微电子工艺复习重点
微电子技术导论考试提纲
《微电子技术导论》复习提纲一、绪论1、摩尔定律的内容与涵义Gordon Moore预测每18个月可以集成到一个die上的晶体管的数量将增加一倍（或称为集成度将随时间指数级增长）。
2、集成电路发展面积、功耗、集成度、工艺线宽、成本的相关关系。
二、半导体物理与器件基础1、电荷飘移与扩散的含义与区别，飘移电流与扩散电流。
2、硅原子外层电子排布与导电（共价键的断裂）原因，什么情况下会导电。
3、导体、绝缘体与半导体的能带区别。
4、硅的本征激发与复合在什么情况下会发生，本征激发复合与物质电中性的关系。
5、硅晶体掺杂什么样的物质可以导电，从粒子的角度分析掺杂后为什么可以导电。
6、掺杂后的各粒子浓度间的关系，谁为导电作贡献，掺杂后电中性关系。
7、粒子在能带中的随机分布特点8、什么是费米能级，掺杂后费米能级如何变化，根据这种变化说明掺杂后硅导电的原因。
9、什么是异构PN结，无外界电场影响的PN结内部电场关系是如何形成的。
10、两个不同类型、掺杂浓度不同的N型物质和P型物质，摆放在一起为什么无法形成PN结。
11、正向偏置PN结的电流输运过程是什么样的（粒子如何运动），飘移与扩散在输运过程中的作用12、反向偏置PN结的电流输运过程是什么样的（粒子如何运动），飘移与扩散在输运过程中的作用13、雪崩击穿与隧道击穿的含义与区别14、双极性晶体管的基区宽度有什么样的要求。
15、双极性晶体管电流的传输过程。
16、M OS晶体管栅极偏置电压的增加，要能使晶体管导通，晶体管经历的三种状态。
17、M OS晶体管的输出曲线可以划分为几个区域，关系如何。
三、基本电路关系与特性1、CMOS晶体管的各个区域的是什么样的物质；如果需要掺杂，掺杂类型分别是什么，掺杂浓度有什么关系。
2、CMOS、MOS、MOSFET的含义是什么3、N、PMOS的开关模型是什么样的，电压控制关系4、CMOS晶体管的体效应是什么，如何产生的5、CMOS晶体管的线性区、饱和区电压偏置关系是什么样的6、如何计算线性区、饱和区沟道导通电流四、CMOS晶体管工艺技术1、CMOS双阱工艺流程2、光照的三要素是什么，各有什么特点3、光刻胶分类、特点4、刻蚀分类如何，各有什么特点5、光照刻蚀的实现过程，具体图形6、热扩散掺杂与离子注入掺杂技术7、制备SiO2层可以采用哪两类方法8、什么是鸟嘴现象9、CVD、PVD、CMP各是什么含义10、什么是可循环成本、非可循环成本11、良率如何计算12、场区氧化物的两种制造方法是什么13、什么是自对准工艺，先制造栅极再制造源极和漏极有什么样的好处14、简述两种金属互连线的制造工艺（铝互连、电镀铜镶嵌）15、现代CMOS工艺是如何抑制电极的电流拥塞现象的16、说明集成电路制造、封装与测试的流程关系17、测试与验证的区别五、设计相关1、说明自顶向下的设计流程，流程中三个主要阶段各是什么2、什么是逻辑网表3、版图设计规则规定的是什么样的设计内容，可以约束什么样的问题，无法约束什么样的问题4、版图设计规则包括哪两类5、什么是DRC、ERC和LVS6、说明版图设计后的验证工作包括哪些7、ASIC是什么8、什么是标准单元库，是由谁提供的六、CAD技术1、什么是RTL2、逻辑综合是什么3、逻辑模拟（仿真）、电路模拟（仿真）都包括什么样的仿真内容，方法上有什么区别4、列举四项电路仿真的仿真功能5、电路仿真软件的基本结构是什么七、SOC技术1、什么是SOC、IP2、典型的SOC包括什么样的内容3、请列举五项SOC使用的新技术（工艺、设计、互连、复用技术等方面）4、什么是软硬件协同设计5、IP核的不同分类方式（按照设计输出不同分类：软核、硬核、固核等；按照应用类型不同分类）。
微电子制造技术seu复习笔记
1.IC 通过一系列特殊的加工工艺，将晶体管，二极管等有源器件和电阻，电容等无源器件按照一定的电路结构互连，“集成”在半导体单晶片（硅或者砷化镓）上，封装在一个外壳里面，从而完成特定的电路或者系统功能Chapter 22.集成电路电阻：1.扩散电阻（中温度系数，中阻值）2.夹断电阻（上拉，下拉电阻，高温度系数，精度差）3.阱电阻（夹断电阻的变形，应用于音频电路）4.多晶硅电阻（寄生电容小，温度系数小，电压系数好）3.寄生电阻对电路影响：功率损耗，信号串扰，噪声4.电容：两层板的材质可以是金属。
多晶硅。
扩散区，pn结电容，mos电容(多晶硅栅与源漏两级)5.寄生电容对电路的影响：电路震荡，电路不稳定，信号串扰失调，影响电路高频特性，滤波6.多子扩散使空间电荷区变宽，而少子漂流变窄，内电场越强就会使漂移越剧烈最终达到平衡7.加正向电压使空间电荷区的宽度变窄，导通电阻变窄，扩散电流变强，内电场被削弱8.双极性器件高速，耐久，功耗大，功率高，cmos电路高集成度，低功耗（场控器件）9.cmos以及npn管电路的工作原Chapter 310. 晶圆制备：原材料（沙子，石英等矿石）（冶炼，酸洗，蒸馏，还原）多晶体硅SGS（晶体生长）单晶硅(研磨，抛光，切割) 晶片11.单晶硅的生长a.直拉法：材料可重复使用，更普遍，成本更低，尺寸更大，位错，电阻率低，氧化高，大晶体，有坩埚 b.区熔法：单晶硅纯度高，成本更高，功率器件，尺寸更小（简答？）单晶拉伸与转动结构，籽晶，单晶硅，熔融的多晶硅，石英坩埚，碳加热部件，热屏蔽，水套工艺流程：籽晶熔接，引晶和缩颈，放肩，等襟生长，收晶关键参数：拉伸速率和晶体旋转速度，关键问题：掺杂和氧杂双极111 45,0 cmos 100 180,9012.硅片制备：单晶生长，单晶硅锭，去头径向研磨，定位边研磨，硅片切割，倒角，粘片，刻蚀，抛光，硅片检查（简答？）13.外延层的特点及其应用：1.单晶（与衬底晶向相同），2.不同工艺外延层厚度不同，3.厚度，掺杂浓度，导电性能可以按照具体情况而变动，可以是多层，4.没有玷污5.提高电路性能，降低冉锁效应？14.定位边沿切（简答？如何标识）Chapter415.氧化，光刻胶，掩膜与硅片对准曝光，显影，氧化硅刻蚀，去除光刻胶，氧化，多晶硅淀积，多晶硅光刻刻蚀，离子注入，有源区，氮化硅淀积，接触刻蚀，金属淀积刻蚀16.扩散薄膜光刻注入刻蚀抛光测试/拣选。
微电子复习资料全
集成电路的分类：1.按器件结构类型分类，共有三种类型，它们分别为双极集成电路，MOS集成电路和双极－MOS混合型集成电路。
（1）双极集成电路:这种电路采用的有源器件是双极晶体管，在双极集成电路中，又可以根据双极晶体管的类型的不同，而将它们细分为NPN型和PNP型双极集成电路。
双极集成电路的特点是速度高，驱动能力强，缺点是功耗较大，集成度相对较低。
（2）金属－氧化物－半导体（MOS）集成电路：这种电路中所用的晶体管为MOS晶体管，根据MOS晶体管类型的不同，MOS集成电路又可以分为NMOS，PMOS和CMOS集成电路。
与双极集成电路相比，MOS集成电路的主要优点是：输入阻抗高，抗干扰能力强，功耗小，集成度高（适合大规模集成），因此，进入超大规模集成电路时代以后，MOS，特别是CMOS集成电路已经成为集成电路的主流。
（3）双极－MOS集成电路：同时包括双极和MOS晶体管的集成电路为双极－MOS集成电路，双极－MOS 集成电路综合了双极和MOS器件两者的优点，但这种电路具有制作工艺复杂的缺点。
随着CMOS集成电路中器件特征尺寸的减小，CMOS集成电路的速度越来越高，已经接近双极集成电路，因此，目前集成电路的主流技术仍然是CMOS技术。
2.按集成电路规模分类：每块集成电路芯片中包含的元器件数目叫做集成度，根据集成电路规模的大小，通常将集成电路分为小规模集成电路,中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路，特大规模集成电路和巨大规模集成电路.3.按结构形式的分类：按照集成电路的结构形式可以将它分为半导体单片集成电路及混合集成电路。
(1)单片集成电路：它是指电路中所有的元器件都制作在同一块半导体基片上的集成电路。
(2)混合集成电路：是指将多个半导体集成电路芯片或半导体集成电路芯片与各种分立元器件通过一定的工艺进行二次集成，构成一个完整的，更复杂的功能器件，该功能器件最后被封装在一个管壳中，作为一个整体使用，在混合集成电路中，主要由片式无源元件，半导体芯片，带有互连金属化层的绝缘基板以及封装管壳组成。
微电子学概论复习文档
微电子学概论复习文档一、微电子学概述1.定义：微电子学是研究微米尺寸电子元器件（如晶体管、集成电路等）的科学。
2.特点：尺寸小、功能集成、速度快、功耗低。
3.应用领域：计算机、通信、医疗、汽车、工业控制等。
二、基本概念1.晶体管：是微电子学的基本元件，分为NPN型和PNP型。
2.集成电路：是晶体管和其他电子元件的组合，包括集成电路芯片和集成电路模块。
3.可编程逻辑器件（PLD）：是一种可以编程的数字逻辑电路，如可编程门阵列（PAL）和可编程逻辑阵列（PLA）等。
三、微电子器件1.MOSFET晶体管：结构简单，使用广泛，适用于各种应用场合。
2.双极型晶体管：用于放大和开关电路。
3.发光二极管（LED）：将电能转化为光能的器件。
4.激光二极管：用于激光器、光纤通信等领域。
5.硅基混合集成电路：将硅MOSFET和双极型晶体管结合使用，提高集成度和性能。
四、半导体材料与器件1.硅材料：常用的半导体材料，具有良好的电子和热导性能。
2.砷化镓材料：适用于高频器件，具有较好的导电性能。
3.砷化铝材料：适用于光电子器件，具有良好的光电转换性能。
五、集成电路制造工艺1.可重复制造技术：使用模版制造集成电路。
2.硅工艺：将器件制作在硅基底上。
3.制作流程：薄膜沉积、光刻、蚀刻、扩散等。
六、集成电路设计与布局1.电路设计：根据电路功能和性能要求设计电路。
2.电路布局：将电路元件放置在集成电路芯片上的过程。
3.电路布线：将芯片内的电路元件连接起来的过程。
七、集成电路测试与封装1.电气测试：测试集成电路的功能和性能。
2.封装：将芯片封装在注塑封装或球栅阵列封装中，提供对外连接。
八、微电子器件的未来发展1.器件尺寸的进一步缩小。
2.功耗的进一步减少。
3.通信和计算速度的进一步提高。
4.新材料的应用和新器件的研发。
以上是关于微电子学概论的复习笔记，希望对你的复习有所帮助。
通过对这些知识点的复习，你可以对微电子学的基本原理和应用有一个全面的了解，为进一步深入学习微电子学打下坚实的基础。
微电子工艺课件资料
三、起始材料--石英岩（高纯度硅砂--SiO2）
1. SiO2+SiC→Si(s)+SiO(g)+CO(g) 冶金级硅：98%；
300oC
2. Si(s)+3HCl(g) →SiHCl3(g)+H2 三氯硅烷室温下呈液态沸点为32℃，利用分馏法去 除杂质；
3. SiHCl3(g)+ H2→Si(s)+ 3HCl(g) 得到电子级硅（片状多晶硅）。
Si：
• 含量丰富，占地壳重量25%；
• 单晶Si 生长工艺简单，目前直径最大18英吋 （450mm）
• 氧化特性好， Si/SiO2界面性能理想，可做掩蔽膜、 钝化膜、介质隔离、绝缘栅等介质材料；
• 易于实现平面工艺技术；
• 直径
二、对衬底材料的要求
• 导电类型：N型与P型都易制备；
• 晶向：Si:双极器件--<111>；MOS--<100>；
4. 放肩
缩颈工艺完成后，略降低温度（15-40℃） ，让晶体逐 渐长大到所需的直径为止。这称为“放肩”。
5. 等径生长
当晶体直径到达所需尺寸后，提高拉速，使晶体直径不再 增大，称为收肩。收肩后保持晶体直径不变，就是等径生长。 此时要严格控制温度和拉速。
6. 收晶
晶体生长所需长度后，升高熔体温度或熔体温度不变， 加快拉速，使晶体脱离熔体液面。
有效分凝系数
当结晶速度大于杂质在熔体中的扩散速度时，杂质在界面 附近熔体中堆积，形成浓度梯度。
按照分凝系数定义：
k0
Cs Cl (0)
由于Cl(0)未知，然而为了描述 界面粘滞层中杂质浓度偏离对固 相中的杂质浓度的影响，引入有效 分凝系数ke:
微电子复习资料
集成电路的分类：1.按器件结构类型分类，共有三种类型，它们分别为双极集成电路，MOS集成电路和双极－MOS混合型集成电路。
（1）双极集成电路:这种电路采用的有源器件是双极晶体管，在双极集成电路中，又可以根据双极晶体管的类型的不同，而将它们细分为NPN型和PNP型双极集成电路。
双极集成电路的特点是速度高，驱动能力强，缺点是功耗较大，集成度相对较低。
（2）金属－氧化物－半导体（MOS）集成电路：这种电路中所用的晶体管为MOS晶体管，根据MOS晶体管类型的不同，MOS集成电路又可以分为NMOS，PMOS和CMOS集成电路。
与双极集成电路相比，MOS集成电路的主要优点是：输入阻抗高，抗干扰能力强，功耗小，集成度高（适合大规模集成），因此，进入超大规模集成电路时代以后，MOS，特别是CMOS集成电路已经成为集成电路的主流。
（3）双极－MOS集成电路：同时包括双极和MOS晶体管的集成电路为双极－MOS集成电路，双极－MOS 集成电路综合了双极和MOS器件两者的优点，但这种电路具有制作工艺复杂的缺点。
随着CMOS集成电路中器件特征尺寸的减小，CMOS集成电路的速度越来越高，已经接近双极集成电路，因此，目前集成电路的主流技术仍然是CMOS技术。
2.按集成电路规模分类：每块集成电路芯片中包含的元器件数目叫做集成度，根据集成电路规模的大小，通常将集成电路分为小规模集成电路,中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路，特大规模集成电路和巨大规模集成电路.3.按结构形式的分类：按照集成电路的结构形式可以将它分为半导体单片集成电路及混合集成电路。
(1)单片集成电路：它是指电路中所有的元器件都制作在同一块半导体基片上的集成电路。
(2)混合集成电路：是指将多个半导体集成电路芯片或半导体集成电路芯片与各种分立元器件通过一定的工艺进行二次集成，构成一个完整的，更复杂的功能器件，该功能器件最后被封装在一个管壳中，作为一个整体使用，在混合集成电路中，主要由片式无源元件，半导体芯片，带有互连金属化层的绝缘基板以及封装管壳组成。
微电子封装技术总复习
（4）芯片凸点的组成及各部分的作用。
5、典型封装的内部结构图和各组成部分名称：
TO型、DIP型、QFP、BGA、FC、MCM等。
6、封装可靠性分析： （1）铝焊区上采用Au丝键合，对键合可靠 性的影响及解决对策。 （2）塑料封装器件吸潮引起的可靠性问题。 （3）塑料封装器件吸潮引起的开裂问题：开 裂机理、防止措施。
考
1、形式：闭卷。
试
2、题型：
（1）名词术语翻译； （2）填空； （题；
（6）综合题。
• 答疑安排：
• 第十六周星期一下午2：00~4：00 。
• 地点：工学三号馆311。
微电子封装技术总复习
1、微电子封装技术中常用封装术语英文缩写 的中文名称。 主要封装形式：DIP、QFP(J)、PGA、PLCC、
SOP(J)、SOT、SMC/D BGA、CSP、MCM、WLP等。 主要封装工艺技术：WB、TAB、FCB、OLB、 ILB、C4、UBM、SMT等。 不同的封装材料：C、P等。 2、微电子封装的分级。 3、微电子封装的功能。
4、微电子封装技术中的主要工艺方法： （1）芯片粘接。 （2）互连工艺： WB：热压超声焊主要工艺参数、材料； TAB：内、外引线焊接时主要工艺参数、载 带的分类； FCB：工艺方法，各工艺方法的关键技术。 （3）常用芯片凸点制作方法。 电镀法制作芯片凸点有关计算：公式、公式 中各参数的含义、单位、电镀时间的计算。
微电子概论复习资料
微电子概论复习资料微电子概论复习资料微电子是现代科技的重要组成部分，它涉及到集成电路、半导体器件、电子设备等方面的知识。
作为一门复杂而又广泛的学科，微电子的学习需要掌握一定的基础知识和技能。
本文将从微电子的发展历程、基本概念、主要应用领域以及未来发展趋势等方面进行探讨和复习。
一、微电子的发展历程微电子的发展可以追溯到20世纪50年代，当时人们开始研究和开发集成电路。
随着技术的不断进步，集成电路的规模越来越小，功能越来越强大。
在60年代，人们成功地制造出了第一颗微处理器，这标志着微电子技术的重大突破。
从此以后，微电子技术得到了广泛的应用，电子产品也进入了一个崭新的时代。
二、微电子的基本概念1. 半导体器件：半导体器件是微电子技术的核心，它是指利用半导体材料制造的各种电子器件，如二极管、晶体管、场效应管等。
这些器件具有高速、低功耗、小尺寸等优点，广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域。
2. 集成电路：集成电路是将大量的电子器件集成在一块半导体芯片上的电路。
它可以实现多种功能，如存储、处理、控制等。
集成电路的发展推动了电子产品的小型化、高性能化和低成本化。
3. 微处理器：微处理器是一种集成电路，它是计算机的核心部件，负责数据的处理和控制。
微处理器的性能和功能的提升，推动了计算机技术的快速发展。
三、微电子的主要应用领域微电子技术在各个领域都有广泛的应用，下面列举几个主要的应用领域。
1. 通信领域：微电子技术在通信领域的应用非常广泛，如手机、通信基站、光纤通信等。
微电子技术的发展使得通信设备变得小型化、高性能化，提高了通信的效率和质量。
2. 消费电子领域：微电子技术在消费电子领域的应用非常丰富，如电视、音响、相机、游戏机等。
微电子技术的发展使得消费电子产品更加智能化、功能丰富化。
3. 汽车电子领域：随着汽车的智能化和电气化，微电子技术在汽车电子领域的应用越来越广泛。
微电子技术的发展使得汽车具备了更多的功能和安全性，如智能驾驶、车联网等。
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20XX级《微电子工艺》复习提纲
一、衬底制备
1. 硅单晶的制备方法。
直拉法 悬浮区熔法
1. 硅外延多晶与单晶生长条件。
任意特定淀积温度下，存在最大淀积率，超过最大淀积率生成多晶薄膜，低于最大淀积
率，生成单晶外延层。
三、薄膜制备1-氧化
1. 干法氧化，湿法氧化和水汽氧化三种方式的优缺点。
干法氧化：干燥纯净氧气
湿法氧化：既有纯净水蒸汽有又纯净氧气
水汽氧化：纯净水蒸汽
速度 均匀重复性 结构 掩蔽性
干氧 慢 好 致密 好
湿氧 快 较好 中 基本满足
水汽 最快 差 疏松 差
2. 理解氧化厚度的表达式和曲线图。
二氧化硅生长的快慢由氧化剂在二氧化硅中的扩散速度以及与硅反应速度中较慢的一
个因素决定；当氧化时间很长时，抛物线规律，当氧化时间很短时，线性规律。
3. 温度、气体分压、晶向、掺杂情况对氧化速率的影响。
温度：指数关系，温度越高，氧化速率越快。
气体分压：线性关系，氧化剂分压升高，氧化速率加快
晶向：（111）面键密度大于（100）面，氧化速率高；高温忽略。
掺杂：掺杂浓度高的氧化速率快；
4. 理解采用干法热氧化和掺氯措施提高栅氧层质量这个工艺。
掺氯改善二氧化硅特性，提高氧化质量。干法氧化中掺氯使氧化速率可提高1%-5%。
四、薄膜制备2-化学气相淀积CVD
1. 三种常用的化学气相淀积方式，在台阶覆盖能力，呈膜质量等各方面的优缺点。
常压化学气相淀积APCVD：操作简单 淀积速率快，台阶覆盖性和均匀性差
低压化学气相淀积LPCVD：台阶覆盖性和均匀性好，对反应式结构要求不高，速率相对
低，工作温度相对高，有气缺现象
PECVD：温度低，速率高，覆盖性和均匀性好，主要方式。
2. 本征SiO2，磷硅玻璃PSG，硼磷硅玻璃BPSG的特性和在集成电路中的应用。
USG：台阶覆盖好，黏附性好，击穿电压高，均匀致密；介质层，掩模(扩散和注入)，
钝化层，绝缘层。
PSG：台阶覆盖更好，吸湿性强，吸收碱性离子
BPSG：吸湿性强，吸收碱性离子，金属互联层还有用（具体再查书）。
3. 热生长SiO2和CVD淀积SiO2膜的区别。
热生长：氧来自气态，硅来自衬底，质量好
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CVD淀积：低温 高生长率，氧和硅源均来自气态
五、薄膜制备3-物理气相淀积PVD
1. 溅射的不同的种类。溅射与真空蒸发的比较。
直流溅射 射频溅射 磁控溅射；
真空蒸发，淀积速率快
溅射，淀积化学成分容易控制，附着性好
1. 理解离子注入的优势在于：注入离子剂量和注入能量分别控制掺杂浓度和形成的结深。
2. 离子注入过程中可能出现的沟道效应及解决办法。
离子注入方向平行于一晶向方向，能量损失小，注入深度大，形成沟道效应
覆盖一层非晶体表面层
硅晶片倾斜，典型倾斜角度为7度
在硅晶片表面制造一损伤的表层
7 对离子注入工艺引入的损伤进行处理，杂质激活所采用的退火工艺。掌握普通热退火和
快速热退火的区别。
普通热退火：15—30min 退火时间长 清楚缺陷不完全 杂质激活率不高 扩散效应增强
快速热退火：时间短 先熔化再结晶 杂质来不及扩散
8 理解硼（B）和磷（P）的退火特性。
书P108
B：分成三个区域，第二个区域500-600度时，B原子迁移或被结合到缺陷团中，电激
活比例下降，600度附近达到最低值。
P：无定形既非晶层存在一激活率稳定的温度区域，非无定形则始终随温度变化
七、光刻与刻蚀
1. 现代光刻工艺的基本步骤。
涂胶 前烘 曝光 显影 坚膜 刻蚀 去胶
2. 正胶和负胶的区别。
正胶：感光的区域在显影后溶解掉，没有感光的区域不溶解，形成正影像，分辨率高
负胶：没有感光的区域在显影后溶解掉，形成负影像，分辨率低
3. 理解光刻的分辨率和特征尺寸的概念。
分辨率R：表示每mm内能刻蚀出可分辨的最多线条数
特征尺寸：光刻工艺中可达到的最小光刻图形尺寸
4. 湿法腐蚀与干法刻蚀各自的特点。
湿法腐蚀：操作简单产量大，各向同性，需要控制腐蚀溶液浓度，时间，温度，搅拌方
法等，适用于3um以上，危险性大
干法刻蚀：分为等离子刻蚀（选择性好）和溅射刻蚀（各向异性）
5. 干法刻蚀通常将离子刻蚀和溅射刻蚀结合，保证刻蚀的各向异性和选择性。常用的干法
刻蚀系统：RIE，ICP，ECR等。
RIE：反应离子刻蚀
ICP ECR：高密度等离子体刻蚀（不知道这俩的区分）
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四.名词解释
1）active component 有源器件 ： 可控制电流方向，放大信号，并产生复杂电路的器件。
例如，二极管，晶体管
2）anneal 退火 ：
4）CD 关键尺寸 : 芯片上的物理尺寸特征被称为特征尺寸，硅片上的最小特征尺寸就是关
键尺寸CD。将CD作为定义制造复杂性水平的标准，也就是如果你拥有在硅片上制造某种
CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于这些尺寸更大，因此更容易生产。
5）CMP 化学机械平坦化 ： CMP：通过比去除低处图形更快的速率去除高处图形以获得
均匀表面，是一种化学和机械作用结合的平坦化过程。
6）deposition 淀积 ：
7）diffusion 扩散 ： 扩散是由粒子浓度较高的地方向着浓度较低地方进行，从而使得粒子
的分布逐渐趋于均匀；浓度的差别越大，扩散越快；温度越高，扩散也越快。
8）plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD ： 等离子体增强CVD过程使用等
离子体能量来产生并维持CVD反应。膜厚均匀性好，产量高，成本低，因淀积温度低，可
用于器件表面钝化
2.定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是低？高选择比意味着什么？（10分）(P409)
选择比指在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少。它定义为刻蚀材料
的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。SR=Ef/Er Ef=被刻蚀材料的刻蚀速率 Er=掩蔽层
材料的刻蚀速率
干法刻蚀选择比低
高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。一个高选择比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材
料（刻蚀到恰当的深度时停止）并且保护的光刻胶也未被刻蚀。
单晶硅的制备方法：直拉法(Czochralski，CZ法)和悬浮区熔法(Float-Zone，FZ)
直拉法拉制较大直径的单晶，但氧碳含量高，悬浮区熔法拉制直径小，但纯度高。
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