磁控溅射相关ppt
磁 控 溅 射 简 介

溅射示意图
溅射后的现象
二次电子 基本离子 背散射颗粒 气体解吸
溅射颗粒
非晶层
化合物形成 冲撞链 震动波 点缺陷 热链 1kev的离子能量下,溅射出的中性粒子,二次电子和二次离子之比约为1000:10: 1kev的离子能量下,溅射出的中性粒子,二次电子和二次离子之比约为1000:10:1 的离子能量下 1000 注入原子
磁控溅射简介
许 健
引言
1842年格洛夫(Grove) 1842年格洛夫(Grove)在实验室中发现了阴 年格洛夫 极溅射现象。迄后70年中, 70年中 极溅射现象。迄后70年中,由于实验条件的 限制, 限制,对溅射机理的认同长期处于模糊不清 状态。1970年后出现了磁控溅射技术 年后出现了磁控溅射技术。 状态。1970年后出现了磁控溅射技术。最近 15年来 进一步发展了一系列新的溅射技术, 年来, 15年来,进一步发展了一系列新的溅射技术, 使得磁控溅射技术从实验室应用技术真正地 进入工业化大量生产的应用领域。 进入工业化大量生产的应用领域。
磁控溅射靶表面的磁场和电子运动的轨迹
磁控溅射-工作示意图
基体 镀 层 从目标中喷出的表面原 子 电场
磁场 向目标运动的加速氩离 子 磁控溅射阴极 靶 磁极
磁控溅射-工作示意图
磁控溅射装置实物图
磁控溅射装置实物图
磁控溅射装置示意图
真空控制系统 溅射系统 --真空控制系统
气体流出阀
plug-in boards valve 机械泵 分子泵 充气阀
磁控溅射靶表面的磁场和电子运动的轨迹基体电场磁场磁极磁控溅射阴极磁控溅射工作示意图磁控溅射工作示意图真空控制系统真空控制系统机械泵机械泵分子泵分子泵气体流出阀气体流出阀pluginboardsvalve充气阀充气阀混合真空计混合真空计真空腔内压强真空腔内压强物质流量控制计物质流量控制计气体溅射流量气体溅射流量基板温度基板温度最大电压最大电压温度温度电流电流电压电压cds9999直径为76mm厚度为32mm
磁控溅射镀膜原理及工艺PPT学习教案

其中磁控溅射可以被认为是镀膜技术 中最突出的成就之一。它以溅射率高、 基片温升低、膜-基结合力好、装置性能 稳定、操作控制方便等优点,成为镀膜 工业应用领域(特别是建筑镀膜玻璃、透 明导电膜玻璃、柔性基材卷绕镀等对大 面积的均匀性有特别苛刻要求的连续镀 膜场合)的首选方案。
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膜材料、功率、阴极的数量以及膜层的种类的
不同,通常的运行范围是每分钟90 ~ 400(大
约为2.286
~
10.16
米)英寸之间。 第17页/共44页
2.1.5 距离与速度及附着力
为了得到最大的沉积速率并提高膜层的附着 力,在保证不会破坏辉光放电自身的前提下, 基片应当尽可能放置在离阴极最近的地方。溅 射粒子和气体分子(及离子)的平均自由程也 会在其中发挥作用。当增加基片与阴极之间的 距离,碰撞的几率也会增加,这样溅射粒子到 达基片时所具有的能力就会减少。所以,为了 得到最大的沉积速率和最好的附着力,基片必 须尽可能地放置在靠近阴极的位置上。
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通常将欲沉积的材料制成板材-靶,固定 在 阴极上。基片置于正对靶面的阳极上,距靶 一定距离。系统抽至高真空后充入(10~1) 帕的气体(通常为氩气),在阴极和阳极间 加几千伏电压,两极间即产生辉光放电。放 电产生的正离子在电场作用下飞向阴极,与 靶表面原子碰撞,受碰撞从靶面逸出的靶原 子称为溅射原子,其能量在1至几十电子伏 范围内。溅射原子在基片表面沉积成膜。
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2.1.4 传动速度
玻璃基片在阴极下的移动是通过传动来进行
的。低传动速度使玻璃在阴极范围内经过的时
间更长,这样就可以沉积出更厚的膜层。不过,
为了保证膜层的均匀性,传动速度必须保持恒
第3章 溅射法

主要溅射法:直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射、
离子束溅射
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1 直流溅射
直流溅射又称阴极溅射或二极溅
射,适用于导电性较好的各类合金
薄膜。
(1)直流溅射设备(如右图)
(2)直流溅射的基本原理:
在对系统抽真空后,充入一定
压力的惰性气体,如氩气。在正负
电极间外加电压的作用下,电极间
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3.2 气体放电现象
在讨论气体放电现象之前,我 们先考思一下直流电场作用下物质 的溅射现象。如图所示真空系统, 在对系统抽真空后,充入一定压力 的惰性气体,如氩气。在正负电极 间外加电压的作用下,电极间的气 体原子将被大量电离,产生氩离子 和可以独立运动的电子,电子在电 场作用下飞向阳极,氩离子则在电 场作用下加速飞向阴极—靶材料, 高速撞击靶材料,使大量的靶材料 表面原子获得相当高的能量而脱离 靶材料的束缚飞向衬底。
到应有的发展。直到20世纪50年代中期,溅射工艺才得
到不断的发展和改进。
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•到了1960年以后,人们开始重视对溅射现象的研究,其原 因是它不仅与带电粒子同固体表面相互作用的各种物理过程 直接相关,而且它具有重要的应用,如核聚变反应堆的器壁 保护、表面分析技术及薄膜制备等都涉及到溅射现象。
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溅射的基本原理
• 溅射:是利用气体辉光放电过程中产生的荷能粒子 (正离子)轰击固体表面,当表面原子获得足够大的 动能而脱离固体表面,从而产生表面原子的溅射,把 物质从源材料移向衬底,实现薄膜的沉积。
溅射是轰击粒子与靶原子之间能量和动量传递的结果。
磁控溅射相关

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靶材性能对溅射效果影响
靶材纯度
高纯度靶材可以减少薄膜中的杂质含 量,提高薄膜性能。
靶材致密度
高致密度靶材可以提高溅射速率和薄 膜质量。
靶材晶粒大小
细小晶粒的靶材可以提高薄膜的均匀 性和附着力。
靶材成分与组织
不同成分和组织的靶材会影响溅射过 程中粒子的能量和角度分布,从而影 响薄膜的结构和性能。
04
多功能化和智能化
未来的磁控溅射设备将实现多功能化和智能化,具备自动调节、远程监控、数据分析等 功能,提高设备的易用性和生产效率。
环保和可持续发展
环保和可持续发展是未来磁控溅射技术发展的重要方向,将采用更环保的材料和工艺, 降低能耗和废弃物排放。
未来研究方向和挑战
新材料和新工艺的探索
未来需要探索新的靶材、基材 以及工艺参数,以适应不同领 域和应用的需求,并提高磁控 溅射技术的性能。
关键技术参数与性能指标
溅射速率
单位时间内溅射到基片上的物 质质量或厚度,与靶材成分、 电源功率、真空度等因素相关
。
薄膜均匀性
基片上薄膜厚度的均匀程度, 受磁场分布、基片位置、溅射 角度等因素影响。
靶材利用率
靶材被有效利用的比例,与靶 材形状、磁场设计、溅射方式 等因素有关。
设备稳定性与可靠性
设备在长时间运行过程中的稳 定性和故障率,是评价设备性
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磁控溅射技术应用实例分析
在微电子领域应用案例
薄膜晶体管(TFT)制造
利用磁控溅射技术,在玻璃或塑料基板上沉积薄膜,用于制造TFT显示器,如液晶显示屏 (LCD)和有机发光二极管(OLED)显示屏。
薄膜制备技术—溅射法ppt课件

除特殊用途外已不在运用。
三、射频溅射安装及特性
任务原理
在射频溅射系统中,射频电势加在位于绝缘 靶下面的金属电极上,在射频电场作用下, 在两电极间振荡运动的电子具有足够高的能 量产生离化碰撞,从而使放电到达自持,阴 极溅射的二次电子不再重要。
3.2 溅射主要参数
一、溅射阈和溅射产额 溅射产额又称为溅射率
或溅射系数,表示正 离子撞击阴极时,平 均每个正离子能从阴 极上打出的原子数。 与入射能量,入射离子 种类,溅射物质种类
3.2 溅射主要参数
1. 入射离子能量的影响 只需入射离子能量超越一定阈值以后,才干从被溅射物质
外表溅射出离子。 阈值能量与入射离子的种类关系不大,与被溅射物质的升
速率下降,而溅射产额低的物质得到富集,溅射 速率上升。最终结果是,虽然靶材外表的化学成 分曾经改动,但溅射得到的合金薄膜成分却与靶 材的原始成分根本一样。 当靶的温度很高,各种合金成分由于热扩分发生变 化时,溅射膜和靶材原来的组分就会发生变化。
3.2 溅射主要参数
二、溅射粒子的能量和速度 靶外表受离子轰击会放出各种粒子,主要是溅射原
1、辉光放电过程包括
初始阶段AB:I=0 无光放电区
汤生放电区BC:I迅速增大
过渡区CD:离子开场轰击阴极,产生
二次电子,又与气体分子碰撞产生更多 B
离子
C D
辉光放电区DE:I增大,V恒定
A
异常辉光放电区EF:溅射所选择的任
务区
弧光放电:I增大,V减小
F E
G
3.1 溅射根本原理
溅射实际模型:动量实际,也称为级联碰撞实际。入射离子在进入 靶材的过程中与靶材原子发生弹性碰撞,入射离子的一部分动能会传送 给靶材原子,当后者的动能超越由其周围存在的其他靶材原子所构成的 势垒时,这种原子会从晶格阵点被碰出产生离位原子,并进一步和附近 的靶材原子依次反复碰撞,产生所谓的级联碰撞。
磁控溅射

2.2.1.溅射原理溅射法沉积薄膜是物理气相沉积的一种,它利用荷电的离子在电场中加速后具有一定动能的特点,将离子引向预溅射的靶电极,在入射离子能量合适的情况下,将靶表面的原子溅射出来。
这些被溅射出来的原子将带有一定的动能,并且会沿着一定的方向射向衬底,从而实现在衬底上沉积薄膜。
溅射有两条最基本的特点:一是由辉光放电提供的高能离子或中性原子碰撞靶材表面,将其动量传递给靶材;二是动量传递导致某些粒子从靶表面溅射出来。
离子轰击靶表面时除了会击出靶材原子外还会击出电子,即二次电子,这些电子在电场中加速后,与气体原子或分子碰撞,使其电离,从而使等离子体得以维持。
在溅射的过程中通入少量的活性气体,使它与溅射出的靶原子在衬底上反应形成化合物薄膜,称为反应溅射。
对于一般的溅射沉积方法具有两个缺点:第一,薄膜的沉积速率较低;第二,溅射所需的工作气压较高,如果工作气压低于1.3 Pa,电子的平均自由程太长,没有足够的离化碰撞,自持放电很难维持。
作为薄膜沉积的一种技术,自持放电最严重的缺陷是用于产生放电的惰性气体对所沉积薄膜构成的污染。
一般溅射的效率一般不高,为了提高溅射效率,就需要增加气体的离化效率。
因为溅射用于轰击靶材的离子来源于等离子体,提高溅射镀膜速率的关键在于如何提高等离子体的密度或电离度,以降低气体放电的阻抗从而在相同的放电功率下获得更大的电流,即获得更多的离子以轰击靶材。
提高等离子体的密度或电离度的关键在于如何充分利用电子的能量,使其最大限度地用于电离。
图2.1磁控溅射系统示意图在普通溅射系统的基础上增加一个发射电子的热阴极和一个辅助阳极,构成三极(或称四极)溅射系统。
由于热阴极发射电子的能力较强,因而放电气压可以维持在较低的水平上,这对于提高沉积速率、减少气体杂质污染都是有利的。
但是这种三极(或称四极)溅射的缺点是难以获得大面积且分布均匀的等离子体,且其提高薄膜沉积速率的能力有限,因而这一方法未获得广泛使用。
磁控溅射、反应溅射与中频溅射

中频溅射工艺控制
❖ 等离子体发射测量(PEM)控制
❖ 反应气体闭环控制
❖ 脉冲送气控制 ▪ 送入1.6s,切断1s, TiN沉积速率提高 70% ▪ 脉冲送气提高沉积速 率2~3倍,且以锯齿 波形效果最好
Q&A Thanks!
高速 低温
带电粒子在复合电磁场中的运动
❖ 电子在电场和磁场中受到的力
dv e (EvB) dt m
E×B 漂移
带电粒子在复合电磁场中的运动
❖ E=0,B为均匀磁场, 电子沿磁力线以速度vE 漂移,同时沿磁力线回 旋运动
❖ 回旋频率
e
eB m
❖ 回旋半径
rg
me e
( v B
)
带电粒子在复合电磁场中的运动
磁控溅射、反应溅射与中 频溅射——原理与应用
复旦大学 材料科学系
沈杰
目录
❖ 磁控溅射 ▪ 基本原理与特点 ▪ 磁控溅射类型
❖ 反应溅射 ▪ 化合物薄膜 ▪ 反应溅射原理 ▪ 反应溅射工艺参数
❖ 中频溅射 ▪ 直流反应溅射的缺陷 ▪ 中频溅射原理 ▪ 中频溅射工艺参数
目录
❖ 磁控溅射 ▪ 基本原理与特点 ▪ 磁控溅射类型
❖ 直流反应溅射的缺陷 ▪ “积累电荷放电”——稳定工况 ▪ “靶中毒”——提高效率
弧光放电
❖1 高压击穿放电 ❖2 微弧放电 ❖3 极间放电
灭弧电源
❖ “灭弧”供电 ❖ A2K(Action Arc Killing)
电源
▪ 正脉冲平均电压 60~80 V ▪ 负脉冲平均电压 500~600 V ▪ 脉冲宽度比(放电/溅射)
1:4~1:8 ▪ 频率 10 kHz
直流反应溅射缺陷
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3 / 20 磁控溅射镀膜的发展阴极溅射技术的发现与进展?1842年格洛夫(Grove)在研究电子管阴极腐蚀问题时,发现阴极材料迁移到真空管壁上来了,进而发现了阴极溅射现象。 ?直到1877年才真正应用于研究的溅射设备上。 迄后70年中,由于实验 条件的限制,对溅射机理的认同长期处于模糊不清状态,在1950年之前 有关溅射薄膜特性的技术资料,多数是不可信的。 ?到了19世纪中期,阴极溅射技术发展也相当缓慢,只是在化学活性极强的材料、贵金属材料、介质材料和难熔金属材料的薄膜制备工艺中,采 用溅射技术。 磁控溅射镀膜 3磁控溅射镀膜的发展磁控溅射技术出现与进展?通过把磁场应用到设备中,在1970年出现了磁控溅射技术随后商品化 的磁控溅射设备供应于世,大大地扩展了溅射技术应用的领域。 ?最近15年来,磁控溅射技术得到了飞速发展,并出现了一系列新的溅 射技术,如:平衡磁控溅射技术、非平衡磁控溅、多靶非平衡磁控溅、 反应磁控溅、中频磁控溅、脉冲磁控溅射。 ?随着工业薄膜制备的需求和表面技术的发展,新型磁控溅射技术如 高速溅射、自溅射和高功率脉冲磁控溅射等成为目前磁控溅射领域新 的发展趋势。 磁控溅射镀膜4---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------
5 / 20 磁控溅射镀膜原理1. 定义:在二极溅射中增加一个平行于靶表面的封闭磁场,借助于靶表面上形 成的正交电磁场,把二次电子束缚在靶表面特定区域来增强电离效率, 增加离子密度和能量,从而实现高速率溅射的过程,是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)的一种。 磁控溅射镀膜5磁控溅射镀膜原理2. 磁控溅射的工作原理是指电子在电场 E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞 向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表 面,使靶材发生溅射。 在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产 生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简 称E×B漂移,其运动轨迹近似一条摆线。 磁控溅射镀膜6---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------
7 / 20 磁控溅射镀膜原理若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们 的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内, 并且在该区域中电离出大量的 Ar 来轰击靶材,从而实现了沉积速率。 随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆 尽,逐渐远离靶表面,并在电场E的作用下最终沉积在基片上。 由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低。 磁控溅射镀膜7膜的检测手段1. 硬度和弹性模量的检测 2. 膜层与基底粘附性检测 3. 膜成分的检测4. 膜层结构的检测5. 退火后膜层性能的检测磁控溅射镀膜8---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------
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11 / 20 膜的检测手段膜成分的检测x射线衍射法(X-ray diffraction简称XRD)可以进行晶体结构分析、物相分析 x射线光电子谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy简称XPS) 不仅能测定表面的组成元素,而且能确定各元素的化学状态 俄歇电子能谱(AES)分析,可以有关固体表面和界面的元素种 类,相对含量及化学状态。 有很高的微区分能力,或者说有 很高的横向和沉积方向分辨能力磁控溅射镀膜 11膜的检测手段膜层结构的检测膜层结构的检测主要是用近平行的入射X 射线, 以掠入射的方式射入和中子掠入射镜反射方法测定薄膜厚度和界面结构1. 掠入射X-ray反射(GIXRR)当X射线照到试样上,如果试样内部存在纳米尺寸的密度不均匀区(1-100nm),则会在入射X射线束周围2-5°的小角度范围内出现散射X射线.称为掠入射X-ray反射。 磁控溅射镀膜12---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------
13 / 20 膜的检测手段当对薄膜样品进行XRR测量时,由于空气与薄膜、薄膜与衬底的X射线反射率不同 ,就会产生XRR衍射峰。 通过计算相邻峰位之间的距离就可推算薄膜的厚度 ,通过峰的强度和面积就可 以计算其界面粗糙度。 如果在垂直于膜面方向上多层膜存在 较好的周期性结构 ( 超晶格 ), 在小角范围内还会出现布拉格衍 射峰。 磁控溅射镀膜13膜的检测手段2. 中子掠入射镜反射中子没有电荷,穿透本领强,许多固体材料对中子是透明的可有效的 研究材料的深层界面结构,同时可以获取分层介质各层的厚度、密度和界 面粗糙度。 中子反射是作用在原子核上,在检测轻元素(C、H、O、N)、同位素和原子质量相近的元素(Fe-Co)上相比于X-Ray有较大的优势。 磁控溅射镀膜14---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------
15 / 20 磁控溅射镀膜技术应用磁控溅射膜涂层能改善材料的表面性能,减少工件的摩擦和磨损,有 效提高表面硬度、韧性、耐磨性和高温稳定性,大幅度提高涂层产品的使 用寿命,节约资源,提高生产力,减少环境污染。 磁控溅射在PVD行业是应用及研究最广泛的,在装饰、工模具镀膜、太阳能、幕墙玻璃、显示屏等许多行业都有广泛的应 用。 磁控溅射镀膜15磁控溅射镀膜技术应用1. 金属基材装饰膜颜色金属基材装饰膜的种类及色调很多,下表列举了部分金属基材装饰膜 的种类及颜色。 磁控溅射镀膜16---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------
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