光电材料的研究现状及其未来

3、新型半导体材料与光电子器件技术
研究目标：重点研究自组装半导体量子点、 ZnO晶体和低维量子结构、窄禁带氮化物等新 型半导体材料及光电子器件技术。
研究内容及主要指标： 1) 研究ZnO晶体、低维量子结构材料技术， 研制短波长光电子器件 (A类) 2) 自组装量子点激光器技术 (A类) 3) Ⅲ-Ⅴ族窄禁带氮化物材料及器件技术(A 类) 4) 光泵浦外腔式面发射半导体激光器(A类)
术(B类) 4) 基于微光电机械(MOEMS)芯片技术的8′8
以上阵列光开关关键技术(A类) 5) 光电子芯片与集成系统(Integrated System)
的无生产线设计技术研究(A类)
2、 通信光电子关键器件技术
研究目标：针对干线高速通信系统 和密集波分复用系统、全光网络以及光 接入网系统的需要，重点进行一批技术 含量高、市场前景广阔的目标产品和单 元技术的研究开发，迅速促进相应产品 系列的形成和规模化生产，显著提高我 国通信光电子关键器件产业的综合竞争 能力。
研究内容及主要指标： (1) 速率在10Gb/s以上的高速光探测器组
件(PIN-TIA) 目标产品和规模化生产技术，直 接调制DFB-LD目标产品和规模化生产技术， 光转发器(Transponder)目标产品和规模化生产 技术；(均为B类，要求企业负责并有配套投入)
(2) 40通道、0.8nm间隔EDFA动ห้องสมุดไป่ตู้增益均 衡关键技术(A类)；
研究内容及主要指标： 1) 光电集成芯片技术 (1)速率在2.5Gb/s以上的长波长单片集成
光发射机芯片及模块关键技术(A类) (2) 高速 Si基单片集成光接收机芯片及模
块关键技术(A类) 2) 基于平面集成光波导技术的OADM芯片
及模块关键技术(A类) 3) 平面光波导器件的自动化耦合封装关键技
4、 光电子材料与器件产业化质量控制技术(A类)
研究目标：发展人工晶体与全固态激光器、 GaN基材料及器件表征评价技术，解决产业化 质量控制关键技术。
研究内容：重点研究人工晶体与全固态激 光器、GaN基材料及器件质量监测新方法与新 技术，相关产品测试条件与数据标准化研究。
5、光电子材料与器件的微观结构设计与性能预 测研究(A类)
3) 可协变(Compliant)衬底关键技术(A类) 4) 衬底材料制备与加工技术(B类) 重点研究开发外延用蓝宝石、GaN、SiC等 衬底材料的高标抛光产业化技术（Epi-ready 级）；大尺寸（>2"）蓝宝石衬底材料制备技术 和产业化关键技术。蓝宝石基GaN器件芯片切割 技术。
5) 用于平板显示的光电子基础材料与关键 设备技术(A类)
本项目分解为七个研究方向：
第三代宽禁带半导体外延材料生长和器件技术研究； 130lm/W半导体白光照明集成技术研究； 100lm/W功率型LED 制造技术开发； MOCVD装备核心技术及关键原材料产业化技术开发； 半导体照明重大应用技术开发； 半导体照明规模化系统集成技术研究； 半导体照明产业技术标准、评价体系与专利战略研究。 此次发布的课题申请指南经费预算为22000万元。
“十·五”863项目申请指南
（一）新型光电子材料及相关基础材料、关键设备和 特种光电子器件
1、光电子基础材料、生长源和关键设备 研究目标：突破新型生长源关键制备技术，掌握
相关的检测技术；突破半导体光电子器件的基础材料 制备技术，实现产业化。
研究内容及主要指标： 1) 高纯四氯化硅(4N)的纯化技术和规模化生产技 术(B类，要求企业负责并有配套投入) 2) 高纯(6N)三甲基铟规模化生产技术(B类，要求 企业负责并有配套投入)
光电材料的研究现状及其未来
路漫漫其悠远
少壮不努力，老大徒悲伤
“十一·五”863项目重大项 目
“十一·五 ”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料 技术领域重大项目“半导体照明工程”2006年度课题申请 指南
研究开发高效节能、长寿命的半导体照明产品是《国家中长期科 学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》工业节能优先主题的重要内 容。“半导体照明工程”项目在“十一五”的战略目标是：通过自主 创新，突破白光照明部分核心专利，解决半导体照明市场急需的产业 化关键技术，建立完善的技术创新体系与特色产业集群，完善半导体 照明产业链，形成我国具有国际竞争力的半导体照明新兴产业。
（二）通信用光电子材料、器件与集成技术
1、集成光电子芯片和模块技术
研究目标：突破并掌握用于光电集成 (OEIC)、光子集成(PIC)与微光电机械(MOEMS) 方面的材料和芯片的关键工艺技术，以典型器 件的研制带动研究开发工艺平台的建设和完善， 探索集成光电子系统设计和工艺制造协调发展 的途径，促进芯片、模块和组件的产业化。
大面积(对角线>14″)的定向排列碳纳米管或 纳米棒薄膜生长的关键技术; 等离子体平板显示 用的新型高效荧光粉的关键技术。
2、人工晶体和全固态激光器技术
研究目标：研究探索新型人工晶体材料与应用技 术，突破人工晶体的产业化关键技术，研制大功率全 固态激光器，解决产业化关键技术问题。
研究内容及主要指标： 1) 新型深紫外非线性光学晶体材料和全固态激光 器(A类); 2) 面向光子/声子应用的人工微结构晶体材料与器 件 (A类); 3) 研究开发瓦级红、蓝全固态激光器产业化技术 (B类)，高损伤阈值光学镀膜关键技术(B类)，基于全 固态激光器的全色显示技术(A类); 4) 研究开发大功率半导体激光器阵列光纤耦合模 块产业化技术(B类); 5) Yb系列激光晶体技术(A类)。
研究目标：提出光电子新材料、新器件的 构思，为原始创新提供理论概念与设计
研究内容：针对光电子技术的发展需求， 结合本主题的研制任务，采用建立分析模型、 进行计算机模拟，在不同尺度（从原子、分子 到纳米、介观及宏观）范围内，阐明材料性能 与微观结构的关系，以利性能、结构及工艺的 优化。解释材料制备实验中的新现象和问题， 预测新结构、新性能，预报新效应，以利材料 研制的创新。低维量子结构材料新型表征评价 技术和设备。