第5章第1章现代传感技术与系统

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5.3.2 内光电效应及其器件
(1) 光敏二极管(光电二极管, PD: Photo-Diode)
原理: PN结 无光时---高阻特性,微弱电流—暗电流,μA
PN
光照时---电子→N,空穴→P → 光电流 光照愈强 --- 光电流愈大
特性: 光照特性:
光谱特性:
动态特性:
灵敏度和线性好,
第5章 光电式传感器
• 5.1 光电传感器概述 • 5.2 常用光源 • 5.3 光电效应及光电元件 • 5.4 光电编码器 • 5.5 光栅传感器
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5.1 光电传感器概述
• 5.1.1 光电式传感器的组成原理 • 5.1.2 特点及应用 • 5.1.3 光电式传感器的一般形式
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应用:用于光通讯,光测量
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5.3.2 内光电效应及其器件
(5) 雪崩光电二极管
雪崩效应:工作电压很高(100~200V), 接近于反向击穿电压。 结区内电场极强, 光生电子得到极大加速, 同时与晶格碰撞, 从而产生电离雪崩反应。
特点:有很高的内增益,可达到几百,灵敏度高 响应速度特别快,带宽可达100GHz,是目前最快的一种光电二极管 噪声大(随机),线性差
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5.2.5 激光光源
固体激光器:体积小,坚固,功率高
红外固体激光器 绿色固体激光器 红宝石固体激光器
气体激光器:小巧、单色性好、能连续工作、功率小; 高光束质量、高稳定性、长寿命、低噪音、经济;
He-Ne激光器
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He-Cd激光器
He-Cd激光器(制冷)
5.2.5 激光光源
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5.3.2 内光电效应及其器件
结构:梳妆电极:
特性: 光照特性:
金属封装: 防潮
光谱特性:
动态特性:
为非线性,
存在单峰,
不易作线性检测元件 应与光源光谱匹配
应用:工业自动化---开关元件,快速响应 家电---(感应式节能灯:判断照度)
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动态特性较好, 响应时间0.1S~0.001S
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5.2.3 气体放电光源
原理:气体分子激发 → 放电 → 发光 器件: 弧光灯 --- 碳弧灯 钠弧灯 氙弧灯 水银弧灯(汞灯) 金卤灯
荧光灯 --- 气体放电+荧光粉,波长更长 日光灯:光谱接近日光 节能灯:压缩荧光灯,
特点: 效率高,省电 功率大,光色接近日光,紫外线丰富 有辐射,废弃物有汞污染、易碎 频率低,对人眼有损害,
应用:强光、色温要求接近日光
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5.2.4 发光二极管(LED)
原理:半导体,电致发光, 特点:体积小,可平面封装,固体光源,无辐射,绿色光源
功耗低(白炽灯1/8,荧光灯1/2)、发热少 寿命长(10万小时,是荧光灯的10倍 ) 、耐振动 响应快(毫秒级 )、供电电压低、易于数字控制 价格较白炽灯贵,功率低,亮度小, 器件:单色LED:红色、绿色、黄色、
反射式:光→被测物→光电元件(反射) 测量物体表面反射率、粗糙度、 距离、位置、振动;
遮光式:光→被测物→光电元件(部分遮光) 测量物体位移、振动、速度;
辐射式:被测物→光 →光电元件,辐射强度 测量辐射温度、放射线;
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5.1.3 光电式传感器的一般形式
2. 脉冲式光电传感器
透射式:
条件:光子能量 > 材料禁带宽度
种类:内光电效应
光电导效应 光生伏特效应
导带 禁带 价带
半导体能带图
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5.3.2 内光电效应及其器件
1. 光电导效应及器件
原理:光 → 半导体→ 电子-空穴对 → 导电性 → 电阻↓ 器件:光敏电阻 原理:半导体电阻器件,加直流偏压,无极性
无光照---电子-空穴对很少---电阻大(暗电阻) 有光照---电子-空穴对增多---导电性增强 特点:灵敏度高,体积小,重量轻,性能稳定; 批量生产,价格便宜 ; 材料:半导体 --- 硫化镉CdS、硒化镉CdSe;
特点:有源器件,无污染,轻便、简单、
动态特性好(硅),
工作于可见光波段---太阳能电池 连接方式: (a)开路电压输出:
(b)短路电流输出:
特性:光照特性---开路电压输出:非线性(电压---光强),灵敏度高 短路电流输出:线性好(电流---光强) ,灵敏度低
光谱特性---硅电池:0.5~1.2μm(红-红外),峰值0.8 μm(近红外) 锗电池:0.3~0.7μm(紫-红),峰值0.5 μm(绿)
10-12
紫外光
À nm
m
可见光
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ红外光
mm cm
10-10
10-8
10-6
10-4
10-2
1m
可见光:380nm ~ 780nm 红外光:780nm ~ 1m 紫外光:1nm ~ 380nm
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380 400 500 600 700 紫蓝青绿黄橙
400 435 470 525 575 605
特点:结构简单, 灵敏度较高:20~200μA/lm 充入惰性气体→气体轰击→自由电子 →灵敏度 暗电流小,最低可达10-14A 体积比较大、工作电压高达百伏到数千伏、玻壳容易破碎等。
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5.3.1 外光电效应及其器件
3. 光电倍增管
原理:光 → 阴极 → 光电倍增极→ 阳极 → 电流
应用:开关测量 → 光电开关 ,计数 使用电路:
一般情况下,直流供电,各级电压均相等,约80V,总电压约1000V 并联电容:避免阳极脉动电流引起极间电压发生大的变化
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5.3.2 内光电效应及其器件
原理:光 → 半导体 → 价带电子吸收能量 → 跃迁至导带 → 电子-空穴对 → 导电特性
应用:可用来辨别光点移动的方向
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5.3.2 内光电效应及其器件
(7) 位置敏感器件(PSD-Positional Sensitive Device)
原理:光 → 光电二极管 → 空穴由N向P移动
空穴→1端→I1 空穴→2端→I2 比值: I1/I2 R 2/R 1 x 2/x 1 应用:位置检测(一维、二维)
单峰性
应用:线性转换元件,开关元件,
注意:a) 电路连接同一般二极管,
输出电流小,一般为数微安到数十微安
b) 入射光角度限制
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动态特性好
5.3.2 内光电效应及其器件
(2) 光敏三极管(光电三极管, PT: Photo-Triode)
原理:光敏二极管(bc结)+ 三极管
特点:光照特性---灵敏度高于光敏二极管, 非线性,不如光电二极管。
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5.2.1 对光源的要求
照度要求:足够亮度、光通量,保证信噪比和灵敏度
均匀要求:视场亮度均匀、无阴影,避免测量误差 投影要求:控制光的方向、透射、反射、散射
发热要求:热光源、冷光源,减小发热对测量结果的影响
光谱要求:光波频率、波长 : 紫外 → 可见光 → 红外
全光谱 波长:
10-14
几何量:形状、尺寸、位移、距离、表面粗糙度、形位误差 力学量:应变、速度、加速度、振动、流量、密度 生化量:离子浓度、荧光、电泳、染色体、分子标记、
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5.1.3 光电式传感器的一般形式
1. 模拟式光电传感器
透射式:光→被测物→光电元件(透射) 测量透明、半透明固体透明度、 液体混浊度、气体浓度;
f0/Hz*1015 0.45
0.60
0.81
1.15 1.93
0/nm
660
500
372
260
156
应用:足够的光强,高速光电开关
器件:光电管、光电倍增管
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5.3.1 外光电效应及其器件
2. 光电管
原理:光 → 阴极 → 发射光电子 → 阳极 → 空间电子流 → 外接电阻 → 压降U=f(I)
原理:光 → 金属物体表面 → 电子获得光子的能量 光子能量 > 表面溢出功 → 电子逸出表面 → 光电子发射
特点:速度快 --- 从光照射到释放电子时间不超过10-9秒。
需足够光能 --- 光子能量 > 表面溢出功
频率下限f0 --- 当 f < f0 时无激发电子 → “红限”
金属
铯Cs 钠Na 锌Zn 银Ag 铂Pt
应用:用于光通讯、脉冲编码
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5.3.2 内光电效应及其器件
(6) 阵列式结型光电器件
构成:利用集成电路技术, 使几百个光电二极管或光电池排成一行, 集成在一块集成电路片子上, 即成为阵列式的一维光电器件 衬底是共用的,而各光敏元都是独立的, 分别有各自的前极引出线
特点:光敏元密集度大,总尺寸小, 容易作到各单元多数一致,便于信号处理
光谱特性---单峰性
应用:开关元件: 光电鼠标接收器、打印机打印头位置传感器、 光电耦合器、车速传感器、红外遥控器、
注意:a) 电路连接:
b) 入射光角度限制
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5.3.2 内光电效应及其器件
(3) 光电池
原理: 光 → PN结(无偏置)→ 电子迁移 电子 → N, 空穴 → P → 电动势
5.3.2 内光电效应及其器件
2. 光生伏特效应及器件
原理: 光 → PN结(无偏置)→ 电子迁移 电子 → N, 空穴 → P → 电势
器件:光敏二极管(PD) 光敏三极管(PT) 光电池(硅、锗) PIN光电二极管 雪崩光电二极管 光可控硅 阵列式光电器件 象限式光电器件 位置敏感探测器(PSD) 光电耦合器件(CCD)
染料激光器
离子激光器
半导体激光器:效率高、体积小、重量轻、结构简单、功率小、非线性
蓝色/紫色激光
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红色激光 近红外小功率
蓝色激光器
5.3 光电效应及光电元件
• 5.3.1 外光电效应及其器件 • 5.3.2 内光电效应及器件
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5.3.1 外光电效应及其器件
1. 外光电效应
5.1.1 光电式传感器的组成原理
工作原理:光 → 敏感元件 → 电
敏感元件:光电元件
光电效应
外光电效应 内光电效应
系统组成: 光源

光通路 光
光电元件 电

测量电路
y
测量方式: 被测量x1
方式:
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被测量x2
改变光源: 改变光路:
5.1.2 特点及应用
特点:非接触、响应快、性能可靠、精度高 应用:光 光学量:光强、光照度、辐射、气体成分、
应用:宇航飞行仪器,仪表电源,便携仪表(计算器) --开关测量(开路电压输出),线性检测(短路电流输出)
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5.3.2 内光电效应及其器件
(4) PIN结光电二极管(PIN-PD)
结构:PN + I I - 高电阻率的本征半导体(厚) PN结双电层的间距加宽,结电容变小
特点:频带宽,可达10GHz,响应速度快, 灵敏度高, 线性输出范围宽,线性好 输出电流小(数微安),电阻很大
橙色、蓝色 应用:指示灯、背光源
白色LED:2019,美国波士顿大学光学研究中心 光谱丰富---(篮+黄)/(篮+绿+红) 亮度高---荧光灯5倍,白炽灯的25倍 应用:仪器光源、室内照明、
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5.2.5 激光光源
LASER:Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation “受激辐射放大产生的光”
原理:外界光 → 光原子 → 能级跃迁 → 受激辐射 → 光放大→谐振→辐射激光
特点:方向性好---发散角很小(约0.18º),比普通光小2~3数量 亮度高------能量高度集中,亮度比普通光高几百万倍 单色性好---光谱范围极小,频率单一; (He-Ne激光:λ=632.8nm,Δλ=10-6nm) 相干性好---受激辐射,传播方向/振动方向/频率/相位一致 时间相干性、空间相干性均好
光源 - 码盘-光电元件 码盘转动-遮光-透光-脉冲 转速越高 - 脉冲频率越高
反射式:
转速传感器
频闪式:
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转速传感器
5.2 常用光源
• 5.2.1 对光源的要求 • 5.2.2 热辐射光源 • 5.2.3 气体放电光源 • 5.2.4 发光二极管(LED) • 5.2.5 激光光源
780 nm 红
685
5.2.2 热辐射光源
原理:高温物体 → 光辐射,温度高 → 辐射能大 器件:白炽灯 --- 钨丝(1879年,爱迪生)
+ 惰性气体 → 提高寿命 卤钨灯 --- 钨丝+卤素(碘),
卤素 + 内壁钨 → 卤化钨 → 受热 分解 → 钨 → 沉积到钨丝 特点:谱线丰富,可见光+红外光,峰值在近红外区 发光效率低,15%在可见光, 发热大,>80%能量转化为热能, → 热光源 寿命短(1000小时),易碎,电压高,有危险 应用:可见光源 --- 宽光谱 (滤色片 → 窄带光谱,避免杂光干扰 → 仪器) 近红外光源 --- 红外检测
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