半导体物理概念题与判断题
半导体物理与器件课后练习题含答案
半导体物理与器件课后练习题含答案1. 简答题1.1 什么是p型半导体？答案： p型半导体是指通过加入掺杂物（如硼、铝等）使得原本的n型半导体中含有空穴，从而形成的半导体材料。
具有p型性质的半导体材料被称为p型半导体。
1.2 什么是n型半导体？答案： n型半导体是指通过加入掺杂物（如磷、锑等）使得原本的p型半导体中含有更多的自由电子，从而形成的半导体材料。
具有n型性质的半导体材料被称为n型半导体。
1.3 什么是pn结？答案： pn结是指将p型半导体和n型半导体直接接触形成的结构。
在pn结的界面处，p型半导体中的空穴和n型半导体中的自由电子会相互扩散，形成空间电荷区，从而形成一定的电场。
当外加正向电压时，电子和空穴在空间电荷区中相遇，从而发生复合并产生少量电流；而当外加反向电压时，电场反向，空间电荷区扩大，从而形成一个高电阻的结，电流几乎无法通过。
2. 计算题2.1 若硅片的掺杂浓度为1e16/cm³，电子迁移率为1350 cm²/Vs，电离能为1.12 eV，则硅片的载流子浓度为多少？解题过程：根据硅片的掺杂浓度为1e16/cm³，可以判断硅片的类型为n型半导体。
因此易知载流子为自由电子。
根据电离能为1.12 eV，可以推算出自由电子的有效密度为：n = N * exp(-Eg / (2kT)) = 6.23e9/cm³其中，N为硅的密度，k为玻尔兹曼常数（1.38e-23 J/K），T为温度（假定为室温300K），Eg为硅的带隙（1.12 eV）。
因此，载流子浓度为1e16 + 6.23e9 ≈ 1e16 /cm³。
2.2 假设有一n+/p结的二极管，其中n+区的掺杂浓度为1e19/cm³，p区的掺杂浓度为1e16/cm³，假设该二极管在正向电压下的漏电流为1nA，求该二极管的有效面积。
解题过程：由于该二极管的正向电压下漏电流为1nA，因此可以利用肖特基方程计算出它的开启电压：I = I0 * (exp(qV / (nkT)) - 1)其中，I0为饱和漏电流（假定为0），q为电子电荷量，V为电压，n为调制系数（一般为1），k为玻尔兹曼常数，T为温度。
半导体物理试卷及答案
《半导体物理》课程考试试卷（A ）开课二级学院: , 考试时间: 年____月____日时考试形式：闭卷√、开卷□, 允许带计算器入场一、选择题（每小题2分, 共10分）1.室温下一硫化镉样品的可动载流子密度为, 迁移率为, 则此样品的电导率是。
A. 16B. 17C. 18D. 192.一块长的硅片, 横截面是, 用于测量电子迁移率。
已知掺杂浓度为, 测得电阻值为, 则其电子迁移率为。
A. 1450B. 550C. 780D. 13903.室温下, 费米分布函数在处的值为A. 0B. 0.5C. 0.56D. 14.对某块掺杂硅材料在整个温度范围内测量霍尔系数, 结果均为, 则该材料的导电类型为A. N型B. P型C. 本征D. 不确定5.一个零偏压下的PN结电容, 每单位面积的耗尽层电容, 硅的介电常数为, 则耗尽层宽度是A. B. C. D.二、判断题（每小题2分, 共10分）1.载流子的扩散运动产生漂移电流。
（）2.简并化半导体的主要特点是掺杂浓度很低。
（）3.SiC是宽带隙的半导体材料。
（）4.弗仑克尔缺陷是指空位和间隙原子成对出现的缺陷。
（）5.对于窄禁带半导体材料, 热电击穿是重要的击穿机制。
（）三、填空题（每空2分, 共10分）1.有效的陷阱中心能级在附近。
2.一定温度下, 非简并半导体的热平衡载流子浓度的乘积= 。
3.最初测出载流子有效质量的实验名称是。
4.金属半导体接触可分为两类, 分别是和欧姆接触。
5.不含任何杂质和缺陷的理想半导体称为半导体。
四、名词解释（每小题4分, 共8分）1.耿氏效应2.准费米能级五、简答题（每小题8分, 共16分）1、解释什么是深能级杂质和浅能级杂质？硅中掺入的硼属于哪一种杂质？硅中掺入的金属于哪一种杂质, 起什么作用？2.简述费米分布函数和玻尔兹曼分布函数的区别。
六、计算：（共12分）假设在PN结的两侧有相同和均匀的掺杂, , 计算单位面积的非补偿施Array主离子的数量。
半导体物理试题及答案
半导体物理试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这是由于（）。
A. 半导体的原子结构B. 半导体的电子结构C. 半导体的能带结构D. 半导体的晶格结构答案：C2. 在半导体中，电子从价带跃迁到导带需要（）。
A. 吸收能量B. 释放能量C. 吸收光子D. 释放光子答案：A3. PN结形成的基础是（）。
A. 杂质掺杂B. 温度变化C. 压力变化D. 磁场变化答案：A4. 半导体器件中的载流子主要是指（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 光子答案：C5. 半导体的掺杂浓度越高，其导电性能（）。
A. 越好B. 越差C. 不变D. 先变好再变差答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体的导电性能可以通过改变其________来调节。
答案：掺杂浓度2. 半导体的能带结构中，价带和导带之间的能量差称为________。
答案：带隙3. 在半导体中，电子和空穴的复合现象称为________。
答案：复合4. 半导体器件中的二极管具有单向导电性，其导通方向是从________到________。
答案：阳极阴极5. 半导体的PN结在外加正向电压时，其内部电场会________。
答案：减弱三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述半导体的掺杂原理。
答案：半导体的掺杂原理是指通过向半导体材料中掺入少量的杂质元素，改变其电子结构，从而调节其导电性能。
掺入的杂质元素可以是施主杂质（如磷、砷等），它们会向半导体中引入额外的电子，形成N型半导体；也可以是受主杂质（如硼、铝等），它们会在半导体中形成空穴，形成P型半导体。
2. 描述PN结的工作原理。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体结合而成的结构。
在PN结中，P型半导体的空穴会向N型半导体扩散，而N型半导体的电子会向P型半导体扩散。
由于扩散作用，会在PN结的交界面形成一个内建电场，该电场会阻止更多的载流子通过PN结。
半导体物理知识点及重点习题总结
半导体物理知识点及重点习题总结基本概念题：第⼀章半导体电⼦状态1.1 半导体通常是指导电能⼒介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的⼩许多。
1.2能带晶体中，电⼦的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。
这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。
1.3导带与价带1.4有效质量有效质量是在描述晶体中载流⼦运动时引进的物理量。
它概括了周期性势场对载流⼦运动的影响，从⽽使外场⼒与加速度的关系具有⽜顿定律的形式。
其⼤⼩由晶体⾃⾝的E-k 关系决定。
1.5本征半导体既⽆杂质有⽆缺陷的理想半导体材料。
1.6空⽳空⽳是为处理价带电⼦导电问题⽽引进的概念。
设想价带中的每个空电⼦状态带有⼀个正的基本电荷，并赋予其与电⼦符号相反、⼤⼩相等的有效质量，这样就引进了⼀个假想的粒⼦，称其为空⽳。
它引起的假想电流正好等于价带中的电⼦电流。
1.7空⽳是如何引⼊的，其导电的实质是什么？答：空⽳是为处理价带电⼦导电问题⽽引进的概念。
设想价带中的每个空电⼦状态带有⼀个正的基本电荷，并赋予其与电⼦符号相反、⼤⼩相等的有效质量，这样就引进了⼀个假想的粒⼦，称其为空⽳。
这样引⼊的空⽳，其产⽣的电流正好等于能带中其它电⼦的电流。
所以空⽳导电的实质是能带中其它电⼦的导电作⽤，⽽事实上这种粒⼦是不存在的。
1.8 半导体的回旋共振现象是怎样发⽣的（以n型半导体为例）答案：⾸先将半导体置于匀强磁场中。
⼀般n型半导体中⼤多数导带电⼦位于导带底附近，对于特定的能⾕⽽⾔，这些电⼦的有效质量相近，所以⽆论这些电⼦的热运动速度如何，它们在磁场作⽤下做回旋运动的频率近似相等。
当⽤电磁波辐照该半导体时，如若频率与电⼦的回旋运动频率相等，则半导体对电磁波的吸收⾮常显著，通过调节电磁波的频率可观测到共振吸收峰。
这就是回旋共振的机理。
1.9 简要说明回旋共振现象是如何发⽣的。
半导体样品置于均匀恒定磁场，晶体中电⼦在磁场作⽤下运动运动轨迹为螺旋线，圆周半径为r ，回旋频率为当晶体受到电磁波辐射时，在频率为时便观测到共振吸收现象。
半导体物理学期末复习试题及答案三
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……一、选择题.1.电离后向半导体提供空穴的杂质是（A)，电离后向半导体提供电子的杂质是（B)。
A. 受主杂质 B。
施主杂质 C. 中性杂质2.在室温下，半导体Si中掺入浓度为的磷杂质后，半导体中多数载流子是（C），多子浓度为（D）,费米能级的位置（G ）；一段时间后,再一次向半导体中掺入浓度为的硼杂质，半导体中多数载流子是（B），多子浓度为( E），费米能级的位置（H ）；如果,此时温度从室温升高至，则杂质半导体费米能级的位置（I ）.（已知：室温下，；时,) A。
电子和空穴 B。
空穴 C。
电子D. E。
F。
G. 高于 H。
低于 I。
等于3.在室温下，对于n型硅材料，如果掺杂浓度增加，将导致禁带宽度( B），电子浓度和空穴浓度的乘积（D)，功函数（C）。
如果有光注入的情况下，电子浓度和空穴浓度的乘积（E）。
A。
增加 B. 不变 C. 减小D. 等于E. 不等于F. 不确定4.导带底的电子是（C).………密………封………线………以………内………答………题………无………效……A。
带正电的有效质量为正的粒子B. 带正电的有效质量为负的准粒子C. 带负电的有效质量为正的粒子D. 带负电的有效质量为负的准粒子5.P型半导体MIS结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材料的类型（B）。
在如图所示MIS结构的C-V特性图中，代表去强反型的（G）.A。
相同 B. 不同C。
无关 D。
AB段E. CD段F. DE段G。
EF和GH段6.P型半导体发生强反型的条件（B）。
A. B。
C. D.7.由于载流子存在浓度梯度而产生的电流是( B )电流，由于载流子在一定电场力的作用下而产生电流是（A）电流。
A.漂移B.扩散C.热运动8.对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示，其中,AB段电阻率随温度升高而下降的原因是（A）。
A. 杂质电离和电离杂质散射B. 本征激发和晶格散射………密………封………线………以………内………答………题………无………效……C。
半导体物理学试题及答案
半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一) 一、选择题1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以( C )导电为主。
A、本征B、受主C、空穴D、施主E、电子2、受主杂质电离后向半导体提供( B )，施主杂质电离后向半导体提供( C )，本征激发向半导体提供( A )。
A、电子和空穴B、空穴C、电子3、电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。
A、正B、负C、零D、准粒子E、粒子4、当Au掺入Si中时，它是( B )能级，在半导体中起的是( D )的作用;当B掺入Si中时，它是( C )能级，在半导体中起的是( A )的作用。
A、受主B、深C、浅D、复合中心E、陷阱5、 MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型( A )。
A、相同B、不同C、无关6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。
A、变大，变小 ;B、变小，变大;C、变小，变小;D、变大，变大。
7、砷有效的陷阱中心位置(B )A、靠近禁带中央B、靠近费米能级8、在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( D )，当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( A )。
A、大于1/2B、小于1/2C、等于1/2D、等于1E、等于09、如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表( A)，CD段代表( B )。
A、多子积累B、多子耗尽C、少子反型D、平带状态10、金属和半导体接触分为：( B )。
A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触11、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t??后，其中非平衡载流子将衰减为原来的( A )。
半导体物理试题及答案
半导体物理试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料中，电子和空穴的复合过程不会产生以下哪种现象？A. 发光现象B. 产生热量C. 产生光电子D. 产生电子-空穴对答案：D2. 在半导体中，掺杂杂质可以改变半导体的导电类型，以下哪种掺杂会使半导体变成n型半导体？A. 硼（B）B. 磷（P）C. 铝（Al）D. 镓（Ga）答案：B3. 半导体的能带结构中，价带和导带之间的能量差称为：A. 能隙B. 能级C. 能带D. 能带宽度答案：A4. 在半导体中，电子从价带跃迁到导带需要吸收的能量称为：A. 激发能B. 能隙C. 跃迁能D. 电子亲和能答案：A5. PN结形成后，空间电荷区的电场方向是：A. 从P区指向N区B. 从N区指向P区C. 从P区指向P区D. 从N区指向N区答案：A6. 半导体中的霍尔效应是由于：A. 电场引起的B. 磁场引起的C. 温度引起的D. 压力引起的答案：B7. 半导体器件中的肖特基二极管是一种：A. 金属-半导体接触B. 半导体-半导体接触C. 金属-金属接触D. 绝缘体-半导体接触答案：A8. 在半导体中，电子和空穴的复合会导致：A. 电子数增加B. 空穴数增加C. 电子数和空穴数都减少D. 电子数和空穴数都增加答案：C9. 半导体的掺杂浓度增加，其电导率会：A. 增加B. 减少C. 保持不变D. 先增加后减少答案：A10. 半导体的本征激发是指：A. 电子从价带激发到导带B. 电子从导带激发到更高能级C. 电子从金属激发到半导体D. 电子从半导体激发到金属答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体的导电类型由________决定，n型半导体中多数载流子是________，p型半导体中多数载流子是________。
答案：掺杂杂质；电子；空穴2. 半导体的能带结构中，价带顶和导带底之间的能量差称为________。
答案：能隙3. 半导体中的载流子包括________和________。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
概念与判断题个人总结，对错无法保证，仅供参考一：基本概念1.离子晶体，共价晶体离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，靠离子键结合成。
共价晶体：由共价键结合而成的晶体叫共价晶体。
补充：晶体的分类（按原子结合力的性质分）离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，靠离子键结合成。
原子晶体：晶格格点上交替排列的是原子，依靠共价键结合而成。
分子晶体：占据晶格中格点位置的是分子，依靠范德瓦耳斯力结合而成。
金属晶体：晶格格点上排列着失去价电子的离子实，依靠金属键结合而成。
2.布喇菲点阵（七大晶系，14种点阵）布喇菲点阵（格子）：实际晶体中，在基元上取一个等同点，这些点在空间中的分布反映了基元在空间的排列结构，这些等同点在空间规则分布称为布喇菲点阵。
（晶体中空间等同点的集合）补充：立方晶系：简立方(cP)、体心立方(cI)和面心立方(cF六方晶系：简六方(hP)四方晶系：简四方(tP)和体心四方(tI)三方晶系：有简六方(hP)和R心六方(hR)正交晶系：简正交(oP)、C心正交(oC)、体心正交(oI)和面心正交(oF)单斜晶系：有简单斜(mP)和C心单斜(mC三斜晶系：简三斜(aP3.原胞，晶胞原胞：构成布拉菲点阵的最小平行六面体，格点只能在顶点。
晶胞：反映布拉菲点阵对称性的前提下，构成布拉菲点阵的平行六面体。
除顶点上外，内部和表面也可以包含格点。
4.施（受）主杂质，施（受）主电离能施主杂质：杂质在硅、锗等半导体中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心。
施主电离能：多余的一个价电子脱离施主杂质而成为自由电子所需要的能量。
受主杂质：杂质在硅，锗等半导体中能接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心。
受主电离能：使空穴挣脱受主杂质成为导电空穴所需要的能量。
5.量子态密度，状态密度，有效状态密度量子态密度：k空间单位体积内具有的量子态数目。
状态密度：能量E附近单位能量间隔内的量子态数。
有效状态密度：6.深（浅）杂质能级深杂质能级：若杂质提供的施主能级距离导带底较远；或提供的受主能能级距离价带顶较远，这种能级称为深能级，对应的杂质称为深能级杂质。
浅杂质能级：通常情况下，半导体中些施主能级距离导带底较近；或受主能能级距离价带顶较近。
这种能级称为浅能级，对应的杂质称为浅能级杂质。
7.空穴空穴：把满带中的空状态假想为的一个带正电的“粒子”。
8.有效质量有效质量：将晶体中电子的加速度与外加的作用力联系起来，并且包含了晶体中的内力作用效果。
补充：有效质量的意义：★有效质量概括了晶体中电子的惯性质量以及晶体周期势场对电子的作用。
★引入有效质量后，晶体中电子所受的外力与加速度的关系与牛顿第二定律类似，只用用有效质量代替惯性质量即可。
决定有效质量大小的因素：★有效质量与电子所处的状态及能带结构有关;★有效质量反比于能谱曲线的曲率；★有效质量在能带底附近为正值，能带顶附近为负值;★有效质量各向异性: 一般地,沿晶体不同方向的有效质量不同。
只有当等能面是球面时，有效质量各向同性。
9.理想半导体（实际半导体）理想的半导体：无限大的、既没有杂质和缺陷,也没有晶格振动和电子间的相互碰撞（四ppt25）补充：★理想的半导体的电阻为零:★实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。
（2）理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。
（3）理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。
★实际晶体是不完整性，杂质、缺陷、晶格热振动将对电子产生散射，使电子重新趋于对称分布，电流变为零，即存在电阻。
10.直接（间接）复合直接复合：电子在导带和价带之间直接跃迁而产生复合间接复合：电子和空穴通过禁带的能级进行复合11.复合率，产生率载流子复合率：单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。
载流子的产生率：单位时间单位体积内产生的电子-空穴对数。
12.陷阱，陷阱中心陷阱效应：杂质或缺陷能收容非平衡载流子的作用称为陷阱效应。
陷阱和陷阱中心：有显著陷阱效应（积累的非平衡载流子数目可以与非平衡载流子数目相比拟）的杂质或缺陷能级称为陷阱，而相应的杂质或缺陷称为陷阱中心。
电子陷阱：能收容电子的杂质或缺陷能级。
空穴陷阱：能收容空穴的杂质或缺陷能级。
13.平衡态，非平衡态，稳定态平衡态：半导体中载流子浓度不随时间变化且满足200i n p n =非平衡态：当半导体受到外界作用(如：光照等)后, 载流子分布将与平衡态相偏离, 此时的半导体状态称为非平衡态。
此时载流子浓度不满足200i n p n =稳定态：当半导体受到的外界作用稳定一定时间后, 载流子浓度将不随时间变化, 此时的半导体的状态称为稳定态。
此时载流子浓度也不满足：200i n p n =14.费米能级，准费米能级准费米能级：由于同一能带内，电子的跃迁非常迅速和频繁，因此，即使在非平衡状态下，导带中的电子和价带中的电子分布仍满足费米分布，即各自处于热平衡态---准平衡态。
此时导带上的电子和价带上的电子有各自的费米能级----准费米能级补充：★费米分布函数是用来描述同一量子态系统中平衡状态下的电子按能级的分布的,也即只有平衡状态下才可能有“费米能级”.★费米能级不是一个真正存在的能级。
它只是用于衡量一个系统的能级水平。
15.绝缘体，半导体，能带结构绝缘体：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，且禁带宽度较大。
半导体：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，但禁带宽度相对较小。
能带结构：原子的价电子，在晶体中成为共有化电子，产生能级分裂而形成的带状结构。
能带结构决定了很多物体的基本特性，如电导性、磁学特性、光学特性、光电特性、晶格常数和弹性等补充：导体：有未被填满的价带。
16.扩散系数，扩散长度补充：◆扩散系数反映载流子在有浓度梯度时运动的难易程度◆迁移率反映载流子在外电场作用下运动的难易程度◆扩散长度的意义:非平衡少数载流子在边扩散边复合的过程中，其浓度减少到原值的1/e 时扩散走过的距离。
也表示非平衡载流子深入半导体的平均深度. ◆扩散长度由扩散系数和材料的寿命所决定. 通常材料的扩散系数已有标准数据,因此扩散长度作为寿命测量的方法之一.◆扩散流密度：在浓度梯度方向单位时间内通过单位面积的非平衡载流子数17.散射几率散射几率(Pi):描述散射的强弱，它表示单位时间内一个载流子受到散射的次数。
18.迁移率补充◆迁移率是半导体材料的重要参数，它表示电子或空穴在外电场作用下作漂移运动的难易程度。
（四章ppt35）◆物理意义：表示在单位场强下电子或空穴所获得的平均漂移速度大小，单位为m2/V ·s 或cm2/ V ·s ．19.复合中心，表面复合复合中心：促进复合过程的杂质和缺陷。
表面复合：在半导体表面发生的复合过程补充：表面复合机理: 表面越粗糙,表面包含的杂质或缺陷越多, 它们在禁带中形成复合中心能级(表面电子能级), 促进间接复合.表面越粗糙,载流子寿命越短.20.简并，非简并补充：◆低掺杂半导体中，载流子统计分布通常遵顺玻耳兹曼统计分布。
这种电子系统称为非简并性系统。
◆高掺杂半导体，载流子服从费米统计，这样的电子系统称为简并性系统二：判断题1，量子态定义—单位E 间隔内状态数（错）解析：量子态：一个微观粒子允许的状态。
对费米子来说，一个量子态只能 容纳一个粒子。
状态密度：能带中能量E 附近，单位能量间隔内的量子态数p582，电子和空穴的移动都能形成电流（对）3，理想半导体电阻率=0（对）理想的半导体：无限大的、既没有杂质和缺陷,也没有晶格振动和电子间的相互碰撞（四ppt25）理想的半导体的电阻为零:4，T 不变，电离杂质浓度越高，迁移率u 越小（对）5，电离杂质浓度不变，T 越高，迁移率u 越高（错）当杂质浓度较高时(大于1019cm 3)，低温区，电离散射为主，因此温度升高 ，迁移率有所上升。
高温区，声学波散射作用变显著，迁移率随温度升高而下降。
（四章ppt80）6，绝缘体的Eg 大于半导体的Eg （对）绝缘体：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，且禁带宽度较大。
半导体：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，但禁带宽度相对较小。
7，平衡态的n ，p 与T 无关（错）平衡态：半导体中载流子浓度不随时间变化且满足200i n p n =，本证载流子浓度是Ni 的函数。
8，n ，p 与T 无关时，处于平衡态（错）9，有效状态密度与T 无关 （错）导带的有效状态密度2/3c T N ∝是温度的函数（三章ppt36）10，能收容非平衡载流子的缺陷或杂质能成为陷阱中心（错）陷阱效应：杂质或缺陷能收容非平衡载流子的作用称为陷阱效应。
陷阱和陷阱中心：有显著陷阱效应（积累的非平衡载流子数目可以与非平衡载流子数目相比拟）的杂质或缺陷能级称为陷阱，而相应的杂质或缺陷称为陷阱中心。
电子陷阱：能收容电子的杂质或缺陷能级。
空穴陷阱：能收容空穴的杂质或缺陷能级。
11，处于非平衡状态时，导带上的电子随能级分布仍服从f(E)（对）由于同一能带内，电子的跃迁非常迅速和频繁，因此，即使在非平衡状态下，导带中的电子和价带中的电子分布仍满足费米分布，即各自处于热平衡态---准平衡态。
此时导带上的电子和价带上的电子有各自的费米能级----准费米能级（五章ppt16）12，基元是实际晶体的最小重复单元（对）基元：实际晶体都包含一个最小的重复单元，整个晶体可以看作是这个重复单元在空间的平衡堆积形成。
这个最小的重复单元称谓基元。
13，靠近价带顶的杂质能级是深杂质能级（错）深杂质能级：若杂质提供的施主能级距离导带底较远；或提供的受主能能级距离价带顶较远，这种能级称为深能级，对应的杂质称为深能级杂质。
浅杂质能级：通常情况下，半导体中些施主能级距离导带底较近；或受主能能级距离价带顶较近。
这种能级称为浅能级，对应的杂质称为浅能级杂质。
14，表面复合是间接复合（对）表面复合机理: 表面越粗糙,表面包含的杂质或缺陷越多, 它们在禁带中形成复合中心能级(表面电子能级), 促进间接复合.间接复合：电子和空穴通过禁带的能级进行复合15，对同一个布拉菲点阵，原胞体积不会超过晶胞体积（对）原胞：构成布拉菲点阵的最小平行六面体，格点只能在顶点。
晶胞：反映布拉菲点阵对称性的前提下，构成布拉菲点阵的平行六面体。
除顶点上外，内部和表面也可以包含格点。
16，半导体共价键上的电子就是价带上的电子（错）未电离的施主或受主杂质上也有共价键，但上面的电子不是价带上的电子而是杂质能级上的电子17，杂质既可以成为复合中心，也可以成为陷阱中心（对）复合中心：促进复合过程的杂质和缺陷。