存储器分类及功能大全

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RAM/ROM存储器

ROM和RAM指的都是半导体存储器,RAM是Random Access Memory的缩写,ROM是Read Only Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。

一、RAM有两大类:

1、静态RAM(Static RAM,SRAM),静态的随机存取存储器,加电情况下,不需要刷新,数据不会丢失;而且,一般不是行列地

址复用的。SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,而SRAM却需要很大的体积,所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。优点:速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。缺点:集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率。

2、动态RAM(Dynamic RAM,DRAM),动态随机存取存储器,需要不断的刷新,才能保存数据。而且是行列地址复用的,许多

都有页模式。DRAM利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息,一旦掉电信息会全部的丢失,由于栅极会漏电,所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷,并且每读出一次数据之后也需要补充电荷,这个就叫动态刷新,所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息,所以集成度可以很高,容量能够做的很大。DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快;DRAM存储单元的结构非常简单,所以从价格上来说它比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM 等I.

SDRAM,即Synchronous DRAM(同步动态随机存储器),曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型,即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”,那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格,而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度,比如PC100,那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。与系统总线速度同步,也就是与系统时钟同步,这样就避免了不必要的等待周期,减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用,因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压,168Pin的DIMM接口,带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上,在显存上也较为常见。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题,容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM,但是现在,SDRAM的速度也已经很快了,时钟好像已经有150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。

II.SSRAM,Synchronous Static RAM(同步静态随机存储器),同步是指Memory工作需要时钟,内部的命令的发送与

数据的传输都以它为基准,随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写。对于SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。这一点与异步SRAM不同,异步SRAM的访问独立于时钟,数据输入和输出都由地址的变化控制。

III.DDR RAM,Double-Date-Rate RAM,也称作DDRSD RAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之

处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了Intel的另外一种内存标准

RambusDRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

IV.PSRAM,Fake Static RAM(假静态随机存储器)。PSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格,与传统具有六个晶体管

的SRAM储存格或是四个晶体管与Two-Loadresistor SRAM储存格大不相同,但它具有类似SRAM的稳定接口,内部的DRAM架构给予PSRAM一些比Low-Power6TSRAM优异的长处,例如体积更为轻巧,售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中,有90%的制造商都在生产PSRAM 组件

基本原理:PSRAM就是伪SRAM,内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似,但外部的接口跟SRAM相似,不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制,PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的

PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等,容量没有SDRAM那样密度高,但肯定是比SRAM 的容量要高很多的,速度支持突发模式,并不是很慢,Hynix,Coremagic,WINBOND.MICRON.CY 等厂家都有供应,价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点,比SRAM便宜很多

PSRAM主要应用于手机,电子词典,掌上电脑,PDA,PMP,MP3/4,GPS接收器等消费电子产品。与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术。所以在体积上更小。同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同。在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择

二、ROM也有很多种:

1、MASK ROM(掩模只读存储器),是制造商为了要大量生产,事先制作一颗有原始数据的ROM当作样本,然后再大量生产与样本

一样的ROM,这种大量生产的ROM样本就是MASK ROM,而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改

2、PROM(可编程只读存储器),是一次性的,可编程只读存储器,内容一经写入以后,就不可能修改了,所以只可以写入一次。这

种是早期的产品,现在已经不可能使用了

3、EPROM(可擦除可编程只读存储器),是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。,用紫外线照射进行擦除,高

压编程写入(+21V或+12V)

4、EEPROM(电信号可擦除可编程只读存储器),是通过电子擦除,价格很高,写入时间很长,写入很慢

5、Flash ROM,是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息,因为浮置栅不会漏电,所以断电后信息仍然可以保存。也由于其机构

简单所以集成度可以做的很高,容量可以很大。Flash Rom写入前需要用电进行擦除,而且擦除不同与EEPROM可以以byte(字节)为单位进行,Flash Rom只能以sector(扇区)为单位进行。不过其写入时可以byte为单位。Flash Rom主要用于bios,U盘,Mp3等需要大容量且断电不丢数据的设备

举个例子,手机软件一般放在EEPROM中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是马上写入通话记录(通话记录保存在EEPROM中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。注释:

①、我们通常可以这样认为,RAM是单片机的数据存储器(这里的数据包括内部数据存储器(用户RAM区,可位寻址区和工作组寄存器)和特殊功能寄存器SFR),或是电脑的内存和

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