基于表面势的多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型

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理科论文开题报告

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在写之前，可以先参考范⽂，以下是⼩编精⼼整理的理科论⽂开题报告范⽂，仅供参考，希望能够帮助到⼤家。

理科论⽂开题报告篇1 论⽂题⽬：AMOLED像素驱动电路设计 ①项⽬研究的背景和意义有机发光显⽰器（OLEDs）是当今平板显⽰器研究领域的热点之⼀。

与液晶显⽰器（LCD）相⽐，OLEDs具有低能耗、⽣产成本低（⽐液晶低20%～30%）、⾃发光、宽视⾓、⼯艺简单、成本低、温度适应性好、响应速度快等优点。

⽬前，在⼿机、PDA、数码相机等⼩屏显⽰应⽤领域OLEDs已经开始取代传统的LCD显⽰屏。

OLED显⽰器驱动⽅式可分为两种类型：⽆源矩阵OLED（Passive Matrix OLED，简称PMOLED）和有源矩阵OLED（Active Matrix OLED，简称AMOLED）。

PMOLED采⽤⾏列扫描的⽅式驱动相应的像素发光，具有结构简单，⽣产成本低的优点，但器件能耗⾼，分辨率有限，器件寿命和显⽰品质也⽆法同TFT—LCD相抗衡。

在AMOLED中，每个发光像素都有独⽴的TFT电路驱动，不存在交叉串扰问题，亮度、寿命以及分辨率等都较PMOLED有⼤幅提⾼。

由于显⽰器未来发展趋势是向着⾼精细画质应⽤，PMOLED驱动⽅式已⽆法满⾜要求。

因此，发展AMOLED驱动技术，解决有机发光显⽰器的“瓶颈”问题显得⽇益迫切。

像素驱动电路的设计是AMOLED显⽰器的核⼼技术内容，具有重要研究意义。

本项⽬致⼒于基于薄膜晶体管（TFT）的AMOLED显⽰器像素驱动电路的研究与实现。

②⼯作任务分析⽬前，应⽤于AMOLED的薄膜晶体管主要有⾮晶硅薄膜晶体管（a—Si TFT）和低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFT），⼆者实现量产的优势最⼤。

a—Si TFT与LTPS TFT相⽐具有⼯艺简单、价格低、制备成品率⾼、关态漏电流⼩等优点。

基于CMOS平台的硅光子关键器件与工艺研究

基于CMOS平台的硅光子关键器件与工艺研究赵瑛璇;武爱民;甘甫烷【摘要】面向互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的硅基光互连体系,研制了包括光波导、光栅耦合器、刻蚀衍射光栅、偏振旋转分束器、光频梳以及3D互连新器件等的硅光子关键器件,并对相应器件的设计及工艺给出了最新的研究结果.基于以上关键硅光子器件进行了大规模光子集成,实现了片上集成的微波任意波形发生器,并集成了300多个光器件,包括高速调制、延迟线和热调等功能.面向数据通信研制了八通道偏振不敏感波分复用(WDM)接收器,解决了集成系统中的偏振敏感问题.【期刊名称】《中兴通讯技术》【年(卷),期】2018(024)004【总页数】7页(P8-14)【关键词】硅光子技术;硅基光互连;大规模光子集成【作者】赵瑛璇;武爱民;甘甫烷【作者单位】中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050【正文语种】中文【中图分类】TN929.5随着集成电路面临摩尔定律失效的风险，面向片上光互连的硅光子技术成为重要的关键平台性技术，能够解决集成电路持续发展所面临的速度、延时和功耗等问题。

在未来5G通信中也有明确的用途，基站的数据前传和后传需求显著，低成本、大批量的高速光模块有望成为硅光子的重要产业出口。

硅光子技术通过微电子和光电子技术的高度融合，在硅基衬底上实现各种有源和无源器件，并通过大规模集成工艺实现各种功能，文中我们将介绍基于互补金属氧化物半导体（CMOS）的硅基光器件的研究和工艺。

1 硅基关键器件与工艺研究1.1 硅基光波导和制造工艺研究与先进的超大规模集成电路工艺兼容是硅光子最本质的价值所在。

经过半个世纪的发展，集成电路制造工艺水平突飞猛进，量产产品已达到10 nm技术节点。

本研究小组与先进的大规模集成电路商用工艺生产线合作，基于0.13 μm CMOS技术，并且采用了248 nm光刻技术[1]，建立了一整套硅光子器件加工和集成的工艺。

多晶硅薄膜晶体管亚阈值区准二维模型

多晶硅薄膜晶体管亚阈值区准二维模型吴为敬【期刊名称】《液晶与显示》【年(卷),期】2010(025)004【摘要】Based on the diffusion and thermal emission processes,an analytical subthreshold current model for polysilicon thin film transistors(poly-Si TFTs)is developed by a quasitwo-dimensional solution.An analytical expression of the subthreshold swing is subsequently obtained from the surface potential equation and the subthreshold current expression,which takes into account the grain size and trap states.This model has a simple functional form and it can reduce to that of the conventional long channel MOSFET in the case of large grain size and low trap states.The model has been verified by a good agreement between simulated results and experimental data.%从准二维泊松方程出发,结合多晶硅扩散和热发射载流子输运理论,建立了多晶硅薄膜晶体管亚阈值电流模型.由表面势方程及亚阈值电流方程求得包含陷阱态和晶粒尺寸的亚阈值斜率解析表达式.模型具有简明的表达式,并且在大晶粒和低陷阱态情形下可简化为传统长沟道MOSFET亚阈值区模型.仿真结果与试验数据符合得很好,验证了模型的正确性.【总页数】4页(P523-526)【作者】吴为敬【作者单位】华南理工大学,材料科学与工程学院,广东,广州,510641【正文语种】中文【中图分类】TN321+.5【相关文献】1.超浅结亚45nm MOSFET 亚阈值区二维电势模型 [J], 韩名君;柯导明2.纳米级MOSFET亚阈值区电流特性模型 [J], 王丹丹;王军;王林3.亚阈值状态下MOSFET二维双区和单区静电势模型的比较 [J], 张满红;袁至衡4.低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型 [J], 姚若河;欧秀平5.多晶硅薄膜晶体管泄漏区带间隧穿电流的建模 [J], 李树花;李斌;吴为敬因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

实验34MOS晶体管的模型参数提取

实验34 MOS晶体管的模型参数提取MOS晶体管具有易于集成和功耗低等优点，在集成电路中有着广泛的应用。

MOS晶体管模型是用于描述MOS晶体管行为的参数的集合，这些参数反映了晶体管各种电学、工艺和物理特性，来源于测量和计算。

实际的工艺参数能够准确地反映在模型中，精确的器件模型是进行集成电路设计与分析的基本前提和重要基础，是不可或缺的。

本实验要求学生在理解MOS晶体管大信号和小信号行为的基础上，通过使用Excel软件对MOS晶体管的主要模型参数进行计算，并根据给定工作条件完成各MOS晶体管的等效电路建立。

一、实验原理1. 阈值电压MOS晶体管形成反型沟道所需要施加的栅源电压称为阈值电压。

MOS晶体管阈值电压由三部分构成，首先形成沟道下方耗尽层电荷稳定存储所需施加的电压，其次克服栅材料与衬底材料间的功函数差异所需施加的电压，第三克服栅氧化层中正电荷的影响所需施加的电压。

典型的增强型N沟道MOS晶体管具有图34.1所示纵向结构。

当栅极施加正偏压时，N型沟道产生，栅氧化层下方经历由P型掺杂变为耗尽再变为N型的过程，硅表面势由原始负值()，增加到零()，再到正值()，这一现象称为反型。

费米能级的定义为：(34-1)式中，是掺杂浓度，N型为，P型为，是电子电量，是玻尔兹曼常数，是本征载流子浓度。

对于费米能级，当半导体为N型掺杂时取正号，P型掺杂时取负号。

当源漏两端不加偏压时，随着栅极电压的增大，产生的反型层逐渐变厚，不加衬底偏置电压时，反型层下方的耗尽层厚度不随栅源之间偏置电压的增加而变化，形成了稳定的耗尽层电荷密度，N沟器件为负，P沟器件为正，以NMOS为例，其表达式为：(34-2)当存在衬底反向偏置电压（N沟器件为负）时，形成反型层需要表面势变化，耗尽层存储的电荷密度为：(34-3)综上所述，NMOS晶体管阈值电压可以采用下式描述：(34-4)(34-5)(34-6)(34-7)(34-8)(34-9)式中，是时的阈值电压，也称为零阈值电压，称为体阈值参数，用于描述衬底偏压不为零时对阈值电压的影响，称为单位面积电容，可以采用下式计算：(34-10)式中，为真空介电常数，为SiO2材料的相对介电常数，为栅氧化层厚度。

n型薄膜晶体管(TFT)的研究进展

n 型薄膜晶体管(TFT)的研究进展孙源爽1 杨卿煜2 李治玥2（1.山东海化股份有限公司热力电力公司，山东，潍坊，262737；2.香港大学，物理系，香港，999077）摘要：文章详细地介绍了以IGZO TFT 为主要代表的显示材料以及n 型TFT 的工作原理、研究进展及在其制备的过程中可能受到的限制和影响、在许多技术和领域方面的实际应用。

IGZO TFT 的原理和性能特点相比于其他的新型半导体材料和薄膜晶体管具有很大的技术优势，这也就使得它在大尺寸柔性液晶显示及大尺寸超高清液晶显示等电子信息领域的应用上具有巨大的潜在价值。

关键词：薄膜晶体管；n 型；IGZO 中图分类号：TB34 文献标识码：A DOI：10.19881/ki.1006-3676.2020.12.11Research status of n-type thin film transistor (TFT) Sun Yuanshuang 1 Yang Qingyu 2 Li Zhiyue 2（1.Shandong Haihua Co. Ltd.，Shandong，Weifang，262737；2.Department of Physics， the University of Hong Kong， Hong Kong，999077）Abstract ：This article introduces some principles and research progress of n-type TFT represented by IGZO TFT，the impact on them in the preparation process，and its application in many fields. Compared with other semiconductor and the corresponding thin film transistors，the performance of IGZO TFT has great advantages，the advantages make it have great potential application value in the technical fields of flexible display and large-size ultra-high-definition display. Key words ：Thin film transistor；n-type；IGZO作者简介：孙源爽，女，1985年生，高级工程师，研究方向：信息控制与信息处理。

多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型

ＤＥＮＧａ－ｉｇＷｎｌｎ
（ｐｒｍｎｆＥｌｔｏｉＥｎｉｅｒｎＪｎｎＵｉｅｓｙ，ｕｎｚｏ５０３，Ｃｉａ，－ｉ：ｗｎ＠１６ｃｒ）Ｄｅａｔｅｔｏｅｒｎｃｇｎｅｉｇ，ｉａｎｖｒｉＧａｇｈｕ１６０ｈｎＥｍａｌｄａｌ２．ｏｃｔｎ
ａｏｌｕｎｒａｅｏａｅｔ —ｏｒｅｃｐｃｔｎｅｉｅｋｇｅｉｎａｄｇｔ－ｏｄａｎｃｐｃ－ｎｍａｏｓｉｃｅｓｆｇｔ－ｏｓｕｃａａｉｃｎＩａａｅｒｇｏｎａｅｔ — ｒｉａａｉａ
关键词：晶硅薄膜晶体管；漏电容；源电容；型多栅栅模文献标识码：ＡＤＩ１．７８ＹＹ２１２０．１８Ｏ：０３８／ＪＸＳ０１６２０７中图分类号：Ｎ３１５Ｔ２．
晶
ｑ
与
ＧａｅＣａａｉａｃｏｌｏｌｓｌｃｎＴｈｉｌａｉｔｒｔｐｃｔｎｅＭｄｅｆＰｏｙｉｉｏｎＦｉｍＴｒｎｓｓｏｓ
Ａｂｔａｔｏｙｉｃｎｔｉｉｒｎｉｔｒａｅｕｉｕａｅｃｐｃｔｎｅｆａｕｅ，ｔａｓｈｓｒｃ：Ｐｌｓｌｏｈｎｆｌｔａｓｓｏｓｈｖｎｑｅｇｔａａｉａｃｅｔｒｓｈｔｉ，ｔｅｉｍ
ｅｆｃｎｏａｃｕｔａｅｔ — ｏｒｅｃｐｃｔｎｅａｄｇｔ — ｏｄａｎｃｐｃｔｎｅｃａａｔｒｓｉｓｆｅｔｉｔｃｏｎ，ｇｔ～ｏｓｕｃａａｉａｃｎａｅｔ — ｒｉａａｉａｃｈｒｃｅｉｔｃａｅｍｏｅｅ．Ｔｈｏｄａｒｅｅｔｂｔｅｉｌｔｄｍｏｅｅｕｔｎｘｅｉｅｔｌｄｔｒｄｌｄｅｇｏｇｅｍｎｅｗｅｎｓｍｕａｅｄｌｒｓｌｓａｄｅｐｒｎａａａｍ

高压LDMOS晶体管宏模型及栅电荷建模方法

高压LDMOS晶体管宏模型及栅电荷建模方法田飞飞;吴郁;胡冬青;刘钺杨【摘要】针对标准MOSFET的BSIM4模型在高压LDMOS建模及已有LDMOS 紧凑模型的不足,提出一种LDMOS宏模型.在本研究中,借助Spectre软件分别对宏模型与BSIM4器件模型进行仿真,并对2种LDMOS器件模型下的CV结果进行对比,验证了宏模型对LDMOS器件模拟的准确性.最后,提出利用栅电荷曲线来进一步修正模型参数的新方法,并通过仿真获得更精确的LDMOS器件模型.该宏模型及栅电荷建模方法对于高压功率集成电路设计及仿真有重要意义.%A macro model of high-voltage power LDMOS is introduced. The macro model and BSIM4 model are simulated respectively by Spectre, and the CV results under these two LDMOS models are compared. A new way to fix the model parameters hy using the gate charge curves is proposed, and through simulation, a more accurate LDMOS device model can be acquired. This macro model for LDMOS and the new gate charge modeling method are significant for the design and simulation of the higb-voltage power ICs.【期刊名称】《现代电子技术》【年(卷),期】2011(034)010【总页数】4页(P163-165,168)【关键词】器件建模;高压LDMOS;宏模型;栅电荷【作者】田飞飞;吴郁;胡冬青;刘钺杨【作者单位】北京工业大学,北京100124;北京工业大学,北京100124;北京工业大学,北京100124;北京工业大学,北京100124【正文语种】中文【中图分类】TN919-340 引言由于LDMOS器件具有很强的高压驱动能力，近年来，LDMOS器件被广泛应用于高压功率集成电路中，如开关电源、汽车、LCD驱动、TFT驱动电路中[1-2]。

多晶硅薄膜晶体管亚阈值区准二维模型

ｉａｅｕｃｏｔａｆｔｏｅｉｎａｏｈａｅＯＳｔｃｎｒｄｅｔｈｔｏｈｅｃｎｖｎｔｏｌｌｎｇｃｎｎｌＭＦＥＴｎｔａｅｏａｇａｎｓｚｉｈｅｃｓｆｌｒｅｇｒｉｉｅ
多晶硅薄膜晶体管亚阈值区准二维模型
吴为敬
（南理工大学材料科学与工程学院，东广州５０４， — ｉ：ＷＵｊｃｔｅｕｃ）华广１６１Ｅｍａｌｗ＠ｓｕ．ｄ．ｎ
摘
要：准二维泊松方程出发，合多晶硅扩散和热发射载流子输运理论，立了多晶硅薄膜晶体管亚阈从结建
ｔｉｄｆｏｍｔｕｆｃｐｔｎｔａｅｕｔｏｎｄｔｓｔｅｈｏｄｃｒｎｔｘｐｅｓｏａｎｅｒｈｅｓｒａｅｏｅｉｌｑａｉｎａｈｅｕｂｈｒｓｌｕｒｅｅｒｓｉｎ，ｗｈｃｉｈｔｋｅｎｏａｃｎｔｔｅｇａｎｓｚｎｄｔａｔｔｓａｓｉｔｃｏｕｈｒｉｉｅａｒｐｓａｅ．Ｔｈｓｍｏｌｈｓａｓｍｐｌｕｎｔｏｎｌｆｒａｉｄｅａｉｅｆｃｉａｏｍｎｄ
ＷＵｅｊｇＷｉｉ —ｎ
（ｏｌｇｆＭａｅｉｌｃｅｃｎｎｉｅｒｎＳｕｈＣｉａＵｎｖｒｉｆＴｅｈｏｏｙ，ＣｌｅｅｔｒａｉｎｅｄＥｇｎｅｉｇ，ｏｔｈｎｉｅｓｔｏｃｎｌｇｏＳａｙ

纳米集成电路制造中的CMP

纳米集成电路制造中的CMP王海明【摘要】总结了化学机械抛光技术在当前纳米集成电路工艺流程中的实际应用,分析了存在的问题和挑战,以及CMP的发展趋势;同时充分评估了CMP在纳米集成电路制造中的关键作用,以及掌握其核心技术的战略意义.【期刊名称】《电子工业专用设备》【年(卷),期】2018(047)002【总页数】6页(P1-5,57)【关键词】化学机械抛光;纳米集成电路制造;化学机械抛光核心技术【作者】王海明【作者单位】中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京100176【正文语种】中文【中图分类】TN305自从1988年IBM公司将化学机械抛光技术(CMP)应用于4M DRAM芯片的制造，集成电路制造工艺就逐渐对CMP技术产生了越来越强烈的依赖。

之所以如此，主要是由于器件特征尺寸（CD）微细化，以及技术升级引入的多层布线和一些新型材料的出现。

特别是进入0.25 μm节点后的Al布线和进入0.13 μm节点后的Cu 布线，CMP技术的重要性更显突出。

进入90～65 nm节点后，铜互连技术和低k介质的采用，CMP的研磨对象主要是铜互连层、层间绝缘膜和浅沟槽隔离（STI)。

从45 nm开始，逻辑器件的晶体管中引入高k金属栅结构（HKMG），因而同时引入了两个关键的平坦化应用，即虚拟栅开口CMP工艺和替代金属栅CMP工艺。

到了32 nm和22 nm节点，铜互连低k介质集成的CMP工艺技术支持32 nm和22 nm器件的量产。

在22 nm开始出现的FinFET晶体管添加了虚拟栅平坦化工艺，这是实现后续3D结构刻蚀的关键技术。

先进的DRAM存储器件在凹槽刻蚀形成埋栅结构前采用了栅金属平坦化工艺。

引入高迁移率沟道材料（如用于nFET的III-V材料和用于pFET 的锗）后，需要结合大马士革类型的工艺，背面抛光这些新材料。

另外，CMP也在PCRAM技术中担当起了GST CMP的重任。

总之，诸如此类层出不穷，CMP 在纳米集成电路制造中的作用至关重要。

多晶硅薄膜晶体管特性研究

多晶硅薄膜晶体管特性研究摘要多晶硅薄膜晶体管（polysilicon thin film transiston）因其高迁移率、高速高集成化、p 型和n型导电模式、自对准结构以及耗电小、分辨率高等优点，近年来被广泛的应用于液晶显示器。

随着器件尺寸减小至深亚微米，热载流子退化效应所致器件以及电路系统的可靠性是器件的长期失效问题。

本文主要研究热载流子效应。

首先，研究热载流子退化与栅极应力电压，漏极应力电压及应力时间的依赖关系。

其次，漏极轻掺杂（Light Doped Drain，LDD）结构是提高多晶硅薄膜晶体管抗热载流子特性的一种有效方法，研究了LDD结构多晶硅薄膜晶体管的结构参数对器件可靠性的影响。

关键词：多晶硅薄膜晶体管热载流子效应可靠性Study on Characteristics of polysilicon thin film transistorAbstractToday, p-Si TFTs are used broadly in display devices because of its high field effect mobility,high integration and high speed,high definition display,n channel and p channel capability,low power consumption and self-aligned structures. With the device scaling down to deep-submicrometer, the reliability of the device circuit system induced by hot carrier effect is long-term failure.Hot carrier effects is studied. Firstly,we mainly study the dependence between hot carrier degradation and gate-stress voltage,drain-stress voltage and stress time.Secondly,the structure of Light Doped Drain is an effective means to resist hot carrier effect ,the influence of parameters of LDD structures on reliability of p-Si TFT was investigated.Keywords：p-Si TFT;hot carrier effect;reliability目录摘要 (I)Abstract (II)第一章绪论 (1)1.1薄膜晶体管的发展 (1)1.2薄膜晶体管的结构以及工作原理 (2)1.2.1薄膜晶体管的结构 (2)1.2.2薄膜晶体管的工作原理 (3)1.3多晶硅薄膜晶体管的应用 (4)1.4多晶硅薄膜晶体管的热载流子效应 (5)第二章多晶硅薄膜晶体管的热载流子效应 (6)2.1热载流子效应 (6)2.2热载流子注入栅氧化层引起的退化 (6)2.3热载流子的注入机制 (7)2.4 提高多晶硅薄膜晶体管抗热载流子效应的措施 (9)2.5本章小结 (9)第三章多晶硅薄膜晶体管可靠性研究 (10)3.1多晶硅薄膜晶体管可靠性与热载流子应力条件的依赖关系 (10)3.1.1 阈值电压变化与栅极应力电压的关系 (10)3.1.2 阈值电压变化与漏极应力电压的关系 (11)3.1.3 阈值电压变化与应力时间的关系 (12)3.2 LDD多晶硅薄膜晶体管 (12)3.3 LDD多晶硅薄膜晶体管对热载流子效应的改善 (13)3.4 LDD多晶硅薄膜晶体管的结构参数对可靠性的影响 (14)3.4.1 LDD区注入能量对器件的影响 (14)3.4.2 LDD区掺杂浓度对横向电场的影响 (15)3.4.3 LDD区掺杂浓度对驱动性能的影响 (16)3.5 LDD结构多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的简单模型 (17)3.6本章小结 (19)结语 (20)参考文献 (21)致谢 (22)第一章绪论1.1薄膜晶体管的发展人类对薄膜晶体管（thin film transiston: TFT）的研究工作已经有很长的历史。

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关键词：晶硅薄膜晶体管；面势；电容多表栅中图分类号：Ｎ３３Ｔ－５１０－８９２０）２２８０
Ｓｆｃ — ０ｅｔａ — ａｅａｅＣａａｉａｅＭｏｌｏｕｒａｅｐｔｎｉｌｂｓｄＧｔｐｃｔｎｃｄｅｆ
ＰｏｙｉｉｏｌｓｌｃｎＴｈｉｆｌａｉｔｒｎ－ｉｍＴｒｎｓｓｏｓ
ＤＥＮＧａｎｉＺＨＥＮＧＷｌｎｇＸｕｅｅＣＨＥＮｒｎＲｏｎｈｅｇｓｎｇ
（ｎｔｕｅｏｉｏｌｔｎｃ，ｏｔｈｎｉｅｓｙｏｅｈｏｇ，ｕｎｚｏ，５０４，ＨＮ）ＩｓｔｔｆＭｃｅｅｒｉＳｕｈＣｉａＵｎｖｒｉＴｃｎｌｙＧａｇｈｕ１６０Ｃｉｒｃｏｓｔｆｏ
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第２卷第２８期２００８年６月
固体电子学研究与进展
ＲＥＥＣ＆ＰＳＡＲＨＲＯＧＲＳＳＥＳＯＦＳＥ
Ｖｏ＿８，．ｌ２Ｎｏ２
Ｊｎ，２０ｕ．０８
光电子学
、８、
基于表面势的多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型
邓婉玲郑学仁陈荣盛
（南理工大学微电子研究所，州，１６０华广５０４）
２０— ７００７０ —５收稿，０７０ —７收改稿２０ —８２
摘要：式地推导多晶硅薄膜晶体管（ｏｙｉｃｎｔｉ— ｌｔｎｉｏｓｐｌ－ｉＦ表面势隐含方程的近似显Ｐｌｓｉｈｎｆｍｒｓｔｔ，ｏｙＳＴＴ）ｌｏｉａｓ解，求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率，精确度非常高，数值迭代结果比较，对误差范围只在纳该且与绝伏数量级。利用求得的表面势，立了一个ｐｌ—ｉＦ栅电容模型，电容电压模型能连续、确地描述ｐｌ－ｉ建ｏｙＳＴＴ该准ｏｙＳＴＦ在线性区和饱和区的动态特性，时该模型考虑了ｋｎＴ同ｉｋ效应、道长度调制效应和寄生电容等。对实验数据沟进行拟合发现，出的模型与实验数据符合得较好，准确地预测ｐｌ－ｉＦ的栅电容特性。提能ｏｙＳＴＴ
ＡｂｔａｔＡｎｅｐｉｉｓｌｔｏｏｔｅｐｌｓｌｏｉ— ｌＴｒｎｉｔｒ（ｏｙＳｓｒｃ：ｘｌｔｏｕｉｎｔｈｏｙｉｃｎＴｈｎＦｉｃｉｍａｓｓｏｓｐｌ— ｉＴＦＴｓｍ— ）ｉ
ｐｌｉｕｒａｅｐｏｅｉｌｅｕａｉｓｂｅｅｉｅｉｔｓｆｃｔｎｔａｑｔｏｎｈａｅｎｄｒｖｄ．Ｔｈｏｎｉｅａｉｏｍｐｕａｉｎｓｏｕｒａｅｐｏｃｅｎ —ｔｒｔｖｅｃｔｔｏｆｓｆｃ — ｔｎｔａｏｌ — ｅｉｌｏｆｐｙＳｉＴＦＴｓｇｅｔｙｉｐｒｅｃｍｐａｉａｆｉｉｎｃｒａｌｍｏｖｏｕｔｔｏｎｌｅｆｃｅｙ，ａｏｍｐａｉｏｔｍｅｉｎｄａｃｒｓｎｗｉｈｎｕｒ— ｃｌｒｓｔｈｗｓｔｂｏｕｔｒｏｒｒｎｔｅｎａｏｖｌａｅ．Ｂａｅｈｅｃｌｕｌｔｄｓｒａｅａｅｕｌｓｓｏｈｅａｓｌｅｅｒｓａｅｉｈｎｏｔｒｎｇｓｄｏｎｔａｃａｅｕｆｃｐｏｅｔａ，ａｇａｅｃｐｃｔｎｃｄｌｏｔｎｉｌｔａａｉａｅｍｏｅｆｐｏｌ — ｙＳｉＴＦＴｓｈａｅｖｌｐｅｓｂｅｎｄｅｅｏｄ，ｗｈｉｈｃｎｃｃａｏｎｔｎｕｓｙｉｏｕｌａｃｕｒｔｌｅｃｙｍｉｈａａｔｒｓｉｓａｒｓｔｉｅｒａｄｓｔａｉｅｍｅｌＳｉｎｄａｃａｅｙｄｐｉｔｄｎａｃｃｒｃｅｉｔｃｃｏｓｈｅｌｎａｎａｕｒｔｏｎｒｇｉｓｏｆｐｏｙ— ＴＦＴｓＫｉｆｅｔｈａ．ｎｋｅｆｃ，ｃｎｎｅｅｔｌｌｎｇｈｍｏｄａｉｎａｄｓｒｙｃｐｃｔｎｅｖｅｎｃｕｄｉｈｕｌｔｏｎｔａａａｉａｃｓｈａｅｂｅｎｉｌｄｅｎｔｅｍｏｄｌｅａｉｎｓｅｑｕｔｏ．Ｔｈｉｏｅｈｏｏｇｒｅｎｔｈｅａａｌｂｅｅｅｉｎｔｌｒｓｔｎｄｓｍｄｌｓｗｓａｇｏｄａｅｍｅｔｗｉｈｔｖｉａｌｘｐｒｍｅａｅｕｌｓａｐｒｄｉｔｈｅｇｔａａｉａｅｂｅｖｉｒｗｅ１ｅｃｓｔａｅｃｐｃｔｎｃｈａｏｌ．