复习13电子
电力电子复习提纲
一、画图题1．画出降压斩波器的原理图，并推导输出电压的大小。
2．单相桥式半控整流电路如图所示，负载Ld足够大。
试绘出α=90°时输出电压U d、流过晶闸管VT1的电流i T1以及流过二极管VD3的电流i D3的波形。
3．如图所示为具有中点二极管的单相半控桥式整流电路，试画出α=45°时U d的波形，并推导出U d=f（α）的关系式。
4．画出升压斩波器的原理图，并推导输出电压的大小与导通比的关系。
5、如图所示为单相全波整流电路，由一只晶闸管与一只整流二极管组成，已知变压器次端输出为U2。
试画出α=45°时U d的波形并推导出U d=f（α）的关系式。
6、试画出单相桥式逆变器的主电路。
并说明控制方法和工作过程。
7、单相桥式半控整流电路如图所示，负载Ld足够大。
试绘出α=90°时输出电压U d、Array流过晶闸管VT1的电流i T1以及流过二极管VD1的电流i D1的波形。
二、填空题1．在GTR和IGBT两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是____________，属于电流驱动的器件是___________。
2．单相半波可控整流电路，当电感性负载接续流二极管时，控制角的移相范围为_____________________。
3．在反电动势负载时，只有______________的瞬时值大于负载的反电动势，整流桥路中的晶闸管才能随受正压而触发导通。
4．把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为_____________。
5．三相半波可控整流电路，带大电感负载时的移相范围为__________。
6．考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通，对应的电角度称为_____________________。
7．考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏坑的相比，则使输出电压平均值________________。
8．晶闸管元件并联时，要保证每一路元件所分担的电流____________。
微电子课程复习题
“微电子器件”课程复习题一、填空题1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为163A 1.510cm N -=⨯，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（ ）和（ ）。
2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（ ）电荷，N 区一侧带（ ）电荷。
内建电场的方向是从（ ）区指向（ ）区。
3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（ ）。
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。
4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ），内建电势Vbi 就越（ ），反向饱和电流I0就越（ ），势垒电容CT 就越（ ），雪崩击穿电压就越（ ）。
5、硅突变结内建电势Vbi 可表为（ ），在室温下的典型值为（ ）伏特。
6、当对PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。
7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。
8、在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度np 与外加电压V 之间的关系可表示为（ ）。
若P 型区的掺杂浓度173A 1.510cm N -=⨯，外加电压V = 0.52V ，则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度np 为（ ）。
9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。
每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
13、PN结扩散电流的表达式为（）。
这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。
电力电子技术考试复习资料
电力电子技术1. 无源逆变器的输出电能的去向是供给负载。
2. 对于斩控式交流调压器，当输入电压为220V/50Hz时，如果占空比为0.5，输出电压的基波成分为110V/50Hz。
3. 三相半波电路，L-R负载，L足够的大，R=3Ω，U=100V。
在α=0时，晶闸管电流有效值为39A。
4.一个晶闸管，标称通态平均电流为100A，说明允许通过的最大电流有效值为157A。
5. 以下系统中只有一种可以用交流调功器进行调节，它是电加热系统的温度。
6. 开关电源与传统的线性电源有许多相同之处，与线性电源相比有一个突出的优点是变换效率高。
7. 三相桥式整流电路大电感负载，测得变压器次级相电流为50A，可以断定此时晶闸管的电流有效值为35.35A。
8. 三相桥式逆变电路，已知直流电源电压为100V，在控制角为90°时测得直流侧电流为50A，可以判定直流回路的总电阻等于2欧姆。
9. 有一正弦交流电有效值为220V，其振幅值为311V。
10. 有一单端正激式电路，直流电压为300V，占空比为0.2，变压器变比是10：1，输出电压为6V。
11.交-直-交通用变频器的主电路包括以下主要环节整流、中间、逆变。
12.如果要用直流斩波器驱动直流电机做“四象限”运行，所需电子开关和续流二极管的个数必须是4个。
13. 晶闸管构成的斩波器，其晶闸管能够控制关断的原理是利用LC电路的谐振电流使晶闸管电流为0。
14. 三相半波整流电路，电源相电压为100V，变压器次级额定电流为30A，变压器的容量＜9KW。
15. 在对与电力电子设备并联的电感性负载进行拉闸操作时，往往会对电力电子设备造成过电压。
16. 有一升压型直流斩波器，电源电压为24V，在保持电流连续的状态下，占空比为0.2时，输出电压为30V。
17. 有一GTO，阳极电流为500A，βOFF=5，要关断这个GTO，门极施加的反向电流不应小于100A。
18. 为了防止晶闸管的du/dt过大，可以采取在器件两端并联保护器件，通常是电阻和电容。
数字电子技术基础总复习要点
数字电子技术基础总复习要点一、填空题第一章1、变化规律在时间上和数量上都是离散是信号称为数字信号。
2、变化规律在时间或数值上是连续的信号称为模拟信号。
3、不同数制间的转换。
4、反码、补码的运算。
5、8421码中每一位的权是固定不变的，它属于恒权代码。
6、格雷码的最大优点就在于它相邻两个代码之间只有一位发生变化。
第二章1、逻辑代数的基本运算有与、或、非三种。
2、只有决定事物结果的全部条件同时具备时，结果才发生。
这种因果关系称为逻辑与，或称逻辑相乘。
3、在决定事物结果的诸条件中只要有任何一个满足，结果就会发生。
这种因果关系称为逻辑或，也称逻辑相加。
4、只要条件具备了，结果便不会发生；而条件不具备时，结果一定发生。
这种因果关系称为逻辑非，也称逻辑求反。
5、逻辑代数的基本运算有重叠律、互补律、结合律、分配律、反演律、还原律等。
举例说明。
6、对偶表达式的书写。
7、逻辑该函数的表示方法有：真值表、逻辑函数式、逻辑图、波形图、卡诺图、硬件描述语言等。
8、在n变量逻辑函数中，若m为包含n个因子的乘积项，而且这n个变量均以原变量或反变量的形式在m中出现一次，则称m为该组变量的最小项。
9、n变量的最小项应有2n个。
10、最小项的重要性质有：①在输入变量的任何取值下必有一个最小项，而且仅有一个最小项的值为1；②全体最小项之和为1；③任意两个最小项的乘积为0；④具有相邻性的两个最小项之和可以合并成一项并消去一对因子。
11、若两个最小项只有一个因子不同，则称这两个最小项具有相邻性。
12、逻辑函数形式之间的变换。
（与或式—与非式—或非式--与或非式等）13、化简逻辑函数常用的方法有：公式化简法、卡诺图化简法、Q-M法等。
14、公式化简法经常使用的方法有：并项法、吸收法、消项法、消因子法、配项法等。
15、卡诺图化简法的步骤有：①将函数化为最小项之和的形式；②画出表示该逻辑函数的卡诺图；③找出可以合并的最小项；④选取化简后的乘积项。
高中化学热力学复习13配合物稳定性的热力学讨论课件
为什么SO42－是比ClO4－强的配位剂呢？根据离子熵的经验 公式，单原子水合离子的熵为：
Sθ＝ 32RlnAr＋RlnQ－( c(|zr＋|＋x3))2＋256.8 J·K－1·mol－1 式中 c＝3284 pm·J·K－1·mol－1；x，对正离子取120，负离子 取40；Q是电子的基态多重性，Ar相对原子质量，z离子电荷，r 六配位离子的半径。 将SO42－和ClO4－(均为四面体结构)看作单原子负离子，则 根据上式，离子半径越小，电荷越高，其熵值越小。因此，高价
合能， CFSE是正八面体静电场使d轨道分裂，d电子重新排布时放出
的能量。
对于过渡金属离子，随原子序数的增加，有效核电荷增大，
离子半径减小，键能和球形对称静电场水合能都应该平稳地增加
(负值增大)，而CFSE部分应该有反双峰型(左)的变化规律，两部
分合起来就可得到下右
的图形。水合焓的这种 d0 d5 d10
显然水合焓与中心离子的d轨道处于配体H2O的静电场有关。 假定这种静电场由球形对称的静电场和正八面体对称的静电场两 部分所组成，基于此，可以写出玻恩－哈伯热化学循环。
Mm＋(dn，g)＋6H2OΔhydHmθ(Mm＋,g) [M(H2O)6]m＋(aq)
-6△bHmθ(Mm＋-H2O,g)
CFSE
[M(H2O)6]m＋(g△) hydHmθ(M(H2O)6m＋,g)[M(H2O)6]m＋(aq)
子的成对能必定小于分裂能，此时将生成低自旋配合物。电子进
入低能级轨道，使配合物的配位场稳定化能增加，配合物的稳定
性增大，结果是可能使得某些氧化态的氧化性减弱，也可能使得
某些氧化态的氧化性加强。
模拟电子电路复习题及答案
模拟电子电路--2022年第二学期期末考试复习题1、放大电路的直流负载线和交流负载线的概念有何不同？什么情况下两条负载线重合？答案：答：直流负载线：由直流通路确定，其斜率等于-1/Rc的一条直线。
交流负载线：由交流通路确定，其斜率等于的一条直线。
由于，故交流负载线的斜率大于直流负载线的斜率。
当负载RL断路时，交流负载线与直流负载线重合。
2、能否用两个二极管背靠背地连接构成一个BJT？答案：答：不能，因为BJT除了由两个背靠背PN结构成外，还需满足三个内部条件。
3、P型半导体空穴是多数载流子，故带正电。
答案：正确4、硅晶体二极管的导通电压为0．7V。
答案：正确5、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
答案：正确6、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
答案：错误7、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
答案：正确8、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
答案：错误9、由于三极管包含2个PN结，可采用2只二极管背靠背连接构成1只三极管。
答案：错误10、三极管在电路中有3种接法，分别为：共发射极、共集电极、共基极接法答案：正确11、放大电路中接有一个三极管，不知其型号，测出它的三个管脚的电位分别是10.5V、6V、6.7V，则三极管是NPN锗管。
答案：错误12、射极输出器也就是共发射极放大电路，电压放大倍数通常可以达到几十到几百。
答案：错误13、组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态。
答案：正确14、无关项对最终的逻辑结果无影响，因此可任意视为0或1。
答案：正确15、已知逻辑功能，求解逻辑表达式的过程称为逻辑电路的设计。
答案：错误16、若集成运放在使用时不接负反馈，则电路中的电压增益称为开环电压增益。
答案：错误17、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
18、可以说任何放大电路都有功率放大作用。
答案：正确19、放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。
电力电子复习题
电力电子复习题 Last updated on the afternoon of January 3, 2021电力电子复习题一、选择题1、晶闸管稳定导通的条件A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流2、晶闸管通态平均电流I T(AV)与其对应有效值I的比值为A、、1/1.57 C、D、1/3、对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有A、α无法确定B、<α<1C、0<α<、以上说法均是错误的4、有源逆变发生的条件为A、要有直流电动势B、要求晶闸管的控制角大于900C、直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致D、以上说法均是错误的5、对于电阻负载单相交流调压电路，下列说法错误的是A、输出负载电压与输出负载电流同相B、α的移项范围为00<α<1800C、输出负载电压U O的最大值为U1D、以上说法均是错误的6、晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为A.维持电流B.擎住电流C.浪涌电流D.额定电流7、三相半波可控整流电路的自然换相点是A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后608、有源逆变电路晶闸管的换流方式为A.器件换流B.电网换流C.负载换流D.脉冲换流9、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关A.α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB.α以及负载电流IdC.α和U2D.α、U2以及变压器漏抗XC10、下列电路中，输入整流变压器不存在直流磁化的有A.单相桥式可控整流电路B.单相半波可控整流电路C.单相全波可控整流电路D.三相半波可控整流电路11、三相全控桥式整流电路在宽脉冲触发方式下一个周期内所需要的触发脉冲共有六个，它们在相位上依次相差°°°°12、可在第一和第四象限工作的变流电路是A.三相半波可控变流电路B.单相半控桥C.接有续流二极管的三相半控桥D.接有续流二极管的单相半波可控变流电路13、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为A.157AB.100AC.80AD.246.5A14、带反电动势负载的电路，当晶闸管关断时负载上的电压U d为===E/=–E15、升压斩波电路中，已知电源电压Ud=12V，导通比Kt=1/3，则负载电压U0=16、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是A.有源逆变器D变换器A 变换器 D.无源逆变器17、串联谐振式逆变电路晶闸管的换流方式为 A.器件换流 B.电网换流 C.负载换流D.脉冲换流18、单相全控桥式整流电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为 A.2U 221B.2U 2C.2U 22D.2U 619、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的 A.转折电压 B.反向击穿电压 C.阈值电压D.额定电压20、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在 A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定21、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是 °°°°22、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为22222、三相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为2222224、电流型逆变器中间直流环节贮能元件是A.电容B.电感C.蓄电池D.电动机25、在型号为KP10-12G中，数字10表示A.额定电压10VB.额定电流10AC.额定电压1000VD.额定电流1000A26、下列电路中，不可以实现有源逆变的有A.三相半波可控整流电路B.三相桥式半控整流电路C.单相桥式可控整流电路D.单相全波可控整流电路外接续流二极管27、下列电路中，输入整流变压器不存在直流磁化的有A.单相桥式可控整流电路B.单相半波可控整流电路C.单相全波可控整流电路D.三相半波可控整流电路28、电压型逆变电路特点没有A.直流侧接大电感B.交流侧电流为正弦波C.直流侧电压无脉动D.直流侧电流有脉动29、对于升降压直流斩波器，当其输出电压大于其电源电压时，有A、α无法确定B、<α<1C、0<α<、以上说法均是错误的30、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在36、电压型逆变电路特点没有 A.直流侧接大电感B.交流侧电流为正弦波C.直流侧电压无脉动D.直流侧电流有脉动37、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为40、对于电阻负载单相交流调压电路，下列说法错误的是A 、输出负载电压与输出负载电流同相B 、α的移项范围为00<α<18022222、三相半波可控整流电路，带电阻负载，控制角α的最大移相范围为（）。
电工电子期末复习题库
一、填空题1、导电能力介于导体和绝缘体之间的一类物质叫做，一般常用的材料有和。
2、半导体当中传导电流的载流子有两种，即和。
3、如果把P型半导体和N型半导体通过一定的工艺结合起来，那么在两者的交界处会形成一层特殊区域，叫做结。
4、PN结的最基本的特性是。
5、当硅材料的PN结正向偏压小于 V，锗材料的PN结正向偏压小于0.2V时，仍旧不导通，我们把这个区域叫做。
7、稳压二极管工作在击穿区域，发光二极管工作时应加电压。
8、正向二极管中引出极是极，外壳为极，为了便于识别，通常在正向二极管上涂有点，反向二极管上涂有点。
9、晶闸管的主要特点是信号控制系统。
10、晶闸管被触发导通后，要使晶闸管关断，必须把正向阳极电压减到一定大小，使阳极电流小于电流；或者在阳极和阴极间加电压。
11、晶闸管分为晶闸管和晶闸管两大类。
12、整流电路是利用二极管的性，把变为的电路。
13、单相桥式整流电路中，负载两端电压U0为变压器次级电压有效值U2的倍。
14、三相桥式整流中，输出电压U0是输入电压U2的倍。
15、在滤波电路当中，滤波电容应与负载联，电感应与负载联。
16、三极管是由个PN结构成的半导体器件。
根据PN结的组合方式不同，三极管可以分为型和型两种类型。
17、三极管内部包含三个区，分别引出相应的电极称为、和，同时在三个区域的两个交界面形成两个PN结，分别称为和。
18、三极管基极电流微小的变化将会引起集电极电流较大的变化，说明三极管具有电流作用。
19、三极管放大的实质是以控制较大电流，并不是真正把微小电流放大了。
20、在三极管中Ie与Ib，Ic的关系为。
21、当Uce不变时，输入回路中的和之间的关系曲线称为三极管输入特性曲线。
22、当Ib不变时，输出回路中的和之间的关系曲线称为三极管输出特性曲线，该曲线可以分为三个区域，分别称为、和。
25、三极管组成的放大电路的三种连接方法是、和。
26、放大器级与级之间的耦合方式主要有、和三种方式。
电子技术期末复习
电子技术期末复习1、电路如图所示，设运放是理想的，求输出电压1o v 和o v 。
解：2、电路如图所示，设运放是理想的，V v i 6 ，求放大电路的输出电压o v 和各支路电流。
3、电路如图所示，设运放是理想的，)(sin 10mV t v i ω=，求输出电压o v 和各支路中的电流。
解：据虚短和虚断，0,0====p n p n i i v v4、电路如图所示，设运放是理想的，V v i 6 ，求放大电路的输出电压o v 和各支路电流。
5、二极管电路如图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。
设二极管是理想的。
解：6、判断图中各二极管是否导通，求V1和V2的值。
图1 图2 图1中，D1导通，D2截止，V1=0；图2中，D1截止，D2导通，V1=-6V7、图所示电路中，设信号源内阻Ω=600S R ，BJT 的50=β。
（1）画出该电路的小信号等效电路；（2）求该电路的输入电阻i R 和输出电阻o R ；（3）源电压增益VS A 。
解：（1）（3）8、放大电路如图所示，已知：V CC ＝12V ，R S ＝10k Ω，R B1＝120k Ω，R B2=39k Ω，R C ＝3.9k Ω，R E =2.1k Ω，R L =3.9k Ω ，电流放大系数β=50，电路中电容容量足够大，要求：1）、求静态值I BQ ，I CQ和V CEQ (设V BEQ＝0.6V)；2）、画出放大电路的微变等效电路； 3）、求电压放大倍数A v ，输入电阻R i ，输出电阻R o 。
解: (1) V 9.2212B BB B =⨯+=CC V R R R V V 3.2BE B E =-=V V VmA 09.1EEE C ==≈R V I I mA 02.0EB ==βI IV 46.5)(C E C CC CE =⨯+-=I R R V V Ω=+=k ..410912651200r be （2）u sR B1 C 2+R B2R S +V+ R EC ER LVC 1 R C(3) 70)//(beL C -≈-=r R R A u β Ω≈=k 1////be B2B1i r R R R Ω==k 9.3C O R RΩ≈++=k 443])1([E be B2B1i .R r //R //R R β9、单管放大电路如图所示，已知BJT 的电流放大系数50=β。
高中地理步步高高考总复习电子书必修二第三章第13讲
第13讲工业区位因素与工业地域联系考点一工业区位因素强化专练1.读“某类工业净收入随距市中心距离的变化图”，回答（1）～（2）题。
（1）仅从经济效益考虑，图中最适宜该类工业布局的区域范围是（）A.H～IB.I～JC.J～KD.K～M（2）影响该类工业净收入变化的主导因素是（）A.工资和市场距离B.运费和原料成本C.地租和原料成本D.运费和地租答案（1）B （2）D考点二工业联系和工业区域强化专练2.一些具有联系的工厂，往往发生近距离的集聚现象，这样可以降低生产成本，提高利润。
据此回答（1）～（2）题。
（1）下列属于存在生产工序上的工业联系而集聚的是（）①汽车厂和化纤厂②钢铁厂与水泥厂③化纤厂与石油加工厂④自行车厂与电视机厂A.①②B.②③C.③④D.①④（2）工业集聚是因为（）①可以降低运输成本和能源消耗②可以扩大总体生产能力③可以减少环境污染④可以减少市场上的交易费用A.①②B.②③C.③④D.①④答案（1）B （2）A命题视角一影响工业区位选择的主导因素（2008·江苏地理）阅读材料，回答下列问题。
材料一湖南省被誉为“有色金属之乡”，已探明储量的有色金属有37种，其中锑的储量居世界首位，钨、铋、铅锌储量也很丰富。
湖南省有色金属冶炼工业基础较好，株洲有全国规模最大、技术最先进的铅锌冶炼厂。
材料二下图为“湖南省有色金属工业发展条件示意图”。
材料三湘东和湘南地区主要有色金属矿储量情况表。
（1）湖南省有色金属矿产资源的特点有、。
（2）湖南省水能资源主要分布在，影响其分布的主导因素是。
（3）分析比较湘东和湘南地区发展有色金属工业的有利条件。
（4）酸雨是pH值小于5.6的大气降水。
湖南省酸雨最严重的城市有等。
分析该地区多酸雨的主要人为原因及其防治措施。
答案（1）种类多储量大分布不均（任答2个）2）西地形 (3)湘东：工业基础较好，科技水平较高；交通便利。
湘南：有色金属矿产丰富；水能丰富。
（4）长沙（株洲、湘潭、娄底、益阳）有色金属冶炼工业发达，排放的酸性气体多。