以忽略不计，试估算：1．T 1，T 2的静态工作点。
2.差模电压放大倍数A ud =1211oΔΔΔU U U -V EE (-12V)解：1.静态工作点计算，令120i i u u == 1210.92(1)EE BEB B b eU U I I A R R μβ-===++120.54C C B I I I mA β===12()(2)7.7CE CE CC EE C c e U U U U I R R v ==+-+≈2. 26(1)2.75be bb E mvr r k I mAβ'=++≈Ω 1222o cud i i b beU R A U U R r β∆==-≈-∆-∆+题 在图5-17所示的差动放大电路中，已知两个对称晶体管的β=50，r be =Ω。
1．画出共模、差模半边电路的交流通路。
2．求差模电压放大倍数i2i1oud ΔU U U A ∆∆-=。
3．求单端输出和双端输出时的共模抑制比K CMREE解：1.在共模交流通路中，电阻R 开路，故其半边电路的射极仅接有电阻Re;在差模交流通路中，电阻R 的中点电压不变，相当于地，故其半边电路的发射极电阻为Re 和R/2的并联。
2. 123.5(1)(//)2od Cud i i be e U R A R U U r R ββ==-=--++3.双端输出条件下： 3.5,0,ud uc CMR A A K =-==∞单端输出条件下：1.75,0.4(1)OC Cud uc IC be eU R A A U r R ββ=-==-=-++ 4.2udCMR ucA K A == 题 在图5-18的电路中，T 1，T 2的特性相同，且β很大，求I C2和I CE2的值，设U BE =。
EE图5-18题 电路如图所示，用镜像电流源(1T 、2T )对射极跟随器进行偏置。