电力电子课后作业分解
电力电子课后习题答案-部分之欧阳歌谷创编
2-11试列举你所知道的电力电子器件，并从不同的角度对这些电力电子器件进行分类。
目前常用的控型电力电子器件有哪些?欧阳歌谷（2021.02.01）答：1. 按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：（1）半控型器件：晶闸管及其派生器件（2）全控型器件：IGBT,MOSFET，GTO,GTR（3）不可控器件:电力二极管2. 按照驱动信号的波形（电力二极管除外）（1）脉冲触发型：晶闸管及其派生器件（2）电平控制型：（全控型器件）IGBT,MOSFET，GTO,GTR 3. 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类：（1）单极型器件：电力 MOSFET，功率 SIT,肖特基二极管（2）双极型器件：GTR,GTO,晶闸管，电力二极管等（3）复合型器件：IGBT,MCT,IGCT 等4.按照驱动电路信号的性质，分为两类：（1）电流驱动型：晶闸管，GTO，GTR 等（2）电压驱动型：电力 MOSFET,IGBT 等常用的控型电力电子器件：门极可关断晶闸管, 电力晶闸管，电力场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管。
2-15 对晶闸管触发电路有哪些基本要求？晶闸管触发电路应满足下列要求：１）触发脉冲的宽度应保证晶闸管的可靠导通；２）触发脉冲应有足够的幅度，对户外寒冷场合，脉冲电流的幅度应增大为器件最大触发电流的3-5倍，脉冲前沿的陡度也需增加，一般需达到1-2A/US。
３）所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额，且在门极伏安特性的可靠出发区域之内。
４）应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。
2-18 ＩＧＢＴ、ＧＴＲ、ＧＴＯ和电力ＭＯＳＦＥＴ的驱动电路各有什么特点？IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT 是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗；关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
(完整版)电力电子学课后题答案第三章
第3章复习题及思考题解答1. 直流/直流电压变换中开关器件的占空比D是什么？推证图 3.1(c)所示脉宽时间为onT、脉宽角度为θ、周期为ST、幅值为SV的方波脉冲电压O()v t的直流平均值及各次谐波的幅值。
图3.1 Buck变换器电路结构及降压答：占空比D是开关管导通时间onT与开关周期ST的比值。
图 3.1(c)中方波脉冲电压O()v t可以表示为如下傅里叶表达式：SO S12()sin(π)cos()πnVV t DV nD n tnωω∞==+⋅∑，其中常数项为直流平均值，即O SV DV=，各余弦项为各次谐波，其幅值为：S Sn22sin()sin(π)π2πV Va n nDn nθ==。
2. 脉冲宽度调制PWM和脉冲频率调制PFM的优缺点是什么？答：脉冲宽度调制方式PWM，保持ST不变（开关频率不变），改变onT调控输出电压V；脉冲频率调制方式PFM，保持onT不变，改变开关频率或周期调控输出电压V。
实际应用中广泛采用PWM方式。
因为采用定频PWM开关时，输出电压中谐波的频率固定，滤波器设计容易，开关过程所产生电磁干扰容易控制。
此外由控制系统获得可变脉宽信号比获得可变频率信号容易实现。
但是在谐振软开关变换器中为了保证谐振过程的完成，采用PFM控制较容易实现。
3. Buck变换器中电感电流的脉动和输出电压的脉动与哪些因数有关，试从物理上给以解释。
答：电感电流的脉动量与电感量L、开关频率Sf、输入电压SV、输出电压OV有关，输出电压的脉动量与电感量L、电容量C、开关频率S f、输出电压O V有关。
电感量L、电容量C越大其滤波效果越好，而开关频率S f越高，滤波电感的交流阻抗Lω就越大，它对直流电压的阻抗基本为0，同时滤波电容的交流阻抗1/Cω越小。
4. Buck变换器断流工况下的变压比M与哪些因数有关，试从物理上给以解释。
答：Buck变换器在电流断续工况下其变压比M不仅与占空比D有关，还与负载电流OI的大小、电感L 、开关频率S f 以及电压O V 等有关。
电力电子第二章、第九章、第十章课后习题答案
2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。
低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构为什么 GTO 能够自关断而普通晶闸管不能?答:GTO和普通晶闸管同为 PNPN 结构,由 P1N1P2 和 N1P2N2 构成两个晶体管V1、V2 分别具有共基极电流增益α1 和α２，由普通晶闸管的分析可得，α1 + α 2 = 1 是器件临界导通的条件。
α1 + α 2＞1 两个等效晶体管过饱和而导通；α1 + α 2＜1 不能维持饱和导通而关断。
GTO 之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为 GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：l)GTO 在设计时α 2 较大,这样晶体管 T2 控制灵敏,易于 GTO 关断;2)GTO 导通时α1 + α 2 的更接近于 l,普通晶闸管α1 + α 2 ≥ 1.5 ,而 GTO 则为α1 + α 2 ≈ 1.05 ，GTO 的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;3)多元集成结构使每个 GTO 元阴极面积很小, 门极和阴极间的距离大为缩短,使得 P2 极区所谓的横向电阻很小, 从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
2-7与信息电子电路中的MOSFET相比,电力MOSFET具有怎样的结构特点才具有耐受高电压和大电流的能力？1．垂直导电结构：发射极和集电极位于基区两侧，基区面积大，很薄，电流容量很大。
2．N-漂移区：集电区加入轻掺杂N-漂移区，提高耐压。
3．集电极安装于硅片底部，设计方便，封装密度高，耐压特性好。
（完整版）电力电子技术第二版张兴课后习题答案
（完整版）电力电子技术第二版张兴课后习题答案、简答题2.1晶闸管串入如图所示的电路，试分析开关闭合和关断时电压表的读数。
R题2.1 图在晶闸管有触发脉冲的情况下，S开关闭合，电压表读数接近输入直流电压；当S 开关断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管有出发脉冲，但是流过晶闸管电流低于擎住电流，晶闸管关断，电压表读数近似为0（管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值）。
2.2试说明电力电子器件和信息系统中的电子器件相比，有何不同。
电力电子系统中的电子器件具有较大的耗散功率；通常工作在开关状态；需要专门的驱动电路来控制；需要缓冲和保护电路。
2.3试比较电流驱动型和电压驱动型器件实现器件通断的原理。
电流驱动型器件通过从控制极注入和抽出电流来实现器件的通断；电压驱动型器件通过在控制极上施加正向控制电压实现器件导通，通过撤除控制电压或施加反向控制电压使器件关断。
2.4普通二极管从零偏置转为正向偏置时，会出现电压过冲，请解释原因。
导致电压过冲的原因有两个：阻性机制和感性机制。
阻性机制是指少数载流子注入的电导调制作用。
电导调制使得有效电阻随正向电流的上升而下降，管压降随之降低，因此正向电压在到达峰值电压U FP 后转为下降，最后稳定在U F。
感性机制是指电流随时间上升在器件内部电感上产生压降，di/dt 越大，峰值电压U FP 越高。
2.5试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降随电流的大小变化很小。
若流过PN 结的电流较小，二极管的电阻主要是低掺杂N-区的欧姆电阻，阻值较高且为常数，因而其管压降随正向电流的上升而增加；当流过PN 结的电流较大时，注入并积累在低掺杂N-区的少子空穴浓度将增大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，导致其电阻率明显下降，即电导率大大增加，该现象称为电导调制效应。
2.6比较肖特基二极管和普通二极管的反向恢复时间和通流能力。
从减小反向过冲电压的角度出发，应选择恢复特性软的二极管还是恢复特性硬的二极管？肖特基二极管反向恢复时间比普通二极管短，通流能力比普通二极管小。
(完整版)电力系统运行与控制课后作业
电力系统运行与控制课后作业1．选用一种计算软件，计算IEEE30母线标准试验系统的潮流。
并在此基础上，计算观察:(1）负荷功率的变化对负荷节点电压水平的影响；（2）变压器变比的调节对两端电压水平的影响;（3）PV节点母线电压水平控制调节对无功电源设备输出功率的影响。
解:图1。
1 IEEE30节点系统接线图通过matpower 4.1工具包进行计算。
在控制命令界面下输入命令runpf（’case_ieee30’）,回车得到的潮流计算结果如下:MATPOWER Version 4.1， 14—Dec-2011 —- AC Power Flow （Newton）Newton's method power flow converged in 2 iterations。
Converged in 0。
04 seconds=============================================================System Summary=============================================================How many? How much? P （MW) Q (MVAr）—--—---—-——-——-——------——--———----—-——-—--—-—--————---—————---- ---—--——--———---—Buses 30 Total Gen Capacity 900.2 —102。
0 to 188.0 Generators 6 On-line Capacity 900。
2 -102。
0 to 188.0 Committed Gens 6 Generation （actual) 301。
0 133。
9Loads 21 Load 283.4 126。
2Fixed 21 Fixed 283.4 126.2Dispatchable 0 Dispatchable -0。
《电力电子》课后习题答案
第 1 章 习题3. 把一个晶闸管与灯泡串联，加上交流电压，如图 1-37 所示图 1-37问：（1）开关 S 闭合前灯泡亮不亮？（2）开关 S 闭合后灯泡亮不亮？（3）开关 S 闭合一段时间后再打开，断开开关后灯泡亮不亮？原因是什么？答：（1）不亮；（2）亮；（3）不亮，出现电压负半周后晶闸管关断。
1） 开关 S 闭合前，灯泡不亮；因为晶闸管门极没有正向门极电压，故晶闸管不能导通。
2） 开关 S 闭合后灯泡亮；因为此时晶闸管门极加上了正向电压，而 U2 为交流电源，故只有当晶闸管阳极承受正向电压时，晶闸管才导通，当晶闸管阳极电压为负时，不导通；但在电源为工频交流的情况下， 灯泡表现为始终亮。
3） 开关 S 闭合一段时间后，再打开，灯泡不亮；因为当晶闸管阳极电压为负时，即使有正向的门极电压，也会使晶闸管很快关断（晶闸管关断时间只有约 40us ）；打开 S 后，即使晶闸管阳极承受正向电压，但因为门极没有正向电压，故晶闸管也不导通。
4. 在夏天工作正常的晶闸管装置到冬天变得不可靠，可能是什么现象和原因？冬天工作正常到夏天变得不可靠又可能是什么现象和原因？答：晶闸管的门极参数 I GT 、U GT 受温度影响，温度升高时，两者会降低，温度升高时，两者会升高，故会引起题中所述现象。
夏天工作正常、冬天工作不正常的原因可能是电路提供的触发电流偏小，夏天勉强能触发，到冬天则就不能满足对触发电流的要求了。
冬天正常、夏天不正常的原因可能 是晶闸管的维持电流小，冬天勉强能关断，到夏天不容易关断；或者，因所选用的晶闸管电压 偏低，到夏天管子转折电压与击穿电压值下降， 而造成硬开通或击穿。
5. 型号为 KP100-3，维持电流 I H ＝4mA 的晶闸管，使用在如图 1-38 电路中是否合理 ？为什么？（分析时不考虑电压、电流裕量）(a)(b)(c)图 1-38 习题 5 图答：（1）I d =10050 ⨯103= 0.002 A = 2mA < I H = 4mA故不能维持导通2 （2）I 2 =220= 15.56...I d = I 2 /1.57 = 9.9 A > I H 10 2而 U TM = 220 = 311V > U R故不能正常工作（3）I d =150/1=150A>I HI T =I d =150A<1.57×100=157A 故能正常工作16. 说明 GTO 的关断原理。
电力电子课后习题答案
电力电子课后习题答案电力电子课后习题答案电力电子作为一门重要的学科，在现代工程技术中扮演着至关重要的角色。
学习电力电子需要理解和掌握各种电力电子器件的原理和应用，以及相关的电路分析和设计方法。
课后习题是巩固所学知识的重要方式之一。
在这篇文章中，我将为大家提供一些电力电子课后习题的答案，希望能够帮助大家更好地理解和掌握电力电子的知识。
1. 什么是电力电子？答案：电力电子是研究电力转换和控制的一门学科，它利用半导体器件和电子技术来实现电力的转换、变换和控制。
电力电子在工业、交通、通信、医疗等领域中有着广泛的应用。
2. 请简述电力电子器件的分类及其应用。
答案：电力电子器件主要分为功率二极管、晶闸管、功率MOSFET、IGBT和功率三极管等。
功率二极管主要用于整流和逆变电路；晶闸管主要用于交流电的控制；功率MOSFET和IGBT主要用于开关电路；功率三极管主要用于功率放大和开关电路。
3. 请简述电力电子器件的工作原理。
答案：电力电子器件的工作原理基于半导体材料的特性，通过控制半导体器件的导通和截止状态来实现电力的转换和控制。
例如，功率二极管在正向偏置时导通，反向偏置时截止，用于整流电路；晶闸管通过控制门极电压来实现导通和截止，用于交流电的控制。
4. 请简述电力电子器件的保护措施。
答案：电力电子器件在工作过程中容易受到过电流、过电压、过温等因素的损坏。
为了保护电力电子器件的安全和可靠性，通常采取过流保护、过压保护、过温保护等措施。
例如，可以在电路中加入保险丝、熔断器等保护元件，以限制电流和电压的大小。
5. 请简述电力电子系统的控制方法。
答案：电力电子系统的控制方法主要包括开环控制和闭环控制。
开环控制是指根据输入信号的变化来控制电力电子系统的输出，但无法对输出进行实时调节和修正。
闭环控制是在开环控制的基础上引入反馈信号，通过比较输出和参考信号的差异来调节电力电子系统的输出，以实现更精确的控制。
以上是一些电力电子课后习题的答案，希望能够对大家的学习有所帮助。
电子电力课后习题答案(王兆安 第五版).
电子电力课后习题答案（王兆安 第五版）机械工业出版社第一章 电力电子器件1.1 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或者U AK >0且U GK >01.2 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
1.3 图1－43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。
解：a) I d1=Im 2717.0)122(2Im )(sin Im 214≈+=⎰πωπππtI 1=Im 4767.021432Im )()sin (Im 2142≈+=⎰πϖπππwt d tb) I d2=Im 5434.0)122(2Im )(sin Im 14=+=⎰wt d t ππϖπI 2=Im6741.021432Im 2)()sin (Im 142≈+=⎰πϖπππwt d tc) I d3=⎰=20Im 41)(Im 21πωπt dI 3=Im 21)(Im 21202=⎰t d ωππ1.4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) I m135.3294767.0≈≈IA, I d1≈0.2717I m1≈89.48A b) I m2,90.2326741.0A I≈≈I d2A I m 56.1265434.02≈≈c) I m3=2I=314 I d3=5.78413=m I1.5.GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能?答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得，121=+αα是器件临界导通的条件。
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填空题电力电子技术包括电力电子器件、电力电子电路和控制技术 3个部分。
现代电力电子器件分为不可控型器件、半控型器件和全控型器件三类。
电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管三种。
晶闸管的外形大致有塑封形、平板型和螺栓形三种。
晶闸管额定电流与有效值电流的关系 IT=1.57IT(AV)。
双向晶闸管的门极控制方式有两种：移向触发和过零触发。
2.判断题（×）1）普通晶闸管内部有两个PN结。
（×）2）普通晶闸管外部有3电极，分别是基极、发射极和集电极。
（√）3）型号为KP50-7的半导体器件，是一额定电流为50A的普通晶闸管。
（×）4)只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。
（×）5）只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。
（×）6）晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管就会导通。
（×）7）加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。
3.选择题1）在型号KP100-10G中，数字10表示（ C ）。
A、额定电压为10VB、额定电流为10AC、额定电压为1000VD、额定电流为100A2)晶闸管内部有（ C ）PN结。
A、1个B、2个C、3个D、4个3）晶闸管的3个引出电极分别是（ B ）A、阳极、阴极、栅极B、阳极、阴极、门极C、栅极、漏极、源极D、发射极、基极、集电极4）普通晶闸管的额定通态电流是用（ A ）表示。
A、流过晶闸管的平均电流B、直流输出平均电流C、整流输出电流有效值D、交流有效值5）当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（ B ）A、导通状态 B、关断状态 C、饱和状态 D、不定6）处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极与阴极间加正向电压，且在门极与阴极间作（ C ）处理才能使其开通。
A、并联一电容B、串联一电感C、加正向触发电压D、加反向触发电压7）在晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（ A ）A、阳极电流B、门极电流C、阳极电流与门极电流之差D、阳极电流与门极电流之和填空题典型的全控型器件主要有门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管和绝缘栅双型晶体管四种。
某半导体器件的型号为KP50-7，其中KP表示该器件的名称为反向阻断晶闸管，50表示额定电流50A，7表示额定电压700V。
GTO的门极控制增益β的表示方法：β=IATO|1-IGM|。
电力MOSFET的基本特性有转移特性、开关特性和输出特性三种。
2.选择题1）功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ B ）。
A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截至2）电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（ A ）控制器件。
A、电压B、电流C、电阻D、功率3）在电力电子装置中，电力晶体管一般工作在（ D ）状态。
A、放大B、截止C、饱和D、开关4）电力晶体管在使用时，要防止（ A ）。
A、二次击穿B、静电击穿C、时间久而失效D、工作在开关状态电力场效应晶体管（电力MOSFET）适合于在（ D ）条件下工作。
A、直流B、低频C、中频D、高频6）电力场效应晶体管（电力MOSFET）（ B ）现象。
A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿7）用万用表Rx1kΩ测量GTO阳极与阴极间电阻时,若其正、反向电阻都很小，说明两极之间（ B ）。
A、开路B、短路C、接线错误D、测量方法错误8）具有自关断能力的电力半导体器件称为（ A ）。
A、全控型器件B、半控器件C、不控型器件D、触发型器件9）IGBT的3个引出电极分别是（ D ）.A、阳极、阴极、门极B、阳极、阴极栅极C、栅极、源极漏极D、发射极、栅极、集电极1填空题1）驱动电路的基本任务是就是将信息按照其控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，并使其导通或关断的2）电力电子器件的驱动电路分为电流驱动型和电压驱动型。
3）在驱动电路中采用的隔离环节一般是光隔离和磁隔离。
4）磁隔离的器件通常是脉冲变压器，当脉冲较宽时，为避免铁心饱和，常采用高频调制和解调的方法。
2.选择题1）对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（ A ）。
A、导通B、寿命C、关断D、饱和2）驱动电路是电力电子器件主电路与（ C ）电路之间的接口。
A、缓冲电路B、保护电路C、控制电路D、滤波电路3）功率晶体管的驱动电路一般有两种类型，即恒流驱动和（ C ）。
A、变流驱动B、变压驱动C、比例驱动D、补偿驱动填空题电力电子器件的保护分为过压保护和过流保护两类。
过电压主要表现为开关的开闭引起的冲击电压和雷击或其它的外来冲击电压两种类型。
电力电子器件的缓冲电路有耗能型和馈能式两类。
耗能式缓冲电路有关断缓冲电路、导通缓冲电路和复合缓冲电路三种。
在晶体管的并联使用中要采取的均流措施是串联电阻法和串联电感法两种。
为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是一个较大的负电流。
抑制过电压的方法之一是用阻容元件吸收可能产生过电压的能量，并使电阻将其消耗。
判断题（√）1）在电力电子器件电极上设置缓冲电路的目的是为了提高电路的可靠性。
（×）2）晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
（×）3）为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。
（×）4）雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。
（×）5）硒堆发生过电压击穿后就不能在使用了。
（×）6）为防止过电流，只需在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。
（√）7）快速熔断器必须与其他过流保护措施同时使用。
选择题1）晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（ C ）。
A、分流B、降压C、过压保护D、过流保护2）压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（ C ）。
A、分流B、降压C、过压保护D、过流保护3）变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（ B ）损坏晶闸管。
A、关断过电压B、交流侧操作过电压C、不变4）晶闸管变流装置的功率因数比较（ B ）。
A、高B、低C、好5）晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中，当电动机在轻载状况下，电枢电流较小时，交流器输出电流是（ B ）的。
A、连续B、断续C、不变6）可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是( D )。
A、功率晶体管（GTR） B 、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管1.填空题单结晶体管又称为双极二极管，利用它伏安特性的负阻特性和电容充放电，可做成张弛振荡器。
单结晶体管的内部一共有1个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是发射极、第一基极和第二基极。
单结晶体管的发射极电压高于峰点电压时就会导通，低于谷点电压时就截止。
判断题（×）1）在电路中接入单结晶体管时，若把b1、b2接反了，就会烧坏管子。
（×）2）单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。
（√）３）单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。
（√）４）单结晶体管组成的触发电路不能很好的满足电感性或反电动势负载的要求。
填空题晶体管触发电路的同步电压一般有锯齿波同步电压和正弦波电压。
正弦波触发电路的同步移相一般都是采用正弦波同步电压与一个或几个控制电压的叠加，利用改变控制电压的大小，来实现移相控制。
判断题（√）１）采用正弦波移相触发电路的可控整流电路工作稳定性差。
（×）２）正弦波移相触发电路不会受电网电压的影响。
（√）３）晶闸管触发电路与主电路的同步，主要通过同步变压器的不同接线方式来实现的。
选择题锯齿波为同步信号的触发电路中，若控制电压保持不变，同步信号的周期也不变，则改变同步电压的（ D ），即能实现移相。
Ａ、幅值Ｂ、后沿Ｃ、斜率Ｄ、前沿用集成触发电路KC04触发三相全控桥，若KC04的引脚1接至V13的门极，则引脚15接至（ D ）。
Ａ、Ｖ12 Ｂ、Ｖ15 Ｃ、Ｖ14 Ｄ、Ｖ16为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过（ B ）。
Ａ、安全区Ｂ、不触发区Ｃ、可靠触发区Ｄ、可触发区三相桥式全控整流电路的同步相控触发电路，有两种控制方式是（ B ）。
Ａ、垂直控制和横向控制Ｂ、180。
控制和120。
控制Ｃ、时间比控制和瞬时值控制Ｄ、单极性控制和双极性控制填空题单项半波可控整流电路，当电感性负载接续流二极管时，控制角的移相范围为0 ~π。
按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载，电感性负载和反电动势负载三大类。
当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。
当晶闸管可控整流的负载为大电感时负载时，负载两端的直流电压平均值会很小，解决的办法就是在负载的两端并联接一个续流二极管。
把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为控制角。
判断题（×）１）单向半控桥可控整流电路中，两只晶闸管采用的是“共阳”接法。
（√）２）对低电压大电流的负载供电，应该用带平衡电抗器的双反星形可控整流装置。
（×）３）增大晶闸管整流装置的控制角α，输出直流电压的平均值会增大。
（×）４）在可控整流电路中电阻性负载对输出电流波形几乎一样。
选择题晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（ B ）．Ａ、不变Ｂ、增大Ｃ、减小单相半波可控整流电路输出最大直流电压的平均值等于整流前交流电压的（ C ）倍。
Ａ、１Ｂ、０.５Ｃ、０.４５Ｄ、０.９单相桥式可控整流电路输出最大直流电压的平均值等于整流前交流电压的（ D ）倍。
Ａ、１Ｂ、0.5 Ｃ、０.45 Ｄ、０．９为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（ B ）。
Ａ、晶闸管Ｂ、续流二极管Ｃ、熔丝填空题单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角θ的变化范围是π-α。
工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角小、电流波形不续流、呈脉冲状、电流的平均值小。
要求管子的额定电流值要大些。
在反电动势负载时，只有整流电压的瞬间值大于负载的电动势，整流桥路中的晶闸管才能随受正压而触发导通。
触发脉冲可采取宽脉冲触发与双脉冲触发两种方法，目前采用较多的是双窄脉冲触发方法。
判断题（×）１）在可控整流电路中电阻性负载与电感性负载的输出电流波形几乎一样。
（√）2）在电感性负载中续流二极管的作用是为电感释能提供通路。
（×）3）在单相半控桥式整流电路中引起失控现象的原因是整流输出端没有带续流二极管。
（√）4）在半控桥整流电路中，大电感负载不加续流二极管，电路出故障时可能会出现失控现象。
选择题单相桥式可控整流电路输出最大直流电压的平均值等于整流前交流电压的（ D )倍。
A、1B、0.5C、0.5D、0.9为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（ B ）。