电子信息工程知识100题

★1、多级放大器级间耦合时要注意静态工作点匹配的是（ d ）方式。

A 变压器耦合

B 电容耦合

C 阻容耦合

D 直接耦合

2、组合逻辑电路设计的关键是（ a ）

A 写逻辑表达式

B 表达式化简

C 列真值表

D 画逻辑图

3、 （ c ）电路中各级的静态工作点相互独立，互不影响，但不能用于直流或缓慢变化信号的放大。

A. 直接耦合

B. 变压器耦合 C ．阻容耦合 D. 光电耦合

4、 与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( c )。

A ．不用输出变压器

B ．不用输出端大电容

C ．效率高

D ．无交越失真

5、在电源电路中（ c ）元器件要考虑重量散热等问题，应安装在底座上和通风处。b

A 电解电容器、变压器、整流管等

B 电源变压器、调整管、整流管等

C 保险丝、电源变压器、高功率电阻等

6、三极管处于放大状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（b ）

A ．发射结和集电结都处于正偏

B ．发射结处于正偏，集电结处于反偏

C ．发射结处于反偏，集电结处于正偏

D. 发射结和集电结都处于反偏

7、 二极管两端加上正向电压时（ b ）

A ．一定导通

B ．超过死区电压才能导通

C ．超过0.7伏才导通

D ．超过0.3伏才导通

8、NPN PNP 三极管作放大器时，其发射结（ b ）。

A.均反向电压

B.均正向电压

C.仅NPN 管反向电压

D.仅PNP 管反向电压

9、若要得到一个PNP 型复合管，可选择下列4种接法中的（ d ）。

A B C D

10、 要得到一个Ri 大，Ro 小的阻抗变换电路，应选择（ a ）负反馈电路。

A 、电压串联

B 、电压并联

C 、电流串联

D 、电流并联

11、PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ a ） 。

A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

D.无法确定

12、稳压二极管稳压时，其工作在( a c )，发光二极管发光时，其工作在( a )。

A ．正向导通区

B ．反向截止区

C ．反向击穿区

13、整流的目是（ a ）。

A ．将交流变为直流；

B ．将高频变为低频；

C ．将正弦波变为方波

14、 理想运放的两个重要结论是（ c ）。

A ．虚地与反相

B ．虚短与虚地

C ．虚短与虚断

D ．短路与断路

15、已知)(t f ，为求)23( t f 应按下列哪种运算求得正确结果（ d ）。

(A)2)3(左移t f (B)32)3(左移

t f (C)2)3(右移t f (D)32)3(右移t f 16、已知序列)(31)(n u n x n ⎪⎭

⎫ ⎝⎛=，则收敛域为（ ）。 (A) 31>z (B) 3>z (C) 3

1

A.直流电源

B.开路

C.短路

D.直流电压

18、已知离散时间系统的差分方程为)()1(21)(n x n y n y =--

，则此系统的单位样值响应)(n h 为（ ）

。 (A) )(2n u n (B) )1(2---n u n (C) )()21

(n u n (D) )1()2

1(---n u n 19、在放大器中，由于基极电流和集电极电流间分配涨落而引起的噪声称为（ ）

A ．热噪声；

B ．1/f 噪声；

C ．分配噪声；

D ．沟道热噪声

20、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是( c ) 。

A. I S e U

B. T U U I e S

C. )1e (S －T U U I

D. T U U I /S

21、稳压管的稳压区是其工作在( c ) 。

A. 正向导通

B.反向截止

C.反向击穿

D.无法确定

22、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( b ) 。

A. 前者反偏、后者也反偏

B. 前者正偏、后者反偏

C. 前者正偏、后者也正偏

D. 前者反偏、后者正偏

23、对于放大电路，所谓开环是指( c )。

A. 无负载

B. 无信号源

C. 无反馈通路

D. 无电源

24、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( c )。

A.电阻阻值有误差

B. 采用阻容耦合方式

C.晶体管参数受温度影响与电源电压不稳定

D. 晶体管参数的分散性

25. 选用差分放大电路的原因是( a )。

A.克服温漂

B. 提高输入电阻

C.稳定放入倍数

D.稳定输出电压

26、一阶后向差分)(n x ∇表示为（ b ）。

(A) )()1(n x n x -+ (B) )1()(--n x n x

(C) )1()(+-n x n x (D) )()1(n x n x --

27、 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re ，将使电路的( b )。

A.差模放大倍数数值增大

B.抑制共模信号能力增强

C.差模输入电阻增大

D.共模放大倍数增大

28、某半导体三极管型号3DG21，它是（ b d ）三极管。

A ．锗材料的高频大功率

B ．硅材料的高频大功率

C ．硅材料的低频小功率

D ．锗材料的低频大功率