计算机专业基础综合(计算机组成原理)模拟试卷3

计算机专业基础综合（计算机组成原理）模拟试卷3

(总分：56.00，做题时间：90分钟)

一、单项选择题(总题数：23，分数：46.00)

1.单项选择题1-40小题。下列每题给出的四个选项中，只有一个选项是最符合题目要求的。（分数：

2.00）__________________________________________________________________________________________ 解析：

2.下列关于存储系统层次结构的说法中，不正确的是( )。

（分数：2.00）

A.存储层次结构中，离CPU越近的存储器速度越快，价格越贵，容量越小

B.Cache一主存层次设置的目的是为了提高主存的等效访问速度

C.主存一辅存层次设置的目的是为了提高主存的等效存储容量

D.存储系统层次结构对程序员都是透明的√

解析：解析：此题考查的知识点：存储系统层次结构的基本概念。Cache一主存层次对所有程序员都是透明的。主存一辅存层次只对应用程序员透明，对系统程序员不透明。

3.存储器的存取周期与存储器的存取时间的关系是( )。

（分数：2.00）

A.存取周期大于存取时间√

B.存取周期等于存取时间

C.存取周期小于存取时间

D.存取周期与存取时间关系不确定

解析：解析：此题考查存储器存取周期与存取时间的概念及其关系。存取周期是存储器进行连续地读或写操作允许的最短时间间隔，存取时间是存储器进行一次读或写操作所需的平均时间。

4.以下几种存储器中，存取速度最快的是( )。

（分数：2.00）

A.Cache

B.寄存器√

C.内存

D.光盘

解析：解析：存储层次结构中，离CPU越近的存储器速度越快，价格越贵，容量越小。寄存器就是离CPU 最近的存储器。

5.属于易失性存储器的是( )。

（分数：2.00）

A.E 2 PROM

B.Cache √

C.Flash Memory

D.CD-ROM

解析：解析：易失性存储器包括Cache。

6.虚拟存储器理论上的最大容量取决于( )。

（分数：2.00）

A.辅存容量

B.主存容量

C.虚地址长度√

D.实地址长度

解析：解析：虚地址和实地址是虚拟存储器的两个基本概念，虚拟存储器的最大容量取决于虚地址长度，主存储器的最大容量取决于实地址长度。

7.下列存储保护方案中，不是针对“地址越界”访存违例的是( )。

（分数：2.00）

A.界限保护

B.键保护

C.环保护

D.设置访问权限位√

解析：解析：设置访问权限位是针对“访问越权”访存违例的。

8.下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是( )。

（分数：2.00）

A.刷新是指对DRAM中的存储电容重新充电

B.刷新是通过对存储单元进行“读但不输出数据”的操作来实现

C.由于DRAM内部设有专门的刷新电路，所以访存期间允许进行刷新√

D.刷新期间不允许访存，这段时间称为“访存死区(也叫死时间)”

解析：解析：DRAM在访存期间不允许刷新。

9.下列关于ROM和RAM的叙述中，正确的是( )。

（分数：2.00）

A.CD-ROM实质上是ROM

B.Flash是对RAM的改进，可以实现随机存取

C.RAM的读出方式是破坏性读出，因此读后需要再生

D.只有DRAM读后需要刷新√

解析：解析：CD—ROM是光盘存储器，是一种机械式的存储器，与ROM有本质的区别，选项A错误。Flash 存储器是E 2 PROM的改进产品，虽然它也可以实现随机存取，但从原理上讲仍属于ROM，而且RAM是易失性存储器，选项B错误。DRAM的读出方式并不是破坏性的，读出后不需再生，选项C错误。SRAM采用双稳态触发器来记忆信息，因此不需要再生；而DRAM采用电容存储电荷的原理来存储信息，只能维持很短的时间，因此需要再生，选项D正确。

10.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：I．DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，错误的是( )。

（分数：2.00）

A.I和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ√

C.Ⅲ和Ⅳ

D.I和Ⅳ

解析：解析：DRAM的集成度高于SRAM，SRAM的速度高于DRAM，可以推出DRAM的成本低于SRAM。SRAM芯片工作时不需要刷新，DRAM芯片工作时需要刷新。随机存储器RAM可分为静态和动态两种。SRAM由6个MOS管组成一个记忆单元，它的存取速度快，但集成度低，功耗也较大；DRAM由4个MOS管或单个MOs管组成一个记忆单元，它的集成度高，功耗小，但存取速度慢。DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的，栅极电容上的电荷数目会随着时间推移逐步泄漏，因此每隔一定的时间必须向栅极电容补充一次电荷，这个过程称为刷新。

11.下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是( )。

（分数：2.00）

A.刷新操作按行进行，一次刷新一行中的全部存储单元

B.刷新所需的行地址由DRAM内部的刷新计数器(行地址生成器)给出

C.集中刷新的“死时间”要大于异步刷新的“死时间”

D.分散刷新方式同样存在“死时间”√

解析：解析：分散刷新方式不存在死时间。

12.下列关于Cache的说法中，正确的是( )。

（分数：2.00）

A.采用直接映像时，Cache无需考虑替换问题√

B.如果选用最优替换算法，则Cache的命中率可以达到100％

C.Cache本身的速度越快，则Cache存储器的等效访问速度就越快