材料科学基础选择题

1、极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（ B ）过渡，最终使晶体结构类型发生变化。

A: 共价键向离子键 B: 离子键向共价键

C: 金属键向共价键 D: 键金属向离子键

2、离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（ B ），离子配位数（）。

A: 增大，降低 B: 减小，降低

C: 减小，增大 D: 增大，增大

3、氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是（ C ）。

A: 5 B: 6

C: 4 D: 3

4、NaCl单位晶胞中的“分子数”为4，Na+填充在Cl-所构成的（ B ）空隙中。

A: 全部四面体 B: 全部八面体

？

C: 1/2四面体 D: 1/2八面体

5、CsCl单位晶胞中的“分子数”为1，Cs+填充在Cl-所构成的（ C ）空隙中。

A: 全部四面体 B: 全部八面体

C: 全部立方体 D: 1/2八面体

6、MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（ B ）个MgO分子。

A: 2 B: 4

C: 6 D: 8

7、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（ D ）。

A: 八面体空隙的半数 B: 四面体空隙的半数

C: 全部八面体空隙 D: 全部四面体空隙

8、萤石晶体中Ca2+的配位数为8，F-配位数为（ B ）。

>

A: 2 B: 4

C: 6 D: 8

9、CsCl晶体中Cs+的配位数为8，Cl-的配位数为（ D ）。

A: 2 B: 4

C: 6 D: 8

10、硅酸盐晶体的分类原则是（ B ）。

A: 正负离子的个数 B: 结构中的硅氧比

C:化学组成 D:离子半径

11、锆英石Zr[SiO4]是（ A ）。

A: 岛状结构 B: 层状结构

C: 链状结构 D: 架状结构

；

12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代，这种现象称为（ C ）。

A: 同质多晶 B: 有序—无序转变

C: 同晶置换 D: 马氏体转变

13. 镁橄榄石Mg

2[SiO

4

]是（ A ）。

A: 岛状结构 B: 层状结构

C: 链状结构 D: 架状结构

14、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序为（ A ）。

A: 沸石>萤石>MgO B: 沸石>MgO>萤石

C: 萤石>沸石>MgO D: 萤石>MgO>沸石

15、根据鲍林(Pauling)规则，离子晶体MX

2

中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（ B ）。

A: 2 B: 4

;

C: 6 D: 8

16、构成硅酸盐晶体的基本结构单元[SiO

4]四面体，两个相邻的[SiO

4

]四面体之

间只能（ A ）连接。

A: 共顶 B: 共面

C: 共棱D: A+B+C

17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是（ D ）。

A：弗仑克尔缺陷 B：肖特基缺陷

C：杂质缺陷D：A+B

18、位错的（ A）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。

A: 攀移 B: 攀移

C: 增值 D: 减少

19、对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（ D ）。

{

A: 负离子空位 B: 间隙正离子

C: 间隙负离子 D: A或B

20、对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（ D ）。

A: 正离子空位 B: 间隙负离子

C: 负离子空位 D: A或B

21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响, 主要表现为（ D ）。

A: 稳定晶格 B: 活化晶格

C: 固溶强化 D: A+B+C

22、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。固溶体有有限和无限之分，其中（ B ）。

A: 结构相同是无限固溶的充要条件

B: 结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件

》

C: 结构相同是有限固溶的必要条件

D: 结构相同不是形成固溶体的条件

23、缺陷对晶体的性能有重要影响，常见的缺陷为（ D ）。

A: 点缺陷 B: 线缺陷

C: 面缺陷 D: A+B+C

24、按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（ D ）。 A: 热缺陷 B: 杂质缺陷

C: 非化学计量缺陷 D: A+B+C

25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（ B ）。

A:线性增加 B:呈指数规律增加

C:无规律 D:线性减少

。

26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（ D ）。

A: 杂质质点大小 B: 晶体（基质）结构

C: 电价因素 D: A+B+C

27、位错的滑移是指位错在（A ）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。

A: 外力 B: 热应力

C: 化学力 D: 结构应力

28、柏格斯矢量（Burgers Vector）与位错线垂直的位错称为(A )，其符号表示为( )。

A:刃位错；⊥ B: 刃位错；VX C: 螺位错； D:刃位错；

29、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottky defect）时，（ B ）。A: 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B: 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加：

C: 正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加