硅片清洗及原理.
硅片清洗及原理
硅片的清洗很重要，它影响电池的转换效率，如器件的性能中反向电流迅速加大及器件失效等。因此硅片的清洗很重要，下面主要介绍清洗的作用和清洗的原理。
清洗的作用
1•在太阳能材料制备过程中，在硅表面涂有一层具有良好性能的减反射薄膜，有害的杂质离子进入二氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好。
2. 在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后质量大大提高。
3. 硅片中杂质离子会影响P-N结的性能，引起P-N结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N结的性能。
4. 在硅片外延工艺中，杂质的存在会影响硅片的电阻率不稳定。
清洗的原理
要了解清洗的原理，首先必须了解杂质的类型，杂质分为三类：一类是分子型杂质包括加工中的一些有机物；二类是离子型杂质，包括腐蚀过程中的钠离子、氯离子、氟离子等；三是原子型杂质，如金、铁、铜和铬等一些重金属杂质。目前最常用的清洗方法有:化学清洗法、超声清洗法和真空高温处理法。
1•目前的化学清洗步骤有两种：
(1有机溶剂(甲苯、丙酮、酒精等—去离子水—无机酸(盐酸、硫酸、硝酸、王水一氢氟酸一去离子水
(2碱性过氧化氢溶液—去离子水—酸性过氧化氢溶液—去离子水
F面讨论各种步骤中试剂的作用
a. 有机溶剂在清洗中的作用
用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。在清洗过程中，甲苯、丙酮、酒精等有机溶剂的作用是除去硅片表面的油脂、松香、蜡等有机物杂质。所利用的原理是相似相溶”
b. 无机酸在清洗中的作用
硅片中的杂质如镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质，只
能用无机酸除去。有关的反应如下：
2AI+6HCI=2AICI3+3H2 T
AI2O3+6HCI=2AICI3+3H2O
Cu+2H2SO4= CuSO4 +SC2 T +2H2O
2Ag+2H2SO4=2Ag2SO4+SO2+2H2O
Cu+4HNO3= Cu(NO32 +2NO2 +2H2O
Ag+4HNO3= AgNO3+2NO2+2H2O
Au+4HCI+HNO3=H[AuCI4]+NO T +2H2O
SiO2+4HF=SiF4 T +2H2O
如果HF 过量则反应为:SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O
H2O2的作用:在酸性环境中作还原剂，在碱性环境中作氧化剂。在硅片清洗中对一些难溶物质转化为易溶物质。如：
As2S5+20 H2O2+16NH4OH=2(NH43AsO4+5(NH42SO4+28H2O
MnO2+ H2SO4+ H2O2= Mn SO4+2H2O+O2
c. RCA清洗方法及原理
在生产中，对于硅片表面的清洗中常用RCA方法及基于RCA清洗方法的改
进,RCA清洗方法分为I号清洗剂(APM和U号清洗剂(HPM。1号清洗剂(APM的配置是用去离子水、30%过氧化氢、25%的氨水按体积比为：5:1:1至5:2:1; H号清洗剂(H PM的配置是用去离子水、30%过氧化氢、25%的盐酸按体积比为:6:1:1至8:2:1。其清洗原理是：氨分子、氯离子等与重金属离子如：铜离子、铁离子等形成稳定的络合物如:[AuCI4]-、[Cu(NH34]2+、[SiF6]2-。
清洗时，一般应在75~85°C条件下清洗、清洗15分钟左右，然后用去离子水冲洗干净。I号清洗剂(APM和U号清洗剂(HPM有如下优点：
(1这两种清洗剂能很好地清洗硅片上残存的蜡、松香等有机物及一些重金属如金、铜等杂质；
(2相比其它清洗剂，可以减少钠离子的污染；
(3相比浓硝酸、浓硫酸、王水及铬酸洗液，这两种清洗液对环境的污染很小，操作相对方便。
2.超声波在清洗中的作用
目前在半导体生产清洗过程中已经广泛采用超声波清洗技术。超声波清洗有以下优点：
(1清洗效果好，清洗手续简单，减少了由于复杂的化学清洗过程中而带来的杂质的可能性；
(2对一些形状复杂的容器或器件也能清洗。
超声波清洗的缺点是当超声波的作用较大时，由于震动磨擦，可能使硅片表面产生划道等损伤。
超声波产生的原理：高频震荡器产生超声频电流，传给换能器,当换能器产生超声震动时，超声震动就通过与换能器连接的液体容器底部而传播到液体内，在液体中产生超声波。
3.真空高温处理的清洗作用
硅片经过化学清洗和超声波清洗后，还需要将硅片真空高温处理，再进行外延生长。真空高温处理的优点：
(1由于硅片处于真空状态，因而减少了空气中灰尘的玷污；
(2硅片表面可能吸附的一些气体和溶剂分子的挥发性增加，因而真空高温易除去；
(3硅片可能玷污的一些固体杂质在真空高温条件下，易发生分解而除去。
硅材料加工中的硅片清洗技术教程
硅材料加工中的硅片清洗技术教程 硅片清洗是硅材料加工过程中的重要环节之一，它直接影响到硅片的质量和性能。在硅材料的加工过程中，硅片表面会附着各种有害物质，包括灰尘、油污、光刻胶等。若不进行适当的清洗处理，这些污染物会严重影响硅片的电性能、光学性能以及其他性能指标。因此，掌握合适的硅片清洗技术，并运用正确的方法清洗硅片，对于确保硅材料加工的质量和稳定性至关重要。本文将向读者介绍一些常见的硅片清洗技术，并提供一些实用的清洗步骤和注意事项，以供参考。 常见的硅片清洗技术 1. 碱性清洗技术 碱性清洗技术是目前应用最广泛的硅片清洗技术之一。其原理是利用碱性溶液的腐蚀性，将硅片表面的污染物溶解掉。碱性清洗液一般选用氢氧化钠(NaOH)、氢氧化铵(NH4OH)等碱性溶液。清洗时，将硅片浸泡在碱性溶液中，通过机械搅拌或超声波震荡等方法加速清洗过程。碱性清洗技术适用于去除硅片表面的有机物、无机污染物以及光刻胶等。 2. 酸性清洗技术
酸性清洗技术主要用于去除硅片表面的金属杂质和氧化物等。 常用的酸性溶液有氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)等。 与碱性清洗不同，酸性清洗在清洗过程中要注意反应速度和清洗 时间，以免对硅片造成深度腐蚀或毁坏。 3. 气体清洗技术 气体清洗技术是一种对硅片进行无接触清洗的方法。常用的气 体包括氮气(N2)、氦气(He)和氩气(Ar)等。气体清洗方法有两种： 气体溶剂用于直接除去硅片表面的污染物，而气体辅助溶剂则通 过溶剂蒸发、溅射等方式清洗硅片。该技术的优点是避免了接触 清洗可能带来的机械损伤，并且能够清洗到微米级别的细小尘埃。实用清洗步骤和注意事项 1. 预处理 在进行硅片清洗之前，必须进行预处理步骤来减少不必要的腐 蚀和污染。首先，将硅片浸泡在纯水中去除尘埃和颗粒物，并通 过超声波清洗去除表面吸附的杂质。其次，使用有机溶剂去除表 面的油污，如酒精、丙酮等。最后，使用纯水进行冲洗，确保硅 片表面干净。 2. 碱性清洗
硅片清洗及原理
硅片清洗及原理 硅片的清洗很重要，它影响电池的转换效率，如器件的性能中反向电流迅速加大及器件失效等。因此硅片的清洗很重要，下面主要介绍清洗的作用和清洗的原理。 清洗的作用 1.在太阳能材料制备过程中，在硅表面涂有一层具有良好性能的减反射薄膜，有害的杂质离子进入二氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好。 2.在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后质量大大提高。 3.硅片中杂质离子会影响P-N 结的性能，引起P-N 结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N 结的性能。 4.在硅片外延工艺中，杂质的存在会影响硅片的电阻率不稳定。 清洗的原理 要了解清洗的原理，首先必须了解杂质的类型，杂质分为三类：一类是分子型杂质，包括加工中的一些有机物；二类是离子型杂质，包括腐蚀过程中的钠离子、氯离子、氟离子等；三是原子型杂质，如金、铁、铜和铬等一些重金属杂质。目前最常用的清洗方法有：化学清洗法、超声清洗法和真空高温处理法。 1.目前的化学清洗步骤有两种： （1）有机溶剂（甲苯、丙酮、酒精等）→去离子水→无机酸（盐酸、硫酸、硝酸、王水）→氢氟酸→去离子水 （2）碱性过氧化氢溶液→去离子水→酸性过氧化氢溶液→去离子水 下面讨论各种步骤中试剂的作用。 a.有机溶剂在清洗中的作用 用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。在清洗过程中，甲苯、丙酮、酒精等有机溶剂的作用是除去硅片表面的油脂、松香、蜡等有机物杂质。所利用的原理是“相似相溶”。 b.无机酸在清洗中的作用 硅片中的杂质如镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质，只能用无机酸除去。有关的反应如下：
硅片清洗工艺原理及现状
硅片清洗工艺原理及现状 硅片清洗工艺是半导体工业中非常重要的一项工艺，它主要用于去除硅片表面的杂质和污染物，保证硅片表面的纯净度和光洁度，从而提高半导体器件的制造质量和性能。本文将从硅片清洗工艺的原理和现状两个方面进行探讨。 一、硅片清洗工艺的原理 硅片清洗工艺的原理可以分为物理清洗和化学清洗两个方面。 物理清洗主要是通过机械力和流体力的作用，去除硅片表面的颗粒、尘埃等杂质。常见的物理清洗方法有超声波清洗、喷洗清洗和旋转清洗等。其中，超声波清洗是一种利用超声波的高能量和高频率振动来产生液体中的微小气泡，从而形成强大的冲击力和剥离力，将硅片表面的污染物剥离下来的方法。喷洗清洗则是通过高速喷射的液体流动来冲击和清洗硅片表面的污染物。旋转清洗则是将硅片浸泡在清洗液中，通过旋转硅片来增加清洗液与硅片表面的接触面积，从而加强清洗效果。 化学清洗主要是利用化学反应来去除硅片表面的有机和无机污染物。常见的化学清洗方法有酸洗、碱洗和氧化洗等。酸洗是通过将硅片浸泡在酸性溶液中，利用酸对污染物进行化学反应，从而去除硅片表面的有机和无机污染物。碱洗则是利用碱性溶液对硅片表面的污染物进行中和和溶解，从而实现清洗的目的。氧化洗则是将硅片置
于氧化剂溶液中，利用氧化剂对硅片表面的污染物进行氧化和溶解。 二、硅片清洗工艺的现状 硅片清洗工艺已经非常成熟，并且在半导体工业中得到广泛应用。随着半导体器件的不断发展和制造工艺的不断进步，硅片清洗工艺也在不断改进和创新。 在物理清洗方面，超声波清洗是目前最常用的物理清洗方法之一。它具有清洗效果好、能耗低的优点，可以在不损伤硅片表面的情况下去除硅片表面的污染物。此外，喷洗清洗和旋转清洗也得到了广泛的应用。 在化学清洗方面，酸洗和碱洗仍然是主要的化学清洗方法。但是，由于酸洗和碱洗会产生大量的废液和废气，对环境造成污染，因此研究人员正在寻找更环保的清洗方法。例如，一些研究者正在开发利用超临界流体进行清洗的方法，超临界流体具有较高的溶解能力和较低的粘度，可以更彻底地去除硅片表面的污染物，并且不会对环境造成污染。 随着半导体器件的尺寸不断缩小，对硅片清洗工艺的要求也越来越高。研究人员正在开发一些新的清洗方法，例如离子束清洗、等离子体清洗和激光清洗等，这些方法可以更精确地去除硅片表面的污染物，并且可以控制清洗的深度和范围。
硅片清洗原理
一.硅片的化学清洗工艺原理 硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类： A.有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。 B. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除≥ 0.2 μm颗粒。 C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类： a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。 a.使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 b.用无害的小直径强正离子（如H+）来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于清洗液中。 c. 用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。 自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术。⑶美国VERTEQ 公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）。⑷美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）。⑸日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平。⑹以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。 目前常用H2O2作强氧化剂，选用HCL作为H+的来源用于清除金属离子 SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。 由于溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。为此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。 SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。 二. RCA清洗技术 传统的RCA清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统 清洗工序：SC-1 → DHF → SC-2 1. SC-1清洗去除颗粒：⑴目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。
硅片的化学清洗总结
硅片的化学清洗总结 硅片清洗的一般原则是首先去除表面的有机沾污；然后溶解氧化层(因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷)；最后再去除颗粒、金属沾污，同时使表面钝化。 清洗硅片的清洗溶液必须具备以下两种功能:(1)去除硅片表面的污染物。溶液应具有高氧化能力，可将金属氧化后溶解于清洗液中，同时可将有机物氧化为CO2和H2O；(2)防止被除去的污染物再向硅片表面吸附。这就要求硅片表面和颗粒之间的Z电势具有相同的极性，使二者存在相斥的作用。在碱性溶液中，硅片表面和多数的微粒子是以负的Z电势存在，有利于去除颗粒；在酸性溶液中，硅片表面以负的Z电势存在，而多数的微粒子是以正的Z电势存在，不利于颗粒的去除。 1传统的RCA清洗法 1.1主要清洗液 1.1.1 SPM（三号液）（H2SO4∶H2O2∶H2O） 在120～150℃清洗10min左右，SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。经SPM清洗后，硅片表面会残留有硫化物，这些硫化物很难用去粒子水冲洗掉。由Ohnishi提出的SPFM(H2SO4/H2O2/HF)溶液，可使表面的硫化物转化为氟化物而有效地冲洗掉。由于臭氧的氧化性比H2O2的氧化性强，可用臭氧来取代H2O2(H2SO4/O3/H2O称为SOM溶液)，以降低H2SO4的用量和反应温度。H2SO4(98%):H2O2(30%)=4:1 1.1.2 DHF（HF(H2O2)∶H2O） 在20～25℃清洗30s腐蚀表面氧化层，去除金属沾污，DHF清洗可去除表面氧化层，使其上附着的金属连同氧化层一起落入清洗液中，可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，但不能充分地去除Cu。HF：H2O2=1：50。
硅片清洗原理与方法介绍
硅片清洗原理与方法介绍 1引言 硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后，表面已经受到严重的沾污，清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。 2硅片清洗的常用方法与技术 在半导体器件生产中，大约有20％的工序和硅片清洗有关，而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段，以达到清洗的目的。 由于晶盟现有的清洗设备均为Wet-bench类型，因此本文重点对湿法化学清洗的基本原理、常用方法及其它与之密切相关的技术手段等进行论述 3．1湿法化学清洗 化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，或伴以超声、加热、抽真空等物理措施，使杂质从被清除物体的表面脱附（解吸），然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗，其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位，因此有必要首先对湿法化学清洗及与之相关的技术进行全面的介绍。3．1．1常用化学试剂、洗液的性质 常用化学试剂及洗液的去污能力，对于湿法化学清洗的清洗效率有决定性的影响，根据硅片清洗目的和要求选择适当的试剂和洗液是湿法化学清洗的首要步骤。
表一、用以清除particle、metal、organic、nature-oxide的适当化学液 3．1．2溶液浸泡法 溶液浸泡法就是通过将要清除的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法，它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅片表面污染杂质的目的。 选用不同的溶液来浸泡硅片可以达到清除不同类型表面污染杂质的目的。如采用有机溶剂浸泡来达到去除有机污染的目的，采用1号液（即SC1，包含H2O2、NH3OH化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除有机、无机和金属离子的目的，采用2号液（即SC2，包含HCL、H2O2化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除AL、Fe、Na等金属离子的目的。 单纯的溶液浸泡法其效率往往不尽人意，所以在采用SC1浸泡的同时往往还辅以加热、超声或兆声波、摇摆等物理措施。 3．1．3超声波清洗技术 超声波清洗是半导体工业中广泛应用的一种清洗方法，该方法的优点是：清洗效果好，操作简单，对于复杂的器件和容器也能清除，但该法也具有噪音较大、换能器易坏的缺点。 该法的清理原理如下：在强烈的超声波作用下（常用的超声波频率为20kHz到40kHz 左右），液体介质内部会产生疏部和密部，疏部产生近乎真空的空腔泡，当空腔泡消失的瞬间，其附近便产生强大的局部压力，使分子内的化学键断裂，因此使硅片表面的杂质解吸。当超声波的频率和空腔泡的振动频率共振时，机械作用力达到最大，泡内积聚的大量热能，使温度升高，促进了化学反应的发生。
硅片清洗原理与方法综述
2.4硅片清洗的一般程序 杂质可以分为分子型，离子型和原子型三种情况。分子型大多为油脂类的杂质，有疏水性。离子和原子型为化学吸附杂质，其吸附力较强。所以步骤为去分子→去离子→去原子→去离子水清洗。另外为了取出硅片表面的氧化层，常要增加一个稀氢氟酸浸泡步骤。 3.1湿法化学清洗 利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或融解作用，或伴以超声，加热，抽真空等物理措施，使杂事从被清除的物体的表面脱附，然后用大量的高纯热，冷去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。 3.1.1常用化学试剂及洗液的性质 3.1.2溶液浸泡法 最简单，最常用的方法，但是效率往往不及如人意，所以往往伴以加热，超声，搅拌等物理措施。 3.13机械擦洗法 高压擦片机由于无机械摩擦，则不会划伤硅片的表面，而且可以达到清除槽痕里的沾污。 3.14超声波清洗技术 其优点是：清洗效果号，操作简单，对于复杂的器件和容器也能清洗。 原理：在频率为20kHz到40kHz的超声波的作用下，液体介质内部会产生疏部和密部，疏部产生近乎真空的空腔泡，当空腔泡消失的瞬间，其附近便产生强大的局部压力。使分子内部的化学键断裂，一次使硅片表面的杂质解吸。当超声波的频率和空腔泡的振动频率共振时，机械作用力达到最大，泡内积聚的大量热能，时温度升高，促进了化学反应的发生。 它的效果与温度，压力，超声频率，功率等有关，小于1μm的颗粒的去除效果的并不太好。 3.15兆声波清洗技术 机理：又高能（850khz）频振效应并结合化学清洗剂的化学反应对硅片进行清洗的。在清洗的时候，由换能器发出不哦成为1.5μm频率为0.8兆赫的高能声波。溶液分子产生瞬时速度为30cm/s的流体波。 它可以去处小于0.2μm的粒子。 3.16旋转喷林法
硅片表面污染及清洗机理
在半导体材料的制备过程中，每一道工序都涉及到清洗，而且清洗的好坏直接影响下一道工序，甚至影响器件的成品率和可靠性。由于ULSI集成度的迅速提高和器件尺寸的减小，对于晶片表面沾污的要求更加严格，ULSI工艺要求在提供的衬底片上吸附物不多于500个/m20.12um，金属污染小于 1010atom/cm2。晶片生产中每一道工序存在的潜在污染，都可导致缺陷的产生和器件的失效。因此，硅片的清洗引起了专业人士的重视。以前很多厂家都用手洗的方法，这种方法人为的因素较多，一方面容易产生碎片，经济效益下降，另一方面手洗的硅片表面洁净度差，污染严重，使下道工序化抛腐蚀过程中的合格率较低。所以，硅片的清洗技术引起了人们的重视，找到一种简单有效的清洗方法是当务之急。本文介绍了一种超声波清洗技术，其清洗硅片的效果显著，是一种值得推广的硅片清洗技术。硅片表面污染的原因：晶片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏而成为悬空键，形成表面附近的自由力场，尤其磨片是在铸铁磨盘上进行，所以铁离子的污染就更加严重。同时，由于磨料中的金刚砂粒径较大，造成磨片后的硅片破损层较大，悬挂键数目增多，极易吸附各种杂质，如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子、硅粉粉尘等，造成磨片后的硅片易发生变花、发蓝、发黑等现象，使磨片不合格。硅片清洗的目的就是要除去各类污染物，清洗的洁净程度直接决定着ULSI向更高集成度、可靠性、成品率发展，这涉及到高净化的环境、水、化学试剂和相应的设备及配套工艺，难度越来越大，可见半导体行业中清洗工艺的重要性。实验及结果分析 1.实验设备和试剂实验设备：TE-6000硅片清洗机实验使用的试剂：有机碱、Q325-B清洗剂、活性剂、去离子水、助磨剂 2.实验过程（1）超声波清洗的基本原理利用28KHz以上的电能，经超声波换能器转换成高频机械振荡而传入到清洗液中。超声波在清洗液中疏密相间地向前辐射，使液体流动，并不停地产生数以万计的微小气泡。这些气泡是在超声波纵向传播的负压区形成及生长，而在正压区迅速闭合。这种微小气泡的形成、生成迅速闭合称为空化现象，在空化现象中气泡闭合时形成超过1000个大气压的瞬时高压，连续不断产生的瞬时高压，像一连串小爆炸不停地轰击物体表面，使物体及缝隙中的污垢迅速剥落。这种空化侵蚀作用就是超声波清洗的基本原理。（2）清洗工艺流程自动上料→去离子水＋超声波清洗＋抛动→碱液＋超声波清洗＋抛动→去离子水＋超声波清洗＋抛动→碱液＋超声波清洗＋抛动→碱液＋超声波清洗＋抛动→去离子水＋超声波清洗＋抛动＋溢流→去离子水＋超声波清洗＋抛动＋溢流→自动下料（3）清洗液的最佳配比的确定取4″及500祄厚的硅片做十组实验，固定5分钟清洗时间及超声清洗的温度，见下面列表。从表中观察不同条件下硅片表面，用荧光灯照射表面可清楚看出硅表面的洁净程度。因此得出清洗液的最佳配比为活性剂:清洗剂: 去离子水=0.10:1.00:7.0 通过实验发现当清洗剂的浓度越低，越有利于水的清洗，但清洗剂的浓度不能低于15，否则清洗效果反而降低。（4）超声清洗时间的确定将磨片分为十组，以上述最佳配比为清洗液超声清洗，按不同的时间分为十批清洗，清洗时间分别是1，2，3，4，5，6，7，8，9，10min。同时用去离子水代替清洗液同样条件下做对比实验，得出结论，清洗剂的清洗效果明显好于去离子水，而且超声清洗时间在3min清洗效果就已经比较理想了。（5）超声清洗温度的确定非离子表面活性剂在液固界面的吸附量随温度升高而增加。这是因为在低温时非离子表面活性剂与水完全混溶，亲水基聚氧乙烯与水形成的氢键能量低，当温度升高后，分子的热运动加剧，致使氢键破坏，使非离子表面活性剂在水中的溶解度下降，温度升高到一定值时，非离子表面活性剂从水溶液中析出变混浊，此温度即为浊点。因此温度升高时非离子表面活性剂逃离水的趋势增强，吸附量增大。温度对非离子表面活性剂的去污能力的影响是明显的，当温度接近于浊点时，清洗效果最好。通过实验得出30～50℃之间均可，但45℃为最佳。（6）扫描电子显微镜的观察通过扫描电子显微镜能谱分析可以得出：研磨片的表面黑点主要是颗粒污染物和碳元素聚集物。 3. 实验结果和讨论（1）硅片经过磨片工序后，一直使硅片处于去离子水中浸泡状态，这样在经过清洗机清洗后表面洁净，在
半导体光伏硅片芯片电池片清洗的清洗标准工艺
半导体、光伏硅片、芯片、电池片旳清洗工艺 一. 硅片旳化学清洗工艺原理 硅片通过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大体可分在三类： A. 有机杂质沾污：可通过有机试剂旳溶解作用，结合超声波清洗技术来 清除。 B. 颗粒沾污：运用物理旳措施可采机械擦洗或超声波清洗技术来清除粒径≥ 0.4 μm 颗粒，运用兆声波可清除≥ 0.2 μm颗粒。 C. 金属离子沾污：必须采用化学旳措施才干清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类： a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 b. 另一类是带正电旳金属离子得到电子背面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。 硅抛光片旳化学清洗目旳就在于要清除这种沾污，一般可按下述措施进行清洗清除沾污: A. 使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面旳金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 B. 用无害旳小直径强正离子（如H+）来替代吸附在硅片表面旳金属离子，使之溶解于清洗液中。 C. 用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中旳金属离子。 自1970年美国RCA实验室提出旳浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA 实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基本旳多种清洗技术不断被开发出来，例如： ⑴美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。 ⑵美国原CFM公司推出旳Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术。 ⑶美国VERTEQ公司推出旳介于浸泡与封闭式之间旳化学清洗技术（例Goldfinger
Mach2清洗系统）。 ⑷美国SSEC公司旳双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）。 ⑸日本提出无药液旳电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面干净技术达到了新旳水平。 ⑹以HF / O3为基本旳硅片化学清洗技术。 目前常用H2O2作强氧化剂，选用HCL作为H+旳来源用于清除金属离子。 SC-1是H2O2和NH4OH旳碱性溶液，通过H2O2旳强氧化和NH4OH旳溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水旳冲洗而被排除。 由于溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水旳冲洗而被清除。 为此用SC-1液清洗抛光片既能清除有机沾污，亦能清除某些金属沾污。 SC-2是H2O2和HCL旳酸性溶液，它具有极强旳氧化性和络合性，能与氧此前旳金属作用生成盐随去离子水冲洗而被清除。被氧化旳金属离子与CL-作用生成旳可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被清除。 在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好旳效果。 二. RCA清洗技术 老式旳RCA清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统 清洗工序： SC-1 → DHF → SC-2 1. SC-1清洗清除颗粒： ⑴目旳：重要是清除颗粒沾污（粒子）也能清除部分金属杂质。 ⑵清除颗粒旳原理： 硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面旳颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。
碳化硅晶片清洗工艺
碳化硅晶片清洗工艺 一、引言 碳化硅晶片是一种基础材料，在电子、光电、半导体等领域有广泛应用。为了保证碳化硅晶片的质量和性能，清洗工艺显得尤为重要。本文将介绍碳化硅晶片清洗工艺的原理、步骤和注意事项，以确保清洗效果和生产质量。 二、工艺原理 碳化硅晶片清洗工艺的原理是通过化学反应和物理作用去除表面的污染物。常用的清洗方法包括溶剂清洗、酸洗和超声波清洗。溶剂清洗主要用于去除有机污染物，酸洗主要用于去除无机污染物，超声波清洗则可以加速清洗过程和提高清洗效果。 三、工艺步骤 碳化硅晶片清洗的一般步骤如下： 1. 预处理：将待清洗的碳化硅晶片放入预处理槽中，使用溶剂进行浸泡清洗，去除表面的有机污染物。 2. 酸洗：将经过预处理的碳化硅晶片放入酸洗槽中，使用稀酸溶液（如盐酸）进行酸洗处理，去除表面的无机污染物。注意控制酸洗时间和酸洗液的浓度，避免对硅片造成损害。 3. 漂洗：将酸洗后的碳化硅晶片进行充分的漂洗，去除酸洗液残留。漂洗可以使用去离子水或纯净水，确保漂洗效果。 4. 超声波清洗：将漂洗后的碳化硅晶片放入超声波清洗槽中，通过
超声波振动的作用，进一步去除表面的污染物。超声波清洗可以加速清洗过程和提高清洗效果。 5. 漂洗：将超声波清洗后的碳化硅晶片进行再次漂洗，确保清洗彻底，不留任何残留物。 6. 干燥：将漂洗后的碳化硅晶片进行干燥处理，去除水分。干燥可以通过自然风干或使用干燥箱等设备进行。 7. 检验：对清洗后的碳化硅晶片进行质量检验，确保清洗效果符合要求。 四、注意事项 在碳化硅晶片清洗过程中，需要注意以下事项： 1. 选择合适的清洗剂和清洗条件，避免对碳化硅晶片造成损害。 2. 控制清洗时间和温度，避免过长或过高导致晶片变形或损坏。 3. 使用纯净的水源和清洁的设备，防止二次污染。 4. 操作人员需佩戴防护手套和眼镜，避免化学品对皮肤和眼睛的伤害。 5. 清洗后的碳化硅晶片应储存于洁净环境中，避免二次污染。 五、总结 碳化硅晶片清洗工艺是保证碳化硅晶片质量和性能的关键环节。通过合理选择清洗方法和控制清洗条件，可以有效去除表面的有机和无机污染物，提高晶片的质量和可靠性。在实际操作中，需要严格按照清洗步骤和注意事项进行，确保清洗效果和生产质量。通过持
半导体硅片RCA清洗技术
半导体硅片RCA 清洗技术 传统的RCA 清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统 清洗工序：SC-1 —DHF —SC-2 1. SC-1 清洗去除颗粒： ⑴ 目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。 ⑵ 去除颗粒的原理： 硅片表面由于H2O2 氧化作用生成氧化膜（约6nm 呈亲水性），该氧化膜又 被NH4OH 腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。 ①自然氧化膜约0.6nm 厚，其与NH4OH、H2O2 浓度及清洗液温 度无关。 ②SiO2 的腐蚀速度，随NH4OH 的浓度升高而加快，其与H2O2 的浓度无关。 ③Si 的腐蚀速度，随NH4OH 的浓度升高而快，当到达某一浓度后为一定值，H2O2 浓度越高这一值越小。 ④NH4OH 促进腐蚀，H2O2 阻碍腐蚀。 ⑤若H2O2 的浓度一定，NH4OH 浓度越低，颗粒去除率也越低，如果同时降低 H2O2 浓度,可抑制颗粒的去除率的下降。 ⑥随着清洗洗液温度升高，颗粒去除率也提高，在一定温度下可达最大值。 ⑦颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关，为确保颗粒的去除要有一定量以上的腐 蚀。 ⑧超声波清洗时，由于空洞现象，只能去除> 0.4卩m颗粒。兆声清洗时， 由于0.8Mhz的加速度作用，能去除> 0.2卩m颗粒，即使液温下降到40C也能得到与80E超声清洗去除颗粒的效果，而且又可避免超声洗晶片产生损伤。 ⑨在清洗液中，硅表面为负电位，有些颗粒也为负电位，由于两者的电的排斥力作用，可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正电位，由于两者电的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。 ⑶. 去除金属杂质的原理： ①由于硅表面的氧化和腐蚀作用，硅片表面的金属杂质，将随腐蚀层而进入清洗液
光伏硅片清洗机工作原理
光伏硅片清洗机工作原理 光伏硅片清洗机是一种专门用于清洗光伏硅片的设备，其工作原理是通过一系列的步骤对光伏硅片进行清洗，以提高光伏发电系统的效率和稳定性。 光伏硅片清洗机的工作原理主要包括以下几个步骤： 1. 预处理：在清洗之前，光伏硅片需要经过预处理。预处理的目的是去除硅片表面的污垢和杂质，以便后续的清洗工作更加彻底。预处理通常包括使用溶液对硅片进行浸泡，以软化和溶解表面的污垢。预处理的时间和溶液的浓度可以根据实际情况进行调整。 2. 清洗：在预处理之后，光伏硅片进入清洗阶段。清洗通常使用喷淋或浸泡的方式进行。喷淋清洗是指将清洗液通过喷嘴均匀地喷洒在硅片表面，以去除表面的污垢。浸泡清洗是指将硅片浸泡在清洗液中，使清洗液能够充分接触到硅片表面，以去除污垢。清洗液通常是一种具有较强清洁能力的溶液，可以有效去除表面的污垢和杂质。 3. 冲洗：清洗完毕后，光伏硅片需要进行冲洗，以去除清洗液和残留的污垢。冲洗通常使用高压喷水的方式进行，可以将硅片表面的残余物质冲洗干净。冲洗时需要注意控制喷水的压力和角度，以避免对硅片造成损害。
4. 干燥：冲洗完毕后，光伏硅片需要进行干燥以去除表面的水分。干燥通常使用热风或真空的方式进行。热风干燥是指利用热风将硅片表面的水分蒸发掉，真空干燥是指将硅片置于真空环境中，利用真空吸附和蒸发的方式去除水分。干燥的时间和温度可以根据实际情况进行调整，以确保硅片表面完全干燥。 光伏硅片清洗机的工作原理简单明了，通过预处理、清洗、冲洗和干燥等步骤，能够有效地清洗光伏硅片表面的污垢和杂质，提高光伏发电系统的效率和稳定性。同时，光伏硅片清洗机还具有自动化、高效率和节能环保等特点，能够满足光伏发电系统对清洗设备的要求。 光伏硅片清洗机的工作原理是通过预处理、清洗、冲洗和干燥等步骤对光伏硅片进行清洗，以提高光伏发电系统的效率和稳定性。其工作原理简单明了，操作方便，能够满足光伏发电系统对清洗设备的要求。光伏硅片清洗机在光伏发电系统中的应用前景广阔，对于推动光伏发电技术的发展具有重要意义。
臭氧清洗硅片的原理
臭氧清洗硅片的原理 1. 硅片表面污染问题 在半导体制造过程中，硅片是制作芯片的基础材料。然而，由于制造过程中的各种环境和操作因素，硅片表面常常会被污染物所污染，如有机物、金属离子、灰尘等。这些污染物会降低芯片的性能和可靠性，因此必须采取措施对硅片进行清洗。 2. 传统清洗方法存在的问题 传统的硅片清洗方法主要包括化学溶液浸泡、超声波清洗、喷淋清洗等。然而，这些方法存在一些问题： 2.1 无法彻底去除有机物 传统方法无法彻底去除硅片表面的有机物污染。有机物通常具有较强的黏附性，在传统方法中很难完全去除。 2.2 氧化物残留 传统方法使用氢氟酸等强酸溶液进行清洗时，容易在硅片表面产生氧化物膜，并且很难完全去除。这种氧化物膜会对芯片的性能产生不利影响。 2.3 溶液残留 传统方法中使用的溶液在清洗完毕后难以完全去除，残留的溶液可能对芯片产生腐蚀或污染。 3. 臭氧清洗原理 臭氧清洗是一种新型的硅片清洗方法，采用臭氧气体作为清洗介质。其基本原理如下： 3.1 臭氧生成 臭氧是一种具有强氧化性的分子，可以对有机物进行高效、彻底的氧化分解。臭氧在大气中无法稳定存在，因此需要通过臭氧发生器生成。 3.2 臭氧与污染物反应 生成的臭氧通过喷射或吹扫等方式送入硅片表面。臭氧与表面污染物发生反应，将有机物分解为水和二氧化碳等无害物质，同时也能去除金属离子等无机污染物。
3.3 臭氧降解 臭氧分子在与污染物反应后会逐渐降解为普通的氧分子，并且不会残留在硅片表面。臭氧的降解速度较快，不会对芯片产生不利影响。 3.4 清洗效果验证 清洗过程结束后，需要对清洗效果进行验证。常用的方法是使用表面电子能谱仪（XPS）等仪器对硅片表面进行分析，评估清洗效果。 4. 臭氧清洗的优势 相比传统的清洗方法，臭氧清洗具有以下优势： 4.1 高效彻底 臭氧具有强氧化性，能够高效彻底地分解有机物污染物，相比传统方法能够更好地去除污染物。 4.2 无残留物 臭氧在反应后会降解为普通的氧分子，并且不会残留在硅片表面。这意味着臭氧清洗后的硅片不仅无污染物残留，也没有溶液残留。 4.3 不产生新污染物 传统方法中使用的化学溶液可能会产生新的污染物，而臭氧清洗是一种干净的清洗方法，不会产生新的污染物。 4.4 适用广泛 臭氧清洗方法适用于各种硅片制造工艺，无论是晶圆制备、薄膜沉积还是芯片封装等环节都可以采用臭氧清洗。 5. 臭氧清洗的应用 臭氧清洗方法已经在半导体制造领域得到广泛应用。除了硅片清洗外，臭氧清洗还可以应用于其他材料的表面清洗，如玻璃、陶瓷等。 6. 结论 臭氧清洗是一种高效、彻底、无残留的硅片清洗方法。其通过利用臭氧的强氧化性能够高效去除硅片表面的污染物，并且不会产生新的污染物。相比传统方法，臭氧清洗在半导体制造过程中具有更多的优势，因此被广泛应用于该领域。
硅片清洗工艺：RCA湿法清洗与有机洗
清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化。 RCA标准清洗法： （1）SPM：H2SO4 /H2O2 =7：3，120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。 （2）HF(DHF)：HF/H2O=1：10，20～25℃（2%的HF，10min） DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。 （3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O=1：1：5~1：2：5，30～80℃（去离子水、30%过氧化氢、25%的氨水） 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。 （4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2O= 1：1：6~1：2：8，65～85℃，（去离子水、30%过氧化氢、25%的盐酸） 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。 清洗时，一般应在75～85℃条件下清洗，清洗15分钟左右，然后用去离子水冲洗干净。
硅片的清洗与制绒
硅片的清洗与制绒 导语：硅片在经过一系列的加工程序之后需要进行清洗，清洗的目的是要消除吸附在硅片表面的各类污染物，并制做能够减少表面太阳光反射的绒面结构（制绒）， 且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。制绒是制造晶硅电池的第一道工艺，又称表面织构化”。有效的绒面结构使得入射光在硅片表面多次反 射和折射，增加了光的吸收，降低了反射率，有助于提高电池的性能。 1.清洗的目的 经切片、研磨、倒角、抛光等多道工序加工成的硅片，其表面已吸附了各种杂质，如颗粒、金属粒子、硅粉粉尘及有机杂质，在进行扩散前需要进行清洗，消除各类污染物，且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。清洗主要是利用成如下的工艺: NaOH、HF、HCL等化学液对硅片进行腐蚀处理, ①去除硅片表面的机械损伤层。 ②对硅片的表面进行凹凸面（金字塔绒面）处理，增加光在太阳电池片表面的折射次数，利于太阳电池片对光的吸收，以达到电池片对太阳能价值的最大利用率。 ③清除表面硅酸钠、氧化物、油污以及金属离子杂质。
2.清洗的原理 □ L. 10** Wetaii iimpuf iry coooentraiton (aionnZcni^ I 图1金属杂质对电池性能的影响 10 * 10 10 Cd Cu & F0 Ti V P-(VF* Mi Al Uet>|| impor^ty 10 10 J 10 10 1 Zt 0 3 6 4 2 t a ft a
!SiO; + 6HF T HjSff』+ 】比O ①HF去除硅片表面氧化层。
②HCI 去除硅片表面金属杂质：盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与溶解片子表面可能沾污的杂质，铝、镁等活泼金属及其它氧化物。但不能 溶解铜、银、金等不活泼的金属以及二氧化硅等难溶物质。 3.安全提示 NaOH 、HCI 、HF 都是强腐蚀性的化学药品，其固体颗粒、溶液、蒸汽会伤害到人的皮肤、眼睛、呼吸道，所以操作人员要按照规定穿戴防护服、防护 面具、防护眼镜、长袖胶皮手套。一旦有化学试剂伤害了员工的身体，马上用纯水冲洗 ・制绒 1.制绒的目的和原理 目的：减少光的反射率，提高短路电流（ Isc ），最终提高电池的光电转换效 率。 原理：①单晶硅：制绒是晶硅电池的第一道工艺，又称 晶硅来说，制绒是利用碱对单晶硅表面的各向异性腐蚀， 四面方锥体。目前工业化生产中通常是根据单晶硅片的各项异性特点采用 碱与 ②多晶硅：利用硝酸的强氧化性和氢氟酸的络合性，对硅进行氧化和络合剥 离，导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀， 从而形成类似 凹陷坑”状的绒面, 如图3所示。 Si + HN6 T Si02 + NS 个 + H20 状的绒面，如图2所示。 S“2忡应心+2山个 醇的混合溶液对＜100〉晶面进行腐蚀，从而在单晶硅片表面形成类似 金字塔” SiO2*6HFT H ⑸F&+ 220 30分钟，送医院就医。 表面织构化”。对于单 在硅表面形成无数的
太阳能硅片的化学清洗技术
太阳能硅片的化学清洗技术 一.硅片的化学清洗工艺原理硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：A.有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。B.颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径≥0.4µm颗粒，利用兆声波可去除≥0.2µm颗粒。C.金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：a.一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。b.另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如“电镀”)到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。a.使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。b.用无害的小直径强正离子(如H+)来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于清洗液中。c.用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。自1970年美国RCA 实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：⑴美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。⑵美国原CFM公司推出的Full-Flowsystems封闭式溢流型清洗技术。⑶美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术(例GoldfingerMach2清洗系统)。⑷美国SSEC公司的双面檫洗技术(例M3304DSS清洗系统)。 ⑸日本提出无药液的电介离子水清洗技术(用电介超纯离子水清洗)使抛光片表面洁净技术达到了新的水平。⑹以HF/O3为基础的硅片化学清洗技术。目前常用H2O2作强氧化剂，选用HCL作为H+的来源用于清除金属离子。SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。由于溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。为此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。二.RCA清洗技术传统的RCA清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统清洗工序：SC-1→DHF→SC-21.SC-1清洗去除颗粒：(1)目的：主要是去除颗粒沾污(粒子)也能去除部分金属杂质。1234
rca 清洗硅片原理
rca 清洗硅片原理 RCA清洗硅片原理 引言： 硅片是集成电路制造中的重要材料，其表面的纯净度对电路性能起着至关重要的作用。然而，在制造过程中，硅片表面常常会受到各种污染物的污染，影响其品质和效果。为了保证硅片的质量，需要对其进行清洗处理。RCA清洗法是一种常用的硅片清洗方法，本文将介绍RCA清洗硅片的原理。 一、RCA清洗法简介 RCA清洗法是一种使用一氧化氮、硫酸和过氧化氢的混合液体对硅片进行清洗的方法。其名称来源于该方法的发明者Robert W. K. Ried、David L. Scheiber和William J. Grove的姓氏首字母缩写。RCA清洗法以其高效、彻底和可控的特点，成为了半导体工业中最常用的硅片清洗方法之一。 二、RCA清洗硅片的原理 RCA清洗硅片的原理主要基于化学反应和表面张力的作用。 1. 化学反应 RCA清洗法使用的混合液体包含一氧化氮、硫酸和过氧化氢。这三种成分分别负责去除有机污染物、金属离子和有机残留物。
- 一氧化氮（HNO）：一氧化氮具有强氧化性，能够迅速分解有机物，去除硅片表面的有机污染物。 - 硫酸（H2SO4）：硫酸具有强酸性，能够与金属离子发生反应，将其从硅片表面去除。 - 过氧化氢（H2O2）：过氧化氢是一种氧化剂，能够去除硅片表面的有机残留物。 通过混合液体中这三种成分的协同作用，可以有效去除硅片表面的污染物，使硅片恢复到纯净的状态。 2. 表面张力 RCA清洗法中，硅片在混合液体中的悬浮液中进行清洗。悬浮液的表面张力能够帮助在硅片表面形成均匀的液膜，使清洗液能够充分接触并清洗硅片表面的污染物。悬浮液的表面张力不仅可以保证清洗液的均匀分布，还能够使清洗液在硅片表面形成薄膜，提高清洗效果。 三、RCA清洗硅片的步骤 RCA清洗法一般分为两个步骤：预清洗和主清洗。 1. 预清洗 预清洗主要是为了去除硅片表面的有机污染物，准备好进一步的主清洗。预清洗的具体步骤如下： （1）将硅片浸入一氧化氮溶液中，去除表面的有机污染物。