微电子工艺考试(开卷)试题及答案

《微电子工艺》考试（开卷）

1、简述三维集成技术的优、缺点，及其应用领域？(15’)

1)优：互联线更短、低功耗、速度高、所占平面面积小、引脚少

2)缺：制造工艺复杂、成本高、不易散热

3)应用：成像传感器、存储器、处理器

2、简述BOSCH刻蚀工艺原理？(15’)

BOSCH刻蚀为时分复用刻蚀。

1)各自同性刻蚀，SF6等离子体现各项同性刻蚀，刻蚀循环7-16s；

2)保护：C4F8生成类似Teflen的氟碳化合物高分子膜（-CF2-）n保护循环5-15s；

3)刻蚀温度：液氮冷却40℃；

4)电感耦合等离子：ICP产生等离子体，平板电极加速离子；

5)气体切换系统；

6)刻蚀掩膜；

7)侧壁；

8)刻蚀速率。

3、简述光刻的主要工艺步骤，并配图说明？(15’)

1)涂光刻胶

2)对准与曝光

3)显影

4)刻蚀

5)去除光刻胶

4、简述常压CVD工艺在Si表面淀积SiO2膜时，与热氧化工艺的

不同之处是？(15’)

1)CVD法SiO2膜中的硅来自外加的反应气体，而热氧化法SiO2膜中的硅来自硅衬底

本身，氧化过程中需消耗掉一部分衬底中的硅；

2)CVD法德反应发生在SiO2膜表面，膜厚与时间始终成线性关系。而在热氧化法中，

一旦SiO2膜形成后，反应剂必须穿过SiO2膜，反应发生在SiO2/Si界面上；

3)CVD法温度较低，但膜质量较差，通常需经增密处理，而热氧化法湿度高，SiO结

构致密，掩膜性能良好。

5、参考PMOS晶体管的制造工艺流程，绘制NMOS晶体管的制造工

艺流程，并给予简要说明。(30’)

如何应对开卷考试

初中思品拟解决问题预设【拟解决的问题】：教师和学生如何应对开卷考试。【要解决的重点】：改变教师原来的教学观念和教学方法，改变学生“抄书考试”的观念。【要突破的难点】：把教学真正转移到重视素质教育上来【预期目标】：教师应该进行课堂改革，重视社会热点，加强课堂教学，向课堂45分钟要质量；加强复习教学改革，抛弃传统的学生死记硬背的复习方法。【实现计划】：随着新一轮课程改革的不断深入，初中思想品德学科的评价方式也实现了突破性的变革。初中思想品德毕业考试实行开卷考试。这一考试方式的变革，改变了学生以往“死记硬背式”的学习方式，减轻了学生的课业负担，注重了对学生分析问题、解决问题能力的考查，侧重培养学生的创新思维和创新能力，从而真正体现了素质教育的实质要求。一、教师应进行课堂改革考试内容和方法的改革，必定带来教学方法的改革。应对开卷考试，我认为教学过程中不仅要引导学生去理解和掌握自己已知的正确答案，而且更要给予学生自由想象的空间，培养学生的创新意识和创新能力。第一，转变教学侧重点。过去教学的侧重点很大程度上在于知识点的落实和巩固，因而在教学中，教师应把侧重点放在理解和应用上。例如，过去对四项基本原则学生必须会背会写，教师和学生就必然要在背字上做文章：而现在开放式考试，重在考查学生对知识的理解和应用，学生不要背，但必须理解，能在实际中运用，能解决实际问题。第二，注重知识内在联系的把握，做到融会贯通。理解和掌握知识内在的联系，是把握和应用知识的重要环节，也是提高学生能力和素质的需要。同时，学生也只有深刻理解和把握知识内在的联系，才能在开卷考试中获取好的成绩。第三，联系实际，扩大视野。开放式命题对知识应用能力的要求增强，所以在教学中，要注意联系实际，注意小课堂与大社会、大环境的结合。让学生走向社会，作调查研究，关注社会，关注国家大事。第四，针对特点，加强训练。要抛弃“题海战术”，精心设计一些适应开卷考试的练习，进行科学训练，提高学生的解题能力，这是掌握基础知识，提高学习能力的一个重要方面。第五，调动学习的学习主动性。实行启发式、讨论式等新颖活泼的教学方式，引导学生积极参与教学活动，在生动活泼的情境中去感受知识的发生和发展过程，促使他们形成积极的学习态度和良好的学习习惯，激发学生的学习兴趣。二、学生对教学方法的适应首先认识到：开卷考试不是更容易了，而是在减少单纯记忆背诵内容的同时，考察重点向学生知识运用能力和问题分析能力倾斜。从这个意义上说难度甚至是提高了。其次，了解实行开卷考试的目的，一方面是减轻学生背、记负担，更要的是让政治课在素质教育中担负起应有的责任——引导学生关注国家大事、培养学生思想品德素养、培养学生运用正确观点分析重大时事能力。第一、理解记忆，灵活记忆，抓好基础知识。要让开卷考试得心应手，要在平时学习和备考中，要能熟练掌握课本中的基本观点和基本原理及内在的联系，准确地从课本中选取相关知识点；对于一些重要的知识要点，要在平时熟记于心，提高运用知识的能力，进而增强分析和解决实际问题的能力，达到提高应试能力的目的。第二、观察生活，感受生活，在生活中发现问题、分析问题。从具体事例入手，要求学生结合社会实践活动经验，进行创新思维，谈亲身体会、感受和对个人的启示，培养学生分析问题、解决问题的能力。在学习中，注意围绕所学重点知识，收集国内国际政治、经济、科技、社会上的热点材料，关注身边的生活实例，并运用所学知识去分析、思考，培养学以致用的意识。在实践活动中学会运用，学会探究，学会创新，提高自己理论联系实际的能力和思想政治素质。这是思想政治课教学的宗旨，更是适应开卷考的根本方法。

(完整版)集成电路工艺原理期末试题

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期集成电路工艺原理课程考试题A卷（120分钟）一张A4纸开卷教师：邓小川一二三四五六七八九十总分评卷教师 1、名词解释：(7分) 答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。 SOI：绝缘体上硅。 RTA：快速热退火。微电子：微型电子电路。 IDM：集成器件制造商。 Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。 LOCOS：局部氧化工艺。 STI：浅槽隔离工艺。 2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？(7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。 3、集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(7分) 答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无侵蚀；与CMP兼容。 4、在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？(7分) 答：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高

开卷考试技巧

开卷考试技巧文件排版存档编号：[UYTR-OUPT28-KBNTL98-UYNN208]

开卷考试，主要有以下几个问题： 1、平时往教材上抄题，考试时从教材中找题。有的同学在平时的学习和复习中把老师上课所讲的例题，或自己在教辅书中做过的题目和答案不厌其烦地、密密麻麻地抄在课本的空白处，甚至把课本的原文字都遮住了。考试时，出于侥幸心理，凭着自己的印象在书中一题一题地找，或照搬照抄，或断"题"取"点"，最后写出来的答案与试题的要求"貌合神离"相距甚远，难以保证答题的正确性和准确性。 2、每道题都翻书。有的同学对开卷考试感到轻松，认为不就是到考试时翻翻书嘛，但真到考试时，若要题题都在书中找答案，恐怕考试时间就不够用了，更何况现在实行历史、政治综合考试。这样，在规定的时间内既要翻政治书，又要翻历史书，翻来翻去，一些同学自己都翻糊涂了。所以，像选择客观性试题，一来题量大，难度较低;二来每题所占的分值较小，有关的知识应尽量消化在平时的学习和复习中，考试时应做到不翻书就能解答，如果实在不能确定答案，再翻书查找。 3、不仔细审题，盲目抄书。这主要表现在解答主观性试题上，有的同学在答题时，不是先审题，而是先忙于抄书，看书中哪些段落与试题内容接近，就抄哪些段落，由于审题不清，缺乏对题目的整体理解，也就难以形成一个完整思路，往往是东抄一段，西抄一段，不得要领，最后很容易出现偏离试题要求、答案不完整、思路不清晰、论证不充分等问题。

4、只注重教材，不关心时事政治、社会热点。俗话说：风声、雨声、读书声，声声入耳;家事、国事、天下事，事事关心。随着开放性试题的出现，许多试题都要求考生运用所学知识联系思想和行为的实际来回答问题，这类试题的答案往往是多元的，具有发散性的特点。一般说来，在书中很难找到现成的答案，如果考试时只翻阅教材，是无法满足这类试题要求的，它需要我们在平时的学习中，应关注社会生活，提高思想认识，加强综合能力和创新能力的培养，而不是仅仅局限于课本。开卷考试基本题型解答技巧例谈开卷考试试题的设置灵活新颖，有利于学生能力的锻炼、培养和提高，但其题型基本上离不开这样四个题型：单项选择题、列举题、材料解析题和问答题(综合题)。 1.单项选择题的解答技巧单项选择题是用来考查基础知识的最佳题型，特点是设计灵活、知识覆盖面广、答案惟一。解答的关键是要注意审清题干中的关键词及相关的限定因素，排除干扰项。 2.列举题的解答技巧列举题就是把符合某种条件的人物、事件等按要求排列出来的题型，分为横向列举题和纵向列举题。答题时要搞清楚试题问的是哪一方面的问题，界定时空

开卷考试复习方法四大点

开卷考试复习方法四大点随着近几年开卷考试的试行，传统的复习方法已失去原有的效果。如何提高复习效率，以便更好的应对开卷考试和开放性试题，已成为学生提高成绩的关键，同时，作为教师如何上好复习课，教会学生如何复习显得尤为重要。根据几年的摸索，我觉得在复习时应做到以下“三步”。第一步：夯实基础知识，梳理课文内容。实行开卷考试后，很多学生有一个错误的观念：现在轻松多了，不用死记硬背，考试时只要翻翻书就能对付了。却忽视了翻书的必备条件就是对基础知识的熟悉和对整体知识的把握，如同“巧妇难为无米之餐”，在考试时表现出“寻寻觅觅无觅处，匆匆忙忙乱翻书”。分析近几年中考试题，最能体现课改方向、命题趋势的“开放性”试题，答案也几乎都源于教材中的知识点。所谓“题在书外，理在书中”，而选择、判断、简答等就更注重对基础知识的要求。因此，

我们在复习时一定要以教材为主，重视对基础知识的识记和理解。在第一轮复习中，我们老师要从宏观上把握教材、驾驭教材，对每一课、每一单元知识的整体结构有一个清晰完整的认识，所谓“牵一线而控全局”。我们学生要化一定时间重新梳理每一课的知识点、重点、知识结构。复习课不像新授课，教师不可能重新再讲一遍，而要侧重于发挥学生主体作用。可采用让学生自己写复习提纲、整理笔记的形式，学生通过课前或课后对照中考说明阅读教材后归纳、整理出每一框题、每一课要掌握的内容，可以图表式、提纲式、问题式，然后教师加以点拨。我觉得这种方法效果比较好，学生经过自己的整理，对书本上的知识加深了印象和理解。对基础知识的梳理无须老师化课堂上的时间，只要学生课余时间完成。这仅仅是复习的第一步，也就是所谓的抓住了基础分数。第二步：把握重点内容，找出内在联系。教材中的知识具有一定的内在联系，现

题库---微电子工艺原理

微电子工艺原理复习知识点与题库一、绪论微电子工艺的概述知识点：集成度、摩尔定律、微电子系统的概念 1集成电路的制作可以分成三个阶段：①硅晶圆片的制作；②集成电路的制作；③集成电路的封装。 2评价发展水平：最小线宽，硅晶圆片直径，DRAM容量二、晶体结构和晶体生长知识点： 5金刚石结构特点：共价四面体，内部存在着相当大的“空隙” 6面心立方晶体结构是立方密堆积，(111)面是密排面。 7金刚石结构可有两套面心立方结构套购而成，面心立方晶格又称为立方密排晶格。 8双层密排面的特点：在晶面内原子结合力强，晶面与晶面之间距离较大，结合薄弱。两个双层面间，间距很大，而且共价键稀少，平均两个原子才有一个共价键，致使双层密排面之间结合脆弱 9金刚石晶格晶面的性质：由于{111}双层密排面本身结合牢固，而双层密排面之间相互结合脆弱，在外力作用下，晶体很容易沿着{111}晶面劈裂。由{111}双层密排面结合牢固，化学腐蚀就比较困难和缓慢，所以腐蚀后容易暴露在表面上。因{111}双层密排面之间距离很大，结合弱，晶格缺陷容易在这里形成和扩展。 {111}双层密排面结合牢固，表明这样的晶面能量低。由于这个原因，在晶体生长中有一种使晶体表面为{111}晶面的趋势。 10肖特基缺陷：如果一个晶格正常位置上的原子跑到表面，在体内产生一个晶格空位，称肖特基缺陷。 11弗伦克尔缺陷：如果一个晶格原子进入间隙，并产生一个空位，间隙原子和空位是同时产生的，这种缺陷为弗伦克尔缺陷。 12堆垛层错：在密堆积的晶体结构中，由于堆积次序发生错乱 13固溶体：当把一种元素B(溶质)引入到另一种元素A(溶剂)的晶体中时，在达到一定浓度之前，不会有新相产生，而仍保持原来晶体A的晶体结构，这样的晶体称为固溶体。 14固溶度：在一定温度和平衡态下，元素B能够溶解到晶体A内的最大浓度，称为这种杂质在晶体中的最大溶解度 15固溶体分类：替位式固溶体，间隙式固溶体 16某种元素能否作为扩散杂质的一个重要标准：看这种杂质的最大固溶度是否大于所要求的表面浓度，如果表面浓度大于杂质的最大固溶度，那么选用这种杂质就无法获得所希望的分布。题目三扩散工艺知识点：

思想政治开卷考试技巧及注意事项

思想政治开卷考试技巧及注意事项厦大附中政治教研组要想在政治学科考试中取得骄人的成绩，当然打好基础，有扎实的基本功是必不可少的，但是，除此之外，掌握各类政治考题的答题方法，也是相当关键的一步。一、单项选择题: 1、认真阅读材料，理解材料的意思和要求。应先审清题干的意思，注意题目中的关键词、限制语； 2、阅读选择题的选项，理解选项的意思。 3、先选出错误答案。最后保留一个正确答案。因为有的答案也对只是范围大。或者有的题是最佳选择。判断型选择要先采用“一票否决法”即凡是含有错误的选项的题肢均给予否决，降低难度，最后再验证一下。 4、选择完成后，把题目和答案连起来读一读或想一想，看看选择的答案是否正确。 5、每个选择题的答案基本限制在30秒钟之内。 6、答选择题时基本上不能查书或资料，如果出现不会答的选择题，最后还有时间，或自己非常清楚这个选择题考察的知识的位置，可以在30秒钟内查到，可以查书或资料。 7、单项选择题只能选择一个答案。中考题决不会出现错误，即两个都同时正确的现象。 8、选项的序号A、B、C、D一定要写清楚，决不能连笔，既象B，又象D。二、材料题 1、快速阅读材料，理解材料的大意。仔细（一个字一个字的）阅读问题，理解问题的要求。找出问题中的关键词和答题角度。（每个关键词可能就是一个答题角度） 2、带着问题继续细读材料。彻底理解材料的意思。 3、找出热点问题与课本知识的结合点，继续增加答题的角度。 4、根据问题所给的分数，确定答案的多少和条数。如1——2分答一条。3——4分答两条。5——6分答三条。7——8分答四条等。 5、如果你所确定的答案角度多，所答题给的分数又少，你就要选择最能说明本题内容的答案写在最前面。或者把几个方面的答案，融合在一起，（不是机械的堆集）概括性地去作出答案。 6、要灵活去答题，不要死搬课本的知识。 7、要用课本的知识去答题，即回归课本，不要用自己的语言随便说。或机械的重复材料内容。三、分析说明题 1.先是要审清题意，找到题目与课文相关的知识点，再筛选最隹的知识切入点。 2.常见的题型主要有如下几类：（1）“说明、反映”类：解答这类题先回答本身讲述的是什么问题，再运用所学知识分析回答这个问题的实质即通过什么反映什么。（2）“启示”类：先找出材料所叙述的问题（现象）产生的原因或材料中人物事

考试申请书

考试申请书篇一：考试申请表注：此表需打印注：此表需打印注：此表需打印注：此表需打印注：此表需打印篇二：公务员报考申请书公务员报考申请书尊敬的教育局领导:本人是*******的一名教师，我于 201*年9月1日参加工作，有幸成为教书育人队伍中的一员。自工作以来，一直得到同事及学校领导的关照和帮助，对此，我非常感激。一年多来，我收获了许多，在工作中，要不怕吃苦、尽职尽责，吃苦在前，享受在后，与同事团结协作等。我的成长和进步都离不开学校的关心和栽培。左拉曾经说过“生命全部的意义在于无穷地探索尚未知道的东西。” 我渴望学到更多更广的知识，渴望实现更高的人生价值。所以报考了***省201*年****统一

面向社会公开招考公务员。报考职位是********。恳请领导予以批准。此致敬礼二年来，在各级领导的关心下，在乡党委、政府及村两委的直接指导下，主要取得以下成绩： 1、在纪律方面：严格遵守村上的各项规定和上级组织部门的纪律要求，按时参加学习、会议，没有出现无故缺席现象；没有违纪行为发生；发现情况及时向领导汇报。 2、协助村支书配合乡政府搞好协调服务工作。利用电脑知识协助村委会草拟各种文件，把村委会和村支部党员的基础信息、培训记录等档案材料编辑存档。 3、积极参与县、乡政府组织的各项活动。在此期间我还经常参与政府组织的各种活动如：乡政府组织的十七大宣传活动、少生快富宣传活动、全国人口普查活动等。 4、在学习方面：我利用闲暇时间加强对马列主义、毛泽东思想、邓小平理论和“三个代表”重要思想的学习，不断提高政治思想素质，加强道德修养。并利用书籍、报刊、手机互联网等学习有关农村工作方面的知识和经验。从而端正了我在农村工作的思想态度，对于担任好“大学生村干部”、干好农村工作更有信心。

微电子工艺习题总结(DOC)

1. What is a wafer? What is a substrate? What is a die? 什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片答：硅片是指由单晶硅切成的薄片；芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路）；硅圆片通常称为衬底。 2. List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend. 列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势答:提高芯片性能:器件做得越小，在芯片上放置得越紧密，芯片的速度就会提高。提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性，不间断地分析制造工艺。降低芯片成本：半导体微芯片的价格一直持续下降。 3. What is the chip critical dimension (CD)? Why is this dimension important? 什么是芯片的关键尺寸，这种尺寸为何重要答：芯片的关键尺寸（CD）是指硅片上的最小特征尺寸；因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准，也就是如果你拥有在硅片某种CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于这些尺寸更大，因此更容易产生。 4. Describe scaling and its importance in chip design. 描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性答：按比例缩小：芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的重要性：为了优电学性能，多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。 5. What is Moore's law and what does it predict? 什么是摩尔定律，它预测了什么答：摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数，月每隔18个月便会增加1倍，性能也将提升1倍。预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。第二章 6. What is the advantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的优点是什么答：优点：具有比硅更高的电子迁移率；减小寄生电容和信号损耗的特性；集成电路的速度比硅电路更快；材料的电阻率更大。 7. What is the primary disadvantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的主要缺点是什么答：主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有剧毒性在设备，工艺和废物清除设施中特别控制。

[精]中考政治历史开卷考试高分技巧

中考政治历史开卷考试高分技巧一、六大误区误区一：答案在书上中考政史开卷，部分考生认为试题答案可直接在书上找到，故考试前没整理笔记。其实，中考政史虽开卷，但许多试题答案并非能在书本上找到原题，仍需结合知识思考作答。准备一些授课笔记，有助于帮助思考误区二：笔记只抄不整政史考试只能带课本和指定资料及手写笔记进场，许多学生为充分利用开卷优势，将用的资料、做的练习等尽可能详尽地往笔记本上堆砌。但因没整理，笔记杂乱无章，考试时查阅极不方便，收效甚微。误区三：家长代抄为让笔记“够多够全”，也为减轻考生抄写负担，许多家长都“操刀”代劳，事后学生也不看。结果，学生对笔记非常陌生，查阅起来十分缓慢，影响答题。误区四：开卷不用记忆开卷考试很容易让学生认为“基本知识点不需记忆”。部分学生对政史考试不作记忆准备，对基础知识点完全寄希望于考试翻书。结果答题时对知识点运用极不熟练，严重影响答题效率和准确性。误区五：见题就翻书为确保答案正确，很多同学答题时先翻书找知识点和内容，后将查阅内容往题目上套。这容易导致查阅内容与题目结合不紧，答非所问，既浪费时间又易出错。误区六：合卷合做政史题目穿插在一起以合卷形式出现，部分学生训练时就没有分开做政史题，中

考时也一如既往。但学科不同，思考和作答方式都不同，混合作答会影响思维，导致失误增多。二、考前复习怎么做 1.展开针对性复习，熟悉教材众所周知，开卷考试与闭卷考试的复习既有区别又有联系。从题型来讲，无论是开卷考试还是闭卷考试，选择题的复习基本一致。开卷考试中列举题、填补缺项题、材料解析题、简答题的复习要求可以降低，即只要对教材熟悉，明确这些试题考查到的内容在教材的哪些章节就可以了，不必强化记忆。在开卷考试中，问答题、分析说明题可以设计成半开放或开放性的试题，对这类题的复习则要从长计议，复习要求要提高，既要熟悉教材，又要结合时政热点以及身边的实际问题展开分析说明，还要训练对这类题的解题技巧和策略。 2.上课认真作好笔记，便于考试查阅既然开卷考试只能带教科书（粘在教科书上的小卡片也必须取消），那么为便于考试翻阅，就要在上课务必认真做好笔记。 3.搞好学科知识专题归类复习有些地区的开卷考试已经明显命制了跨章节的试题，这就要求我们在新课上完后必须留足时间进行学科知识的专题归类复习。三、容易出现的问题和解决方法从历年来中考答卷的情况看，考生答题时出现的问题集中表现在以下几个方面： (1)审题不清，答非所问； (2)盲目堆砌，不得要领；

中考高考政史开卷考试高分攻略

中考高考政史开卷考试高分攻略 1.从书中找题目有的学生把开卷考试看得很容易、很简单，“开卷啦，可以抄，书中自有答案！”的错误认识较为普遍。很多学生在平时学习中，出于侥幸心理，把老师上课时的例题或平时做过的题目和答案不厌其烦、密密麻麻地抄在书本的空白处。临考时，凭着自己的印象，在书中一题一题地找，要么照搬照抄，要么断“题”取“点”，最后写出来的答案与题目要求相差甚远，答题的准确率可想而知！ 2.每题都翻书有的学生认为开卷可抄，认为开卷考试无非是考试时翻翻书而已。因此平时学习很放松，但真到考试时，若要每题都翻书，注定没时间做完！有些平时学习较好的学生，更是怕做错失分，考试做答时将主要精力用在翻书上，导致思考书写时间不够而意外失分。例如一些简单直接的问题，一般通过阅卷，知识基础扎实的学生都可以作答的了。但每题都去翻书的话，本来只需很少时间即可作答的“容易题”，却浪费了很多考试时间，严重影响后面主观题的作答，考试成绩也就可想而知了！ 3.审题不仔细，盲目抄书有的学生在答题时，不是先认真审题，而是忙于翻书、抄书，看书中哪段内容与该题最为接近就抄哪一段。

由于审题时缺乏对题目灵活性的整体理解，也就难以“对症下药”，往往是东抄一段，西抄一点，不得要领，或者偏离题目要求，答案不完整甚至文不对题，盲目抄书。 4.只看“有字书”，忽视“无字书” 开卷考试不只是把书本熟记就好了，其实还应重视“无字书”。所谓“无字书”，不仅包括“家事，国事，天下事”，还包括学生的思想觉悟、行为、观念等。注：随着开卷考试形式的出现，许多试题要求学生运用所学知识联系自己实际回答问题。这类试题往往很难在书本中直接抄得到答案。如果学生不能将知识融合到实际生活中，那就根本无法满足这类试题的要求。 1.全面复习、构建知识体系要走出“从书中找题”的误区，关键是全面复习，构建知识体系。由于开卷考试时间有限，不可能对所有题目都翻书，再加上开卷考试题型较活，一般无现成答案，因此必须对学生进行全面复习。具体来讲：首先，要熟记每一课，每一节的知识点都全面复习一遍，使学生对所学知识有个整体印象，并能做到离开书本复述出来。其次，要弄清知识点的含义，层次及各层次间的相互关系。在此基础上，再对各课、各节的知识点进行系统梳理，对跨课、跨节的有关内容进行分类、比较、归纳、综合，形成知识间的完整体系，做到全面系统地掌握所学知识。 2.掌握方法、有的放矢

谈开卷考试的利与弊

开卷与闭卷的思考开卷与闭卷考试，是当今思想品德考试的两种形式。两种形式在各地的中考中都有运用，还有的地区把两种形式结合起来，一部分题目要求学生闭卷完成，另一部分回答时可以参考教材或其他资料。究竟哪种方式更科学?我认为各有利弊。开卷考试试题“活”，与闭卷考试相比，它更具有开放性、综合性、探究性等特点，有些题在课本上和资料中不易找到现存的答案，需要学生自己综合归纳，灵活答题。它有以下特征：一是试题开放不封闭。材料问题的立意是多元的，试题要求多角度思考，答题具有充分的想象空间，问题具有方向性和不封闭性。二是答案多元不唯一。开放性试题答案是多元化的（两个以上），而且任何一个答案都能独立完成试题的要求。三是得分重“意”不重“点”。对答卷的评价要着眼于答案是否符合题目要求，立场观点是否正确，逻辑表达是否清楚。除了坚持必须的学科术语的运用外，平分不硬套参考答案，不死抠要点和字眼，意到即可开卷考试的好处是，可以翻书和查找资料，同学们心理上没有压力，由于没有现成的答案，也不会出现作弊，大家可以充分发挥自己的想象，考出最真实的成绩。闭卷考试较为侧重课本基础知识和基本技能的考查，能强化学生对基础知识的落实与巩固。闭卷考试的好处是，可以促使同学们平时用功学习，该记的一定要记住，该背的一定要背会，不能偷懒，要能够离开书本照样会，自觉养成用功学习的好习惯。闭卷考试，考出的成绩往往比较真实。但不好处是同学们的心理压力较大，有的学习较差的同学总想作弊，也有的同学只是为了应付考试，考高分，一味的死记硬背，不求甚解，没有从根本上掌握知识。总之，我认为，开卷闭卷各有利弊，关键要运用得好。对于有些需要同学们死记硬背的东西，还是采用闭卷考试好。对于那些需要同学们重在理解、灵活运用的，最好还是采用开卷考试。只有这样，才能使同学们真正掌握知识，又不加重负担，使所学的东西能够深入理解、灵活运用，才能真正达到考试的目的思想品德课是提高学生思想政治素质的重要课程，初中思想品德实行考试的改革，目的在于深化初中思想品德课教学的改革，我认为还应从以下几个方面进行探讨：（1）充分发挥思想品德课的德育功能，引导教与学双方注重联系实际，注重培养能力，避免死记硬背；（2）在于培养创新精神，提高人文素养，为高一级学校选送具有学习潜能的新生，为社会主义现代化事业培养有理想、有道德、有文化、有纪律的人才;(3)检测学生的手段应该多元化，避免单一的笔纸考查模式。

微电子工艺复习

第一章： 1.看懂这是一个三极管利用基区、发射区扩散形成电阻的结构2.看懂电极外延层电阻结构 3.看懂电极 MOS集成电路中的多晶硅电阻 4.电容结构包括哪些要素？两端是金属，中间是介电材料。

集成电路中电容的结构5.这是电容结构 Pn结位于空间电荷区，是一个电容结构。 PN结电容结构 6. MOS场效应晶体管中以SiO2为栅极层 MOS场效应晶体管电容结构

7.有源器件？二极管，三极管，MOS管集成电路中二极管的基本结构 8.看懂二极管，三极管的结构集成电路中二极管的结构 9.三极管分清npn与pnp？有什么区别？怎么画的？结构上，NPN三极管的中间是P区（空穴导电区），两端是N区（自由电子导电区），而PNP三极管正相反。使用上，NPN三极管工作时是集电极接高电压，发射极接低电压，基极输入电压升高时趋向导通，基极输入电压降低时趋向截止；而PNP三极管工作时则是集电极接低电压，发射极接高电压，基极输入电压升高时趋向截止，基极输入电压降低时趋向导通。晶体管的基本结构

10.什么叫NMOS?什么叫PMOS？ PMOS是指利用空穴来传导电性信号的金氧半导体。 NMOS是指利用电子来访传导电性信号的金氧半晶体管。 MOS管的结构图和示意图 11.集成电路包括哪些阶段？核心阶段？阶段: 硅片（晶圆）的制备、掩膜版的制作、硅片的制造及元器件封装集成电路制造的阶段划分半导体芯片的制造框图

半导体芯片制造的关键工艺 12.硅的基本性质？它的优点？硅的禁带宽度较大（1.12eV），硅半导体的工作温度可以高达200℃。硅片表面可以氧化出稳定且对掺杂杂质有极好阻挡作用的氧化层（SiO2）优点： (1)硅的丰裕度硅是地球上第二丰富的元素，占到地壳成分的25%，经合理加工，硅能够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度，而消耗的成本比较低。 (2)更高的熔化温度允许更宽的工艺容限硅的熔点是1412℃，远高于锗937℃的熔点，更高的熔点使得硅可以承受高温工艺。 (3)更宽的工作温度范围用硅制造的半导体器件可以工作在比锗制造的半导体器件更宽的温度范围，增加了半导体器件的应用范围和可靠性。 (4)氧化硅的自然生成硅表面有能够自然生长氧化硅(SiO2)的能力，SiO2是一种高质量、稳定的电绝缘材料，而且能充当优质的化学阻挡层以保护硅不受外部沾污。 13.硅生长有哪两个生长方法？用于什么样的地方？ (1)直拉法(CZ) 直拉法生长单晶硅是将熔化了的半导体级多晶硅变成有正确晶向并被掺杂成N型或P型的固体硅锭。均匀的大直径晶体 (2)区熔法区熔法是另一种单晶生长方法，它所生产的单晶硅中含氧量非常少，能生产目前为止最纯的单晶硅。第二章 1.隔离分为哪些？怎么样来做隔离？ ①PN结隔离未加正向偏压的PN结几乎无电流流动，因而PN结可作器件隔离用，双极型集成电路中的隔离主要采用PN结隔离。

中考政史开卷考试高分技巧,如何抄书才能拿高分

01 关于你的问题 1.从书中找题目有的学生把开卷考试看得很容易、很简单，“开卷啦，可以抄，书中自有答案！”的错误认识较为普遍。很多学生在平时学习中，出于侥幸心理，把老师上课时的例题或平时做过的题目和答案不厌其烦、密密麻麻地抄在书本的空白处。临考时，凭着自己的印象，在书中一题一题地找，要么照搬照抄，要么断“题”取“点”，最后写出来的答案与题目要求相差甚远，答题的准确率可想而知！ 2.每题都翻书有的学生认为开卷可抄，认为开卷考试无非是考试时翻翻书而已。因此平时学习很放松，但真到考试时，若要每题都翻书，注定没时间做完！有些平时学习较好的学生，更是怕做错失分，考试做答时将主要精力用在翻书上，导致思考书写时间不够而意外失分。例如一些简单直接的问题，一般通过阅卷，知识基础扎实的学生都可以作答的了。但每题都去翻书的话，本来只需很少时间即可作答的“容易题”，却浪费了很多考试时间，严重影响后面主观题的作答，考试成绩也就可想而知了！ 3.审题不仔细，盲目抄书有的学生在答题时，不是先认真审题，而是忙于翻书、抄书，看书中哪段内容与该题最为接近就抄哪一段。由于审题时缺乏对题目灵活性的整体理解，也就难以“对症下药”，往往是东抄一段，西抄一点，不得要领，或者偏离题目要求，答案不完整甚至文不对题，盲目抄书。 4.只看“有字书”，忽视“无字书”

开卷考试不只是把书本熟记就好了，其实还应重视“无字书”。所谓“无字书”，不仅包括“家事，国事，天下事”，还包括学生的思想觉悟、行为、观念等。注：随着开卷考试形式的出现，许多试题要求学生运用所学知识联系自己实际回答问题。这类试题往往很难在书本中直接抄得到答案。如果学生不能将知识融合到实际生活中，那就根本无法满足这类试题的要求。 02 你要这么做 1.全面复习、构建知识体系要走出“从书中找题”的误区，关键是全面复习，构建知识体系。由于开卷考试时间有限，不可能对所有题目都翻书，再加上开卷考试题型较活，一般无现成答案，因此必须对学生进行全面复习。具体来讲：首先，要熟记每一课，每一节的知识点都全面复习一遍，使学生对所学知识有个整体印象，并能做到离开书本复述出来。其次，要弄清知识点的含义，层次及各层次间的相互关系。在此基础上，再对各课、各节的知识点进行系统梳理，对跨课、跨节的有关内容进行分类、比较、归纳、综合，形成知识间的完整体系，做到全面系统地掌握所学知识。 2.掌握方法、有的放矢 “每题都翻书”，显然是不行的。解决的关键是加强在考试过程中学生查对书本方法的指导，做到有的放矢。要掌握查阅书本的方法：凡是有把握的，就坚决不查；凡是没有把握的，有时间就查，没时间不查；凡是毫无头绪的，放到最后去查； 3.加强审题训练开卷考试审题很关键。审题要审什么？

微电子工艺学试卷(A卷)及参考答案

华中科技大学2010—2011学年第二学期电子科学与技术专业《微电子工艺学》试卷（A 卷）一、判断下列说法的正误，正确的在后面括号中划“√”，错误的在后面括号中划“×”（本大题共12小题，每小题2分，共24分） 1、用来制造MOS 器件最常用的是（100）面的硅片，这是因为（100）面的表面状态更有利于控制MOS 器件开态和关态所要求的阈值电压。（√） 2、在热氧化过程的初始阶段，二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定，处于线性氧化阶段。（ × ） 3、在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。（ × ） 4、LPCVD 紧随PECVD 的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。（×） 5、蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖，但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。（×） 6、化学机械抛光(CMP)带来的一个显著的质量问题是表面微擦痕。小而难以发现的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区，可能引起同一层金属之间的断路。（√） 7、曝光波长的缩短可以使光刻分辨率线性提高，但同时会使焦深线性减小。如果增大投影物镜的数值孔径，那么在提高光刻分辨率的同时，投影物镜的焦深也会急剧减小，因此在分辨率和焦深之间必须折衷。（ √ ） 8、外延生长过程中杂质的对流扩散效应，特别是高浓度一侧向异侧端的扩散，不仅使界面附近浓度分布偏离了理想情况下的突变分布而形成缓变，且只有在离界面稍远处才保持理想状态下的均匀分布，使外延层有效厚度变窄。（ × ） 9、在各向同性刻蚀时，薄膜的厚度应该大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果图形所要求的分辨率远小于薄膜厚度，则必须采用各向异性刻蚀。（ × ） 10、热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS 电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。（√） 11、离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。（ ×） 12、侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。（√）二、选择填空。 (本大题共8小题，每小题2分，共16分。在每小题给出的四个选项中，有的只有一个选项正确，有的有多个选项正确，全部选对得2分，选对但不全的得1分，有选错的得0分) 1、微电子器件对加工环境的空气洁净度有着严格的要求。我国洁净室及洁净区空气中悬浮粒子洁净度标准GB50073-2001中，100级的含义是：每立方米空气中大于等于0.1 m 的悬浮粒子的最大允许个数为（ B ） A 、35； B 、100； C 、102； D 、237。 2、采用二氧化硅薄膜作为栅极氧化层，是利用其具有的（ A 、D ） A 、高电阻率； B 、高化学稳定性； C 、低介电常数； D 、高介电强度。 3、如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或者在器件中产生不希望的（A ）。 A. 诱生电荷 B. 鸟嘴效应 C. 陷阱电荷 D. 可移动电荷 4、浸入式光刻技术可以使193 nm 光刻工艺的最小线宽减小到45 nm 以下。它通过采用折射率高的一、密封线内不准答题。二、姓名、学号不许涂改，否则试卷无效。三、考生在答题前应先将姓名、学号、年级和班级填写在指定的方框内。四、试卷印刷不清楚。可举手向监考教师询问。注意

《管理学》在线考试开卷考试试题及答案

《管理学》在线考试（开卷）试题注意事项： 1、通过在线考试模块完成该课程考核； 2、抄袭、雷同作业一律按零分处理；一、简答题（每题10分，共70分） 1、组织的任务环境包括那些？各自如何对管理产生影响？任务环境是指与组织实现其目标直接相关的那部分环境，它是由对组织绩效产生积极或消极影响的关键顾客群或要素组成的，一般包括供应商、客户或顾客、竞争者、政府机构及特殊利益集团。 1.供应商：向企业供应生产所需要的原材料和零部件的企业即为供应商。现代企业倾向于选择较少的供应商，并与之建立起良好的长期合作的伙伴关系，以便及时获得高质量的物美价廉的原材料和零部件。过去，制造商与供应商的关系通常充满了火药味，制造商越来越发现，唯有与供应商精诚合作，才是节约资金、保证质量和加快产品上市速度的关键之所在。 2.顾客：所谓“顾客”是指从企业购买产品或服务的个人或组织。作为企业产品的接收者，顾客决定了企业的成败。顾客数量、类型的变化，以及顾客口味、需求的变化，都会给企业带来机会或威胁。企业的成功是建立在对顾客需求及其变化的正确反应之上的。 3.竞争对手：所谓“竞争对手”，是指与本企业处于同一行业，提供相同或类似产品的企业。换句话说，竞争对手是与特定企业争夺消费者的企业。竞争对手之间的对立是管理者需要处理的最具威胁性的一种力量。高度对立的结果往往是价格竞争，而价格的下降则会导致企业利润的降低和获取资源能力的下降。现有竞争对手之间的竞争是企业面临的一个主要威胁，潜在竞争对手则是另外一种重要的威胁力量。潜在竞争对手是指在当前任务环境中并不存在，但可能进入该领域的企业。虽然在全球范围内，企业之间的竞争狼烟四起，但很多企业发现，通过合作而非竞争，同样可以达到原来确定的目标。 4.有关政府部门和社会组织：有关政府部门在若干方面对企业实行严格的监督。例如，航空局对飞机是否合格、能否飞行，实行严格监督，同时，管理者必须充分意识到在政治、法律框架内所存在的形形色色的“压力集团”对企业行为的影响。

开卷考试技巧

开卷考试后的反思

开卷考试后的反思在中考中思想品德属于开卷考试科目，特别注重对学生分析问题、解决问题能力的考察。其试卷体现了“题目在书外，答案在书中”的特色。在复习中除了要求学生立足教材，按照课标的要求通读教材，熟练掌握基础概念和基本原理，以及它们之间的内在联系之外，还要把各课、各节的知识点进行梳理，使之系统化、网络化。要做到课课有归纳、有总结、有知识的梳理，同时还要打破课与课、节与节和各年级之间知识点的界限，进行横向、纵向比较，通过逻辑归纳、比较，深刻理解基础知识。平时注重训练学生掌握常见题型的解题方法和技巧，最终实现举一反三、触类旁通。一．单项选择题。这是中考思想品德试题中一种稳定的题型，需要训练学生以下几点：首先，审清题干和题枝的关系。学生审清题干和题枝的关系，然后采用排除法、结合实际分析法等确定正确答案。例如，在正确审题的基础上，运用排除法是增加准确性的一种好方法。通常情况下运用排除法有三个层次：一是排除观点本身错误的题枝；二是排除观点本身正确、但与题干无关的题枝；三是排除观点本身正确、与题干也有关系，但不符合题干要求的题枝。二．辨析题。 “辨”就是判断正确与否，“析”就是分析找原因，“题”就是考查的主干材料。辨析题特点是有辨有析，辨析结合，由于该题题型简单、明了，是非观念强，有利于学生形成正确的价值观、人生观，所以在历年的中考中，辨析题都是重点。因此我们注重加以训练。首先，我们给学生讲解答题步骤，分三步：辩正误——找原因——亮观点。三．材料分析题。这种题型就是根据所给材料和问题，运用所学的基础知识、基本概念、基本原理来解答问题。 1、文字材料型文字材料题主要考查考生对知识的理解、分析及运用能力。其解题步骤是：第一步，注意“审题”。审清所给材料承载的知识信息（抓住关键字词）、审清要回答的问题（如果审题出现问题，就会发生方向性错误，导致答非所问，离题万里。）、审清限制的条件、审清同教材知识的结合点。第二步，注意解题的思路与方法。认真阅读题目所给材料，全面正确理解材料含义；仔细分析问题，准确把握问题的要求；根据问题要求分析题目表述。第三步，注意“规范”。答案内容要规范，每条内容要结合教材中学过的知识点，要分条书写；答案组织要规范，要点清晰，层次要分明，要从多角度去回答问题，要把最能反映问题的答案写在最前面，把可有可无的答案写在最后面；答案表述要规范，行文有序，条理清楚；试卷书写要规范，做到字迹工整，清楚不潦草，避免涂改；要使用专业术语，避免口语化。四、漫画题解题步骤: 第一步，要认真观察漫画，把握漫画的关键信息。要全面细致地观察漫画中的每一部分、每一个环节，尤其是漫画的标题、漫画中人物动作、语言、表情等。第二步，是指联系材料，联系教材知识，结合漫画寻找解题依据。漫画所要揭示的问题，往往就是我们在教材中学过的基本知识，因此，要注意联系教材知识。第三步，是指解答问题。“题在书外，理在书中”，这是

微电子工艺原理习题

微电子工艺原理习题一、填空题 1．传统集成电路制造工艺的发展以的出现作为大致的分界线，现代集成电路制造工艺进入超大规模集成电路后又以工艺的作为划分标志。 2．能提供多余空穴的杂质称为，P型半导体中的多子是。 3．多晶硅转变成单晶硅的实质是。 4．单晶硅拉制过程中引晶阶段的温度选择非常重要，温度过高时会造成，温度过低时会形成。 5．SiO 2 网络中氧的存在有两种形式，其中原子浓度越高，网络的强度越强；原子浓度越高，网络的强度越弱。 6．目前常用的两种掺杂技术是和。 7．完整的光刻工艺应包括和两部分，随着集成电路生产在微细加工中的进一步细分，后者又可独立成为一个工序。 8．伴随刻蚀工艺实现的图形转换发生在和之间。 9．按照功能和用途进行分类，集成电路可以分为和两类。 10．能提供多余电子的杂质称为，N型半导体中的少子是。11．固溶体分为替位式固溶体和间隙式固溶体，两类大部分施主和受主杂质都与硅形成固溶体。 12．单晶硅的性能测试涉及到的测试、的测试和缺陷检验等多个方面。 13．SiO 2中掺入杂质的种类对SiO 2 网络强度的影响表现在：掺入Ⅲ族元素如硼时，网络强度；掺入Ⅴ族元素如磷时，网络强度。 14．常用的芯片封装方法有、和陶瓷封装。 15．光刻胶又叫，常用的光刻胶分为和两类。

1．下列有关集成电路发展趋势的描述中，不正确的是。（A）特征尺寸越来越小（B）晶圆尺寸越来越小（C）电源电压越来越低（D）时钟频率越来越高 2．下面几种薄膜中，不属于半导体膜的是。（A）SiO 2 膜（B）单晶硅膜（C）多晶硅膜（D）GaAs膜 3．下列有关芯片封装的描述中不正确是。（A）金属封装热阻小有良好的散热性能（B）塑料封装机械性能差，导热能力弱（C）金属封装成本低，塑料封装成本高（D）陶瓷封装的气密性好，但脆性较高4．下列选项中属于光刻工艺三要素之一的是。（A）曝光（B）光刻胶（C）显影（D）刻蚀 5．下列有关扩散的几种描述中不正确的是。（A）扩散是一种掺杂技术。（B）扩散有气态扩散、液态扩散和固态扩散三种。（C）替位型杂质在硅中的扩散方式有替代扩散、空位扩散以及间隙扩散三种。（D）替位型杂质的掺入不会改变材料的电学性质。 6．下列关于光刻胶的描述中正确的是。（A）负胶具有较高的固有分辨率（B）正胶成本低，适合大批量生产（C）正胶的分辨率高，抗干法腐蚀能力强（D）负胶粘附性差，抗湿法腐蚀能力弱7．硅片中同时有浅施主和浅受主时，导电类型和载流子浓度由决定。（A）杂质浓度差（B）施主杂质（C）受主杂质（D）杂质浓度和 8．下面几种材料的薄膜中，不属于介质膜的是。（A）SiO 2膜（B）Si 3 N 4 膜（C）多晶硅膜（D）Al 2 O 3 膜 9．下列因素中对扩散系数大小不会造成影响的是。（A）温度（B）杂质种类（C）扩散环境（D）杂质浓度变化率10．关于干法刻蚀的正确描述是。（A）化学性刻蚀选择比高且是各向异性刻蚀；（B）反应离子刻蚀（RIE）兼具各向异性与高选择比等优点；（C）化学性刻蚀方向性好，可获得接近垂直的刻蚀侧墙；（D）物理性刻蚀的选择性好。