英飞凌晶闸管产品详细介绍
英飞凌新员工入职技术培训
• 1：Concept的驱动的主要型号：
• 1．1通用驱动系列： • SCALE内核系列 • SCALE内核内置IGBT驱动器所有的基本功能例如：电气
隔离，保护功能，DC/DC电源等，使用时需连接外围电路， 列如输入接口，门极电阻，有源钳位等。适用IGBT从 600V到3300V • 特别提示：
• 2SD315AI • 平均无故障率4000万次 • 市场上用最广泛的一种驱动器
MCU
• 英飞凌的MCU在欧洲的市场份额很高，但 是在中国，由于推进的比较晚，所以现在 国内市场份额还不是很大。
• 英飞凌MCU主要有8位和16位 • 主要的运用场合： • 一切的控制系统中，基本上都会用到MCU，
包括变频器，UPS，有源滤波器，风力发 电，光伏发电，电梯控制等等。
公Hale Waihona Puke 主要的产品• 英飞凌IGBT模块 • 英飞凌MCU系列 • Concept驱动系列
IGBT
• 1:电力电子器件发展 电力电子器件的发展经历了晶闸管（SCR）、可关断晶闸 管（GTO）、电力晶体管（GTR）、场效应晶体管 （MOSFET）等阶段。目前正向着大容量、高频率、易驱 动、低损耗、模块化、复合化方向发展
晶闸管(SCR) 晶闸管是半可控器件,只能控制导通,不能控制关断.他的关 断依靠两个条件,一是没有驱动电压,二是阳极电压小于等 于零.但是他有着耐压高,电流大,承载过流能力极强,并且驱 动简单的特点,在电力电子行业中不可缺少的器件.在变频 器,UPS等中都会用到.
• 电力晶体管(GTR) GTR可用于大电流场合.但是由于这种器件的开通和关断时间过长,并且 需要的驱动能量要很大,开关频率不高,只有1~2KHz,因此在现在的电 力电子行业中运用场合慢慢被IGBT取代.
晶闸管
峰值电压。
反向重复峰值电压URRM
——在门极断路而结温为额定值 时，允许重复加在器件上的反向 峰值电压。
2）额定电流 通态平均电流 IT(AV）
——在环境温度为40C和规定的冷却状态下，稳定结温 不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的 平均值。标称其额定电流的参数。 ——使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。
1-20
3、型号KP100-3、维持电流 IH=4mA的晶闸管，使用在下图 中是否合理？为什么？(不考虑裕 量）
(1)
(2)
1-21
(3)
1-22
1-13
4）其他参数
（1）维持电流 IH ——使晶闸管维持导通所必需的最小电流。 （2）擎住电流 IL ——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发 信号后， 能维持导通所需的最小电流。 对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2~4 倍。 （3）浪涌电流ITSM ——指由于电路异常情况引起的并使结温 超过额定结温的不重复性最大正向过载电 流。 （4）门极触发电流IGT/触发电压UGT
2.2
半控器件—晶闸管· 引言
晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流 器（Silicon Controlled Rectifier——SCR）
1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量 的场合具有重要地位。
雪崩 击穿
-IA
图1-8 晶闸管的伏安特性
IG2>IG1>IG
（2）反向特性
反向特性类似二极管的反 向特性。 反向阻断状态时，只有极 小的反相漏电流流过。 当反向电压达到反向击穿
英飞凌 FP50R12N2T7P EconoPIM 2 模块 数据表
EconoPIM ™2 模块 采用第七代沟槽栅/场终止IGBT7和第七代发射极控制二极管 带有温度检测NTC 和预涂导热介质特性•电气特性-V CES = 1200 V-I C nom = 50 A / I CRM = 100 A -沟槽栅IGBT7-低 V CEsat-过载操作达175°C•机械特性-高功率循环和温度循环能力-集成NTC 温度传感器-铜基板-低热阻的三氧化二铝 Al 2O 3 衬底-预涂导热介质-焊接技术可选应用•辅助逆变器•电机传动•伺服驱动器产品认证•根据 IEC 60747、60749 和 60068标准的相关测试，符合工业应用的要求。
描述FP50R12N2T7PEconoPIM ™2 模块内容描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1可选应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1产品认证 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1内容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 1封装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 2IGBT, 逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3二极管,逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 4二极管,整流器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 5IGBT, 斩波器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 6Diode-斩波器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8 7负温度系数热敏电阻 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9 8特征参数图表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10 9电路拓扑图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 10封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 11模块标签代码 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17修订历史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18免责声明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .191封装表 1绝缘参数特征参数代号标注或测试条件数值单位绝缘测试电压V ISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min 2.5kV 模块基板材料Cu内部绝缘基本绝缘 (class 1, IEC 61140)Al2O3爬电距离d Creep端子至散热器10.0mm 电气间隙d Clear端子至散热器7.5mm 相对电痕指数CTI>200相对温度指数 (电)RTI封装140°C 表 2特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值杂散电感,模块L sCE35nH 模块引线电阻,端子-芯片R AA'+CC'T H=25°C, 每个开关 5.5mΩ模块引线电阻,端子-芯片R CC'+EE'T H=25°C, 每个开关 4.8mΩ储存温度T stg-40125°C 最高基板工作温度T BPmax150°CM5, 螺丝36Nm 模块安装的安装扭距M根据相应的应用手册进行安装重量G180g注:The current under continuous operation is limited to 50 A rms per connector pin.Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-072IGBT, 逆变器表 3最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T H = 90 °C50A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms100A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 4特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 50 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.50 1.80VT vj = 125 °C 1.64T vj = 175 °C 1.72栅极阈值电压V GEth I C = 2 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V0.92µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C0Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V11.1nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.039nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.01mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.059µs T vj = 125 °C0.061T vj = 175 °C0.062上升时间(感性负载)t r I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.043µs T vj = 125 °C0.047T vj = 175 °C0.049关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.290µs T vj = 125 °C0.380T vj = 175 °C0.420下降时间(感性负载)t f I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.110µs T vj = 125 °C0.200T vj = 175 °C0.270开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 50 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 7.5 Ω, di/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 5.07mJ T vj = 125 °C 6.76T vj = 175 °C7.72关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 50 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 7.5 Ω, dv/dt =2900 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 3.37mJ T vj = 125 °C 5.31T vj = 175 °C 6.58(待续)表 4(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj=150 °C190At P≤ 7 µs,T vj=175 °C180结－散热器热阻R thJH每个 IGBT, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material0.777K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.3二极管,逆变器表 5最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F50A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms100A I2t-值I2t V R = 0 V, t P = 10 ms T vj = 125 °C465A²sT vj = 175 °C420表 6特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 50 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.72 2.10VT vj = 125 °C 1.59T vj = 175 °C 1.52反向恢复峰值电流I RM I F = 35 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C31A T vj = 125 °C39T vj = 175 °C45恢复电荷Q r I F = 50 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 3.96µC T vj = 125 °C7.37T vj = 175 °C9.89(待续)表 6(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值反向恢复损耗（每脉冲）E rec I F = 50 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.31mJ T vj = 125 °C 2.52T vj = 175 °C 3.46结－散热器热阻R thJH每个二极管, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.13K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.4二极管,整流器表 7最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1600V 最大正向均方根电流(每芯片)I FRMSM T H = 60 °C70A最大整流器输出均方根电流I RMSM T H = 60 °C100A 正向浪涌电流I FSM t P = 10 ms T vj = 25 °C560AT vj = 150 °C435I2t-值I2t t P = 10 ms T vj = 25 °C1570A²sT vj = 150 °C945表 8特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 50 A T vj = 150 °C 1.05V 反向电流I r T vj = 150 °C, V R = 1600 V1mA 结－散热器热阻R thJH每个二极管, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.10K/W 允许开关的温度范围T vj, op-40150°C5IGBT, 斩波器表 9最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T H = 110 °C25A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms50A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 10特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 25 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.60 1.85VT vj = 125 °C 1.74T vj = 175 °C 1.82栅极阈值电压V GEth I C = 0.525 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V0.395µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C0Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V 4.77nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.017nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.004mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.041µs T vj = 125 °C0.043T vj = 175 °C0.044上升时间(感性负载)t r I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.025µs T vj = 125 °C0.028T vj = 175 °C0.030关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.230µs T vj = 125 °C0.320T vj = 175 °C0.350下降时间(感性负载)t f I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.140µs T vj = 125 °C0.220T vj = 175 °C0.280(待续)表 10(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 25 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 9.1 Ω, di/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.47mJ T vj = 125 °C 2.05T vj = 175 °C 2.39关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 25 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 9.1 Ω, dv/dt =3120 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.65mJ T vj = 125 °C 2.58T vj = 175 °C 3.13短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj=150 °C90At P≤ 7 µs,T vj=175 °C85结－散热器热阻R thJH每个 IGBT, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.19K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.6Diode-斩波器表 11最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F25A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms50A I2t-值I2t V R = 0 V, t P = 10 ms T vj = 125 °C125A²sT vj = 175 °C95表 12特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 25 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.83 2.30VT vj = 125 °C 1.70T vj = 175 °C 1.63(待续)表 12(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值反向恢复峰值电流I RM I F = 25 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C21.7A T vj = 125 °C26.7T vj = 175 °C29.8恢复电荷Q r I F = 25 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.69µC T vj = 125 °C 3.29T vj = 175 °C 4.29反向恢复损耗（每脉冲）E rec I F = 25 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C0.63mJ T vj = 125 °C 1.28T vj = 175 °C 1.69结－散热器热阻R thJH每个二极管, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.63K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.7负温度系数热敏电阻表 13特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值额定电阻值R25T NTC = 25 °C5kΩR100偏差ΔR/R T NTC = 100 °C, R100 = 493 Ω-55%耗散功率P25T NTC = 25 °C20mW B-值B25/50R2 = R25 exp[B25/50(1/T2-1/(298,15 K))]3375K B-值B25/80R2 = R25 exp[B25/80(1/T2-1/(298,15 K))]3411K B-值B25/100R2 = R25 exp[B25/100(1/T2-1/(298,15 K))]3433K 注:根据应用手册标定7 负温度系数热敏电阻9电路拓扑图图 110封装尺寸图 211模块标签代码图 3修订历史修订历史修订版本发布日期变更说明1.002022-02-01Initial version商标所有参照产品或服务名称和商标均为其各自所有者的财产。
晶闸管的工作原理与应用
晶闸管的工作原理与应用晶闸管，又称为可控硅器件，是一种半导体器件，通过控制电流的输入使其在导通和关断之间切换，从而实现电能的控制和调节。
下面将详细介绍晶闸管的工作原理和应用。
晶闸管是由PNP型晶体管和PNP型二极管组成的四层结构。
它具有三个电极，分别是阳极（A端）、阴极（K端）和控制极（G端）。
晶闸管的工作原理可概括为以下五个阶段：1.断电状态：当外电源施加在晶闸管的阳极和阴极之间时，控制极无电压，晶闸管处于关断状态。
2.触发状态：当控制极施加一个正向电压时，晶闸管开始被触发，进入导通状态。
在此状态下，晶闸管的阳极和阴极之间的电流（也称为主电流）开始流动。
3.工作状态：一旦晶闸管被触发，晶闸管将持续一直到主电流下降到零。
即使控制极上施加的电压被移除或降低，晶闸管仍然保持导通。
4.关断状态：当主电流下降到零时，晶闸管将自动关断。
在此状态下，晶闸管的阻断电压（也称为封闭电压）为控制极和阳极之间的电压。
5.关断恢复状态：一旦晶闸管被关断，即使在问题电压下晶闸管的条件保持一段时间，它仍然不会被重新触发。
要重新触发晶闸管，需要重新施加电压来打开控制极。
晶闸管的应用：晶闸管具有较高的电流和电压承受能力，以及快速的开关速度，因此在各种电子和电力电路中得到广泛应用。
以下是晶闸管的主要应用领域：1.调光控制：晶闸管可以通过调整导通角来实现灯的亮度调节，用于家庭照明、道路照明等领域。
2.功率控制：晶闸管可以用于电力系统中的负载控制，如电动机调速、电阻炉加热控制等。
3.电源开关：晶闸管可以用于交流电源的整流和开关过程，实现直流电源的输出。
4.频率变换：晶闸管可以用于交流调制，实现交流电的频率变换。
5.电压调节：晶闸管可以作为稳压器，控制输出电压来保护负载设备。
6.电力因数校正：晶闸管可以用于改善电力系统的功率因数，提高系统效率。
7.电流开关：晶闸管可以用于过电流保护，当电流超过预设值时，晶闸管将自动关断以保护电路和设备。
英飞凌mos管命名规则
英飞凌mos管命名规则
英飞凌公司（Infineon）的MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）命名规则如下：
1. 产品系列代码（Family Code）：通常是一个字母或数字的组合，表示产品系列或产品类型。
例如，B表示功率MOS管，IR表示汽车电子应用的MOS管。
2. 功率级别代码（Power Level Code）：通常是一个字母，表示MOS管的功率级别或尺寸范围。
例如，H表示高功率级别，L表示低功率级别。
3. 功能代码（Function Code）：通常是一个字母或数字的组合，表示MOS管的特殊功能或应用。
例如，Q表示快速开关MOS管，D表示双极性（Depletion Mode）MOS管。
4. 封装代码（Package Code）：通常是一个字母或数字的组合，表示MOS管的封装形式或尺寸。
例如，TO表示普通塑料封装，D2PAK表示功率封装。
以上是一种常见的命名规则，实际上可能因产品特性、市场需求等而有所变化。
具体的命名规则可以通过英飞凌公司官方文档或产品手册来查询。
英飞凌单片机选型
程序 [PS RAM] 数据 Mem [DS RAM]
双端口[DPRAM]
Trace Mem for MCDS SB RAM CAN Standby 通道数
2
2
4
2
2
2
2
2
8 最多6
8 最多6
8 最多6
1 最多5
8 最多6 最多2 -
ADC
通道数
24
最多10 0 1 4 最多2 QFP 100 / 144
PMI 48 kB SPRAM 16 kB ICACHE
FPU TriCore (TC-1M) CPS PBCU
Program Local Memory Bus PLMB Data Local Memory Bus DLMB
24kB
Vector Computer
16kB NEW 8kB NEW
XC836
Vector Computer
XC866
PWM unit
XC866
PWM unit
4kB
2kB
XC822
MDU
XC836
Vector Computer
XC866
PWM unit
XC822
MDU
TSSOP16 TSSOP28 TSSOP38 VQFN48
•与8051内核兼容 •于1978年推出的全球第一款 用于动力总成系统的单片机 •高性能的8位单片机，其每条指令周期为两个 机器周期
•在动力总成系统中广泛使用的内 •曾占有50% 的欧洲汽车市场及 30% 的全球市场份额 •每年2500万片的产量
04.05.2012
XC800 家族成员
NEW 64kB
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英飞凌第四代IGBT模块特性
英飞凌第四代IGBT模块特性英飞凌第4代IGBT芯片技术-IGBT4 IGBT4模块封装IGBT4：基于IGBT3技术IGBT4：基于IGBT3技术，按应用优化特性分别针对小、中、大功率应用而设计的三种IGBT4芯片小功率IGBT4–T4为中、小功率应用设计用于中、小功率模块在T3的基础上- 提升开关速度- 使关断波形更平滑一些电压等级：1200V适用开关频率：≤20kHz配用小功率EmCon4二极管中功率IGBT4–E4为中、大功率应用优化设用于中、大功率模块在E3的基础上- 提升开关速度- 使关断波形更平滑一些电压等级：1200V，1700V适用开关频率：≤8kHz配用中功率EmCon4二极管大功率IGBT4–P4为大功率应用优化设计用于大功率模块在E3的基础上- 使关断过程“软”- 降低关断速度电压等级：1200V，1700V适用开关频率：≤3kHz配用大功率EmCon4二极管IGBT4（1200V）：特征参数的调整：饱和电压T4-小功率IGBT4：开关能耗低于T3 （提高了开关速度）E4-中功率IGBT4：开关能耗低于E3 （提高了开关速度）P4-大功率IGBT4：开关能耗高于E3 （降低了关断速度，使关断“柔软”）关断过程对比：T4的波形比T3的平滑一些测试条件：Ls=200nH（极大），Ic=150A（Ic,nom=300A），Vdc=400V/450V/500V，Tj=25°CIGBT4（1200V）：中功率E4关断过程对比：E4的波形比E3平滑一些测试条件：Ic=Ic,nom=450A，Vdc=800V/900V（仅供测试），Tj=25°CIGBT4（1200V）：大功率P4关断过程对比：P4（及EmCon4）呈现明显的“软”特性IGBT4（1700V）：大功率P4关断过程：对比IGBT3（E3），P4呈现明显的“软”特性关断过程：对比IGBT2（KF6C），P4呈现较“软”特性，且关断能耗较小IGBT4模块：Tvjop,max = 150°C！概念：在开关工作条件下，IGBT4模块的最高允许结温规格为 150°C，比IGBT3/IGBT2模块（1200V和1700V）的规格提高了25°C！出发点：适应芯片小型化（Rthjc，ΔTjc[=PLoss×Rthjc]）实现：IGBT4模块内部焊线工艺的改进可靠性因素：焊线工艺决定了模块的可靠性指标之一-功率循环（PC）次数。
英飞凌600VIGBT模块型号参数资料
FP20R06YE3 FP30R06KE3 FP30R06W1E3 FP30R06YE3 FP50R06KE3 FP50R06KE3G FP100R06KE3 ◆1200V IGBT ♦ 单管（1单元） 产品型号 FZ900R12KE4 FZ900R12KP4 FZ3600R12HP4 FZ2400R12HP4_B9 BSM200GA120DLC BSM200GA120DLCS BSM200GA120DN2 BSM200GA120DN2C BSM200GA120DN2S BSM300GA120DLC BSM300GA120DLCS BSM300GA120DN2 BSM300GA120DN2S
F4-50R06W1E3 F4-75R06W1E3 ♦ 三相桥（6单元） 产品型号 FS20R06W1E3 FS30R06W1E3 FS50R06W1E3 FS10R06VL4_B2 FS15R06VL4_B2 FS10R06XL4 FS15R06XL4 FS20R06XL4 FS30R06XL4 FS6R06VE3_B2 FS30R06XE3 FS50R06YE3 FS50R06KE3 FS75R06KE3 FS100R06KE3 FS150R06KE3 FS150R06KE3_B4 FS200R06KE3 FS50R06YL4
30A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low Loss，饱和压降1.95V 50A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low BSM50GD60DLC Loss，饱和压降1.95V 75A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low BSM75GD60DLC Loss，饱和压降1.95V 100A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low BSM100GD60DLC Loss，饱和压降1.95V 150A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low BSM150GD60DLC Loss，饱和压降1.95V 200A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low BSM200GD60DLC Loss，饱和压降1.95V BSM20GD60DLC_E32 20A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low 24 Loss，饱和压降1.95V BSM30GD60DLC_E32 30A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low 24 Loss，饱和压降1.95V BSM50GD60DLC_E32 50A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low 26 Loss，饱和压降1.95V 10A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS10R06VE3 1.55V 10A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS10R06VE3_B2 1.55V 15A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS15R06VE3 1.55V 15A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS15R06VE3_B2 1.55V FS20R06VE3(no 20A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 Datasheet) 1.55V 20A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS20R06VE3_B2 1.55V 30A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS30R06VE3 1.55V 15A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS15R06XE3 1.55V BSM30GD60DLC FS400R06A1E3 FS800R06A2E3 ♦ 整流桥＋三相桥（PIM） 产品型号 BSM10GP60 BSM15GP60 基本参数 10A,600V 15A,600V 400A,600V,三相桥,HEV专用 800A,600V,三相桥,HEV专用
晶闸管特点
晶闸管特点
晶闸管是一种重要的电子电路，它可以以非常高的速度、灵敏度和精度控制电流或电压。
晶闸管具有很高的可靠性、耐受性、体积小、低成本等特点，是重要的电路元件，广泛应用于电子、电脑、通讯和机械等领域。
其特点如下：
1.性能稳定：晶闸管具有很高的稳定性，它可以在极端温度或恶劣环境下正常工作。
此外，它也具有高可靠性，具有较高的连续运行率，且可以长期稳定工作。
2.噪音低：晶闸管的噪音水平极低，而且周围环境的噪音也不会影响其正常使用。
3.结构简单：晶闸管的结构比较简单，只需要两个端子，就可以连接其它的电路，不需要复杂的外观装置。
4.体积小：晶闸管的体积和重量都比较小，可以方便地安装在其它电路之中。
5.价格低廉：晶闸管的价格低廉，而且因为它的质量较好，生产成本也不高。
6.结构耐受：晶闸管既可以焊接或手动安装，也可以接受封装，因而易于安装和使用。
7.功耗低：晶闸管只需要极少的电路就可以控制很大的功率，因而它的功耗很低，耗电量比其它电路低。
以上是晶闸管的特点，由于它的优良性能、低价格、小体积、结构简单和可靠性高等优点，使晶闸管得到了广泛应用，在各个领域中
都发挥着重要作用。
晶闸管由于它的优良性能和低价格，受到了许多消费者的青睐，是电子设备行业的标准元件。
晶闸管绝对详细文档
按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。
按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。
按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。
其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。
按电流容量分类晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。
通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。
按关断速度分类快速晶闸管晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。
工作原理晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
晶闸管的工作条件：1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。
2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。
4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。
1.5v主要参数晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。
图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。
因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。