半导体器件的特性newPPT课件
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第14章 半导体器件 ppt课件
§14.3 二极管
14.3.1 基本结构
PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。
符号
P 阳极
P
+
D
N
—
N 阴极
二极管1N4148
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14.3.1 基本结构
☆ 按结构分类：有点接触型、面接触型和平面型三类。
引线
阳极引线
小 功
大
外壳
功
铝合金小球
PN 结
率 高 频
触丝 N 型锗
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14.2.2 PN结的单向导电性
PN结加正向电压，即正向偏置： P区加正电压、N区加负电压。
PN结加反向电压，即反向偏置： P区加负电压、N区加正电压。
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PN结正向偏置——呈低阻导通状态
空间电荷区变薄
P
－+
+
－+
－+ 正向电流
☆ N型半导体
硅或锗 + 少量磷 N型半导体 硅原子
磷离子
Si
Si
多余电子
P+
Si
N型硅表示 +
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☆ P型半导体
硅或锗 + 少量硼 P型半导体
硅原子
Si Si
空穴
硼离子
B-
Si
P型硅表示
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杂质半导体的示意表示法
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+3V A
0V B
DA DB
R
半导体器件基础要点课件
变。
05 半导体器件应用与展望
半导体器件在电子设备中的应用
集成电路
01
半导体器件是集成电路的基础组成部分，用于实现各种逻辑功
能和电路控制。
数字逻辑门
02
半导体器件可以构成各种数字逻辑门，如与门、或门、非门等
，用于实现数字信号的处理和运算。
微处理器和存储器
03
微处理器和存储器是半导体器件的重要应用领域，用于实现计
详细描述
半导体器件可以分为分立器件和集成电路两大类。分立器件 包括二极管、晶体管等，它们主要用于信号放大、转换和控 制。集成电路是将多个器件集成到一个芯片上，实现更复杂 的功能，如运算、存储和处理等。
半导体器件的发展历程
总结词
半导体器件的发展经历了三个阶段，即晶体管的发明、集成电路的诞生和微电子技术的 飞速发展。
包括热导率、热膨胀系数等参数，影 响半导体的散热性能和可靠性。
光学性能
包括能带隙、光吸收系数、光电导率 等参数，影响半导体的光电转换性能 。
03 半导体器件工作原理
PN结的形成与特性
PN结的形成
在半导体中，通过掺杂形成P型和N型半导体，当P型和N型半导体接触时，由 于多数载流子的扩散作用，在接触面形成一个阻挡层，即PN结。
硅基MEMS器件的特点与优势
高度集成
硅基MEMS器件可以在微米尺 度上实现复杂的功能，具有极
高的集成度。
长寿命
硅基材料具有优异的机械性能 和化学稳定性，使得硅基 MEMS器件具有较长的使用寿 命。
低功耗
硅基MEMS器件的功耗较低， 适用于对能源效率要求较高的 应用场景。
可靠性高
硅基MEMS器件的结构简单， 可靠性高，不易出现故障。
05 半导体器件应用与展望
半导体器件在电子设备中的应用
集成电路
01
半导体器件是集成电路的基础组成部分，用于实现各种逻辑功
能和电路控制。
数字逻辑门
02
半导体器件可以构成各种数字逻辑门，如与门、或门、非门等
，用于实现数字信号的处理和运算。
微处理器和存储器
03
微处理器和存储器是半导体器件的重要应用领域，用于实现计
详细描述
半导体器件可以分为分立器件和集成电路两大类。分立器件 包括二极管、晶体管等，它们主要用于信号放大、转换和控 制。集成电路是将多个器件集成到一个芯片上，实现更复杂 的功能，如运算、存储和处理等。
半导体器件的发展历程
总结词
半导体器件的发展经历了三个阶段，即晶体管的发明、集成电路的诞生和微电子技术的 飞速发展。
包括热导率、热膨胀系数等参数，影 响半导体的散热性能和可靠性。
光学性能
包括能带隙、光吸收系数、光电导率 等参数，影响半导体的光电转换性能 。
03 半导体器件工作原理
PN结的形成与特性
PN结的形成
在半导体中，通过掺杂形成P型和N型半导体，当P型和N型半导体接触时，由 于多数载流子的扩散作用，在接触面形成一个阻挡层，即PN结。
硅基MEMS器件的特点与优势
高度集成
硅基MEMS器件可以在微米尺 度上实现复杂的功能，具有极
高的集成度。
长寿命
硅基材料具有优异的机械性能 和化学稳定性，使得硅基 MEMS器件具有较长的使用寿 命。
低功耗
硅基MEMS器件的功耗较低， 适用于对能源效率要求较高的 应用场景。
可靠性高
硅基MEMS器件的结构简单， 可靠性高，不易出现故障。
半导体光电子器件ppt
在没有任何外部作用时，半导体中的载流子分布达到动态平衡，此时的状态称为热平衡态 。
光电子器件的基本原理
光的吸收
当光照射到物质表面时，物质 可以吸收光能，并将其转化为
热能或电能。
光的发射
在某些条件下，物质可以自发地 或在外加能量作用下发射光。
光电子发射
当光照射到物质表面并被吸收时， 物质会释放出光电子，这些光电子 可以通过电场或磁场进行收集和检 测。
包括暗电流、响应时间、噪声等参数。
半导体光电子器件与其他光电子器件的比较
半导体光电子器件与同质结光电子器件的比较
同质结光电子器件是一种结构简单、易于制造的光电子器件，但半导体光电子器件具有更高的光电转换效率和 更宽的光谱响应范围。
半导体光电子器件与异质结光电子器件的比较
异质结光电子器件具有更高的光电转换效率，但制造工艺复杂，成本较高。
03
通过精确调控半导体材料和器件的物理性质，实现更灵活、更
智能的光信号处理和传输。
02
半导体光电子器件的基本原理
半导体的基本性质
能带结构
半导体具有能带结构，即导带、价带和禁带，其禁带宽度在室温下一般为几电子伏特。
载流子
半导体中导电的载流子包括电子和空穴，其浓度和分布受能带结构和杂质浓度等影响。
热平衡态
传感领域的应用
环境监测
半导体光电子器件可实现对环境中特定气体、温度、湿度等参 数的精确测量。
生物传感
半导体光电子器件可用于检测生物分子、细胞等，实现生物传 感。
光学成像
半导体光电子器件可用于实现高分辨率、高灵敏度的光学成像 。
其他领域的应用
能源领域
半导体光电子器件可实现太阳能电池的光电转换效率的 提高。
光电子器件的基本原理
光的吸收
当光照射到物质表面时，物质 可以吸收光能，并将其转化为
热能或电能。
光的发射
在某些条件下，物质可以自发地 或在外加能量作用下发射光。
光电子发射
当光照射到物质表面并被吸收时， 物质会释放出光电子，这些光电子 可以通过电场或磁场进行收集和检 测。
包括暗电流、响应时间、噪声等参数。
半导体光电子器件与其他光电子器件的比较
半导体光电子器件与同质结光电子器件的比较
同质结光电子器件是一种结构简单、易于制造的光电子器件，但半导体光电子器件具有更高的光电转换效率和 更宽的光谱响应范围。
半导体光电子器件与异质结光电子器件的比较
异质结光电子器件具有更高的光电转换效率，但制造工艺复杂，成本较高。
03
通过精确调控半导体材料和器件的物理性质，实现更灵活、更
智能的光信号处理和传输。
02
半导体光电子器件的基本原理
半导体的基本性质
能带结构
半导体具有能带结构，即导带、价带和禁带，其禁带宽度在室温下一般为几电子伏特。
载流子
半导体中导电的载流子包括电子和空穴，其浓度和分布受能带结构和杂质浓度等影响。
热平衡态
传感领域的应用
环境监测
半导体光电子器件可实现对环境中特定气体、温度、湿度等参 数的精确测量。
生物传感
半导体光电子器件可用于检测生物分子、细胞等，实现生物传 感。
光学成像
半导体光电子器件可用于实现高分辨率、高灵敏度的光学成像 。
其他领域的应用
能源领域
半导体光电子器件可实现太阳能电池的光电转换效率的 提高。
半导体器件的基础知识PPT课件
管约为0.7V，锗管约为0.2～0.3V。
（2）反向特性：反向电压小于击穿电压时二极管截止，电流几乎为零，这个区域称为反向截止区；
反向电压达到或超过击穿电压时反向电流急剧增大，二极管击穿，失去单向导电特性，这一区域称为
反向击穿区。
考纲解读
3.主要参数
（1）最大整流电流 ：指二极管长期使用时允许通过的最大正向平均电流。
接的电极为阴极，红表笔接的电极为阳极。
6.其他二极管
（1）稳压二极管
特性：管子两端需加上一个大于其击穿电压的反向电压，采取适当措施限制击穿后工作的反向电
流值。
主要参数：稳定电压 、稳定电流 、耗散功率 。
（2）光电二极管
特性：是一种将光信号转变成电信号的半导体器件，工作在反向偏置状态。
射极电流 较大的变化，即用较小的基极电流的变化去控制较大的集电极电流的变化。
考纲解读
3.三极管的输入特性曲线与输出特性曲线
（1）输入特性曲线
输入特性：在 一定条件下，加在三极管基极与发射极之间的电压 和它产生的基极电流 之间
的关系。
输入特性曲线如图1-1所示，它与二极管的伏安特性曲线十分相似，当 大于导通电压时，三极
（或阳极），N极引出端叫负极（或阴极）。根据制造工艺不同，按二极管内部结构可分为点接触型、
面接触型、平面型三种。
2.伏安特性
（1）正向特性：正向电压小于死区电压（硅管约为0.5V，锗管约为0.1～0.2V）时二极管截止，
电流几乎为零；正向电压大于死区电压时二极管导通，电流较大。二极管导通后管压降基本不变，硅
管才出现明显的基极电流。导通电压：硅管0.7V，锗管0.2V。
（2）输出特性曲线
输出特性：在 一定条件下，集电极与发射极之间的电压 与集电极电流 之间的关系。输出特
（2）反向特性：反向电压小于击穿电压时二极管截止，电流几乎为零，这个区域称为反向截止区；
反向电压达到或超过击穿电压时反向电流急剧增大，二极管击穿，失去单向导电特性，这一区域称为
反向击穿区。
考纲解读
3.主要参数
（1）最大整流电流 ：指二极管长期使用时允许通过的最大正向平均电流。
接的电极为阴极，红表笔接的电极为阳极。
6.其他二极管
（1）稳压二极管
特性：管子两端需加上一个大于其击穿电压的反向电压，采取适当措施限制击穿后工作的反向电
流值。
主要参数：稳定电压 、稳定电流 、耗散功率 。
（2）光电二极管
特性：是一种将光信号转变成电信号的半导体器件，工作在反向偏置状态。
射极电流 较大的变化，即用较小的基极电流的变化去控制较大的集电极电流的变化。
考纲解读
3.三极管的输入特性曲线与输出特性曲线
（1）输入特性曲线
输入特性：在 一定条件下，加在三极管基极与发射极之间的电压 和它产生的基极电流 之间
的关系。
输入特性曲线如图1-1所示，它与二极管的伏安特性曲线十分相似，当 大于导通电压时，三极
（或阳极），N极引出端叫负极（或阴极）。根据制造工艺不同，按二极管内部结构可分为点接触型、
面接触型、平面型三种。
2.伏安特性
（1）正向特性：正向电压小于死区电压（硅管约为0.5V，锗管约为0.1～0.2V）时二极管截止，
电流几乎为零；正向电压大于死区电压时二极管导通，电流较大。二极管导通后管压降基本不变，硅
管才出现明显的基极电流。导通电压：硅管0.7V，锗管0.2V。
（2）输出特性曲线
输出特性：在 一定条件下，集电极与发射极之间的电压 与集电极电流 之间的关系。输出特
(完整版)半导体器件ppt
它是零偏置情况下阈值的两倍
器件. 14
2020年2月11日7时38分
电阻工作区
• 假设VGS > VT ，并在漏区和源区之间加上一个小电压VDS
S
VGS
G
VDS
D ID
n+ - V(x) + n+
x
B
ID
k'n
W L
VGS
VT
VDS
VD2S 2
kn
动态或瞬态特性：耗尽区电容
• 空间电荷区的作用像一个具有半导体材料介电常数εsi的绝缘体，n区 和p区就像是电容器的极板
耗尽区电容具有高度的 非线性，且随反向偏置 的增加而减小：一个5V 的反向偏置使电容降低 两倍以上
• 大信号耗尽区电容 Ceq KeqC j0
器件. 5
2020年2月11日7时38分
2020年2月11日7时38分
阈值电压
• 强反型发生时VGS的值称为阈值电压VT
VGS
G
+
S
D
-
n+
n+
n channel p substrate
depletion region
B •体偏置对阈值的影响
–γ称为体效应(衬偏效应)系数，它表明VSB改变所产生的影响
VT VT 0 2F VSB 2F
器件. 17
2020年2月11日7时38分
速度饱和
• 短沟器件的主要差别是速度饱和效应 • 速度饱和效应：当沿沟道的电场达到某一临界值时，载流子的速度
将由于散射效应(即载流子间的碰撞)而趋于饱和 • 在沟道长度为0.25μm的NMOS器件中大约只需要2V左右的漏源电压
器件. 14
2020年2月11日7时38分
电阻工作区
• 假设VGS > VT ，并在漏区和源区之间加上一个小电压VDS
S
VGS
G
VDS
D ID
n+ - V(x) + n+
x
B
ID
k'n
W L
VGS
VT
VDS
VD2S 2
kn
动态或瞬态特性：耗尽区电容
• 空间电荷区的作用像一个具有半导体材料介电常数εsi的绝缘体，n区 和p区就像是电容器的极板
耗尽区电容具有高度的 非线性，且随反向偏置 的增加而减小：一个5V 的反向偏置使电容降低 两倍以上
• 大信号耗尽区电容 Ceq KeqC j0
器件. 5
2020年2月11日7时38分
2020年2月11日7时38分
阈值电压
• 强反型发生时VGS的值称为阈值电压VT
VGS
G
+
S
D
-
n+
n+
n channel p substrate
depletion region
B •体偏置对阈值的影响
–γ称为体效应(衬偏效应)系数，它表明VSB改变所产生的影响
VT VT 0 2F VSB 2F
器件. 17
2020年2月11日7时38分
速度饱和
• 短沟器件的主要差别是速度饱和效应 • 速度饱和效应：当沿沟道的电场达到某一临界值时，载流子的速度
将由于散射效应(即载流子间的碰撞)而趋于饱和 • 在沟道长度为0.25μm的NMOS器件中大约只需要2V左右的漏源电压
《半导体器件与模型》PPT课件
4）最高工作频率fM
前三项是二极管的直流参数，主要利 用二极管的单向导电性，应用于整流、 限幅、保护等等
1.3 二极管的等效模型及分析方法
1、指数模型
iD Is (ev/VT 1)
2、理想二极管开关模型 适应于电源电压远大于二极管的管 压降时
iD 0
vD 0
管压降为0 vD 0
vD iD DIdeal
+
+3
4
N型半导体
在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形 成 N型半导体（电子型半导体）。
在N型半导体中自由电子是 多子,它主要由杂质原子提供； 空穴是少子, 由热激发形成。
提供自由电子的五价杂质原 子因自由电子脱离而带正电荷成 为正离子，五价杂质原子被称为 施主杂质
+5
+4
+4
+4
说明：
PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止
单向导电性
3、PN结的正向伏安特性
PN结所加端电压vD与流过它的电流I的
关系为： iD Is (evD /VT 1)
正偏
反偏
Is : 反向饱和电流 vD :外加端电压
VT kT / q :T 300K时，为26mV
一般而言，要产生正向电流时，外加电压远大 于VT，正向电流远大于Is，则可得
0
VQ
vD
交流信号的图解
vi Vim sin t
R iD
VDD
vD
回 路 输 入 电 压 的 总 瞬 时值 为 VD' D VDD d 线性电路方程
iD
iD
vD VD' D iD R
VDD Vim sint iDR
半导体器件的基本特性.PPT文档81页
半导体器件的基本特性.
11、获得的成功越大，就越令人高兴 。野心 是使人 勤奋的 原因， 节制使 人枯萎 。 12、不问收获，只问耕耘。如同种树 ，先有 根茎， 再有枝 叶，尔 后花实 ，好好 劳动， 不要想 太多， 那样只 会使人 胆孝懒 惰，因 为不实 践，甚 至不接 触社会 ，难道 你是野 人。(名 言网) 13、不怕，不悔(虽然只有四个字，但 常看常 新。 14、我在心里默默地为每一个人祝福 。我爱 自己， 我用清 洁与节 制来珍 惜我的 身体， 我用智 慧和知 识充实 我的头 脑。 15、这世上的一切都借希望而完成。 农夫不 会播下 一粒玉 米，如 果他不 曾希望 它长成 种籽； 单身汉 不会娶 妻，如 果他不 曾希望 有小孩 ；商人 或手艺 人不会 工作， 如果他 不曾希 望因此 而有收 益。-- 马钉路 德。
1、最灵繁的人也看不见自己的背脊。——非洲 2、最困难的事情就是认识自己。——希腊 3、有勇气承担命运这才是英雄好汉。——黑塞 4、与肝胆人共事，无字句处读书。——周恩来 5、阅读使人充实，会谈使人敏捷，写作使人精确。
11、获得的成功越大，就越令人高兴 。野心 是使人 勤奋的 原因， 节制使 人枯萎 。 12、不问收获，只问耕耘。如同种树 ，先有 根茎， 再有枝 叶，尔 后花实 ，好好 劳动， 不要想 太多， 那样只 会使人 胆孝懒 惰，因 为不实 践，甚 至不接 触社会 ，难道 你是野 人。(名 言网) 13、不怕，不悔(虽然只有四个字，但 常看常 新。 14、我在心里默默地为每一个人祝福 。我爱 自己， 我用清 洁与节 制来珍 惜我的 身体， 我用智 慧和知 识充实 我的头 脑。 15、这世上的一切都借希望而完成。 农夫不 会播下 一粒玉 米，如 果他不 曾希望 它长成 种籽； 单身汉 不会娶 妻，如 果他不 曾希望 有小孩 ；商人 或手艺 人不会 工作， 如果他 不曾希 望因此 而有收 益。-- 马钉路 德。
1、最灵繁的人也看不见自己的背脊。——非洲 2、最困难的事情就是认识自己。——希腊 3、有勇气承担命运这才是英雄好汉。——黑塞 4、与肝胆人共事，无字句处读书。——周恩来 5、阅读使人充实，会谈使人敏捷，写作使人精确。
《半导体器件物理》课件
《半导体器件物理》PPT课件
目录 Contents
• 半导体器件物理概述 • 半导体材料的基本性质 • 半导体器件的基本结构与工作原理 • 半导体器件的特性分析 • 半导体器件的制造工艺 • 半导体器件的发展趋势与展望
01
半导体器件物理概述
半导体器件物理的定义
半导体器件物理是研究半导体材料和器件中电子和空穴的行为，以及它们与外部因 素相互作用的一门学科。
可以分为隧道器件、热电子器件、异质结器 件等。
半导体器件的应用
01
通信领域
用于制造手机、卫星通信、光纤通 信等设备中的关键元件。
能源领域
用于制造太阳能电池、风力发电系 统中的传感器和控制器等。
03
02
计算机领域
用于制造计算机处理器、存储器、 集成电路等。
医疗领域
用于制造医疗设备中的检测器和治 疗仪器等。
04
02
半导体材料的基本性质
半导体材料的能带结构
总结词
能带结构是描述固体中电子状态的模 型，它决定了半导体的导电性能。
详细描述
半导体的能带结构由价带和导带组成 ，它们之间存在一个禁带。当电子从 价带跃迁到导带时，需要吸收或释放 能量，这决定了半导体的光电性能。
载流子的输运过程
总结词
载流子输运过程描述了电子和空穴在 半导体中的运动和相互作用。
•·
场效应晶体管分为N沟道 和P沟道两种类型，其结 构包括源极、漏极和栅极 。
场效应晶体管在放大、开 关、模拟电路等中应用广 泛，具有功耗低、稳定性 高等优点。
当栅极电压变化时，导电 沟道的开闭状态会相应改 变，从而控制漏极电流的 大小。
04
半导体器件的特性分析
半导体器件的I-V特性
目录 Contents
• 半导体器件物理概述 • 半导体材料的基本性质 • 半导体器件的基本结构与工作原理 • 半导体器件的特性分析 • 半导体器件的制造工艺 • 半导体器件的发展趋势与展望
01
半导体器件物理概述
半导体器件物理的定义
半导体器件物理是研究半导体材料和器件中电子和空穴的行为，以及它们与外部因 素相互作用的一门学科。
可以分为隧道器件、热电子器件、异质结器 件等。
半导体器件的应用
01
通信领域
用于制造手机、卫星通信、光纤通 信等设备中的关键元件。
能源领域
用于制造太阳能电池、风力发电系 统中的传感器和控制器等。
03
02
计算机领域
用于制造计算机处理器、存储器、 集成电路等。
医疗领域
用于制造医疗设备中的检测器和治 疗仪器等。
04
02
半导体材料的基本性质
半导体材料的能带结构
总结词
能带结构是描述固体中电子状态的模 型，它决定了半导体的导电性能。
详细描述
半导体的能带结构由价带和导带组成 ，它们之间存在一个禁带。当电子从 价带跃迁到导带时，需要吸收或释放 能量，这决定了半导体的光电性能。
载流子的输运过程
总结词
载流子输运过程描述了电子和空穴在 半导体中的运动和相互作用。
•·
场效应晶体管分为N沟道 和P沟道两种类型，其结 构包括源极、漏极和栅极 。
场效应晶体管在放大、开 关、模拟电路等中应用广 泛，具有功耗低、稳定性 高等优点。
当栅极电压变化时，导电 沟道的开闭状态会相应改 变，从而控制漏极电流的 大小。
04
半导体器件的特性分析
半导体器件的I-V特性
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• 图解分析法
– 静态工作点和动态分析 – 非线性失真分析
• 静态工作点的稳定
2020/10/13
4
• 微变等效电路分析法
– 晶体管的简化的h参数等效电路 – 用h参数等效电路分析放大器
• 共集电极放大器－射极输出器的分析 • 单管放大器的频率特性（概念）
– 频率特性、通频带、下限频率、上限频率
• 多级放大器
– 两种耦合方式
2020/10/13
5
• 差分放大器
– 差模放大倍数、共模放大倍数、共模抑 Nhomakorabea比、• 功率放大器
– 特点、要求 – 互补对称功率放大器 – 乙类互补对称电路、交越失真、甲乙类互补对
称电路
2020/10/13
6
第三章 集成运算放大器
• 集成运放的基本单元电路
– 差分输入级 – 中间级 – 输出级 – 偏置电路
• 负反馈对放大器性能的改善 • 稳定放大倍数、扩展频带、减小非线性失真、削
弱噪声 • 负反馈对放大器输入电阻和输出电阻的影响 • 自激振荡（多级电路）
2020/10/13
8
谢谢您的指导
THANK YOU FOR YOUR GUIDANCE.
感谢阅读！为了方便学习和使用，本文档的内容可以在下载后随意修改，调整和打印。欢迎下载！
– 晶体管的结构、符号 – 晶体管内部载流子传输过程和共发射极直流传输方程 – 输入特性曲线、输出特性曲线（三种工作状态）
2020/10/13
3
第二章 放大器基础
• 放大器组成和工作原理
– 放大器组成和功能 – 基本共射放大电路
• 直流分析（直流通路）和交流分析（交流）通路
– 放大器性能（技术指标）
• 运算放大器的基本电路
– 理想运放的特性：虚断、虚短 – 基本电路：反相放大器、同相放大器和差分输入放大
器
• 信号运算电路
– 加法运算电路、减法运算电路 – 积分运算电路、微分运算电路
2020/10/13
7
第四章 反馈放大器
• 反馈的基本概念和分类
– 反馈、反馈通路 – 正反馈和负反馈、直流反馈和交流反馈 – 电压反馈和电流反馈、串联反馈和并联反馈 – 反馈类型的判断
2020/10/13
汇报人：XXXX 日期：20XX年XX月XX日
9
【教育类精品资料】
2020/10/13
1
模拟电路复习
2020/10/13
2
第一章 半导体器件的特性
• 半导体的导电特性
– 本征半导体、杂质半导体（N型、P型） – 本征激发、载流子、多数载流子、少数载流子
• PN结的形成、PN结的单向导电性 • 二极管、二极管的伏安特性曲线 • 稳压二极管 • 双极型晶体管
– 静态工作点和动态分析 – 非线性失真分析
• 静态工作点的稳定
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• 微变等效电路分析法
– 晶体管的简化的h参数等效电路 – 用h参数等效电路分析放大器
• 共集电极放大器－射极输出器的分析 • 单管放大器的频率特性（概念）
– 频率特性、通频带、下限频率、上限频率
• 多级放大器
– 两种耦合方式
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• 差分放大器
– 差模放大倍数、共模放大倍数、共模抑 Nhomakorabea比、• 功率放大器
– 特点、要求 – 互补对称功率放大器 – 乙类互补对称电路、交越失真、甲乙类互补对
称电路
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第三章 集成运算放大器
• 集成运放的基本单元电路
– 差分输入级 – 中间级 – 输出级 – 偏置电路
• 负反馈对放大器性能的改善 • 稳定放大倍数、扩展频带、减小非线性失真、削
弱噪声 • 负反馈对放大器输入电阻和输出电阻的影响 • 自激振荡（多级电路）
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谢谢您的指导
THANK YOU FOR YOUR GUIDANCE.
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– 晶体管的结构、符号 – 晶体管内部载流子传输过程和共发射极直流传输方程 – 输入特性曲线、输出特性曲线（三种工作状态）
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第二章 放大器基础
• 放大器组成和工作原理
– 放大器组成和功能 – 基本共射放大电路
• 直流分析（直流通路）和交流分析（交流）通路
– 放大器性能（技术指标）
• 运算放大器的基本电路
– 理想运放的特性：虚断、虚短 – 基本电路：反相放大器、同相放大器和差分输入放大
器
• 信号运算电路
– 加法运算电路、减法运算电路 – 积分运算电路、微分运算电路
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第四章 反馈放大器
• 反馈的基本概念和分类
– 反馈、反馈通路 – 正反馈和负反馈、直流反馈和交流反馈 – 电压反馈和电流反馈、串联反馈和并联反馈 – 反馈类型的判断
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汇报人：XXXX 日期：20XX年XX月XX日
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模拟电路复习
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第一章 半导体器件的特性
• 半导体的导电特性
– 本征半导体、杂质半导体（N型、P型） – 本征激发、载流子、多数载流子、少数载流子
• PN结的形成、PN结的单向导电性 • 二极管、二极管的伏安特性曲线 • 稳压二极管 • 双极型晶体管