太阳能硅片切割中薄厚片问题分析
光伏组件的加工工艺及不良分析
光伏组件的加工工艺及不良分析光伏组件是利用太阳能转化为电能的装置，在太阳能利用领域具有广泛应用。
在光伏组件的生产过程中，加工工艺的质量直接影响到光伏组件的性能和使用寿命。
本文将介绍光伏组件的加工工艺及不良分析，以提高光伏组件的生产质量和性能。
1.硅片清洗：在生产光伏组件之前，需要对硅片表面进行清洗。
清洗的目的是去除硅片表面的杂质、污垢和氧化层，以便后续的加工工艺。
清洗过程中要注意控制清洗液的浓度和温度，避免对硅片表面造成损伤。
2.硅片切割：硅片切割是将硅片按照一定尺寸进行切割，以便后续的加工。
硅片切割的精度和平整度直接影响到光伏组件的性能。
切割过程中要注意控制刀具的切割压力、速度和切割角度，保证切割的尺寸和平整度。
3.硅片扩散：硅片扩散是将硅片表面注入掺杂元素，形成P型或N型硅片。
扩散过程中要控制扩散温度、时间和掺杂元素的浓度，以保证硅片的电性能和稳定性。
4.前表面反射膜涂覆：在光伏组件的生产中，需要在硅片表面涂覆前表面反射膜，以提高光伏转换效率。
涂覆过程中要控制膜的厚度和均匀性，避免气泡和缺陷的出现。
5.结构化及金属电极制备：在光伏组件的生产中，需要在硅片表面结构化制备金属电极，以方便电流的传输。
结构化过程中要控制激光的焦距和功率，确保金属电极的精度和稳定性。
6.背表面反射膜涂覆：在光伏组件的生产中，需要在背表面涂覆反射膜，以提高光伏转换效率。
涂覆过程中要控制膜的厚度和均匀性，避免气泡和缺陷的出现。
7.封装及测试：最后，光伏组件需要进行封装和测试，以确保其性能和稳定性。
封装过程中要注意控制密封材料的温度和压力，确保封装的质量。
测试过程中要对光伏组件的电性能和光电性能进行全面测试，检测不良组件并进行修理处理。
在光伏组件的生产过程中，可能会出现以下不良情况：1.硅片表面损伤：硅片表面在清洗和切割过程中可能会受到损伤，导致硅片的性能降低。
解决方法是加强清洗和切割过程的控制，避免硅片表面的损伤。
2.反射膜气泡：在涂覆反射膜的过程中，可能会出现气泡和缺陷，导致光伏组件的转换效率降低。
切片常见问题
线切割常见问题随着光伏产业的迅猛发展，对硅片的需求量越来越大，处于光伏产业上游硅片制备环节显得越来越重要。
在切割以前的整个流程中，拉晶（铸锭）、截段、切方（破锭）3个环节对硅料消耗都很低，唯独在切割中造成的消耗最大。
为降低切割消耗，各公司都在辅料上采取了许多降耗措施，取得了一些技术进步。
一、我针对各公司普遍认为的切割质量和料浆的关系问题，结合碳化硅微粉的固有特性，谈一下料浆的配制：1. 微粉在包装、运输、存放过程中容易挤压结团；这要求工人在配制沙浆倒料过程中要特别注意：倒料时应慢倒，控制在2.5-3分钟一袋，避免猛倒造成微粉沉底结块搅拌不起来,造成与实际配比不一致，而影响切割。
2. 碳化硅微粉具有较强吸湿性，在空气中极容易受潮结团，分散性降低，使料浆的粘度降低，同时在料浆中形成假性颗粒物和团积物，造成切割效率和切割质量下降。
因此应避免微粉暴露在空气中时间过长。
3. 倒料时要求操作工——检查料袋有无破损，如有破损一定要单独存放不要再使用；投料前先把袋口、袋子表面的浮沙打掉，避免倒料带入杂物。
4. 在使用碳化硅以前，最好是放在80—90度烘箱里，烘烤8小时以上，来优化碳化硅微粉的各项指标。
这样有几点好处：①增强了碳化硅微粉分子活性；②与切削液有了更强的适配性；③粉体颗粒吸附性更强，使钢线带砂浆量增大，增强切削能力；④微粉有了更好的流动性和分散性，减少结团。
5. 砂浆在配制过程还不可避免地受到许多不确定的人为因素的影响，很多参数因人为因素而改变。
如果改为自动投料，减少人为因素效果会更好。
二、在切割过程中，大家经常会遇到各种问题，谨就大家经常认为是碳化硅微粉造成的影响以及硅片表面线痕问题探讨如下：1. 硅片表面偶尔出现单一的一条阴刻线（凹槽）或一条阳刻线（凸出），并不是由于碳化硅微粉的大颗粒造成的，而是单晶硅、多晶硅在拉制或浇筑过程中出现的硬质点造成线网波动形成的；2. 硅片表面在同一位置带有线痕，很乱且不规则，我认为是导轮或机床震动过大或者是多晶硅铸锭的大块硬质点造成的；3. 重启机床后第一刀出现线痕——机床残留水分或液体，造成砂浆粘度低，钢线粘附碳化硅微粉量下降，切削能力降低。
太阳能光伏电池硅片切割技术
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太阳能光伏电池硅片切割技术硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分。
该工艺用于处理单晶硅或者多晶硅的固体硅锭。
线锯首先把硅锭切成方块，然后切成很薄的硅片。
（图 1）这些硅片就是制造光伏电池的基板。
图 1.硅片切割的 3 个步骤：切料, 切方和切片硅片是晶体硅光伏电池技术中最昂贵的部分，所以降低这部分的制造成本对于提高太阳能对传统能源的竞争力至关重要。
本文将对硅片切片工艺、制造业的挑战和新一代线锯技术如何降低切片成本做一个概述。
线锯的发展史第一台实用的光伏切片机台诞生于 1980 年代，它源于 Charles Hauser 博士前沿性的研究和工作。
Charles Hauser 博士是瑞士 HCT 切片系统的创办人，也就是现在的应用材料公司 PWS 精确硅片处理系统事业部的前身。
这些机台使用切割线配以研磨浆来完成切割动作。
今天，主流的用于硅锭和硅片切割的机台的基本结构仍然源于 Charles Hauser 博士最初的机台，不过在处理载荷和切割速度上已经有了显著的提高。
切割工艺现代线锯的核心是在研磨浆配合下用于完成切割动作的超细高强度切割线。
最多可达1000 条切割线相互平行的缠绕在导线轮上形成一个水平的切割线“网“。
马达驱动导线轮使整个切割线网以每秒 5 到 25 米的速度移动。
切割线的速度、直线运动或来回运动都会在整个切割过程中根据硅锭的形状进行调整。
在切割线运动过程中，喷嘴会持续向切割线喷射含有悬浮碳化硅颗粒的研磨浆。
图 2. 硅块通过切割线组成的切割网.硅块被固定于切割台上，通常一次 4 块。
切割台垂通过运动的切割线切割网，使硅块被切割成硅片（图 2）。
切割原理看似非常简单，但是实际操作过程中有很多挑战。
线锯必须精确平衡和控制切割线直径、切割速度和总的切割面积，从而在硅片不破碎的情况下，取得一致的硅片厚度，并缩短切割时间。
各种硅片不良的解决方案
各种硅片不良的解决方案(光伏行业）(2009-06-30 23:49:43)转载标签：硅片光伏行业粘胶线网砂浆杂谈分类：百科学科各种硅片不良的解决方案一。
断线：如何让预防断线；断线后如何处理（M&B。
NTC HCT）把损失降低到最少二。
硅片崩边。
线式崩边点式崩边倒角崩边三。
厚薄不均：一个角偏薄，厚薄不均四。
线痕：密集线痕亮线线痕五。
花污片：脱胶造成的花污片清洗造成的花污片在太阳能光伏、OLED、LED、TFT、LCD、光电光学行业、化工、电子、电镀、玻璃等领域，东莞恒田水处理设备公司拥有多年的太阳能光伏、、OLED 、LED、LCD、光电光学行业、化工、电子、电镀、玻璃等行业脱盐水和超纯水设备的设计、安装、调试和售后服务的成功经验。
接下来我将对以上五种关键不良做从5M1E6个方面做详细的分析预防善后等具体是什么参数比如0.10钢线要求瞬间破断力多少？1200# 1500# 2000#碳化硅的颗粒圆形度粒径大小要求黏度张力要求多少等大家去按照这个方向去找对策做计划（P），做好可量化的点检表（D），主管亲自抓班长去督导（C），总结检查的结果进行处理，成功的经验加以肯定并适当推广、标准化；失败的教训加以总结，以免重现，未解决的问题放到下一个PDCA循环（A）。
这个虽然写的是M&B264的原因分析，但是从标准化管理角度来说，应该还是具有普遍意义的哦断线善后处理首先做好断线记录（断线时间、机台号、部位、切深）留好线头1.查明断线原因及断线情况.2.及时上报，未经同意，不得私自处理。
3.处理流程：1.在出线端断线,宽度不超过10毫米的直接拉线切割.2.切深≦60mm中部或进线端断线，以30mm/min直接升起，迅速布线，8000流量砂浆冲洗，冲片时在线网上铺上无尘纸，冲开粘在一起的片子后，迅速把晶棒降到距线网2mm处，然后以10mm/min的进给认真仔细的“认刀”。
3.中部或进线端断线，切深在50mm---80mm之间的，以10mm/min的速度升料到距进刀处30--40毫米,，停止。
单晶硅多晶硅太阳能电池厚度
单晶硅多晶硅太阳能电池厚度太阳能电池，顾名思义，就是能从太阳那儿“吸收”阳光，转化为电能的“神器”。
不过，想要让它高效工作，光有太阳是远远不够的，还得有合适的材料和结构，才能最大限度地“榨取”太阳能。
今天咱们就聊聊太阳能电池中的一个重要元素——厚度。
对了，不是指太阳能电池的“高大”厚重，而是它的“薄薄”材料！让我们从单晶硅和多晶硅的太阳能电池谈起，看看厚度怎么影响它们的性能，咋样让这些电池既能“吃饱”阳光，又不会被太阳“晒坏”。
单晶硅和多晶硅，听上去是不是有点复杂？但这俩就像是太阳能电池家族中的两兄弟。
单晶硅电池就是那种“从一块完整的硅晶体”里切出来的片，做出来的电池效率高，性能稳定，可是价格嘛，相对贵了点；而多晶硅电池呢，就是由好多小晶粒拼凑而成，效率稍微低点，但价格亲民，适合那些对成本比较敏感的用户。
你说你是想买个高效能的？单晶硅没错！但预算有限，咱就选个性价比高的多晶硅好了。
但是，这两兄弟的“厚度”差异，也是咱们今天要聊的重点。
你想啊，电池的厚度直接决定了它吸收阳光的能力——如果太薄，阳光来得快，可能电池还没反应过来呢，就被晒“透”了，效率就低；如果太厚，光虽然可以进来，但一方面它可能会散热不好，另一方面，过厚的电池材料本身也容易浪费材料，做出来的电池可能不够“经济实用”。
所以啊，厚度的“拿捏”可是一门学问，不是你想厚就厚，不是薄就薄。
先说单晶硅吧。
因为单晶硅的晶体结构特别规整，光电转化效率本来就高，材料质量也比较纯，所以厚度的选择就显得尤为关键。
一般来说，单晶硅电池的厚度大多在150到200微米之间。
这个厚度既能保证它接收到足够的阳光，又能保持较低的能量损失。
如果你把它做得太薄，虽然轻巧，但有可能会影响到它的稳定性——嘿，单晶硅虽然“贵族”，但也不是每次都能忍受“过度节食”的！至于多晶硅，咋说呢，它的厚度一般会稍微“宽容”一点，通常在180到250微米之间。
这是因为多晶硅的电池效率本身就比单晶硅低，得通过适当增加厚度，来弥补那部分效率的不足。
硅片解决方案
硅片解决方案硅片解决方案是指针对硅片生产过程中的各种问题提供的解决方案。
硅片是半导体材料中最为重要的基础材料之一，广泛应用于集成电路、光伏发电、光电器件等领域。
在硅片生产过程中，可能会遇到晶圆质量不稳定、晶圆表面缺陷、晶圆切割不均匀等问题，这些问题会严重影响硅片的质量和性能，因此需要针对这些问题提供解决方案。
一、晶圆质量不稳定的解决方案晶圆质量不稳定是指在硅片生产过程中，晶圆的厚度、杂质浓度、晶格缺陷等参数存在较大波动，导致硅片的性能不稳定。
为了解决这个问题，可以采取以下措施：1. 优化晶圆生长工艺：通过调整生长温度、生长速率、气氛控制等参数，优化晶圆的生长过程，提高晶圆的质量稳定性。
2. 引入晶圆质量监测系统：在生产线上引入晶圆质量监测系统，实时监测晶圆的厚度、杂质浓度等参数，及时发现并修正异常情况，确保晶圆质量的稳定性。
3. 加强工艺控制：建立完善的工艺控制体系，对生产过程中的各个环节进行严格控制，确保每一批晶圆的质量稳定。
二、晶圆表面缺陷的解决方案晶圆表面缺陷是指晶圆表面存在的各种缺陷，如划痕、氧化、污染等，这些缺陷会降低硅片的质量和性能。
为了解决这个问题，可以采取以下措施：1. 引入表面处理技术：采用化学机械抛光、离子注入、溅射等表面处理技术，去除晶圆表面的缺陷层，提高晶圆表面的平整度和光洁度。
2. 引入清洁工艺：建立完善的晶圆清洁工艺，对晶圆进行彻底的清洁，去除表面的污染物，减少晶圆表面缺陷的产生。
3. 引入自动化检测系统：在生产线上引入自动化检测系统，对晶圆表面进行快速、准确的检测，及时发现并修复表面缺陷，提高硅片的质量。
三、晶圆切割不均匀的解决方案晶圆切割不均匀是指在硅片生产过程中，晶圆的切割厚度存在较大偏差，导致硅片的尺寸不一致，影响产品的可靠性和一致性。
为了解决这个问题，可以采取以下措施：1. 优化切割工艺：通过调整切割速度、切割深度、刀具材料等参数，优化切割工艺，提高硅片切割的精度和一致性。
硅片厚度对电池性能影响
硅片厚度对多晶硅太阳电池性能的影响摘要：为了进一步降低多晶硅太阳电池的成本，研究了硅片厚度对多晶硅太阳电池的短路电流密度、开路电压和效率的影响。
可以看出，在保证多晶硅太阳电池性能不变或者提高的前提下，硅片厚度可以减小到200μm，如果继续减小厚度，电池的性能将会下降。
1．引言提高太阳电池的光电转换效率和降低成本是太阳电池研究的主要方向，薄膜太阳电池能够大幅度降低材料的用量，是降低太阳电池成本最有效的手段。
多晶硅(mc-Si)太阳电池在2005年的世界太阳能电池市场中占的份额是58％。
所以，在保证太阳电池性能不变甚至提高的前提下，减少mc-Si太阳电池硅片厚度对降低光伏能源的成本具有重要意义。
2．硅片厚度对短路电流密度Jsc的影响当使用更薄的多晶硅片时，要面临的一个问题是表面的复合与基区的材料质量。
已经有实验证实，在使用SiNx作为前表面钝化层和Al作为背面场(BSF)时，当多晶硅片厚度大于200μm，Jsc与硅片厚度是相互独立的关系，只有硅片厚度小于200μm，Jsc才随着厚度的减少而减少。
BSF能阻碍光生少子向背表面运动，降低背表面复合，有利于p/n结对载流子的收集。
厚度低时，基体对入射光的吸收减少，此时BSF对太阳电池的短路电流密度的影响就更明显。
SiNx作为前表面钝化层可以降低表面复合并且提高基区材料的质量。
但是，当硅片厚度很低时，很多低能量光子将穿过硅片而不能被吸收，Jsc会出现降低的趋势。
3．硅片厚度对开路电压Voc的影响在mc-Si太阳电池的背面使用A1-BSF时，如果硅片厚度大于200μm，开路电压Voc与硅片厚度就是独立的关系。
Voc是温度T、光生电流JL(理想隋况下它等于Jsc)还有饱和电流Jo的函数：一个硅太阳电池的饱和电流Jo取决于有效的复合速度。
基区对于饱和电流的作用可以表示为：4．硅片厚度效率的影响在硅片厚度大于200μm时，使用Al-BSF的mc-Si太阳电池的效率是与硅片厚度相互独立的。
晶科太阳能工作切片总结
晶科太阳能工作切片总结一、切片的原理线切割是通过使用一条高速运行的金属线携带砂浆，把硅块切割成薄片的。
系统中，金属线缠绕一组导轮形成一个切割线网。
硅块被顶起推在金属线网上，同时金属线网向一个方向(单线切割)或来回(双向切割)运动。
SiC主要用于切割，切割液用于悬浮，钢线用于承载。
二、三大辅料1.刚线钢线是线切割中的重要耗材之一，钢线在拉制过程中表面都会镀上一层很薄的铜，因此新钢线都是呈金黄色，钢线的密度为7.8kg/L，钢线的主要参数为钢线直径、钢线长度、拉伸强度、破断力、伸缩率等。
在多线切割加工过程中，钢线作为实现对晶棒切割磨削的载体，通过高速运动，保证SIC磨料达到切削去除硅材料的基本能量，SIC 磨料在研磨去除中受到钢线压力，此压力来源于不断的进给运动，由于钢线的高速运动，带动磨料在钢丝和晶棒之间运动，实现对硅晶材料的切除，在此运动过程中，钢丝和被去除的硅材料相互都具有磨损，然而钢线由于不断更新，磨损过的钢丝不再使用，而对于被切割的晶棒破损不断的进行，从而实现对硅晶棒的切削成片。
钢线由于高压和强烈的摩擦，以及摩擦带来高温，碳化硅微粒的运动切割以及大的拉力和循环往复运动使钢线产生拉断和疲劳断裂，降低了钢线的使用寿命。
硅片切割中通常关注钢线两个参数：1、椭圆度2、磨损量2.碳化硅碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。
碳化硅的原子排列结构有如类似金刚石的正四面体结构，具有非常高的稳定性，硬度很大，具有优良的导热和导电性能，高温时能抗氧化，因而成为优良的多线切割用磨料。
影响切割的碳化硅的主要特性：粒度、粒度分布、粒形和韧性，粒度：在切割磨料中，粒度是决定硅片厚度的主要因素之一;切割刀缝=钢线Ф+3.5X粒度(D50);切割的效率随着粒度的变小而降低，F2000以下的粒度的切割率急剧下降;虽然大颗粒切割较快，但是它会引起表面损伤，深的线痕和高的表面粗糙度;也表现更高的TTV和切损，可以理解为由大粒度的高刻划力引起的。
硅片厚度变化趋势
硅片厚度变化趋势硅片厚度是指硅片的垂直方向上的尺寸，它是制造集成电路和光伏电池等器件的重要参数。
硅片厚度的变化趋势与其在不同领域的应用密切相关，下面将从集成电路和光伏电池两个方面来探讨硅片厚度的变化趋势。
一、集成电路中的硅片厚度变化趋势在集成电路制造中，硅片厚度是影响电路性能和制造成本的重要因素之一。
随着集成电路技术的不断发展和进步，硅片厚度也在不断变化。
1. 微型化趋势：随着集成电路技术的微型化趋势，硅片厚度逐渐变薄。
这是由于微型化可以提高集成电路的集成度和性能，减小电路的功耗和体积，提高芯片的工作速度和可靠性。
2. 工艺要求：随着制造工艺的不断进步，对硅片的平坦度和表面质量要求越来越高，这也要求硅片厚度的控制更加精确。
通常情况下，硅片的厚度要在纳米级别进行控制，以满足微细加工的要求。
3. 材料技术：新材料的引入和应用也对硅片厚度产生了影响。
例如，SOI（Silicon On Insulator）技术中的硅层厚度较薄，可以提高集成电路的性能和抗辐射能力。
在光伏电池制造中，硅片厚度对光伏电池的转换效率和成本起着重要作用。
随着太阳能发电技术的发展，硅片厚度也在不断变化。
1. 转换效率：硅片的厚度与光伏电池的转换效率密切相关。
一般来说，硅片厚度较薄可以提高光伏电池的光吸收能力和电子收集效率，从而提高转换效率。
但过薄的硅片会增加电子复合的几率，降低电池的转换效率。
2. 成本控制：硅片的厚度也与光伏电池的制造成本相关。
过薄的硅片在制造过程中容易产生损坏，增加了制造成本。
因此，光伏电池制造中，需要在硅片厚度和制造成本之间进行权衡。
3. 新材料应用：除了传统的单晶硅片，还有多晶硅片等新材料的应用。
多晶硅片相对于单晶硅片来说，可以采用较薄的厚度，并且具有较低的制造成本，但其转换效率相对较低。
硅片厚度的变化趋势与其在集成电路和光伏电池等领域的应用密切相关。
在集成电路制造中，硅片厚度逐渐变薄以满足微型化的要求和工艺的提高；在光伏电池制造中，硅片厚度与转换效率和制造成本之间需要进行权衡。
硅片等级和硅片出现问题解决方案
硅片等级和硅片出现问题解决方案硅片等级分类及标准一、优等品1：硅片表面光滑洁净。
2：TV：220±20μm。
3：几何尺寸：边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3。
二、合格品一级品：1：表面有少许污渍、轻微线痕。
2：220±20μm ≤TV≤220±30μm。
3：几何尺寸：边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5。
二级品：1：表面有少许污渍、线痕、凹痕，轻微崩边。
2：220±30μm ≤TV≤220±40μm。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30μm。
4：崩边范围：崩边口不是三角形状，崩边口长度≤1mm，深度≤0.5mm 5：几何尺寸：边长125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；边长103±0.52mm、对角135±0.52mm；边长150±0.52mm 、156±0.52mm、对角203±0.52mm、200±0.52mm。
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太阳能硅片切割中薄厚片问题分析
摘要：在太阳能硅片生产过程中，薄厚片的存在会影响产品的合格率，同时会影响电池片的生产工艺。
本文主要对太阳能硅片产生薄厚片的原因进行了分析，以更好地降低和避免薄厚片的产生。
1.引言切片工序是制备太阳能硅片的一道重要工序，太阳能硅片的切割原理是转动的钢线上携带着大量碳化硅颗粒，同时工作台位置缓慢下降，由于碳化硅的硬度大于多晶硅（晶体硅的莫氏硬度为6.5，碳化硅的莫氏硬度为9.5），依靠碳化硅的棱角不断地对硅块进行磨削，起到切割作用。
薄厚片是衡量硅片品质的一个很重要的指标。
薄厚片的存在会影响硅片合格率及电池片的生产工艺，因此这对硅片品质提出了更加严格的要求。
2.硅片厚度产生偏差的原理硅片的切割过程是在导轮上完成的，钢线在导轮上缠绕形成相互平行的均匀线网，并以10-15m/s的速度运动，砂浆经浆料嘴均匀地流到线网，砂浆中的碳化硅由于悬浮液的悬浮作用裹覆在钢线上，对硅块进行切割。
但是随着切割的进行，钢线和碳化硅都会出现不同程度地磨损，钢线的椭圆度增大，携砂能力下降，同时碳化硅的圆度变大，平均粒径减小，切割能力也有所降低，因此，通常在平行工作台运动的方向，硅片入刀点厚度小于出刀点厚度；而和硅块运动方向垂直的方向上，硅片入线侧厚度小于出线侧厚度。
硅片厚度有一定的偏差范围，对于180μm厚度的硅片，其偏差范围为±20μm，超过此范围则成为不良品--薄厚片。
从根本上讲，薄厚片的产生都是由于各种问题导致线网抖动而造成的。
3.薄厚片原因分析薄厚片可分为两大类：（1）TV（ThicknessVariation厚度偏差），主要指硅片与硅片之间相同位置之间的厚度偏差，通常存在于同一锯硅片中。
（2）TTV （TotalThicknessVariation整体厚度偏差），指同一片硅片上最厚位置与最薄位置之间的偏差。
薄厚片根据其在硅片内的分布位置可以分为四类：整片薄厚（TV）；入刀点薄厚（TTV）；硅片中部至出刀点薄厚（TTV）；单片薄厚不均（TTV）。
其产生原因分析如下：(1)整片薄厚：a.导轮槽距不均匀。
硅片厚度=槽距-钢线直径-4倍的（碳化硅）D50，根据所需的硅片厚度要求，可以计算出最佳槽距。
此外由于在切割过程中，钢线会磨损，钢线直径变小，且端口由圆形变为椭圆形，因此导轮槽距需要根据线损情况进行补偿，以保证硅片厚度均匀。
b.切割前未设好零点。
正确设置零点的方法是（以HCT机床为例）：将晶棒装载入机床后，手动降工作台使四条晶棒的导向条刚刚接触线网并点击触摸屏主界面设零点按钮，然后慢速将工作台升至-1.5mm位置真正设零点并命名切割编号。
如果零点位置设置不当，导向条接触到线网，则在切割开始后钢线由于受摩擦力作用张力不稳，导致从入刀开始即产生整片薄厚。
c.导向条与硅块之间留有缝隙，切割开始后，随着钢线的运行，部分碎导向条被带入线网，钢线错位，由于钢线在切割过程中会瞬间定位，这样就造成硅片整片薄厚的现象。
d.导轮槽磨损严重。
导轮涂层为聚氨酯材料，切割一定刀数后导轮槽根部磨损严重，导轮槽切偏，切割过程中钢线在导轮槽内由于左右晃动导致产生整片薄厚。
解决措施：a.导轮开槽后检查槽距是否均匀，且要根据线损情况对导轮槽距进行补偿。
a.设置零点时，控制好导向条距离线网的位置。
b.规范粘胶操作。
硅块表面粘接导向条时，注意检查导向条是否弯曲，胶水是否涂抹均匀，保证粘接导向条后导向条与硅块之间不能有缝隙。
c.导轮使用过程中，定期使用光学投影轮廓仪对导轮槽进行检测，观察导轮槽深、角度，发现导轮槽磨损严重时则及时更换导轮。