《模拟电子技术基础》A卷及答案
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一、选择题
1.为了增大输出电阻,应在放大电路中引入 A ;
A、电流负反馈
B、电压负反馈
C、直流负反馈
D、交流负反馈
2.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为____ B _____失真,下半周失真时为____ A ____失真。
A、饱和
B、截止
C、交越
D、频率
3.三端集成稳压器CXX7805的输出电压是____ A _____
A、5v
B、9v
C、12v
D、8v
4.两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 B 。
A、β
B、β2
C、2β
D、1+β
5.直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是____C____。
A、(
B、
C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B)
D、A、B、C均可
6.集成运放的互补输出级采用 B 。
A、共基接法
B、共集接法
C、共射接法
D、差分接法
7. 稳压管的稳压区是其工作在 D 状态。
A、正向导通
B、反向截止
C、饱和
D、反向击穿
8.晶体管能够实现放大的外部条件是 B 。
A、放射结正偏,集电极正偏
B、放射结正偏,集电极反偏
C、放射结反偏,集电极正偏
D、放射结反偏,集电极反偏
9.测得晶体管三个电极的静态电流分别是0.06mA,3.66mA和3.6mA,则该管的β为 A 。
A、60
B、61
C、100
D、50
10.射极输出器的特点是 C 。
A、
。
u
A<1,输入电阻小,输出电阻大
B、
。
u
A>1,输入电阻大,输出电阻小
C、
。
u
A<1且
。
u
A≈1,输入电阻大,输出电阻小
D、
。
u
A>1,输入电阻小,输出电阻大
11.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 C 。
A.电阻阻值有误差
B.晶体管参数的分散性
C.晶体管参数受温度影响
D.电源电压稳定
12.对于结型场效应管,当| u GS | > | U GS (off ) | 时,管子一定工作在 C 。
A 、恒流区
B 、可变电阻区
C 、截止区
D 、击穿区
13.负反馈放大电路产生自激振荡条件是 B 。
A 、AF=1
B 、1-=。
。F A C 、AF >1 D 、以上均可以
14.要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻,应采用 B 负反馈
A 、电流串联
B 、电压串联
C 、电流并联
D 、电压并联
15
,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。
A .NPN 型硅管
B .NPN 型锗管
C.PNP 型硅管 D .PNP 型锗管
16.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。
A .P 沟道增强型MOS 管
B .P 沟道结型场效应管
C .N 沟道增强型MOS 管
D .N 沟道耗尽型MOS 管
17.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。
A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大
18.在图示电路中,Ri 为其输入电阻,RS 为常数,为使下限频率fL 降低,应( D )。
A .减小C ,减小Ri B. 减小C ,增大Ri
C. 增大C ,减小 Ri
D. 增大C ,增大 Ri
19.如图所示复合管,已知V1的β1 = 30,V2的β2 = 50,则复合后的β
约为( A )。
A .1500 B.80 C.50 D.30
20.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和
( D )。
A.基本共射放大电路
B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路
D.同相比例运算电路
21.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。
A.积分运算电路
B.微分运算电路
C.过零比较器
D.滞回比较器
22.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a .不用输出变压器
b .不用输出端大电容
c .效率高
d .无交越失真
23.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。
a .正向导通区
b .反向截止区
c .反向击穿区
24.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 A 。
A 增大
B 减小
C 不变
D 等于零
25.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 B 。
A 非饱和区
B 饱和区
C 截止区
D 击穿区
26.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 C 。
A 电阻阻值有误差
B 晶体管参数的分散性
C 晶体管参数受温度影响
D 受输入信号变化的影响
27.差动放大电路的主要特点是 A 。
A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;
B 既放大差模信号,又放大共模信号
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