超高真空磁控溅射镀膜与离子束清洗系统操作规程
真空镀膜机操作规程
真空镀膜机操作规程真空镀膜机是一种高精度的设备，操作规程的合理执行可以确保设备的正常运行并保证产品的质量。
下面是一份真空镀膜机的操作规程，供参考：一、操作前准备1. 检查设备的电源和附属设施，确保运行环境安全正常。
2. 检查真空镀膜机内部是否有异物或污染物，清洁设备确保表面干净。
二、设备开启与调试1. 打开设备的电源，并按照操作手册正确操作所有开关与按钮，确保设备的正常运行。
2. 设备初次开启或长时间未使用后，需打开辅助泵进行抽真空，待真空度达到标准值后再进行下一步操作。
3. 真空镀膜机应设有校准装置，操作人员应根据实际需要进行相应的校准，确保设备的稳定性和精度。
三、样品处理与准备1. 将待镀膜的样品放置在有效位置，确保样品的平整，并避免样品之间的碰撞。
2. 样品表面应清洁干净，不存在污染和油渍，否则会影响镀膜质量。
四、真空镀膜操作1. 打开样品舱门，将样品放置在样品架上，确保样品与样品架之间没有杂质。
2. 关闭样品舱门，设定镀膜参数，如镀膜材料、镀膜时间、镀膜温度、反应气体等。
3. 执行真空镀膜程序，按照操作手册的步骤进行操作，确保每一个程序的稳定运行。
4. 在镀膜过程中，操作人员应经常观察反应室内的状态，如真空度、压力、温度等参数，并及时调整。
5. 镀膜结束后，将样品从样品架上取下，放置在准备好的容器中，注意避免样品与其他物体接触，避免污染。
五、设备关闭与清洁1. 关闭设备的各个开关和电源，确保设备停止运行。
2. 清洁设备内部，包括反应室和样品架，确保设备内部干净整洁。
3. 清洁设备外部，特别是控制面板和触摸屏，避免灰尘或污渍附着在上面。
4. 检查设备的附属设施，如冷却系统，确保其正常运行。
六、操作注意事项1. 操作人员应穿戴好相应的防护用品，如手套、口罩、护目镜等，确保工作安全。
2. 镀膜材料和反应气体应储存妥善，避免与火源、高温、湿度等有害物质接触。
3. 真空镀膜机应定期进行维护保养，如更换密封圈、清洁真空管道、校准仪器等。
磁控溅射操作步骤及注意事项
磁控溅射设备操作步骤1. 开电源箱三个空气开关，从左到右依次为循环水机，磁控溅射，各分接插座的空开。
2. 压缩空气泵开始工作，已设定气压上限0.8MPa （8个大气压），待抽至0.4MPa （各气动阀门工作的最低压强）即可开循环水机，接着开磁控溅射设备电源控制柜的总开关。
3. 若上次实验结束时对腔室气压抽得较低（<0.2Pa ），此时复合真空计（左边一个）会显示电离规测得的高真空，按下“自动/手动”将电离关掉。
开放气阀，向腔室通大气至复合真空计显示1E5（0.1MPa ，1个大气压）即可打开腔室顶盖。
4. 靶及基片安装好后，用万用表检查靶与屏蔽罩，基片台与腔室是否短接，开始抽真空。
磁控溅射设备操作前级阀主阀旁路阀节流阀充气阀1 预抽：开机械泵，前级阀，先抽分子泵管道内至<5.0Pa 。
√××√×2 抽腔室：关前级阀，开旁路阀，充气阀，抽反应腔室至<5.0Pa 。
××√√√3 抽腔室：关旁路阀，开前级阀，主阀，开分子泵，将腔体抽至E-4Pa 数量级，开加热器升温，升温时真空度会上升，抽至E-4Pa 。
√√×√√4 实验：关电离规，关节流阀，通氩气，将气体流量计（右边的）开到阀控（中间位置），先进行靶清洗5min 。
再用双极脉冲电源或射频电源进行基片清洗，清洗15min 。
打开靶挡板和基片挡板开始实验。
√√××√5 镀膜结束：停氩气，开节流阀，继续抽腔室，等待降温。
√√×√×6 取基片：降温至80以下，关主阀，关分子泵，分子泵由450降到0，等待2min ，关前级阀，开放气阀慢慢放气使腔室达到外界大气压。
×××√×5. 将腔室抽到10Pa 以下，以保护腔室内部器件。
关机械泵及控制柜总开关。
关冷却水，将三个空开全部关掉。
真空镀膜工安全操作规程
真空镀膜工安全操作规程1. 引言真空镀膜工是一项高风险和高技能要求的工作，操作人员必须熟悉各种设备的操作和安全规程，以保障工作场所的安全并确保工作人员的身体健康。
本安全操作规程旨在提供真空镀膜工操作人员进行工作时的安全指导，并规范操作流程，减少事故和伤害的风险。
2. 真空镀膜工作场所安全要求2.1 环境安全•工作区域内应保持清洁整洁，无杂物堆放，并确保紧急通道畅通。
•使用易燃、易爆物品时，应按照相应安全规定贮存和使用。
2.2 通风要求•工作区域应保证良好的通风系统，有效排除有害气体和粉尘。
•随时检查通风系统的工作状态是否正常，并及时维修或更换损坏的部件。
2.3 温度和湿度要求•控制工作区域的温度和湿度，确保在合理范围内，避免对人体和设备的损害。
2.4 照明要求•确保工作区域的充足照明，避免操作人员因照明不足而导致事故。
2.5 防护设备要求•操作人员应佩戴符合标准的防护眼镜、手套和防护服等个人防护设备。
3. 操作准备与要求3.1 设备检查•确保真空镀膜设备处于正常工作状态。
•预先检查所有关键设备的电源、气源和水源等连接是否正常。
3.2 物料准备•需要镀膜的物料应按照操作要求准备并清洁，确保表面无杂质。
3.3 操作人员准备•操作人员必须穿戴好个人防护设备，并熟悉操作流程和急救措施。
•进行真空镀膜操作前，操作人员应接受相关培训并获得相应的操作证书。
4. 操作流程与注意事项4.1 真空镀膜设备操作•操作人员应按照设备操作手册指导进行操作，并确保操作正确、稳定。
•对设备的维护保养应按照规定周期进行，定期检查和更换磨损或故障的部件。
4.2 镀膜物料处理•操作人员需按照操作规程准确放置物料，并确保各个步骤符合操作要求。
•确保物料和设备之间的接触处密封良好，避免泄漏和污染。
4.3 紧急情况处理•操作人员需要对紧急情况有清晰的应急预案，并按照预案进行应急处理。
4.4 事故报告与反思•每当发生事故或近期状况时，应立即向主管人员报告，并记录相关信息。
溅射镀膜操作过程
溅射镀膜操作过程镀膜操作过程磁控溅射开启1开总电源，开冷却水2开总控制柜电源开关，开机械泵开关，开V6阀初抽真空（初抽3分钟后可打开复合真空计测真空）3当真空度<10Pa时，可打开电磁阀DF4当真空度<5Pa时即关V6阀，开分子泵（先开电源，等到显示屏显示不断跳跃的450时按下Start）5打开闸板阀G开始抽真空，（30分钟后）当真空度<10-2Pa时可以打开程控真空计测真空6大约抽30分钟看一下真空计读数，真空达到10-4时就可以开始烘烤（切记：烘烤时不能开程控真空计）7烘烤30分钟后关闭烘烤按钮，继续抽真空到所需真空度气体通入1关闭程控真空计，检查气路正常，然后打开（流量计面板上气路控制）电源开关2打开所用气路的截止阀，抽出气路中的残余气体3关闸板阀G（实际上不完全关闭，调到很小）4打开气瓶（先逆时针开主旋钮），再顺时针轻开压力表的次级压力旋钮（气压表气压0.1MPa）5打开所用气路的计量计（对Ar气，对应MFC4）开关，拨至阀控，用调节旋钮调节气路流量大小（如20sscm）6调节闸板阀G使之到所需的工作气压（如一般3Pa）（气压基本稳定时可结合流量计微调，波动范围0.05Pa）溅射1开射频控制柜总电源2开射频电源预热5分钟3开始反溅射（起清洗真空室的作用）。
操作时(拨到反溅档)，先把溅射电压调至50V。
量程按钮调到最大（2000，保护仪表不超过量程），调节功率到设定功率，反射读数调到最低。
按量程到200按钮，调节功率（电压）起辉反溅10分钟，关闭溅射电源4调节闸板阀到所需工作气压（如0.3Pa），开射频电源，电压调至50V，重复步骤3调节到所需功率，起辉预溅5～10分钟（转动挡板挡住样品）清洗靶材。
5移开挡板，打开偏压（设定好）开始溅射（注意把握好时间，到时间旋转挡板）溅射关闭1关射频功率源（旋钮至最低，OFF）2关偏压电源3关基片旋转控制电源（注意顺序）4关射频总控制电源5把旋钮打到反溅关闭气体1先将调节旋钮旋到最低，当流量显示<1.0时再把流量计开关档打到关闭2关闭气路的截止阀（对Ar气是V5）3打开闸板阀，关闭气瓶（先逆时针关次分压）真空系统关闭1关闭闸板阀G2继续抽真空到10-4数量级，关闭分子泵。
磁控溅射与分子束外延安全操作及保养规程
磁控溅射与分子束外延安全操作及保养规程1. 引言磁控溅射和分子束外延是一种常用的薄膜生长技术，广泛应用于材料科学、表面工程、光电子学和纳米器件制备等领域。
然而，这些技术涉及高温、高真空和高能量密度等危险因素，因此在操作过程中必须严格遵循安全操作规程，以确保实验人员的人身安全和设备的正常运行。
本文将介绍磁控溅射和分子束外延的安全操作规程和日常保养注意事项。
2. 磁控溅射安全操作规程2.1 准备工作•安全防护：佩戴防护眼镜、手套和防护服，确保人身安全。
•仪器检查：检查溅射装置的各个部件是否完好无损，确保仪器正常工作。
•工作环境：确保操作场所干燥、通风良好，避免引发火灾和爆炸。
2.2 操作步骤1.打开溅射装置的真空泵，并监控真空度的变化，确保达到所需的工作真空度。
2.将待沉积的靶材安装到溅射装置中，并确保靶材表面干净平整。
3.连接电源，确保正负极的接线正确，避免电源短路。
4.打开气体进气阀，将工作气体注入溅射装置，注意控制气体流量和压力。
5.打开溅射源开关，产生磁场并加热靶材，开始溅射过程。
6.溅射结束后，关闭气体进气阀，关闭溅射源开关，待装置冷却后方可停止真空泵运行。
7.清理工作区域，清除沉积物和废气，保持工作区环境整洁。
2.3 安全注意事项•高真空环境下操作时，避免突然打开大气门，以免引起爆炸或损坏真空装置。
•注意靶材的选择和安装，避免使用破损或有毒的靶材。
•在溅射过程中，要随时检查溅射源和真空泵的运行情况，确保仪器正常工作。
•操作过程中禁止随意触碰溅射源和加热装置，以免烫伤。
•操作完成后，尽量将溅射装置恢复至初始状态，避免对下次实验产生影响。
3. 分子束外延安全操作规程3.1 准备工作•安全防护：佩戴防护眼镜、手套和防护服，确保人身安全。
•仪器检查：检查分子束外延装置的各个部件是否完好无损，确保仪器正常工作。
•工作环境：确保操作场所干燥、通风良好，避免引发火灾和爆炸。
3.2 操作步骤1.打开分子束外延装置的真空泵，并监控真空度的变化，确保达到所需的工作真空度。
离子溅射仪设备安全操作规程
离子溅射仪设备安全操作规程背景离子溅射仪是一种在材料表面制备薄膜的常用工具，它通过将高能离子轰击靶材表面，使得靶材表面的原子或分子离开，然后在基底表面沉积形成薄膜。
由于离子溅射技术具有很高的制备精度和易于控制的特点，使其在电子学、光电子学、磁性材料等领域得到了广泛应用。
本文档旨在为离子溅射仪设备的安全操作提供规程，以确保实验人员的人身安全和设备的正常运行。
设备安全操作规程1. 确保操作人员佩戴个人防护装备在离子溅射实验时，操作人员需要佩戴个人防护装备，包括隔离手套、防护眼镜、口罩等。
以防止离子辐射、靶材喷溅等不安全因素对操作人员的伤害。
2. 定期检查和维护离子溅射仪设备操作人员需要定期的检查和维护离子溅射仪设备，以确保设备的正常运行。
特别是需要注意设备的真空度，因为离子溅射需要在真空环境中进行，因此良好的真空度是保证实验成功的重要因素。
3. 禁止非专业人员操作离子溅射仪设备是一种高科技设备，需要有专业的操作技术和经验。
因此，非专业人员不得随意操作设备，只能经过培训和授权后方可进行操作。
4. 禁止使用损坏的设备操作人员需要注意设备的损坏状况，若设备出现损坏、配件缺失等情况，应该进行修理和更换。
禁止使用已经损坏的设备进行实验操作，以免造成伤害。
5. 遵守实验标准操作程序离子溅射实验需要按照标准的操作程序进行，包括装载样品、设置工艺参数、漏斗注入气体、开始加热等步骤。
操作人员不能随意更改程序，必须遵守标准流程进行实验操作。
6. 防止靶材喷溅在离子溅射实验过程中，常常会出现靶材喷溅现象，喷溅的原因可能是设备的真空度不足、喷溅材料不良、工艺参数设置不正确等。
操作人员需要注意避免靶材喷溅对人员的伤害。
可采取的措施包括增加靶材距离、增加基底距离、降低功率等。
7. 尽量减少操作时间离子溅射实验需要在真空环境中进行，因此操作时间不能太长，以避免真空度过低影响实验结果。
操作人员需要在规定时间内完成操作，尽量减少浪费时间。
磁控溅射操作流程及注意事项
磁控溅射操作流程及注意事项磁控溅射操作流程及注意事项一、打开冷却水箱电源（注：水箱电源是设备的总电源。
）检查水压是否足够大（0.1MPa），水压控制器是否起作用。
二、放气2.1 确认磁控溅射室内部温度已经冷却到室温；2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态；2.3 磁控溅射室的放气阀是V2，放气时旋钮缓慢打开，这能够保证进入气流不会太大；2.4 放气完毕将气阀关紧。
三、装卸试样与靶材3.1 打开B柜总电源（在B9面板上），电源三相指示灯全亮为正常。
3.2 提升或降落（B4“升”或“降“）样品台要注意点动操作，不要连续操作。
3.3 装卸试样与靶材要戴一次性薄膜手套，避免油污、灰尘等污染。
3.4 磁控靶屏蔽罩与阴极间距为2-3毫米，屏蔽罩与阴极应该为断路状态。
3.5 装载试样要注意试验所用样品座位置与档板上溅射孔的对应，并记录样品座的编号及当前所对应的靶位。
3.6 降落样品台时要注意样品台与溅射室的吻合，并用工业酒精擦洗干净样品台与溅射室的配合面。
四、抽真空4.1 确认D面板“热电偶测量选择”指示“Ⅰ”时；4.2 确认闸板阀G2、G4已经关闭；4.3 打开B4上“机械泵Ⅰ”，再打开气阀V1，开始抽低真空。
4.4 打开B3面板的电源开关，同时关闭“复合”键。
能够从B3－1处观察低真空度。
(低真空测量下限为0.1Pa）。
当真空度小于5Pa能够开始抽高真空。
4.5 关闭气阀V1，打开B4上“电磁阀Ⅰ”（确认听到响声表示电磁阀已开）4.6 打开B8面板的磁控室分子泵电源，按下“START”键，按下FUNC/DATA键，数字开始逐步上升，等大于H100.0后打开闸板阀G1，随后分子泵速上升并稳定到H400.0。
4.7 磁控室的高真空度在B2面板显示，不要一直开着高真空的测量，也不要频繁开关, 一般每隔1-2小时可打开观察一次，等示数稳定后再关闭（一般不超过3分钟）。
五、充气5.1确认高真空度达到了-4、-5的数量级，在充气之前必须关闭高真空计；5.2 打开A1面板上MFC电源，预热3分钟；5.3 稍关闭闸板阀G1到一定程度，但不要完全关紧5.4 打开V4、V6（若是二路进气，V5应和V6同时打开）阀门5.5 将控制阀扳到“阀控“位置5.6 打开气瓶阀门，稍旋紧减压阀至压力示数为0.1MPa即可；5.7 调节MFC阀控的设定（一般在30左右），再进一步关紧闸板阀使得低真空（B3－1）读数接近所需的溅射压强，然后经过微调MFC阀控得到所需的溅射压强。
磁控溅射设备说明书教材
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您的义务请您在使用过程中，将发生故障的操作步骤填写在用户反馈问题清单中，我们将参考此表内容尽我们最大的能力在最短的时间内完成维修。
如何使用本手册如果您是初次使用该设备，那么您需要通读用户手册。
如果您是一位有经验的用户，则可以通过目录查找相关信息。
本手册涉及的字体及符号说明：字体的大小直接反应父、子关系，符号说明见下表：符号指示性说明代表意义➢描述性说明没有先后顺序之分，是比❑和■高一级目录❑详细描述性说明没有先后顺序之分■详细描述性说明有先后顺序之分提示性说明有利于深刻认识系统，并且可以避免不必要的故障发生警告性说明必须严格遵守的内容，否则会发生严重事故目录绪言 (1)一、系统简介 (1)1、概述 (1)2、工作原理以及技术指标 (2)工作原理： (2)技术指标： (2)3、系统主要组成 (3)溅射真空室组件： (3)上盖组件： (4)真空获得和工作气路组件： (5)安装机台架组件： (7)4、设备安装 (7)安装尺寸： (7)配套设施： (7)二、系统主要机械机构简介 (8)1、磁控溅射靶组件 (8)2、单基片加热台组件 (9)3、基片加热公自转台组件 (10)4、基片挡板组件 (11)三、操作规程： (11)1、开机前准备工作 (11)2、开机（大气状态下泵抽真空） (12)启动总电源： (12)大气状态下溅射室泵抽真空： (12)3、溅射室处于真空状态时抽真空： (13)4、工作流程： (13)➢装入样品： (13)➢磁控溅射镀膜： (14)5、靶材的取出和更换: (15)6、停机： (16)四、电源及控制 (16)分类： (17)供电要求： (17)使用说明 (18)电控单元使用说明： (19)五、注意事项 (20)1、安全用电操作注意事项: (20)2、操作注意事项： (21)六、常见故障及排除 (22)七、紧急状况应对方法 (23)1、突然断电 (23)2、突然断水 (24)3、出现严重漏气 (24)八、用户反馈问题清单 (25)九、维护与维修 (26)绪言磁控溅射沉积系统是高真空多功能磁控溅射镀膜设备。
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超高真空磁控溅射镀膜与离子束清洗系统操作规程
一．开机
1 分子泵、各磁控靶接通冷却水，检查水路是否漏水。
2 各单元电源与总电源接通，总电源供电。
（启动总电源前，报警选择档指向报警；开总电源后，A、B、C灯亮）
3 启动机械泵，缓慢打开旁抽阀V2，预抽溅射室。
4打开ZDF2AK复合真空计，当示数显示小于5 Pa时，关闭旁抽阀V2，打开电磁阀(有清脆的响声)，然后启动分子泵开关，待示数显示为零时，启动START，并马上打开闸板阀G1（逆时针旋转到底后稍微回转），开始抽高真空。
5 打开计算机，进行运行参数设置。
（见后面介绍）
6 达到所需真空度后，准备镀膜。
（见后面介绍）
7 镀膜完毕后，关闭直流或射频电源，关气路。
（见后面介绍）
二、靶位自动调节程序
1 挡板控制及状态各靶挡板显示与溅射室内靶挡板位置一致。
若不一致，则改变计算机上显示状态，点击“开（关）”按钮即可，在挡板没有达到相应的“开（关）”状态时，该按钮是闪烁的，达到所需状态时，按钮是亮的。
2 转盘控制与状态
样品与样品挡板状态确定显示与当前溅射室内一致，若不一致，则重新标定。
例如：当前溅射室内状态为样品2对应样品位置A
位，样品挡板显示A位，然而计算机显示样品1对应样品位置A 位，样品挡板显示A位。
拖动样品1到样品2，将弹出“样品编号”对话框，点击“否”，则可以重新标定样品编号。
重新标定样品挡板，样品位置时也是如此操作。
注意：样品位置和样品编号不能同时改变。
例如：
样品1在A位置溅射完毕后，需要在B位溅射样品2，则应该先把样品1拖到样品2，将弹出“样品编号”对话框，点击“是”，可将样品2移动到A靶位；然后，将样品位置A拖到B，将弹出“样品位置”对话框，点击“是”，可将样品2移动到B靶位。
样品速度和挡板速度公转速度和挡板公转速度均调为1.0 r/min即可，运行稳定。
3 运行设置点击“修改”按钮，输入控制语句，点击“关闭”按钮，然后点击“运行”按钮，设备将按照设置的语句运行。
控制语句介绍：
直溅射时使用的关键字是：ta, ta, tc, td, te
例子，for=2；（循环次数为2次）
ta=20；（在A靶溅射20秒）
tb=50；（在B靶溅射50秒）
tc=30；（在C靶溅射30秒）
next；
如果不需要循环时，可省略for和next语句。
共溅射时使用的关键字：c, d, e, cd, ce, de, cde
例子，f or=2；（循环次数为2次）
c=10；（溅射C靶10秒）
cd=20；（同时溅射C靶和D靶20秒）
cde=30；（同时溅射C，D和E靶30秒）
next；
注意：状态为“共溅”时，样品编号和样品位置选择功能无效，需要改变时，要打到“直溅”状态。
三、镀膜开始
1 通气路：预热质量流量计5 min，流量计达到关闭档调零，打开气瓶（打开高压阀，逆时针旋转到底，逆时针略开减压阀），MFC1（或MFC2，MFC3，MFC4）开至阀控档，调相应流量计示数到所需流量，开相应气路的进气阀，V4(Ar)，V6(O2)，混合室内V7（Ar），V8（N2），V9（O2），总开关V5。
2 关闭闸板阀G1，同时观察真空计示数（闸板阀几乎到关闭状态），到起辉压强（3~5Pa），打开各靶对应的直流电源，使靶起辉（这时可能有打火现象，是由于靶材表面不洁或有毛刺所致，属正常现象），适当调节MFC进气量，使溅射室内压强到所需工作压强。
（射频溅射见下面介绍）
3 调节不同功率进行预溅射。
待辉光正常后，打开挡板，镀膜开始，此后镀膜时间、样品换位均由计算机控制。
4 根据需要，样品可选择加热或自转。
样品1和样品4均可加热到500℃，所有样品均可自转。
注意：（1）打开直流电源开关时，确定“电压调节”旋钮处于零位；
工作完毕后，将“电压调节”旋钮旋至零。
（2）样品自转只能手动不能自动，档位由正转——停止——反
转，不可以由正转——反转；“转速调节”旋钮不需要调节，
此时自转速度刚好。
四、射频溅射
1 确认RF电源的“电压调节”旋钮处于零位。
2 开右侧总控制电源开关，开射频电源（灯丝开关）预热5 min。
3 调节溅射室内真空度使其处于起辉压强范围内（3~5Pa），按下板压“开”按钮，调“电压调节”旋钮，缓慢调节RF匹配器（C1、C2），使得反射功率低于入射功率的4%以内。
即：入射功率尽量大，反射功率尽量小，两指针交点（驻波比）≤1.7，使靶起辉。
4 通过调气体流量，改变真空度到所需工作压强，调节“电压调节”旋钮至所需溅射功率。
5 工作完毕，将“电压调节”旋钮旋至零，按下板压“关”按钮，关灯丝开关，关闭电源。
五、镀膜完毕
1 关闭直流或射频电源，关闭右侧总控制电源。
2 关闭各气路的进气阀V4（V5、V6、V7、V8、V9），然后将质量流量计打到关闭档，关闭MFC电源，关气瓶（先关高压阀再关低压阀）。
3 全开闸板阀G1，抽真空20-30 min，准备关机。
六、关机
1 关闭气路各个进气阀V1、V4、V5、V6，确定旁抽阀V2和放气阀V3处于关闭状态。
2 关闭真空计。
3 按分子泵的STOP，待分子泵的频率下降到200 Hz时，关闸板阀G1。
4 分子泵频率下降到100 Hz时，按OFF键，关分子泵电源。
5 关闭电磁阀，关闭机械泵。
6 关闭总控制电源，关闭冷却水。