apice仿真实验4
热分析实验报告仿真(3篇)
第1篇一、实验目的本实验旨在通过仿真软件对某电子设备进行热分析，了解设备在正常工作状态下的温度分布，分析设备的散热性能，为设备的结构优化和热设计提供理论依据。
二、实验背景随着电子技术的不断发展，电子设备的功能和复杂程度不断提高，集成度也越来越高。
然而，电子设备单位体积的功耗不断增大，导致设备温度迅速上升，从而引起设备故障。
因此，对电子设备进行热分析，优化散热设计，对于提高设备的可靠性和使用寿命具有重要意义。
三、实验方法1. 选择仿真软件：本实验选用Ansys Fluent软件进行热分析。
2. 建立模型：根据实际设备结构，在CAD软件中建立三维模型，并将其导入Ansys Fluent中进行网格划分。
3. 定义材料属性：设置模型的材料属性，包括热导率、比热容、密度等。
4. 设置边界条件：根据设备的工作环境，设置边界条件，如环境温度、热流密度等。
5. 定义求解器：选择适当的求解器，如稳态热传导、瞬态热传导等。
6. 运行仿真：启动仿真计算，获取设备在正常工作状态下的温度分布。
7. 分析结果：对仿真结果进行分析，评估设备的散热性能。
四、实验结果与分析1. 温度分布通过仿真计算，得到设备在正常工作状态下的温度分布如图1所示。
由图可知，设备的热量主要集中在散热器附近，温度最高点约为80℃，远低于设备的最高工作温度。
2. 散热性能从仿真结果可以看出，设备散热性能良好，主要表现在以下几个方面：（1）温度分布均匀：设备内部温度分布较为均匀，没有出现明显的热点区域。
（2）散热器效果显著：散热器可以有效降低设备温度，提高设备散热性能。
（3）环境温度影响较小：在环境温度较高的情况下，设备温度升高幅度较小。
3. 优化建议根据仿真结果，提出以下优化建议：（1）优化散热器设计：考虑采用更大面积的散热器，提高散热效率。
（2）改进结构设计：优化设备内部结构，提高散热通道的流通性。
（3）采用新型散热材料：研究新型散热材料，降低设备的热阻。
Multisim电子技术基础仿真实验四傅立叶分析
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单击右下角的More按钮，也将增加一个More 在右边栏内填入维数值。
设置取样频率，默 认为100000Hz。
点击Edit transient analysis按钮，打开瞬态分析对话 框。该对话框中的时域设置均与瞬态分析相同。
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4.4.2 傅立叶分析举例
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（3）打开Output分页菜单，选定需 分析的节点。
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按Simulate按钮执行仿真。
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显示出傅立叶分析的图表及曲线。
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扩展后的幅度频谱和相位频谱。
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扩展后的谱线式频谱。
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扩展后的归一化频谱。
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傅里叶分析的步骤如下：
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（1）执行菜单命令Simulate/Analysis/Fourier Analysis。
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打开Fourier Analysis对话框。
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（2）在对话框的Sampling options区，设置傅里叶区分析 的基本参数。包括：设置基频、分析的谐波次数、停止取样 时间。若不知如何设置时，点击右边的Estimate按钮，让程 序自动设置。在Results区，选择仿真结果的显示方式。
、模拟电路虚拟实验举例
6、模拟电路虚拟实验举例实验1A 常用电子仪器的使用练习在模拟电子技术基础实验室里，最常用的电子仪器有示波器、函数发生器、交流毫伏表、万用表和直流稳压电源等。
这些仪器也同元器件、电路一样可以用OrCAD/PSpice软件来模拟。
一、实验目的1．学习用OrCAD/PSpice产生信号及用标尺测量信号波形有关参数的方法。
2．学习在电路中放置波形显示标示符，即使用模拟示波器的方法。
3．练习用Capture软件绘制电路图。
4．初步了解用OrCAD/PSpice软件进行电路测试的方法。
二、实验器材正弦电压源、时钟信号源DigClock<在SOURCE库中）；电阻<在ANALOG库中）。
三、实验内容及步骤1．调用Capture软件绘制电路图<1）进入电路图编辑<Page Editor）状态。
启动Place/Part命令，在SOURCE库中取出一个正弦源VSIN，在ANALOG库中取出2个电阻R。
启动Place/Ground命令，在SOURCE库中取出“0”符号<接地符号）。
<2）启动Place/Wire命令，将上述元器件连接成如图1A.1所示电路。
启动Place/Net Alias命令，为输出端设置节点名为V o。
<3）将正弦源的参数设置为：VOFF=0，V AMPL<振幅）=3V，FREQ<频率）=1kHz，TD=0，DF=0，PHASE=0。
<4）执行PSpice/ Marke命令，从子命令菜单中选择电压标示符“Voltage Level”分别放置在电路的图1A.1输入和输出端。
2．用虚拟示波器观察电路输入输出的波形图<1）选择瞬态分析，设置分析时间：4ms ，分析步长：0.01ms 。
<2）执行PSpice/ Run 命令，即可看到输入输出波形如图1A.2所示。
图1A.2 输入输出波形3．测量信号的振幅、周期<1）启动标尺，测量出各波形的振幅、周期。
实验四-SIMULINK仿真模型建立及仿真
最新资料整理推荐实验四SIMULINK仿真模型的建立及仿真(一)一、实验目的:1、熟悉SIMULINK模型文件的操作。
2、熟悉SIMULINK建模的有关库及示波器的使用。
3、熟悉Simulink仿真模型的建立。
4、掌握用不同的输入、不同的算法、不同的仿真时间的系统仿真。
二、实验内容：1、设计SIMULINK仿真模型。
2、建立SIMULINK结构图仿真模型。
3、了解各模块参数的设定。
4、了解示波器的使用方法。
5、了解参数、算法、仿真时间的设定方法。
例7.1-1已知质量m=lkg,阻尼b=2N. s/m。
弹簧系数k=100N/m,且质量块的初始位移x (0) =0. 05m,其初始速度x, (0)=0m/s,要求创建该系统的SIMULINK 模型，并进行仿真运行。
步骤：1、打开SIMULINK模块库，在MATLAB工作界面的工具条单击SIMULINK图标, 或在MATLAB指令窗口中运行simulink,就可引出如图一所示的SIMULINK模块浏览器。
• •…最新资料整理推荐……最新资料整理推荐图一：SIMULINK模块浏览器2.新建模型窗，单击SIMULINK模块库浏览器工具条山的新建图标，引出如图二所示的空白模型谢。
图二：已经复制进库模块的新建模型窗3.从模块库复制所需模块到新建模型窗，分别在模块子库中找到所需模块，然后拖进空白模型窗中，如图二。
4.新建模型窗中的模型再复制：按住Ctrl键，用鼠标“点亮并拖拉”积分模块到适当位置，便完成了积分模块的再复制。
5.模块间信号线的连接，使光标靠近模块输出口；待光标变为“单线十字叉” 时，按下鼠标左键；移动十字叉，拖出一根“虚连线S光标与另一个模块输入口靠近到一定程度，单十字变为双十字；放开鼠标左键，“虚连线”变变为带箭头的信号连线。
如图三所示：• •…最新资料整理推荐……图三：已构建完成的新模型窗6、根据理论数学模型设置模块参数：①设置增益模块〈Gdin＞参数，双击模型窗重的增益模块＜Gain＞,引出如图四所示的参数设置窗，把〈Gain〉增益栏中默认数字改为2,单击［0K］键，完成设置;图四：参数已经修改为2的＜Gain＞增益模块设置窗②参照以上方法把〈Gainl＞增益模块的增益系数改为100；③修改求和模块输入口的代数符号，双击求和模块，引出如图五所示的参数设置窗，把符号栏中的默认符号（卄）修改成所需的代数符号（一），单击［0K］最新资料整理推荐键，完成设置;图五：改变输入口符号的求和模块参数设置窗④对积分模块＜Integratorl＞的初始状态进行设置：双击积分模块＜Integratorl＞,引出如图六所示的参数设置窗，把初始条件Initial condition 栏中的默认0初始修改为题目给定的0. 05,单击［0K］键，完成设置。
Icepak4.3练习中文教程(大量算例)
xS -0.025 yS 0 zS 0
xE 0.075 yE 0.25 zE 0.356
(c) 点击 Done. (d) 点击 Scale to fit 来看整个绘图窗口。 另外:
你也可以点击 button.
2. 建立背板 该 plate 是 0.006 m 厚并将 Cabinet 分成两个区域:设备一面 (high-power devices 在这一面的腔体内) 和 翅片一面 (fins 的那一面). 背板在这里是用 block 来描述. (a)
2
o heat exchangers 热交换器 o wires 线 o openings 开孔 o grilles 过滤网 o sources 热源 o printed circuit boards (PCBs) PCB 板 o enclosures 腔体 o plates 板 o walls 壁 o blocks 块 o fans (with hubs) 风扇 o blowers 离心风机 o resistances 阻尼 o heat sinks 散热器 o packages 封装 • macros 宏
1.3.9 报告
• 写出用户定义的 ASCII 文件 (如热流密度，质量流量，传热系数等) • 任何点的时间历程 • 求解过程中点的监控 • 报告风扇工作点 • 直接输出到打印机，格式如下：
o color, gray-scale, or monochrome PostScript o PPM o TIFF o GIF o JPEG o VRML o MPEG movies o AVI movies o FLI movies o animated GIF movies
目录
1.1 什么是 Icepak? ....................................... .... .... 1 1.2 程序结构.................................... .... .............. 1 1.3 软件功能................................ ..... ................ 2 练习 1 翅片散热器...........................................6 练习 2 辐射的块和板.........................................41 练习 3 瞬态分析.............................................56 练习 4 笔记本电脑...........................................75 练习 5 修改的笔记本电脑.....................................104 练习 6 非连续网格...........................................114 练习 7 Zoom-in 建模..........................................125 练习 8 带有离心风机的机柜.......................................146 练习 9 网格和模型强化练习.......................................150 练习 10 过滤网的损失系数.........................................159 练习 11 顺排或差排散热器.........................................174 练习 12 减小热阻.................................................189 练习 13 非均匀功率分布...........................................198 练习 14 ICEPAK 的 CAD Object 模型..................................204 练习 15 PCB 板布线层接口模块......................................224
实验四基于Simulink进行系统仿真(微分方程、传递函数)
实验四 基于Simulink 进行系统仿真（微分方
程、传递函数）
一、 实验目的
1) 熟悉Simulink 的工作环境；
2) 掌握Simulink 数学工具箱的使用；
3) 掌握在Simulink 的工作环境中建立系统仿真模型。
二、 实验内容
系统微分方程：)(10)(10)(10)(8
332
2t u t y dt t dy dt t y d =++
系统传递函数：8
32
8
101010)()()(++==s s s U s Y s G 1)(=t u
1、 仿真电路
用微分方程搭建系统仿真模型
用状态方程搭建系统仿真模型
用传递函数搭建系统仿真模型2、电路元件参数的设置
1）设置Gain参数
2）设置Gain1参数
3）设置Gain2的参数
4）设置State-Space的参数
5）设置Transfer Fcn的参数
3、仿真结果微分方程状态方程
传递函数
4、仿真结果的分析
用微分方程和状态方程搭建系统仿真模型的仿真结果一样，而用传递函数搭建系统仿真模型的仿真结果发散。
第四章仿真结果分析与模型校验
▪ ▪ 式中
T是仿真的运行长度，ˆ
1 T
T
0
Y
t
dt
称为Y(t)在〔0，T〕上的时间平均值。
E ▪ 是 的无偏估计。 ▪ 称为连续仿真系统性能的平均测度。
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第四章 仿真结果分析与模型校验
▪ 4.2 区间估计和置信区间
▪ 区间估计
▪ 首先，确定在无偏估计下，估计点估计 （或 ）的方差。
率意义上“重新开始”即再生，并利用这些再生点火的独立的随机变量， 从而有可能应用经典的统计分析方法。 ▪ 这种方法只能应用于类似简单排队系统这样具有再生特性的系统。 ▪ 一个从再生状态开始运行的再生系统，具有数据序列的周期特征。 ▪ 对于再生过程，系统的稳态平均响应是一个周期观察值的均值与这个 周期上观察值的平均数目之比。
– （1）在系统分析与系统建模阶段，进行概念模型确认。判定系统模型是否有效 地代表了实际系统，建模所依据的理论与假设是否合理。
– （2）在编程和计算机模型开发阶段，进行计算机模型验证。判定系统模型是否 被正确地转换成了仿真模型（计算机程序）。
– （3）在数字实验阶段，确认操作的有效性。判定仿真模型输出是否足够准确。 – （4）判定数据的有效性。确定建立模型、测试模型和用模型进行实验所必需的
Page ▪ 12
第四章 仿真结果分析与模型校验
▪ 4.4 非终止型仿真结果分析 ▪ 批平均值法 ▪ 批平均值法是寻找获得独立同分布随机变量观察值的方法，以便应用
经典方法获得置信区间估计，然而，批平均法不是从一些段的独立重复运 行中收集数据，而是以单次长时间的仿真运行为基础，这就是批平均值法 的本质。
第四章 仿真结果分析与模型校验
▪ 4.3 终止型仿真结果分析 ▪ 稳态仿真重复运行方法 ▪ 我们已经看到通过设定T0、TE可以将点估计中初始条件引起的偏差已被
altera pcie IP核的仿真
altera pcie IP核的仿真1?????? 开发环境✍? 硬件环境：PC机，PCIE_X4开发板。
✍? 软件环境：Windows XP系统，Quartus II 13.0 (32-bit)，ModelSim-Altera 10.1d (Quartus II 13.0)软件。
2?????? 参考文献1.???????? IP Compiler for PCI Express User Guide---2014.08.18。
2.???????? PCI Express High Performance Reference Design--2014.12.19。
3.???????? PCI EXPRESS 2.0 BASE SPECIFICATION, REV. 0.9—2006.09.11。
3?????? 适用范围✍? Arria II GX✍? Arria V✍? Cyclone IV GX✍? Cyclone V✍? Stratix IV GX✍? Stratix V4?????? 仿真过程在上一节，我们讲了altera pcie IP核的例化，提到了altera pcie IP核的仿真，但没有说到具体步骤，很多接触FPGA时间不久的朋友，恐怕不知道如何下手，甚至有些从事FPGA 工作好几年的朋友，找到了正确的文档，也看到了文档中正确的地方，但就是出不来波形，着实让人着急。
接下来，就请一步一步跟我走完本文。
1.???????? 参照IP Compiler for PCI Express User Guide文档第28页，文档讲的很简单，就2条，遗憾的是，好多人拿这2条没辙，有几个注意事项我补充一下：a)???????? 按照上篇文档所讲的步骤例化IP核之后，不要进行综合，也不要试图从Quartus调用ModelSim启动仿真。
b)???????? 如果不小心已经打开工程，并点了综合，不管综合是否通过，都不要仿真了，重新按照《altera pcie IP核的例化》所讲步骤，再做一个工程，完了之后，直接关闭Quartus，打开ModelSim。
实验报告4(MOSFET工艺器件仿真)
学生实验报告院别课程名称器件仿真与工艺综合设计实验班级实验三MOSFET工艺器件仿真姓名实验时间学号指导教师成绩批改时间报告内容一、实验目的和任务1.理解半导体器件仿真的原理，掌握Silvaco TCAD 工具器件结构描述流程及特性仿真流程；2.理解器件结构参数和工艺参数变化对主要电学特性的影响。
二、实验原理1. MOSEET基本工作原理（以增强型NMOSFET为例）：以N沟道MOSEET为例，如图1所示，是MOSFET基木结构图。
在P型半导体衬底上制作两个N+区，其中一个作为源区，另一个作为漏区。
源、漏区之间存在着沟道区，该横向距离就是沟道长度。
在沟道区的表面上作为介质的绝缘栅是由热氧化匸艺生长的二氧化硅层。
在源区、漏区和绝缘栅上的电极是由一层铝淀积，用于引出电极,引出的三个电极分别为源极S、漏极D和栅极G。
并且从MOSEET衬底上引出一个电极B极。
加在四个电极上的电压分别为源极电压Vs、漏极电压V D、栅极电压V G和衬底偏压V B。
图1 MOSFET结构示意图MOSFET在工作时的状态如图2所示。
Vs V D和V B的极性和大小应确保源区与衬底之间的PN结及漏区与衬底之间的PN结处与反偏位置。
可以把源极与衬底连接在一起，并且接地,即Vs=0,电位参考点为源极，则V G、V D可以分别写为（栅源电压）V GS、（漏源电压）V DS。
从MOSFET的漏极流入的电流称为漏极电流ID。
（1）在N沟道MOSFET中，当栅极电压为零时，N+源区和N+漏区被两个背靠背的二极管所隔离。
这时如果在漏极与源极之间加上电压V DS,只会产生PN 结反向电流且电流极其微弱，其余电流均为零。
（2）当栅极电压V GS不为零时，栅极下面会产生一个指向半导体体内的电场。
（3）当V GS增大到等于阈值电压V T的值时，在半导体内的电场作用下，栅极下的P型半导体表面开始发生强反型，因此形成连通N+源区和N+漏区的N型沟道，如图2所示。
实验报告4(MOSFET工艺器件仿真)
学生实验报告报告内容实验目的和任务1.理解半导体器件仿真的原理，掌握Silvaco TCAD 工具器件结构描述流程及特性仿真流程；2.理解器件结构参数和工艺参数变化对主要电学特性的影响。
二、实验原理1. MOSEET 基本工作原理（以增强型NMOSFET 为例）：以N 沟道MOSEET 为例，如图1所示，是MOSFET 基木结构图。
在P 型半导体衬底上制作两个N+区，其中一个作为源区，另一个作为漏区。
源、漏区之间存在着沟道区，该横向距离就是沟道长度。
在沟道区的表面上作为介质的绝缘栅是由热氧化匸艺生长的二氧化硅层。
在源区、漏区和绝缘栅上的电极是由一层铝淀积，用于引出电极,引出的三个电极分别为源极S、漏极 D 和栅极G。
并且从MOSEET 衬底上引出一个电极B 极。
加在四个电极上的电压分别为源极电压Vs 、漏极电压V D 、栅极电压V G 和衬底偏压V B图 1 MOSFET 结构示意图MOSFET 在工作时的状态如图 2 所示。
Vs V D 和V B的极性和大小应确保源区与衬底之间的PN 结及漏区与衬底之间的PN 结处与反偏位置。
可以把源极与衬底连接在一起，并且接地,即Vs=0, 电位参考点为源极，则V G、V D 可以分别写为（栅源电压）V GS、（漏源电压）V DS。
从MOSFET 的漏极流入的电流称为漏极电流ID （1 ）在N 沟道MOSFET 中，当栅极电压为零时，N+ 源区和N+ 漏区被两个背靠背的二极管所隔离。
这时如果在漏极与源极之间加上电压V DS,只会产生PN 结反向电流且电流极其微弱，其余电流均为零。
（2）当栅极电压V GS 不为零时，栅极下面会产生一个指向半导体体内的电场。
（3）当V GS增大到等于阈值电压V T的值时，在半导体内的电场作用下，栅极下的P 型半导体表面开始发生强反型，因此形成连通N+ 源区和N+ 漏区的N 型沟道，如图 2 所示。
（4）由于大量的可动电子存在于沟道内，当在漏、源极之间加上漏源电压V GS 后，会产牛漏极电流I D。
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实验四 高阶滤波器实验报告
一、 实验目的
1、 通过电路仿真加深对高阶准高斯滤波器的理解，分析其对信号噪声和弹道亏损的影
响。
2、 实现并仿真不同阶次的有源高斯滤波器，并对比实数和复数极点的差异。
二、 实验内容
1、 CR-RC4准高斯滤波器仿真
（1） 仿真原理图如下
其中Rz的作用为极零相消，需保证C4Rz=R1C1
（2）成型电路阶次对于信号噪声的影响
A．在初始值参数条件下，通过瞬态仿真分别观测out1-out4的输出波形，并记录
达峰时间、输出幅度以及1%脉冲宽度；
Out1-out4节点输出电压波形如下图所示
节点 Out1 Out2 Out3 Out4
达峰时间/us 1.007 1.996 2.998 3.992
输出幅度/mV 4.082 2.993 2.473 2.154
1%脉冲宽度/us 7.581 9.543 11.376 12.970
B.在上述条件下，通过噪声仿真分别得到out1-out4的输出噪声均方根值，并计算
不同阶次CR-RCn成型电路的ENC
节点 Out1 Out2 Out3 Out4
输出噪声均方根/uV 237.57 145.57 116.36 101.02
输入1fC电荷时各级输出幅度/mV 4.082 2.993 2.473 2.154
ENC/e
363.7463253 303.98012 294.076021 293.1174559
C.分别针对不同阶次的CR-RCn成型电路，扫描成型时间rc，得到最佳的ENC以
及成型时间。
由原理图的设计，改变rc不变各级CR-RC输出的电压幅值，因此电荷-电压转换
增益不变。改变rc时各节点输出噪声均方根值如下表：
Out4
rc/us 1 1.09 1.1 1.13 1.15 1.2 1.4 2
输出噪声均方根/uV 101.02 100.89 100.89 100.9 100.92 101 101.73 105.62
EN
C/e
293.1174559 292.7402507 292.7402507 292.7692665 292.8272981 293.0594 295.1776 306.46
47168
Out3
rc/u1 1.2 1.22 1.23 1.25 1.27 1.28 1.3
s
输出噪声均方根/uV 116.36 115.44 115.41 115.4 115.39 115.39 115.4 115.41
EN
C/e
294.076021 291.7509098 291.675091 291.649818 291.6245451 291.6245 291.6498 291.67
5091
Out2
rc/us 1 1.58 1.6 1.61 1.62 1.63 1.65 1.70
输出噪声均方根145.57 140.7 140.7 140.7 140.7 140.71 140.72 140.7
7
/uV
EN
C/e
303.98012 293.8105577 293.8105577 293.8105577 293.8106 293.8314 293.8523218 293.9
567
Out1
rc/us 1 2.5 2.6 2.75 2.78 2.79 2.86 2.9
输出噪声均方根/uV 237.57 204.93 204.71 204.55 204.54 204.53 204.53 204.55
EN
C/e
363.7463253 313.7708231 313.4339784 313.1890005 313.1736893 313.1584 313.1584 313.18
90005
各级最佳成型时间如下表：
节点 Out1 Out2 Out3 Out4
最佳成型时间/us 2.83 1.60 1.26 1.10
最佳ENC/e 313.16 293.81 291.62 292.74
可见最佳成型时间符合理论预期，最佳ENC随滤波器阶次成下降趋势，但是第三
阶到第四阶出现了上升，这可能是由于忽略了改变rc时信号幅度变化造成的。
（3）成型电路阶次对信号弹道亏损的影响
将电流源的参数改为PULSE(0 {1f/tw} 10n 1p 1p {tw} 100u )其中tw为电流脉冲宽
度。通过瞬态仿真，并扫描参数tw，观测并比较out1-out4幅度的损失，即为弹道
亏损。
保证电流源电荷量为1fC的情况下，在10p到10u范围内按每10倍频10个点扫
描tw。由于电荷灵敏前放反馈电阻的存在，csaout信号幅度随着脉冲电流的持续
时间增加而下降，
以tw=10ps时各级输出信号的幅度作为标准幅度，得到下表：
节点 Out1 Out2 Out3 Out4
幅度/mV 4.04 2.96 2.45 2.13
通过尝试，发现1u-10u过程中各级信号幅度变化较大，截取这一段进行扫描，各
信号幅度如下图
Tw/us Out1 Out2 Out3 Out4
1 3.84 2.87 2.39 2.09
1.259 3.75 2.83 2.37 2.08
1.585 3.62 2.79 2.34 2.06
1.995 3.43 2.71 2.30 2.03
2.512 3.18 2.59 2.23 1.98
3.162 2.85 2.42 2.13 1.91
3.981 2.46 2.20 1.98 1.81
5.012 2.07 1.93 1.79 1.67
6.310 1.68 1.64 1.56 1.49
7.943 1.35 1.34 1.31 1.28
10 1.08 1.07 1.07 1.06
可见各个节点的弹道亏损随着探测器电流脉冲的持续时间增加而增加
2、 复数极点的高斯滤波器仿真
（1） 仿真原理图如下
（2） 利用瞬态仿真观察输出波形.记录达峰时间，输出幅度以及1%脉冲宽度；
输出脉冲波形如下：
与CR-RC4成型电路结果对比如下
电路 复数极点高斯滤波器（加CR） CR-RC4滤波器
输出幅度/mV 37.35 2.154
达峰时间/us 2.713 3.992
1%脉冲宽度/us 7.365 12.970
ENC/e 291.63 293
，可见复数极点高斯滤波器与CR-RC4滤波器相比，可以得到更窄的脉冲，
噪声性能也得到了一定改善。
（3） 扫描参数rc1，仿真记录波形和噪声的变化情况
设置扫描范围为1us-10us，步长为1us，得到波形如下图：
可见在0.1us-10us的范围内，随着rc1的增大，输出波形的幅度逐渐下降，
达峰时间逐渐增加，脉宽也逐渐变大。
Rc1/
us
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
信号
幅度
/mV
37.35 22.17 15.59 11.95 9.67 8.11 6.98 6.13 5.45 4.91
噪声
均方
根
/mV
1.7428 1.0358 0.7664 0.6217 0.5306 0.4677 0.4214 0.3858 0.3574 0.334
2
ENC/
e
291.6 292.0 307.2 325.2 343.0 360.4 377.3 393.4 409.9 425.4
可见随着rc1的增大，ENC逐渐增大