电阻、电容、二极管、IC等规格、封装、尺寸

贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸：

一、零件规格:

(a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。

标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表

英制表示法1206 0805 0603 0402

公制表示法3216 2125 1608 1005

含义

L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm)

L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm)

L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm)

L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm)

注：

a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸

b、1inch=25.4mm

（b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。

（c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。

（d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。

二、常用元件封装

1）电阻：

最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照MD16仿真版，也可以到设计所内部PCB库查询。

注：

ABCD四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H

1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同

0805具体尺寸：2.0 X 1.25 X 0.5（公制表示法）

1206具体尺寸：3.0 X 1.5 0X 0.5（公制表示法）

2）电阻的命名方法

1、5%精度的命名：RS – 05 K 102 JT

2、1％精度的命名：RS – 05 K 1002 FT

R －表示电阻

S －表示功率

0402是1/16W、

0603是1/10W、

0805是1/8W、

1206是1/4W、

1210是1/3W、

1812是1/2W、

2010是3/4W、

2512是1W。

05 －表示尺寸(英寸)：

02表示0402、

03表示0603、

05表示0805、

06表示1206、

1210表示1210、

1812表示1812、

10表示1210、

12表示2512。

K －表示温度系数为100PPM。

102 －5％精度阻值表示法：

前两位表示有效数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，102＝1000Ω＝1KΩ。

1002 是1％阻值表示法：

前三位表示有效数字，第四位表示有多少个零，基本单位是Ω，1002＝10000Ω＝10KΩ。

J －表示精度为5％、

F－表示精度为1％。

T －表示编带包装

3）电容：

贴片电容常识

电容的主要特性参数：

(1) 容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为3级：I级±5%，II级±10%，III级±20%。在有些情况下，还有0级，误差为±20%。

精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。

常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005级——±0.5%;F——01级——±1%;G——02级——±2%;J——I级——±5%;K——II级——±10%;M——III级——±20%。

(2) 额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的最大直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。

(3) 温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。

(4) 绝缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。

(5) 损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。

(6) 频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。

“MOSFET”是英文Metal Oxide Semicoduc-tor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是金属氧化物半导体场效应管。它是由金属，氧化物及半导体三种材料制成的器件，所谓功率Moseft(Power Moseft)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。

对主板所使用的MOSFET来说，由于电源电压最高不超过12V，所以耐压不用看。电流一般也都够，关键看内阻，衡量Mosfet的一个很关键值就是RDS，这是MOSFET在导通状态下的内阻值，这个值越低越好。考量主板MOSFET管好坏最直接的办法就是它的发热量，如果在通电情况下，MOS管上烫得无法让手指接触，说明MOS管用得不好，如果能让手指在其上停留10秒左右，说明MOS管的发热量处于正常水平，而如果只感觉到微热的话，那么该款主板的Mosfet就可以说是十分优秀了。

电感线圈主要有滤高频，缓冲和储能的作用。衡量电感线圈是否优秀最主要的标准就是磁通量，磁通量越高，电流通过产生的损耗也就越低。一些讲求用料的主板往往会采用全封闭式电感来代替传统的电感线圈，这样做的好处在于可以大大降低电感的电磁辐射，避免电感发出的电池波对处理器和其它零件造成不必要的干扰，在一定称度上也增强了主板的稳定性，但成本也会有所提高。

单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就A VX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是A VX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

一NPO电容器

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

封装DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF