晶闸管调光电路
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晶闸管关断的条件： 1. 必须使可控硅阳极电流减小,直到正反馈效应不能 维持。 2. 将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极间加反 相电压。
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单向晶闸管极性的判断
单向晶闸管的三个引脚可用指针式万用表R×1K或 R×100Ω挡来判别。 根据单向晶闸管的内部结构可知：G、K之间相当一个 二极管，G为二极管正极，K为负极，所以分别测量各 引脚之间的正反电阻。 如果测得其中两引脚的电阻较大（如90K）,对调两表 笔，再测这两个引脚之间的电阻，阻值又较小（如 2.5K），这时万用表黑表笔接的是G极，红表笔接的 是K极，剩下的一个是A 极。 也可以测任两脚之间正反向电阻，若正反向电阻均接 近无穷大，则两极即为阳极和阴极，而另一脚为门极。
为晶闸管控制级提 供控制电压！
P
N
B1 (a) 示意图
欧姆接触 接触电阻
第一基极
单结晶体管结构示意图及其表示符号
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B2
B2
VD E B1 (b) 符号
RB2
E
RB1
B1
(c)等效电路
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单结晶体管的检测
判断单结晶体管发射极e的方法是：将万用表 置于R×1K挡或R×100挡，假设单结晶体 管的任一管脚为发射极e，黑表笔接假设发射 极，红表笔分别接触另外两管脚测其阻值。 当出现两次低电阻时，黑表笔所接的就是单 结晶体管的发射极。 单结晶体管b1和b2的判断方法是：将万用表 置于R×1K挡或R×100挡，，黑表笔接发 射极，红表笔分别接另外两管脚测阻值，两 次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是 b1极。
A
+ IA
P1
A
N1 T1
P N G P N P N K G
P2
G
P2 N2 K
IG
P2
N2
N1 T2
IK _K
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晶闸管导通的条件：
1. 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向电 压。 2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向电 压或正向脉冲(正向触发电压)。 晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反 馈，晶闸管仍可维持导通状态。
Uv
R
100k
R2 E
300
+
U
ug
(b)
Up-UD
t t
C uC R1 ug 0. 47F _ 50 _ (a)
+
+
_
电容放电至 uC Uv时，单结管重新关断，使ug0。
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uC
注意：R值不能选 的太小，否则单结 管不能关断，电路 亦不能振荡。
up uv
O
t
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(1) 电路
u > 0 时： 若ug = 0，晶闸管不导通，uo
T + u – + uT –
io + RL uo –
0, uT u 。
控制极加触发信号，晶闸管承受正向电压导通，
u < 0 时: 晶闸管承受反向电压不导通, uo = 0, uT = u ，故称可控整流。
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uo 0, uT u 。
u
O
(3)工作波形
ug
t1
2
t2
t t t
uO
O O
uT
动画
导通角
O
t
控制角
接电阻负载时 单相半波可控整流电路电压、电流波形
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单结晶体管触发电路
单结晶体管结构及工作原理 1.结构 B2
第二基极 发射极E PN结 N型硅片
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uo u , uT 0 。
(2) 工作原理
u
ug
O
O
t1
2
t
t
u > 0时: 0 ~ t 1, ug 0 , 晶闸管不导通。
t1 :加触发信号，晶闸管承受正向电压导通
uo u , uT 0 。
u < 0 时: 可控硅承受反向电压不导通 uo 0 , uT u 。 即：晶闸管反向阻断
ug
t
O (c) 电压波形
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晶闸管导通、关断条件测试
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单相半控桥式整流实验电路
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基本结构
晶闸管是具有三个PN 结的四层结构, 其外形、 结构及符号如图。 四 A 层 半 导 G 体 K
(a) 外形 (b) 符号
A 阳极
P1
三 个
PN
N1
P2
结
GG 控制极
N2
(c) 结构 K 阴极
晶闸管的外形、结Leabharlann Baidu及符号
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晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合 A P1 N1
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B2
单结晶体管的特点
1. UE < UP时单结管截止； UE > UP时单结管导通， UE < UV时恢复截止。 UV为谷底电压。
E
B2
B1 2.单结晶体管的峰点电压UP与 外加固定电压UBB及分压比 有关，外加电压UBB或分压比不同，则峰点电 压UP不同。
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晶闸管调光电路的安装调 试
晶闸管
（Silicon Controlled Rectifier） 它的全称是晶体闸流管，又称可控硅，简称SCR! 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功 率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域 扩展到强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性， 但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、 调压及开关等方面。
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晶闸管型号及其含义 K P 导通时平均电压组别 共九级, 用字母A~I表示0.4~1.2V 额定电压,用百位或千位数 表示取UFRM或URRM较小者 额定正向平均电流(IF) （晶闸管类型） 普通型 P--普通晶闸管 K--快速晶闸管 S --双向晶闸管 晶闸管 如KP5-7表示额定正向平均电流为5A,额定电压为700V。
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由图可求得
+ _
RP E + UE _ B2 + UBB _ B1 + _
RB1 U B 1 U BB RB1 RB 2 RB1 U BB U BB RBB
等效电路
– 分压比(0.5~ 0.9) UE < UBB+UD = UP 时
PN结反偏，IE很小； RB2 UBB + U U 时 E P E RP + A PN结正向导通, IE迅速 _ + _ 增加。 RB1 UE _ UP – 峰点电压 B1 UD – PN结正向导通压降 测量单结晶体管的实验电路
单结晶体管触发电路 1. 振荡电路 R
100k
E +
C uc R1 ug 0. 47F _ 50 _
单结晶体管弛张 R2 振荡电路利用单结管 300 + 的负阻特性及RC电路 U 的充放电特性组成频 _ 率可调的振荡电路。 +
单结晶体管弛张振荡电路
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2. 振荡过程分析 设通电前uC=0。 接通电源U, 电容C经电阻R 充电。电容电压uC逐渐升高。 当uC UP时,单结管导通,电 容C放电,R1上得到一脉冲电压。 uC Up
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单向晶闸管极性的判断
单向晶闸管的三个引脚可用指针式万用表R×1K或 R×100Ω挡来判别。 根据单向晶闸管的内部结构可知：G、K之间相当一个 二极管，G为二极管正极，K为负极，所以分别测量各 引脚之间的正反电阻。 如果测得其中两引脚的电阻较大（如90K）,对调两表 笔，再测这两个引脚之间的电阻，阻值又较小（如 2.5K），这时万用表黑表笔接的是G极，红表笔接的 是K极，剩下的一个是A 极。 也可以测任两脚之间正反向电阻，若正反向电阻均接 近无穷大，则两极即为阳极和阴极，而另一脚为门极。
为晶闸管控制级提 供控制电压！
P
N
B1 (a) 示意图
欧姆接触 接触电阻
第一基极
单结晶体管结构示意图及其表示符号
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B2
B2
VD E B1 (b) 符号
RB2
E
RB1
B1
(c)等效电路
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单结晶体管的检测
判断单结晶体管发射极e的方法是：将万用表 置于R×1K挡或R×100挡，假设单结晶体 管的任一管脚为发射极e，黑表笔接假设发射 极，红表笔分别接触另外两管脚测其阻值。 当出现两次低电阻时，黑表笔所接的就是单 结晶体管的发射极。 单结晶体管b1和b2的判断方法是：将万用表 置于R×1K挡或R×100挡，，黑表笔接发 射极，红表笔分别接另外两管脚测阻值，两 次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是 b1极。
A
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P1
A
N1 T1
P N G P N P N K G
P2
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P2 N2 K
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N1 T2
IK _K
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晶闸管导通的条件：
1. 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向电 压。 2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向电 压或正向脉冲(正向触发电压)。 晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反 馈，晶闸管仍可维持导通状态。
Uv
R
100k
R2 E
300
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U
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(b)
Up-UD
t t
C uC R1 ug 0. 47F _ 50 _ (a)
+
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电容放电至 uC Uv时，单结管重新关断，使ug0。
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uC
注意：R值不能选 的太小，否则单结 管不能关断，电路 亦不能振荡。
up uv
O
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(1) 电路
u > 0 时： 若ug = 0，晶闸管不导通，uo
T + u – + uT –
io + RL uo –
0, uT u 。
控制极加触发信号，晶闸管承受正向电压导通，
u < 0 时: 晶闸管承受反向电压不导通, uo = 0, uT = u ，故称可控整流。
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uo 0, uT u 。
u
O
(3)工作波形
ug
t1
2
t2
t t t
uO
O O
uT
动画
导通角
O
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控制角
接电阻负载时 单相半波可控整流电路电压、电流波形
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单结晶体管结构及工作原理 1.结构 B2
第二基极 发射极E PN结 N型硅片
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uo u , uT 0 。
(2) 工作原理
u
ug
O
O
t1
2
t
t
u > 0时: 0 ~ t 1, ug 0 , 晶闸管不导通。
t1 :加触发信号，晶闸管承受正向电压导通
uo u , uT 0 。
u < 0 时: 可控硅承受反向电压不导通 uo 0 , uT u 。 即：晶闸管反向阻断
ug
t
O (c) 电压波形
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基本结构
晶闸管是具有三个PN 结的四层结构, 其外形、 结构及符号如图。 四 A 层 半 导 G 体 K
(a) 外形 (b) 符号
A 阳极
P1
三 个
PN
N1
P2
结
GG 控制极
N2
(c) 结构 K 阴极
晶闸管的外形、结Leabharlann Baidu及符号
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晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合 A P1 N1
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B2
单结晶体管的特点
1. UE < UP时单结管截止； UE > UP时单结管导通， UE < UV时恢复截止。 UV为谷底电压。
E
B2
B1 2.单结晶体管的峰点电压UP与 外加固定电压UBB及分压比 有关，外加电压UBB或分压比不同，则峰点电 压UP不同。
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晶闸管调光电路的安装调 试
晶闸管
（Silicon Controlled Rectifier） 它的全称是晶体闸流管，又称可控硅，简称SCR! 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功 率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域 扩展到强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性， 但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、 调压及开关等方面。
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晶闸管型号及其含义 K P 导通时平均电压组别 共九级, 用字母A~I表示0.4~1.2V 额定电压,用百位或千位数 表示取UFRM或URRM较小者 额定正向平均电流(IF) （晶闸管类型） 普通型 P--普通晶闸管 K--快速晶闸管 S --双向晶闸管 晶闸管 如KP5-7表示额定正向平均电流为5A,额定电压为700V。
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由图可求得
+ _
RP E + UE _ B2 + UBB _ B1 + _
RB1 U B 1 U BB RB1 RB 2 RB1 U BB U BB RBB
等效电路
– 分压比(0.5~ 0.9) UE < UBB+UD = UP 时
PN结反偏，IE很小； RB2 UBB + U U 时 E P E RP + A PN结正向导通, IE迅速 _ + _ 增加。 RB1 UE _ UP – 峰点电压 B1 UD – PN结正向导通压降 测量单结晶体管的实验电路
单结晶体管触发电路 1. 振荡电路 R
100k
E +
C uc R1 ug 0. 47F _ 50 _
单结晶体管弛张 R2 振荡电路利用单结管 300 + 的负阻特性及RC电路 U 的充放电特性组成频 _ 率可调的振荡电路。 +
单结晶体管弛张振荡电路
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2. 振荡过程分析 设通电前uC=0。 接通电源U, 电容C经电阻R 充电。电容电压uC逐渐升高。 当uC UP时,单结管导通,电 容C放电,R1上得到一脉冲电压。 uC Up