详细解析MOS管开关时的米勒效应

详细解析MOS管开关时的米勒效应

今天小编就为大家详细解析一下MOS管开关时的米勒效应，各位认真

学习一下吧！

 米勒平台形成的基本原理

 MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入

电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后，MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再

上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。

 由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会

使损耗的时间加长。（Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降）

 米勒效应在MOS驱动中臭名昭着，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒

效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段

稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。为什幺会有稳定值这段呢？因为，在MOS开通前，D极电压大于G极电压，MOS寄生电容Cgd储存的

电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和，因MOS完全导通后G极

电压大于D极电压。米勒效应会严重增加MOS的开通损耗。（MOS管不能

很快得进入开关状态）

 所以就出现了所谓的图腾驱动！！选择MOS时，Cgd越小开通损耗就越小。米勒效应不可能完全消失。