湿法刻蚀毕业论文
苏州市职业大学
毕业设计（论文）说明书
设计（论文）题目太阳能电池片湿刻蚀的应用系电子信息工程系专业班级08电气2
姓名李华宁
学号087301218
指导教师孙洪
年月日
太阳能电池片湿刻蚀的应用
摘要
湿刻就是湿法刻蚀，它是一种刻蚀方法，主要在较为平整的膜面上刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射，刻蚀可用稀释的盐酸等。湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。着重研究各种化学品的流量对电池片刻蚀深度的影响。首先查看各种资料，掌握本课题相关的知识:通过对氢氟酸，硝酸，盐酸，氢氧化钠等化学品流量，温度，湿度等对太阳能电池片的影响。通过技术软件分析，优化工艺参数，得到最优参数。
关键词：湿法刻蚀；腐蚀；流量；太阳能电池
Solar cell wet etching application
Abstract
Wet carved is wet etching, it is a kind of etching method, mainly in the relatively flat membrane surface, thereby increasing suede carving out process, reduce light light reflection, etching available dilute hydrochloric acid etc. Wet etching is will etching materials soaked in a mordant within the corrosion of technology. It is a kind of pure chemical etching, has excellent selectivity, etching the current film will cease, and won't damaged following a layer of film to other materials. Research on various chemicals to the flow the influence of battery piece etching depth. First check all kinds of material, grasps this topic relevant knowledge: by hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide etc chemicals flow, temperature, humidity and so on the influence of solar cell. Through technology software analysis, optimization of process parameters, obtain optimal parameters.
Keyword:wet etching; Corrosion; Flow; Solar battery
目录
摘要 (1)
目录 (3)
第一章前言 (5)
第二章湿法刻蚀及成长工艺 (8)
2.1湿法刻蚀的基本过程 (8)
2.2 主要的化学反应 (8)
2.3 湿法刻蚀的生长工艺 (8)
2.3.1湿法刻蚀的定义 (8)
2.3.2 湿法刻蚀的原理 (8)
第三章刻蚀的应用 (10)
3.1 湿法刻蚀硅 (10)
3.2 湿法刻蚀二氧化硅 (11)
3.3 湿法刻蚀氮化硅 (11)
3.4 湿法刻蚀铝 (12)
3.5 图形生成的LIFT－OFF技术 (12)
3.5.1 Lift-off的原理 (12)
3.5.2 Lift-off的好处 (13)
3.5.3 为lift-off而作的模板层 (13)
3.5.4 lift-off工艺过程 (13)
第四章刻蚀的重要参数 (15)
4.1 刻蚀速率 (15)
4.2 刻蚀剖面 (15)
4.3 刻蚀偏差 (15)
4.4 选择比 (15)
4.5 均匀性 (16)
4.6 残留物 (16)
4.7 聚合物 (17)
4.8 等离子体诱导损伤 (17)
4.9 颗粒沾污 (17)
第五章湿法刻蚀工艺技术 (18)
5.1 简述 (18)
5.2 湿法刻蚀 (18)
5.3 湿法刻蚀的过程 (18)
5.4 二氧化硅的湿法刻蚀 (18)
5.4.1 影响腐蚀质量的因素 (19)
5.5 硅的刻蚀 (19)
第六章刻蚀技术新进展 (21)
6.1 四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法刻蚀 (21)
6．2 软刻蚀 (21)
6.3 终点检测 (22)
6.3.1光学放射频谱分析 (22)
6.3.2激光干涉测量 (22)
6.3.3质谱分析法 (23)
参考文献 (24)
致谢 (25)
第一章前言
湿刻就是湿法刻蚀：是刻蚀的一种方法,其他的有干刻蚀，等离子刻蚀等。湿法刻蚀是利用高能量，极短脉冲的激光，使物质瞬间被汽化，不伤及周围物质，并可精确的控制作用深度。因此，使刻蚀精确。
湿法刻蚀是利用合适的化学试剂先将未被光刻胶覆盖的晶片部分分解，然后转成可溶的化合物达到去除的目的。这种刻蚀技术主要是借助腐蚀液和晶片材料的化学反应，因此我们可以借助化学试剂的选取、配比以及温度的控制等来达到合适的刻蚀速率和良好的刻蚀选择比。一般湿法刻蚀是各向同性的(isotropic)，一次再把光刻图形转移到晶片上的同时，腐蚀也会向着横向进行。
硅材料中含有大量的杂质和缺陷,导致硅中少数载流子寿命及扩散长度降低。为提高硅太阳电池的效率,首先必须对硅材料中具有电活性的杂质和缺陷进行钝化和清洗。近年来,湿刻中的钝化作用和清洗引起人们广泛的关注,它具有低温、高效率成本比等优点,并能一次性完成钝化和清洗去除杂质。一系列的文献都报导了采用湿刻蚀能够去除硅表面的杂质和金属离子, 最终提高电池的效率。虽然湿法刻蚀可使硅材料性能有所提高,但至今仍未得到系统的研究。在湿刻过程中，硅片表面的磷硅玻璃和金属离子被有效去除，从而提高了硅片的使用效率。
通过在硅片上制作电子器件，然后淀积介质层和导电材料把器件连接起来，可以把硅片制成许多有功能的微芯片。这是半导体制造早期使用的硅片制造平面工艺的概念。
一般来说，互连材料淀积在硅片表面，然后有选择地去除它，就形成了由光刻技术定义的电路图形。这一有选择性地去除材料的工艺过程，叫做刻蚀，在显影检查完后进行。刻蚀工艺的正确进行是很关键的，否则芯片将不能工作。更重要的是，一旦材料被刻蚀去掉，在刻蚀过程中所犯的错误将难以纠正。不正确刻蚀的硅片就只能报废，给硅片制造公司带来损失。
刻蚀的要求取决于要制作的特征图形的类型，如铝合金复合层、多晶硅栅、隔离硅槽或介质通孔。IC结构是复杂的，具有大量需要不同刻蚀参数的材料。特征尺寸的缩小使刻蚀工艺中对尺寸的控制要求更严格，也更难以检测。以刻蚀铝为例来说明，传统的金属化工艺是在硅片表面淀积一层铝合金，然后通过光刻和刻蚀做出互连线，这样不同的金属层通过前面工序在层间介质(ILD)通孔中制成的钨
塞实现了电学连接。随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀ILD介质以形成一个凹槽。制作出一个槽，然后淀积铜来覆盖介质上的图形，再利用化学机械平坦化技术把铜平坦化至介质层的高度。对于大马士革工艺，重点是在介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。
湿法刻蚀技术通常是各向同性的。所以在加工小于3μm线宽的图形时及少用到该技术。在线宽超过3μm宽度的工艺中会用到许多不同的湿法工艺。因为在半导体产品中还有许多部分是大的几何尺寸，湿法工艺还不会被淘汰。在这一部分将会介绍一些湿法刻蚀工艺中较重要的用来满足现在工艺需要的方面.
通常在一个湿法腐蚀工艺可以被分为一些三个步骤
1)：将腐蚀剂扩散到硅片表面。
2)反应；
3)3)反应产物从硅片表面扩散出来。对于第二步，在实际反应之前吸附和在实际反应之后解吸附的过程是很不一样的。其中最慢的步骤将被用来对速度进行控制。就是说在这个步骤的腐蚀速度将成为整个腐蚀过程的速度。
化学腐蚀将通过不同的工艺来实现。最简单的就是在一液体溶剂中分解材料而对于不分解的材料的化学特性没有改变。大多数的刻蚀工艺包括一个以上的化学反应(上面所提的step2)。不同的反应将发生,一个在半导体生产中经常提到的反应就是氧化减小反应(还原)。就是形成一层氧化膜，然后氧化膜被分解，接着又形成一层氧化膜，如(在湿法腐蚀硅和铝中)。在半导体应用中，湿法腐蚀被用来在硅衬底或在薄膜上产生图形。用一层掩膜来保护需要的区域来防止被刻蚀剂腐蚀，在腐蚀结束后这一层掩膜被移去。所以在选择一湿法腐蚀工艺时，除了要有对腐蚀剂有好的选择比，还要考虑掩膜对下层薄膜的粘附能力，对于薄膜的好的覆盖能力在受到腐蚀剂打击时。光刻胶是最常用到的掩膜，但有时它会有很大的不适合。这个问题出现在光刻胶在湿法工艺中作掩膜时，由于腐蚀剂的attack，掩膜的边缘与下面的薄膜的粘附性下降(图12)，使被腐蚀区域增大。光刻胶的边缘腐蚀通过使用六甲基二硅烷(HDMS)的增粘剂来减轻。光刻胶的大面积的失效是由于在衬底和掩膜层上的不同的应力的积累。这个问题可以通过使用柔韧性好的掩膜来使衬底和掩膜上的应力一致(在它们之间会有不同的伸展系数)。
图1
产生泡沫的湿法腐蚀工艺由于衬底粘附泡沫而使图形的分辨变差，特别是在图式的边缘上。泡沫会阻挡腐蚀剂达到需要腐蚀的区域，使腐蚀在这些区域变慢，或停止直到泡沫被移开为止。。所以，在腐蚀中加入wettingagent并加以振动来移走泡沫产生的残留物或碎屑也会小块阻止腐蚀。两个最常产生的后果是：1)显影液槽消耗了腐蚀剂中的活性物质。2)underexposed光刻胶。当光刻胶不再是完全曝光,它将不会完全移走暴露的正性光刻胶，留下一层薄的光刻胶。这层光刻胶在刻蚀之前很难发现到。所以，用新鲜的developer在槽中已经加工了一定数量的硅片后来避免这个问题是很有必要的，在槽式显影工艺中。另外，用氧等
离子体的descum工艺，被用来移去该残留物(见图1)。
第二章湿法刻蚀及成长工艺
2.1湿法刻蚀的基本过程
湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。它主要有以下过程：
?酸洗（去除磷硅玻璃）
?去除PSG（去除边缘PN结）
?水洗
?碱洗（中和前面的酸）
?水洗
?酸洗（去除硅片的金属离子）
?溢流水洗
?吹干
2.2 主要的化学反应
（1）酸洗
SiO2 + 6HF → H2 + SiF6 + 2H2O
?用氢氟酸把上道工序产生SiO2去除，生成可溶性物质和气体，从而达到去除磷硅玻璃的目的。
（2）中和反应
NaOH+HNO3=NaNO3+H2O
HF + NaOH === NaF + H2O
（3）氧化还原反应
盐酸和硅片上的金属杂质反应使硅片更纯，光电转换效率更高。
2.3 湿法刻蚀的生长工艺
2.3.1湿法刻蚀的定义
把硅片浸泡在一定的化学试剂或试剂溶液中，使没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜表面与试剂发生化学反应而被除去。例如,用一种含有氢氟酸的溶液刻蚀二氧化硅薄膜，用磷酸刻蚀铝薄膜等。这种在液态环境中进行刻蚀的方法称为“湿法”刻蚀。它的优点操作简便；对设备要求低；易于实现大批量生产；刻蚀的选择性好。
2.3.2 湿法刻蚀的原理
用氢氟酸和硝酸刻蚀去除边缘PN结，防止上下短路硝酸把矽氧化成SiO2
HF 再把 SiO2 吃掉，其中HF 因为在 HNO3 强酸中不易解离。湿法刻蚀其实是腐蚀的一种，是对硅片边缘的腐蚀，但不影响太阳电池的工艺结构。
HF/HNO3体系，利用其各向同性腐蚀特性，使用RENA in-line式结构的设备，利用表面张力和毛细作用力的作用去除边缘和背面的N型。
湿法刻蚀工艺其实是把去磷硅玻璃工艺和等离子刻蚀工艺两种工艺揉和在一起，但效果却优胜的一种新工艺。
2.3.3 湿法刻蚀的优点
1、非扩散面PN结刻蚀时被去除（原等离子刻蚀背面PN结依靠丝印被铝浆时，铝还原硅片使N形硅片为P形硅，但所产生的P形硅电势不强）；
2、硅片洁净度提高（无等离子刻蚀的尾气污染）
3、节水（KUTTLER使用循环水冲洗硅片，耗水约8T/h。等离子刻蚀去PSG 用槽浸泡，用水大）。
4、硅片水平运行，机碎高：（等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小）；
5、下料吸笔易污染硅片：（等离子刻蚀去PSG后甩干）；
6、传动滚轴易变形：（PVDF，PP材质且水平放置易变形）；
7、成本高：（化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加）。
第三章刻蚀的应用
3.1 湿法刻蚀硅
单晶硅和多晶硅都可以在硝酸和HF的混合物中进行湿法刻蚀。反应先是HNO3在硅上形成一层二氧化硅，然后HF把这一层二氧化硅去掉。总的反应是：
Si+HNO3+6HFH2 → SiF6+HNO2+H2+H2O
可以用水来稀释刻蚀剂，但最好用醋酸来稀释，因为它对于HNO3的离解较少，这样就产生更高浓度的未离解的基团。
可以改变混合物的组分来得到不同的刻蚀速率。不同重量组分情况下的各向我们看到在HF浓度高、HNO3浓度低时(在三角形上部的那个角附近的区域)，刻蚀速率由HNO3的浓度来控制，因为在这样的混合物中HF过量，这样在反应中产生的二氧化硅就都被HF去除了。另一方面，当HF浓度低而HNO3浓度高时，刻蚀速率被HF去除二氧化硅的能力所限制。在这样的刻蚀剂中刻蚀是各向同性的，它们经常被用作是抛光试剂。
在有些应用中，比较有用的是：沿着某些硅表面刻的速率比其它地方要快。这样
就可以用来显著地减缓刻蚀的速率、或刻蚀特殊的图形或结构。在金刚石的晶格中我们观察到(111)平面密度比(100)平面大，这样刻(111)面就比刻(100)面要慢。表现出这种方向依赖性的刻蚀剂其刻蚀物包括KOH和异丙基酒精的混合物 ( 例： 23.4wt% 的KOH，13.3wt%的异丙基酒精，63wt%的水)。这种刻蚀剂在(100)面方向的刻蚀速率比(111)面方向要快100倍(例，在80°，0.6μm/min 与0.006μm/min)。如果(100)面上的硅被二氧化硅覆盖且刻出图形，这种有方向性的刻蚀剂会产生精确的V形槽，槽的边缘是(111)面，与(100)面的夹角为54.7°(图2a)。如果用(110)面的话，将得到垂直的槽，槽壁是(111)面(图2b)。
图2 a（上）图2 b （下）
不同的刻蚀剂混合物用来显现硅中的晶格缺陷。使用这种湿法化学刻蚀剂来
进行
的缺陷分析用的是表1中所列三种方式中的一种。“Stirl”刻蚀法对于(111)面较快、较有效，但易产生clou去离子ng，因此会在(100)面上产生令人疑惑的结果。“secco”和“wright”法对于这些应用会有较好的结果。
3.2 湿法刻蚀二氧化硅
湿法刻蚀二氧化硅薄膜通常是用不同的HF来进行的。这是因为在室温下HF 会和二氧化硅反应，而不会和硅反应。刻蚀的方程式如下：
SiO2 + 6HF→ H2 + SiF6 +2H2O
由生产厂商提供的HF的浓度是49%(在水里)。但这种浓度的HF刻二氧化硅太快
了，难以控制(例：热生长二氧化硅的刻蚀速率在25℃时是300?/秒)。所以代之以稀释的HF。一般刻蚀剂中还包括缓冲剂，例如NH4F，它能防止氟离子的耗尽，这将保持稳定的刻蚀特性。未加缓冲剂的HF会在光刻胶和二氧化硅的界面上，以及在去胶时产生过量的侧向刻蚀。典型的缓冲剂和HF混合物(BHF)包括6:1( 体积 )的NH4F:HF(40%:49%) ，它刻蚀热生长二氧化硅速率在25℃时为～20?/sec( 或1000?/min)。
对于一定温度下的刻蚀剂，刻二氧化硅的速率也依赖于其它的几个因素。例如：
在蒸汽中热生长的二氧化硅比干氧中生长的二氧化硅要稍快一点。在二氧化硅中的杂质也会严重影响刻蚀的速率。高浓度的硼会导致刻蚀速率的降低，而高浓度的磷会加快刻蚀速率。离子注入产生的缺陷会加快二氧化硅的刻蚀速率。
CVD二氧化硅刻的速率比热生长的二氧化硅要快得多，但这一速率也依赖于许多其它的因素，包括淀积的条件、杂质浓度、以及在淀积后热处理的致密效果。作为一个总的结果，在低温下淀积的二氧化硅薄膜比退火过的或在高温下淀积的薄膜刻蚀速率要快。CVD二氧化硅通常在稀释的HF刻蚀剂中刻蚀，因为其刻蚀速率较慢，也较容易控制(例：10:1-100:1的H2O:HF)。
3.3 湿法刻蚀氮化硅
氮化硅可以在180℃的温度下，由回流煮沸的85%磷酸来刻蚀。然而在刻蚀过程中光刻胶也会被刻掉一点，因此在这个步骤中光刻胶的掩膜作用不是很好。因此大多数情况下都用一层薄二氧化硅层(热生长的或淀积的)来作氮化硅的掩膜。二氧化硅层先用光刻胶来作掩膜进行刻蚀，然后去胶，再用二氧化硅掩膜对氮化硅进行磷酸刻蚀。氮化硅刻蚀的速率约为100?/min，但对于CVD二氧化硅约为0～25?/min。PECVD氮化硅薄膜比高温CVD氮化硅有更高的刻蚀速率。薄膜的刻蚀速率极大地依赖于薄膜的组分，其表达式为SixNyHz.
由于使用二氧化硅掩膜会增加工艺的复杂性，因此干法刻蚀氮化硅是另一个有吸
引力的做法。事实上，微电子工业中第一次广泛使用干法刻蚀的原因就是要刻氮化硅。
3.4 湿法刻蚀铝
湿法刻蚀铝和铝合金薄膜总的来说是在加热的(35～45℃)磷酸、硝酸、醋酸、和
水的混合液中进行刻蚀的。典型的溶液配比为80%磷酸、5%硝酸和10%的水。刻蚀速率的范围是1000～3000?/min，并且依赖于包括刻蚀剂组分、温度、光刻胶类型、刻蚀过程中水的搅拌和铝薄膜中的杂质或合金等几个因素。
湿法刻蚀铝的化学机制如下：用硝酸形成氧化铝，再用磷酸和水去除氧化铝。转变成Al2O3是和溶解过程同时发生的。
在湿法刻蚀铝中的一个难题是H2气泡的问题。这些气泡会牢固地附着在硅片表面，并阻止在气泡附着位置的刻蚀。在刻蚀中进行机械搅拌，减小界面张力，可以用来使这一问题减到最小。周期性地把硅片从溶液中拿出也可以使气泡破裂。
图3
H2气泡的形成和其它的问题(例：显影过的金属的局部沾污，局部氧化、以及在某个位置上刻蚀的延迟[特别是由于去胶的残留物不完全])延迟了刻蚀开始的时间或延长了在硅片的所有部位进行完全地开始的时间。这样，一旦给定了对于一定图形的刻蚀时间，通常还要加10%～15%的过刻蚀时间以保证完全的刻蚀。
3.5 图形生成的LIFT－OFF技术
3.5.1 Lift-off的原理
Lift-off是一种相对于刻蚀中的除去(removal)工艺来说附加的一种在硅
片表面形成图形的技术。也就是说，在lift-off中先用所谓的模板层(stencillayer)在硅片表面形成一个反的图形，这样就把衬底上特定的位置暴露出来。接着在模板层和暴露出来的衬底上都淀积上薄膜。然后在能溶解模板层的液体中把模板层去掉，这样模板层上淀积的薄膜也一起被去掉了。淀积在衬底上的薄膜因此就留了下来，这样图形就形成了。
Lift-off工艺成功的关键是要确保在模板层上的薄膜材料和衬底上的薄膜材料之间是明显分开的。这使得溶解液可以腐蚀模板层，从而把模板层上的薄膜去掉。在台阶上进行低温蒸发可以得到这样分开的薄膜层。Lift-off技术主要的应用包括互连金属的图形形成。
3.5.2 Lift-off的好处
a)混合层(例：Al/Ti/Al)可以频繁地淀积，而显现图形只需要一次lift-off，而在刻蚀工艺中则需要多次的刻蚀步骤。
b)可以避免产生难以去除的残留物(例如干法刻蚀Al-Cu合金薄膜时留下来的铜的残留物)，因为没有必要对图形进行刻蚀。
c)图形可以有很斜的侧墙，这使得以后步骤的薄膜台阶覆盖更好。
另一方面，尽管由于以上的好处使lift-off得到了相当的重视，它仍有几个严重的缺点，所以刻蚀工艺还是用得比较普遍。首先是模板层的形成有困难，模板层必须和淀积、光刻和溶解工艺相兼容，这些工艺也必须成功地进行才能由lift-off方法得到图形。
我们将用文字列举一些lift-off工艺，并且详细描述由Fried等为IBM双极型VLSI技术开发出来的工艺。后者提供了一个包括生产合适的模板层在内的复杂的例子。
3.5.3 为lift-off而作的模板层
a)光刻胶
b)两层光刻胶
c)光刻胶/铝/光刻胶层，
d)聚酰亚胺/钼层，e)聚酰亚胺/聚砜(polysulfone)/SiO层，f)无机电介质层/光刻胶，以及其它许多种模板层的材料。
3.5.4 lift-off工艺过程
由Fried讨论的lift-off工艺(图17)先是用一层聚砜作为释放层，然后加上一层正性胶(厚度超过金属层)。这个组成的结构要在超过200℃的温度下加以烘烤，为的是在随后的金属淀积过程中，在高温下热稳定更好。之后旋涂一层聚
硅氧烷薄膜(2000～3000?)。在经过了再一次的200℃烘烤之后，加上光刻胶图形。然后经过曝光显影。接着用RIE刻蚀，把聚硅氧烷、下层的光刻胶和聚砜层刻出图形来。这一步骤需要接上两个刻蚀步骤：一个是刻聚硅氧烷，另一个是刻余下的薄膜层。第二个刻蚀也会侧向刻蚀聚硅氧烷，这就造成了一个悬空的结构，保证在模板层上淀积的薄膜和衬底上淀积的薄膜是不连接的。在完成了对模板层的刻蚀之后，接着就把所有残余的光刻胶都去掉，并蒸金属。在把硅片浸到N－甲基吡咯烷酮之中，去除掉聚砜之后，整个lift-off过程就结束了，与此同时聚砜上的光刻胶、聚硅氧烷和淀积的金属都被去掉了。
第四章刻蚀的重要参数
4.1 刻蚀速率
刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度(见图16.3)，通常用?/min表示，刻蚀窗口的深度称为台阶高度。为了高的产量，希望有高的刻蚀速率。在采用单片工艺的设备中，这是一个很重要的参数。刻蚀速率由工艺和设备变量决定，如被刻蚀材料类型、蚀机的结构配置、使用的刻蚀气体和工艺参数设置。刻蚀速率用下式来计算：
刻蚀速率=△T／t (?/min)
其中， T =去掉的材料厚度(?或um)t：刻蚀所用的时间(分)
刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。硅片表面几何形状等因素都能影响硅片与硅片之间的刻蚀速率。要刻蚀硅片表面的大面积区域，则会耗尽刻蚀剂浓度使划蚀速率慢下来：如果刻蚀的面积比较小，则刻蚀就会快些。这被称为负载效应。刻蚀速率的减小是由于在等离子体刻蚀反应过程中会消耗大部分的气相刻蚀基。由于负载效应带来的刻蚀速率的变化是有效的终点检测变得非常重要的原因。
4.2 刻蚀剖面
刻蚀剖面指的是被刻蚀图形的侧壁形状。有两种基本的刻蚀剖面：各向同性和各向异性刻蚀剖面。各向同性的刻蚀剖面是在所有方向上(横向和垂直方向)以相同的刻蚀速率进行刻蚀，导致被刻蚀材料在掩膜下面产生钻蚀(见图16.4)面形成的，这带来不希望的线宽损失。湿法化学腐蚀本质上是各向同性的，因而湿法腐蚀不用于亚微米器件制作中的选择性图形刻蚀。一些干法等离子体系统也能进行各向同性刻蚀。由于后续上艺步骤或者被刻蚀材料的特殊需要，也自一些要用到各向同性腐蚀的地方。
4.3 刻蚀偏差
刻蚀偏差是指刻蚀以后线宽或关键尺寸间距的变化(见图16.6)。它通常是由于横向钻蚀引起的(见图16.7)，但也能由刻蚀剖面引起。当刻蚀中要去除掩膜下过量的材料时，会引起被刻蚀材料的上表面向光刻胶边缘凹进去，这样就会产生横向钻蚀。计算划蚀偏差的公式如下：
刻蚀偏差= Wb --- Wa
其中，Wb=刻蚀前光刻胶的线宽
Wa=光划胶去掉后被刻蚀材料的线宽
4.4 选择比
选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少。它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比(见图16.8)。
高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。一个高选择比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材料(刻蚀到恰当的深度时停止)并且保护的光刻胶也未被刻蚀。图形几何尺寸的缩小要求减薄光刻胶厚度：高选择比在摄先进的工艺中为了确保关键尺寸和剖而控制是必需的。特别是关键尺寸越小，选择比要求越高。对于被刻蚀材料和掩蔽层材料(例如光刻胶)的选择比S。
可以通过下式计算：
SR = Ef / Er
其中，Ef=被刻蚀材料的刻蚀速率Er=掩蔽层材料的刻蚀速率(如光刻胶)
根据这个公式，选择比通常表示为一个比值。一个选择比差的刻蚀工艺这一比值可能是1：1意味着被刻的材料与光刻胶掩蔽层被去除得一样快；而一个选择比高的刻蚀工艺这一比值可能是100：1，说明被刻蚀材料的刻蚀速率是不要被刻蚀材料(如光刻胶)刻蚀速率的100倍。干法刻蚀通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比。在这种情况下，一个等离子体刻蚀机应装上一个终点检测系统，使得在造成最小的过刻蚀时停止刻蚀过程。当下一层材料正好露出来时，终点检测器会触发划蚀机控制器而停止刻蚀。
4.5 均匀性
刻蚀均匀性是一种衡量刻蚀工艺在整个硅片上，或整个一批，或批与批之间刻蚀能力的参数。均匀性与选择比有密切的关系，因为非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。保持硅片的均匀性是保证制造性能一致的关键。难点在于刻蚀工艺必须在刻蚀具有不同图形密度的硅片上保证均匀性，例如图形密的硅片区域，大的图形间隔和高深宽比图形。均匀性的一些问题是因为刻蚀速率和刻蚀剖面与图形尺寸和密度有关而产生的。刻蚀速率在小窗口图形中较慢，甚至在具有高深宽比的小尺寸图形上刻蚀居然停止。
例如，具有高深宽比硅槽的刻蚀速率要比具有低深宽比硅槽的刻蚀速率慢(见图16.9)。这一现象被称为深宽比相关刻蚀(ARDE)，也被称为微负载效应。为了提高均匀性，必须把硅片表面的ARDE效应减至最小。
4.6 残留物
刻蚀残留物是刻蚀以后留在硅片表面不想要的材料。它常常覆盖在腔体内壁或被刻蚀图形的底部。它的产生有多种原因，例如被刻蚀膜层中的污染物、选择了不合适的化学刻蚀剂(如刻蚀太快)、腔体中的污染物、膜层中不均匀的杂质分布。刻蚀以后的残留物有不同的名称，包括长细线条、遮蔽物、冠状物和栅条。长细线条是一些没有完全去除干净的细小的被刻蚀材料残留物，具有电活性，能在图形之间形成不希望的短路。
刻蚀残留物是IC制造过程中的硅片污染源，并能在去除光胶过程中带来一些
问题。为了去除刻蚀残留物，有时在刻蚀完成后会进行过刻蚀。在一些情况下，刻蚀残留物可以在去除光刻胶的过程中或用湿法化学腐蚀去掉。
4.7 聚合物
聚合物的形成有时是有意的，是为了在刻蚀图形的侧壁上形成抗腐蚀膜从而防止横向刻蚀(见图16.10)，这样做能形成高的各向异性图形，因为聚合物能阻挡对侧壁的刻蚀，增强刻蚀的方向性，从而实现对图形关键尺寸的良好控制。这些聚合物是在刻蚀过程中由光刻胶中的碳转化而来并与刻蚀气体(如C2F4)和刻蚀生
成物结合在一起而形成的。能否形成侧壁聚合物取决于所使用的刻蚀气体类型。
这些侧壁聚合物很复杂，包括刻蚀剂和反应的生成物，例如，铝、阻挡层的钛、氧化物以及其他无机材料。聚合物链有很强的难以氧化和去除的碳氟键，然而，这些聚合物又必须在刻蚀完成以后去除，否则器件的成品率和可靠性都会受到影响。这些侧壁的清洗常常需要在等离子体清洗工艺中使用特殊的化学气体．或者有可能用强溶剂进行湿法清洗后再用去离子水进行清洗。非常遗憾，聚合物淀积得一个不希望的副作用是工腔中的内部部件也被聚合物覆盖，刻蚀工艺腔需要定期的清洗来去除聚合物或替换掉不能清洗的部件。
4.8 等离子体诱导损伤
包含带能离子、电子和激发分子的等离子体可引起对硅片上的敏感器件引起等离子体诱导损伤。一种主要的损伤是非均匀等离子体在晶体管栅电极产生陷阱电荷，引起薄栅氧化硅的击穿。差的设备或在优化的工艺窗口之外进行刻蚀工艺会使等离子体变得不均匀。另一种器件损伤是能量离子对曝露的栅氧化层的轰击。在刻蚀过程中，这种损伤在刻蚀的时候能在栅电极的边缘发生。等离子体损伤有
时可以通过退火或湿法化学腐蚀消除。
4.9 颗粒沾污
子体带来的硅片损伤有时也由硅片表面附近的等离子体产生的颗粒沾污而引起。研究表明，由于电势的差异，颗粒产生在等离子体和壳层的界面处。当没有了等离子体时，这些颗粒就会掉到硅片表面。氟基化学气体等离子体比氯基或溴基等离子体产生较少的颗粒，因为氟产生的刻蚀生成物具有较高的蒸气压。颗粒沾污的控制可通过优化刻蚀设备，合适的操作和关机，对被刻蚀的膜层选用合适的化学气体。
第五章湿法刻蚀工艺技术
5.1 简述
湿法刻蚀是利用合适的化学试剂先将未被光刻胶覆盖的晶片部分分解，然后转成可溶性的化合物以达到去除的目的。这种刻蚀技术主要是借助腐蚀液和晶片材料的化学反应，因此我们可以借助化学试剂的选取、配比以及温度的控制等来达到合适的刻蚀速率和良好的刻蚀选择比。一般湿法刻蚀是各向同性的(isotropic)，一次再把光刻图形转移到晶片上的同时，腐蚀也会向着横向进行。这样会使图形产生失真，甚至使元件的线宽失真。因此湿法刻蚀逐渐被干法刻蚀技术取代。
5.2 湿法刻蚀
最早的刻蚀技术是利用溶液与薄膜间所进行的化学反应，来去除薄膜未被光刻胶覆盖的部分，而达到刻蚀的目的。这种蚀刻方式也就是所谓的湿法刻蚀技术。湿法刻蚀的优点是程序单一，设备简单，而且成本低，产量高，并且具有良好的刻蚀选择比。湿法刻蚀常利用氧化剂(例如刻蚀硅、铝的硝酸)将被刻蚀材料氧化，形成氧化物(例如SiO2、Al2O3)，再利用另一溶剂(例如硅刻蚀中的氢氟酸HF、铝刻蚀中的磷酸H3PO4)来将此氧化物溶解，并随溶液排除，然后新的氧化层再度形成。如此便可达到刻蚀的效果。
5.3 湿法刻蚀的过程
(1)反应物扩散到欲被刻蚀材料的表面；
(2)反应物与被刻蚀材料反应；
(3)反应后的产物离开刻蚀表面扩散到溶液中，随溶液被排出。在上述三步反应中，进行速度最慢的就是控制刻蚀速率的步骤，也就是说，该步骤的进行速率就是反应速率。
通常情况下，是通过控制溶液的浓度和反应温度来控制反应的速度。溶液浓度制约着反应物和反应产物到达或离开反应表面的速度，而温度控制着化学反应的速度。
5.4 二氧化硅的湿法刻蚀
由于在室温下氢氟酸与二氧化硅的反应速率比较快，所以是湿法蚀刻二氧化硅的最佳溶剂，在刻蚀液中存在如下的电离平衡。
HF—>H++F-
腐蚀时，腐蚀液中的六个氟离子，与二氧化硅中的一个硅离子结合生成负二价的六氟硅酸根络离子[(SiF6)2-]。它必然要与两个氢离子结合．生成六氟硅酸(H2SiF6)。同时，腐蚀液中的四个氢离子与二氧化硅中的两个氧离子结合生成两个水。由于六氟硅酸是可溶性的络合物，使得SiO2膜被HF、所溶解，其反应式可表示为：
Si02+6HF —> H2(SiF6)+2H20
显然，F- 和 H+的浓度愈大，反应速度愈快，并且所消耗的F-和H+是等量的。如果在腐蚀液中加入氟化铵，它在水溶液中将电离成铵离子和氟离子。此时，腐蚀液中F-浓度增大，式(6-4)中的电离平衡遭到破坏，向生成HF的方向移动。这样就降低了溶液中的H+浓度，使HF和SiO2的反应速度减弱，起着缓冲的作用。所以，氟化铵称为缓冲剂。
这种加有缓冲剂氟化铵的HF溶液，习惯上称为HF缓冲液。常用的配方为HF : NH4F : H20 = 3毫升：6克：10毫升，其中HF是45％的浓氢氟酸。以缓冲氢氟酸蚀刻溶剂(HF／NH4F)来蚀刻二氧化硅层，化学反应式如下：
SiO2+4HF+2NH4F == (NH4)2SiF6+ 2H2O
5.4.1 影响腐蚀质量的因素
①粘附情况粘附性光刻胶与SiO2表面粘附良好是保证腐蚀质量的重要条件，粘附不良，腐蚀液沿界面的钻蚀会使刻蚀图形边缘不齐，图形发生变化，严重时使整个图形遭到破坏；
②二氧化硅的性质有不同的腐蚀特性，例如，湿氧氧化的SiO2的腐蚀速度大于干氧氧化的腐蚀速度，低温沉积生长的SiO2的腐蚀速度比干氧和湿氧生长的SiO2都要大。
③二氧化硅中的杂质和含量造成腐蚀速度的差异，如硼硅玻璃，在HF缓冲剂腐蚀液中很难溶解，磷硅玻璃与光刻胶粘附性差，不耐腐蚀，易出现钻蚀和脱胶等现象；
④腐蚀温度腐蚀温度对腐蚀速度影响很大，温度越高，腐蚀速度愈大，如图6-1所示，腐蚀SiO2的温度，一般在30～40℃范围，不宜过高或过低，温度过高，腐蚀速度过快，不易控制，产生钻蚀现象，温度太低，腐蚀速度太慢，胶膜长期浸泡，易产生浮胶；
⑤腐蚀时间腐蚀时间取决于腐蚀速度和氧化层厚度。对它的控制是很重要的，腐蚀时间太短，氧化层未腐蚀干净，影响扩散效果(或电极接触不良)，腐蚀时间过长会造成边缘侧向腐蚀严重，使分辨率降低，图形变坏，尤其是光刻胶膜的边缘存在过渡区时，更易促使侧蚀的进行。
5.5 硅的刻蚀
在半导体制造过程中，硅的重要性和普及性是其它材料所不能比拟的，所以，对于硅的蚀刻方法，也是当前人们讨论的重点。硅的去除可以使用硝酸与氢氟酸的混合溶液来进行，其原理是先利用硝酸将材质表层的硅氧化成二氧化硅，然后用氢氟酸把生成的二氧化硅层溶解并除去，其反应方程式如下：
Si + HNO3 + 6HF = H2SiF6 + HNO3 + H2 + H2O
随着当前技术的发展，对于蚀刻深度和蚀刻宽度的要求越来越精确，所以，人们除了寻找更好的新蚀刻溶液之外，还常采取加人缓冲剂来抑制组分的解离的办法。其中，比较常用的缓冲溶剂就是醋酸。在硝酸和氢氟酸的混合溶液中加入
冶金工程论文
冶金工程的发展方向 摘要：随着能源问题日益严峻，钢铁冶炼耗能逐渐加大，面对钢铁企业的可持续发展，国内外钢铁企业不断开发应用新技术新工艺，推行钢铁冶金行业的清洁生产，在能源结构调整、冶金工艺优化以及废弃物综合利用方面收到了良好的效果，实现了经济效益、社会效益和环境效益协调统一.本文重点介绍了高炉废塑料喷吹、干熄焦、高炉煤气余压透平发电等一系列新技术新工艺的应用. 关键词：清洁生产；钢铁冶金；能源效率；综合利用 引言经济的高速发展和人类社会的不断进步，使人们的生活水平不断提高，各种基础设施不断完善，但面对日趋恶化的环境、日趋短缺的资源，我们不得不对过去的经济发展过程进行反思，彻底改变长期沿用的大量消耗资源和能源的粗放式发展模式，推行行业的清洁生产，才能实现可持续发展.钢铁冶金企业是高能耗、高污染的企业，推行清洁生产是实现环境保护和可持续发展的必由之路．在众多清洁生产的措施中，新技术和新工艺的开发应用是实现这种目的关键因素和有效途径．近年来，许多国家围绕着清洁生产不断地开发出了许多新技术和新工艺，带来的结果是能源结构的调整、工艺的优化革新和废弃物的综合利用，收到了可观的经济效益、社会效益和环境效益． 1能源结构调整 能源密集、能源消耗大是钢铁冶金生产的主要特点之一．推行清洁生产需要调整能源结构：一方面采用新技术工艺改革原有资源和能源的比例结构；另一方面开发应用替代能源． 1．1能源和资源比例结构调整 在钢铁联合企业中，在铁前系统的成本和能耗占企业成本和能耗的70％左右，作好这一环节的资源和能源比例结构调整有重要意义．对于这一环节，一切围绕高炉生产展开． 1.1.1铁前认真贯彻精料方针，不断优化炉料结构 实现人炉料“高、净、匀、稳”．提高高炉熟料比，保证高炉全精料人炉，改善高炉炉料结构，为高炉增产、节焦提供了物质基础．相应地，焦化厂提高焦碳
冶金专业毕业论文
冶金专业毕业论文 Revised by Jack on December 14,2020
毕业课题 课题名称：连铸坯质量控制 学号 姓名 专业班级 指导教师 2014年 06 月 21 日 摘要 连铸坯质量决定着最终产品的质量。从广义来说所谓连铸坯质量是得到合格产品所允许的连铸坯缺陷的严重程度，连铸坯存在的缺陷在允许范围以内，叫合格产品。连铸坯质量是从以下几个方面进行评价的： (1)连铸坯的纯净度：指钢中夹杂物的含量，形态和分布。 (2)连铸坯的表面质量：主要是指连铸坯表面是否存在裂纹、夹渣及皮下气泡等缺陷。连铸坯这些表面缺陷主要是钢液在结晶器内坯壳形成生长过程中产生的，与浇注温度、拉坯速度、保护渣性能、浸入式水口的设计，结晶式的内腔形状、水缝均匀情况，结晶器振动以及结晶器液面的稳定因素有关。 (3)连铸坯的内部质量：是指连铸坯是否具有正确的凝固结构，以及裂纹、偏析、疏松等缺陷程度。二冷区冷却水的合理分配、支撑系统的严格对中是保证铸坯质量的关键。 (4)连铸坯的外观形状：是指连铸坯的几何尺寸是否符合规定的要求。与结晶器内腔尺寸和表面状态及冷却的均匀程度有关。
本文从以上四个方面对实际生产中连铸坯的质量控制采取的措施进行说明。 关键词：连铸坯、质量、控制 Abstract Casting billet quality determines the quality of the final product. From the generalized casting billet quality is for so-called get qualified products allowed by the severity of casting billet defects, the defects of continuous casting slab in allowing scope, call of qualified products. Casting billet quality from the following several aspects to evaluate: (1) Is dramatically: refers to the continuous casting slab in steel inclusion content, form and distribution. (2) The surface of continuous casting slab quality: mainly refers to the existence of casting billet surface cracks, slag inclusion and subcutaneous bubble etc defects. These surface defects casting billet is mainly in the crystallizer liquid steel solidified shell produces in the process of forming growth, and pouring temperature, throwing speed, protection of slag, into the design, crystallization type spout the inner chamber shape, water, seam uniform mould oscillation and mould the liquid surface stability factors. (3)The internal quality of casting billet: refers to whether has the correct casting billet solidification structure, and crack, segregation, loose defects such as degree. Two cold district cooling water rationing, supporting system for the strict is the guarantee of billet quality in the key. (4)The appearance of continuous casting slab shape: refers to the geometric size of casting billet compliance with requirements. And the mould cavity dimensions and within the uniform cooling surface state and depend on. This article from the above four aspects to actual production of casting billet quality control measures taken for instructions. Keywords: casting billet, quality, control
干法刻蚀工艺
干法刻蚀工艺 干法刻蚀工艺可分为物理性刻蚀与化学性刻蚀两种方式。物理性刻蚀是利用辉光放电将气体（如氩）电离成带正电的离子，再利用偏压将离子加速，溅击在被刻蚀物的表面而将被刻蚀物的原子击出，该过程完全是物理上的能量转移，故称为物理性刻蚀。其特色在于，具有非常好的方向性，可获得接近垂直的刻蚀轮廓。但是由于离子是全面均匀地溅射在芯片上，所以光刻胶和被刻蚀材料同时被刻蚀，造成刻蚀选择性偏低。同时，被击出的物质并非挥发性物质，这些物质容易二次沉积在被刻蚀薄膜的表面及侧壁上。因此，在超大规模集成化制作工艺中，很少使用完全物理方式的干法刻蚀方法。 化学性刻蚀或称为等离子体刻蚀( PLASMA Etching，PE)，是利用等离子体将刻蚀气体电离并形成带电离子、分子及反应性很强的原子团，它们扩散到被刻蚀薄膜表面后与被刻蚀薄膜的表面原子反应生成具有挥发性的反应产物，并被真空设备抽离反应腔。因这种反应完全利用化学反应，故称为化学性刻蚀。这种刻蚀方式与前面所讲的湿法刻蚀类似，只是反应物与产物的状态从液态改为气态，并以等离子体来加快反应速率。因此，化学性干法刻蚀具有与湿法刻蚀类似的优点与缺点，即具有较高的掩膜／底层的选择比及等向性。鉴于化学性刻蚀等向性的缺点，在半导体工艺中，只在刻蚀不需要图形转移的步骠（如光刻胶的去除）中应用纯化学刻蚀方法。 最为广泛使用的方法是结合物理性的离子轰击与化学反应的反应离子刻蚀( RIE)。这种方式兼具非等向性与高刻蚀选择比的双重优点。刻蚀的进行主要靠化学反应来实现，加入离子轰击的作用有两方面。 1)破坏被刻蚀材质表面的化学键以提高反应速率。 2)将二次沉积在被刻蚀薄膜表面的产物或聚合物打掉，以使被刻蚀表面能充分与刻蚀气体接触。由于在表面的二次沉积物可被离子打掉，而在侧壁上的二次沉积物未受到离子的轰击，可以保留下来阻隔刻蚀表面与反应气体的接触、使得侧壁不受刻蚀，所以采用这种方式可以获得非等向性的刻蚀效果。 当应用于法刻蚀时，主要应注意刻蚀速率、均匀度、选择比及刻蚀轮廓等因素。
建筑工程毕业论文范文
建筑工程毕业论文范文 《大型冶金总承包工程风险管理的探析》 论文关键词：大型冶金工程总承包项目风险管理 一、冶金总承包工程的基本特点 冶金工程项目与一般建筑工程项目相比较，具有工艺流程复杂，参与专业多，投资大，工期紧，安装量大，施工工艺专业化高等特点。冶金工程，其设计占主导地位的程度高，采用总承包方式有利 于工程的一体化管理。 二、冶金总承包工程所面临的风险 工程项目风险，它是指工程项目在设计、采购、施工和竣工验收各阶段可能遭到的风险，可定义为：在工程项目目标规定的条件下，该目标不能实现的可能性。它具有客观性和必然性、不确定型、可 变性、相对性(主体相对和大小相对)、阶段性等特性。工程总承包 项目是指从事工程总承包的企业受业主委托，按照合同约定对工程 项目的勘察、设计、采购、施工、试运行等实行全过程或若干阶段 的承包。所以，总承包工程所面临的风险具有项目风险的所有特性。冶金总承包项目所面临的风险主要有几个方面： 1工程项目外风险 (3)经济风险：冶金新建项目的所在地一般环境较差，包括硬件 环境(如交通、电力供应、通讯条件)和软件环境(如地方政府对工程的建设态度)。冶金项目的工期较长，可能面临原材料如钢材价格的 不正常大幅上涨等。也可能面临通货膨胀幅度过大所引起的其他变化。 2工程项目内风险 (1)技术风险：因技术条件的不确定而引起可能的损失或工程项 目目标不能实现的可能性。主要表现在工程方案的选择，工程设计，
工程采购、工程施工及开车等过程中。如在可行性研究阶段，基础 数据不完整，不可靠;预测结果不准确。设计阶段，设计内容不全， 设计存在缺陷、错误或遗漏;规范、标准选择不当;未考虑设备制造 或施工的可能性等。 (2)非技术风险：是指计划、组织、管理、协调等非技术条件的 不确定所引起工程目标不可能实现的可能性。如在项目组织管理方面，缺乏项目管理能力;组织不适当，关键岗位人员变换;目标不适当，控制能力差;不适当的项目策划或安排;没有有效的项目沟通程 序等。进度管理方面，因管理不力，造成设计的图纸滞后，施工安 排不当，缺乏劳动力或劳动效率底下等等。费用控制方面，如工期 延误、不适当的工程变更，不适当的工程款支付;不适当采购策略等等，都可能使工程置于风险之中。 三、风险应对的方法 冶金总承包项目的风险来源广，风险因素多。识别风险需抓住重点。可从以下几方面考虑。 1加强合同管理，系统分析相关各方的利益和风险。合同是项目 实施的第一依据，在合同管理时要充分考虑其所面临的风险因素。 冶金总承包项目涉及的范围广，一个联合企业的总承包，会包括铁 钢轧多个系统及其相关的水处理系统，除尘系统等公辅设施，工期长，专业性强，可能签订的分包合同有上百个，涉及分包单位几十家，如何有针对性的在合同中争取自己正当利益，转移相关风险至 关重要。如一些项目外的风险，和业主有密切的关系，在合同中应 尽量的转移给业主或共担，加强项目的风险控制能力。 2加强技术风险管理。技术的不确定性所引起的风险，通过加强 管理和沟通协调是可以避免或降低的。对于设计与采购、施工之间 的协调是总承包中很易发生问题的地方，一旦发生问题，势必给工 程的进度和费用造成损失。一般的设计认为，发了图纸即完成任务，其实在管理中，把设计的任务后延，加强与采购和施工的衔接，可 以避免风险的出现。 四、小结
湿法刻蚀毕业论文
苏州市职业大学 毕业设计（论文）说明书 设计（论文）题目太阳能电池片湿刻蚀的应用系电子信息工程系专业班级08电气2 姓名李华宁 学号087301218 指导教师孙洪 年月日
太阳能电池片湿刻蚀的应用 摘要 湿刻就是湿法刻蚀，它是一种刻蚀方法，主要在较为平整的膜面上刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射，刻蚀可用稀释的盐酸等。湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。着重研究各种化学品的流量对电池片刻蚀深度的影响。首先查看各种资料，掌握本课题相关的知识:通过对氢氟酸，硝酸，盐酸，氢氧化钠等化学品流量，温度，湿度等对太阳能电池片的影响。通过技术软件分析，优化工艺参数，得到最优参数。 关键词：湿法刻蚀；腐蚀；流量；太阳能电池
Solar cell wet etching application Abstract Wet carved is wet etching, it is a kind of etching method, mainly in the relatively flat membrane surface, thereby increasing suede carving out process, reduce light light reflection, etching available dilute hydrochloric acid etc. Wet etching is will etching materials soaked in a mordant within the corrosion of technology. It is a kind of pure chemical etching, has excellent selectivity, etching the current film will cease, and won't damaged following a layer of film to other materials. Research on various chemicals to the flow the influence of battery piece etching depth. First check all kinds of material, grasps this topic relevant knowledge: by hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide etc chemicals flow, temperature, humidity and so on the influence of solar cell. Through technology software analysis, optimization of process parameters, obtain optimal parameters. Keyword:wet etching; Corrosion; Flow; Solar battery
冶金工程毕业论文
转炉活动段烟道更换方法探讨 高国辉 科技大学冶金工程专业 摘要：本文针对酒钢六座炼钢转炉的机械特性、钢结构和工艺要求，结合生产实际，对转炉活动段烟道更换方法进行了深入分析和阐述。分别介绍了酒钢炼钢一工序三座转炉和酒钢炼钢二工序三座转炉的机械结构，对转炉的几段烟道也做了分析。对转炉烟道更换的难度、技术要求、方案制定、施工步骤和施工后的效果做了综合分析。对于活动段烟道的更换，自酒钢建厂以来进行了几百次，这其中方法更是多种多样，一直以来也没有进行过统一，这在一定程度了浪费了很多的检修资源，也降低了酒钢的冶炼成本，本着检修成本最小化，经济效益最大化的要求，对最近一次转炉活动段烟道更换方法做了一个综合分析，以便在日后的检修工作中参照实施，缩减检修成本。 Abstract: In this paper, six JISCO mechanical properties of BOF steelmaking, steel structure and process requirements, combined with the production of the actual activities of the converter flue above methods to replace an in-depth analysis and on. JISCO introduced three steel-making process of a steelmaking converter and the second process JISCO three of the mechanical structure of converter, the converter flue of paragraphs are also analyzed. Replacement of the converter flue the difficulty of the technical requirements,programming, construction steps and after the construction has done a comprehensive analysis of the effect. For the replacement of the flue above activities, since the plant JISCO hundreds of times since, which is a variety of methods has been carried out since there is no unity, which to some extent a waste of a lot of maintenance resources JISCO smelting reducing costs, maintenance costs based on minimizing the requirements to maximize the economic benefits of the activities of the last paragraph of converter flue replacement method has made a comprehensive analysis, in order to work in the future in the light of the implementation of maintenance, reduced maintenance cost. 关键字：方法烟道活动段转炉 引言：对于转炉活动段烟道更换方法探讨这一题目来源于酒钢07年炼钢二工序1#转炉大修。当时酒钢检修工程公司刚刚成立，公司本着检修成本最小化，检修经验最大化的思路，对08年后进行的大的检修工程进行方法的探索，以便积攒经验，探讨检修系统的改革。对于转炉活动段烟道更换方法近些年没有进行过专门的探讨，公司在这上面吃过几次亏，每次到检修前，大家忙的焦头烂额，每次制定的方案都差异很大，检修成本一再追高，本课题就是要解决这一困扰公司多年的检修难题，通过对几年前的多个检修施工方案，进行比较、归纳，结合最近的一次检修案例，制定了这一最贴切生产实际又能缩减检修工期和成本的新方法。此方案已经过实践验证，是切实可行的，前期预料的问题基本上
热轧带钢毕业论文综述
综述 摘要： 热轧板带钢是钢铁产品的主要品种之一，广泛应用于工业，农业，交通运输和建筑业，同时作为冷轧、焊管、冷弯型钢等生产原料，其产量在钢材总量所占的比重最大，在轧钢生产中占统治地位。在工业发达国家，热连轧板带钢占板带钢总产量的80%左右，占钢材总产量的50%以上。宽带钢在我国国民经济中的发展中需求量很大。世界各国近年来都在注重研制和使用连铸连轧等新技术和新设备来生产板带钢。 本设计所用钢种为：普碳钢、合金结构钢、不锈钢。 论文主要容包括：原料的选择、生产工艺的制定、典型产品工艺计算、主要设备和辅助设备的选择，并且对主要设备（轧辊和电机）的能力进行了校核，对车间主要经济指标、生产车间布置和环境保护，进行了设计和规划。以及进行相应的绘图和外文文献的翻译。 第一章热轧板带钢生产方式 1.1传统热连轧方式 一般将20世纪80年代以前的热轧带钢连轧成为传统带钢热连轧，年产量可达300万吨以上。目前我国有半数左右的带钢是通过这种方式生产的。传统热连轧方式自1924年第一套带钢热连轧机（14700问世以来,其发展已经经历了三代。20世纪50年代以前是热连轧带钢生产初级阶段，称为第一代轧机，其主要特征是轧制速度低、产量低、坯重轻、自动化程度低；20世纪60年代，美国首
创快速轧制技术，使带钢热连轧进入第二代，其轧速达15-20m/s,计算机、测压仪、X射线测厚仪等应用于轧制过程，同时开始使用弯棍等板型控制手段，使轧机产量、产品质量及自动化程度得到进一步提高；20世纪70年代热连轧板带发展进入第三阶段，特点是计算机全程控制轧制过程，轧速可达30m/s，使轧机的产量和产品质量的发展达到一个新的水平。特别是近十年来，随着连铸连轧紧凑型、短流程成产线的发展，以及正在测验中的无头轧制，极大的改进了热轧生产工艺。同时，还出现了很多新技术，从节省能源、提高产量、提高质量和成材率四个方面综合了热连轧板带生产中出现的心技术。 1.2 热轧带钢的生产工艺过程 传统的热连轧机生产过程包括坯料选择和轧前准备、加热、粗轧、精轧和冷却及飞剪、卷取等工序。 1.板坯的选择和轧前准备 热轧带钢生产所用的板坯主要是连铸板坯，只有少量尚存初轧机冶金工厂采用初轧坯。 板坯的选择主要是板坯的几何尺寸和重量的确定。板坯的厚度选择要根据产品厚度，考虑板坯连铸机和热轧带钢轧机的生产能力。一般板坯的厚度为150-250mm，最厚为300-350mm。板坯的宽度选择决定于成品宽度，一般板坯宽度比成品宽度大50mm左右。目前板坯宽度可达到2300mm。 板坯的轧前准备包括板坯的清理和板坯加热工序。板坯加热的送坯方式有板坯冷装炉、板坯热装炉、直接热装炉、和直接轧制四种。板坯入炉前要进行检查，一般可达到15-25kg/mm,最终可达36kg/mm。
冶金论文
选课课号：(2012-2013-1)-BG11191-320401-1课程类别：必修课 《冶金工程概论》课程考核 （课程论文） 题目：论我国冶金工业的发展现状及存在的问题 学生姓名：谢安静 学号：2011443343 授课教师：张明远 班级：酒店管理11-1 教师评语： 成绩： 重庆科技学院冶金与材料工程学院 2012年11月中国重庆
论我国冶金工业的发展现状及存在的问题 谢安静酒店管理11-1 2011443343 摘要：我国冶金行业在高速发展的同时，仍然同国际先进水平存在着很大差距。面对差距，我们需要认清现状，我们应充分调动和利用各种积极因素，着力解决当前冶金行业运行和发展中的突出问题，确保其平稳较快发展。 关键词：现状、问题、发展
1.冶金工业的发展现状 1.1钢铁生产工艺流程逐步优化 20世纪90年代以来,世界钢铁工业在激烈的国际市场竞争中,由20世纪80年代以前的以扩大规模、增加产量为主转向降低消耗、降低成本、提高质量、增加品种和保护环境。博士论文，高速钢轧辊。钢铁工业技术进步的主流是缩短生产流程,减少工序,提高质量,降低消耗,提高效率。技术进步中有两大主要趋向:一是寻找可以替代传统工艺的新工艺流程的研究开发;二是现有工艺和技术装备的完善化。两大技术进步趋向互相竞争、相互渗透,促使钢铁工业不断提高钢材质量、减少消耗、降低成本、减轻对环境的污染,进一步走向集约化。 1.2新兴技术的不断发展 传统的钢铁生产工艺流程是一种“冷态”下间歇式生产的工艺流程。日本在20世纪60年代建设的10多个大型钢铁厂都是采用这种工艺流程。20世纪80年代以后,世界钢铁业已逐步将上述传统的钢铁生产工艺流程改造成为现代化“热态”连续生产工艺流程。这种工艺流程具有高效、连续、紧凑、智能等特点。20世纪80年代末期,德国、法国、日本、意大利、美国等钢铁工业发达国家开发成功接近最终钢材产品形状的连铸、连轧技术,如带钢、型钢的连铸连轧等。由于该技术具有工艺流程紧凑、生产周期短、物料消耗少、生产效率高等一系列优点,在近十多年来得到了快速发展。自从1989年世界第一条薄板坯连铸连轧生产线在美国纽柯公司克劳福兹维尔厂投产以来, 经过10多年发展,到2002年底,世界上已有38个薄板坯连铸连轧生产厂共56条生产线,总生产能力已超过5 500万吨。我国现已有5个钢铁企业建成8条薄板坯连铸连轧生产线,到目前为止又有5个钢铁企业正在建设厚板坯连铸连轧生产线,不久的将来总生产能力将达2000万吨,预计届时将占全世界同类生产线能力的1/4以上。博士论文，高速钢轧辊。2001年我国连铸比达到89.71%,已经超过了2000年的世界平均水平。2003年达到了96.96%,目前,全国重点大中型企业中,连铸比达到99%以上的企业已达41家。 带钢连铸连轧技术是世界主要钢铁生产国家正在积极开发应用的一项重大钢铁生产前沿技术,它将是21世纪钢铁生产技术的一个主要发展方向。 1.3钢铁产量不断增长
太阳能电池湿法刻蚀工艺指导书
设计文件名称Edge Isolation & PSG Selective Emitter工 艺操作规程 T-IS-026 产品型号名称156×156多晶绒面电池共6页第1页1、工艺目的： 通过化学反应，将硅片上下表面的PN结刻断，以达到正面与背面绝缘的目的；另外经过化学反应，刻蚀掉未被蜡覆盖的硅片表面的一定深度，做选择性发射极；最后用BDG去除inkjet 工序中的喷涂的层蜡，用KOH药液去除硅片表面的多孔硅；同时用HF去除表面的磷硅玻璃层。 2、设备及工具： Edge Isolation & PSG Selective Emitter 、电子天平、PVC手套、口罩、防护服、防护眼罩、防护套袖、橡胶手套、防酸碱胶鞋、GP Solar电阻测试仪（边缘电阻）、浓度分析仪等。 3、适用范围 本工艺适用于Edge Isolation & PSG Selective Emitter。 4、职责 本工艺操作规程由工艺工程师负责调试、修改、解释。 5、材料： 合格的多晶硅片（INKJET后）、HF（49%,电子级，工作压力3-5bar， KOH（49%,电子级，工作压力3-5bar）、HNO 3 （65%，电子级，工作压力3-5bar），DI水（工作压力3-5bar）、压缩空气（工作压力6-7bar，除油，除水，除粉尘）， Butyldiglycol（2一（2一丁氧乙氧基）乙醇）（BDG）（100%，电子级，工作压力3-5bar）， 冷却水（入水：工作压力3-4bar，最大入水温度25°C，出水工作压力：最大2bar），新鲜空气（Fresh air用于旋转器腔室）（工作压力100Pa）， 乙二醇（制冷机）。 6、工艺描述： 6.1、工艺条件：环境温度：+ 22°C to + 24°C；环境湿度: 45 to 65 % RH at 24°C；
刻蚀工艺
硅片工艺程
集成电路工艺之
Materials
IC Fab Metallization CMP Dielectric deposition Test
Wafers
刻蚀
Thermal Processes Masks
Implant
Etch PR strip
Packaging
Photolithography Design
Final Test
刻蚀
1、基本介绍 2、湿法刻蚀 3、干法刻蚀 4、刻蚀工艺
刻蚀的定义
基于光刻技术的腐蚀：刻蚀 湿法称腐蚀？干法称刻蚀？ 将光刻胶上的IC设计图形转移到硅片 表面 腐蚀未被光刻胶覆盖的硅片表面，实 现最终的图形转移 化学的，物的或者两者的结合
栅极光刻对准
栅极光刻掩膜
光刻胶 多晶硅
STI P-Well
USG
栅极光刻曝光
Gate Mask
显影/后烘/检验
Photoresist Polysilicon STI P-Well USG STI
PR Polysilicon USG P-Well
多晶硅刻蚀（1）
Polysilicon
多晶硅刻蚀（2）
Gate Oxide Polysilicon
PR STI P-Well USG STI
PR USG P-Well
去除光刻胶
Gate Oxide Polysilicon
离子注入
Gate Oxide Dopant Ions, As Polysilicon
+
STI P-Well
USG
STI
n+ P-Well
n+
USG Source/Drain
采矿工程的毕业论文
论文题目矿井开采研究与分析专业名称煤矿开采技术 姓名范利军 学号 完成日期 2015 年5月15日
目录 4 4 4 5 （一）、井田地质、老窑及水文对开采的影响 (5) 6 9 10 10 11 12 六、13 七、14 八、15
论文摘要： 本设计详细介绍开拓立式煤矿井的概况特征，经过一系列的方案论证比较，选择了适合立式矿井的开拓方式、采煤方法和各生产系统。井田内地质构造比较简单，主要为纵贯井田东西的天仓向斜，对第一水平选择了立井开拓方案，首采区的采煤方法采用倾斜长壁采煤法，综合机械化回采工艺。辅助运输系统与主运输系统相分离，其中辅助运输系统采用了国际上先进的辅助运输设备单轨吊，可满足人员、机械设备、材料和矸石的运输，无需中间转载，可从井底车场直达工作面。矿井一水平采用两翼对角式通风系统。 关键字：立井开拓；条带式；单一倾斜长壁采煤法；综合机械化采煤；两翼对角式通风。
矿井开采研究与分析 一、概述矿井开采 在地底下开采的矿山。有时把矿山地下开拓中的斜井、竖井、平硐等也称为矿井。矿井开拓对金属矿山或采煤矿井的生产建设的全局有重大而深远的影响，它不仅关系矿井的基建工程量，初期投资和建井速度，更重要的是将长期决定矿井的生产条件、技术经济指标。矿井开拓即从地面向地下开掘一系列井巷，通至采区。矿井开拓需要解决的主要问题是：正确划分井田，选择合理的开拓方式，确定矿井的生产能力，按标高划分开采技术分类，选择适当的通风方式，进行采区部署以及决定采区开采的顺序等。矿井开拓通常以井筒的形式分为平硐开拓、斜井开拓和立井开拓。采用合理的采矿方法是搞好矿井生产的关键。 煤层在形成时，一般都是水平或者近水平的，在一定范围内是连续完整的。但是，在后来的长期的地质历史中，地壳发生了各种运动，是煤层的空间形态发生了变化，形成了单斜构造、褶皱构造和断裂构造等地质构造。我们采煤就要注意煤层的走向倾向和倾角。 矿井的开拓可以分成立井开拓，斜井开拓，平硐开拓和综合开拓，主井和运输巷等都需要永久的支护，可以采用砌碹支护，架拱支护，架蓬支护，锚杆支护，锚喷支护，锚网喷支护。
材料 冶金论文
学院 毕业论文 论文题目：浅谈高炉强化冶炼技术的途径 姓名： 系部：材料及资源系 专业：冶金技术 班级：冶金4班 指导教师：
高炉强化冶炼技术的途径，主要是以原料为基础，以顺行为手段，提高冶炼强度和降低焦比同时并举。一方面要提高冶炼强度,另一方面要降低焦比。提高冶炼强度最积极的因素是增加风量,如果风量不变,增加鼓风中的含氧量(富氧鼓风),提高入炉料含铁品位优化入炉料结构等等也能达到提高冶炼强度的目的。降低焦比的措施一是增加热源。如提高风温，二是降低热消耗或减少热损失。还有提高焦炭质量，特别是焦炭的高温性能等高炉强化冶炼在作好炉内操作的同时，必须抓好基础管理，提供良好的外围条件，才能保证强化冶炼工作的稳步进行。
摘要 (1) 第1章绪论 (3) 第2章烧结矿分级入炉技术 (4) 第3章精料 (4) 3.1 提高矿石的品位 (4) 3.2 提高熟料利用率 (4) 3.3 稳定原燃料的化学成份 (5) 3.4 加强原料的整粒工作 (5) 3.5 改善炉料的高温冶金性能 (5) 3.6 合理的炉料结构 (6) 3.7 改进焦炭质量 (6) 第4章高压操作与高风温 (7) 4.1 高压操作 (7) 4.2 高风温 (7) 第5章喷吹燃料 (8) 第6章富氧与综合鼓风 (9) 6.1 富氧 (9) 6.2 综合鼓风 (9) 第7章低硅冶炼 (9) 第8章结束语 (9) 参考文献 (10)
第1章绪论 随着国民经济的快速发展，国内市场对钢铁产品一直保持着旺盛的需求。虽然我国钢产量占世界钢产量的30%以上，但我国钢铁工业结构不合理。就炼铁工序而言，大小高炉结构更为突出，1000m3以下的小型中高炉比例过大，这种状况近年不仅未得到改善，反而日益加剧。2005年我国生铁生产能力为33857万t,其中1000m3以下的小型高炉的产能就占了55%。许多高炉建在乡镇，由于技术落后，资源的浪费十分严重，并对环境带来严重污染。2005年7月我国发改委颁布了《钢铁产业发展政策.》，在调整高炉结构的同时，提高高炉强化冶炼技术，从而使我国钢铁产业快速平稳发展，随着高炉强化冶炼技术的提高，促进生产效率进一步提高，而生产率的提高，也会使燃料消耗降低，CO2等废气的排放量减少，环境效益也很明显。从而让我国钢铁产业实现经济效益与环境效益的同时提高
冶金工程论文题目
冶金工程专业（专科） 生产实践题目（考生可任选其一） 1、炉外精炼工艺技术的发展 2、转炉炼钢氧枪枪位的控制 3、提高高炉寿命措施及技术分析 4、烧结厚料层对烧结质量的影响 5、高炉喷煤与富氧操作 6、连铸坯表面缺陷的成因及防止措施 7、高炉无料钟炉顶布料规律的认识 8、连铸结晶器振动技术的发展 9、用低热值高炉煤气获得高风温的研究 10、造渣制度对炼钢的影响 11、球团技术的发展现况 要求：一、以论文形式表述 二、封面注明：专业、姓名、准考证号、身份证号、联系方式 三、不低于3000字。 （2014年11月15号前发到卢老师邮箱 55250203@https://www.360docs.net/doc/105202687.html, )
河北工业职业技术学院《环境工程与管理》（081101） 毕业论文 （2548） 论文题目： 考生姓名学号 指导教师 日期
附件3：（毕业论文） 毕业论文撰写规范 一、毕业论文内容要求 毕业论文内容包括以下几部分内容：题目、作者姓名和、摘要、关键词、引言、正文、结论、参考文献。 （一）题目 题目是以最恰当、最简明的词语反映论文中最重要的特定内容的逻辑组合。 对论文题目的要求是：准确得体；简短精炼；外延和内涵恰如其分；醒目。 （二）作者姓名和专业班级 （三）摘要 论文摘要是论文内容不加注释和评论的简短陈述。摘要应包含以下内容：①从事这一研究的目的和重要性；②研究的主要内容，指明完成了哪些工作；③获得的基本结论和研究成果，突出论文的新见解；④结论或结果的意义。 论文摘要文字必须十分简炼，内容亦需充分概括，篇幅大小一般限制其字数不超过论文字数的5%。论文摘要不要列举例证，不讲研究过程，不用图表，也不要作自我评价。 [示例] 混凝沉淀法处理立德粉废水（论文题目） [摘要]：本文介绍了混凝沉淀法处理立德粉生产废水的工艺和运行情况。运行结果表明：该工艺具有运行稳定、操作简单、处理效果好、运行成本低等优点。处理后出水达到国家综合排放标准要求。 （四）关键词 关键词是标示文献关键主题内容，但未经规范处理的主题词。是为了文献标引工作，从论文中选取出来，用以表示全文主要内容信息款目的单词或术语。一篇论文可选取3~5个词作为关键词。 [示例] [关键词]：立德粉生产废水；混凝沉淀；达标排放 （五）引言 引言又称前言，属于整篇论文的引论部分。其写作内容包括：研究的理由、目的、背景、前人的工作和知识空白，理论依据和实验基础，预期的结果及其在相关领域里的地位、作用和意义。 引言的文字不可冗长，内容选择不必过于分散、琐碎，措词要精炼，视整篇论文篇幅的大小及论文内容的需要来确定篇幅，长的可达700~800字或1000字左右，短的可不到100字。 [示例] 论文题目：胆法反流性胃火的临床特征 前言：慢性胃炎是一种常见病，其病因尚未完全阐明。目前认为本病的致病因素较多，十二指肠液包括胆法反流入胃，可能是其中的一个因素[1]。本文探讨了胆法反流性胃炎的临床特征。 （六）正文
冶金工程毕业论文
冶金工程毕业论文 东教 北务 大处学 毕 业 设 计 , () 论 GRADUATE DESIGN (THESIS) 文 , 设计(论文)题目论如何减少连铸方坯脱方缺陷 东学生万占成北 教学中心伊犁经贸培训中心大 学专业冶金工程继 续指导教师陈敏教 育
学二〇一三年九月六日 院 目录 摘要 2 1.脱方对生产的影响 3 2.介绍脱方 4 3.脱方的外在因素 7 3.1工艺因素 8 3.2设备因素 11 4.解决脱方的措施 15 5.结论 17 参考文献 19 东北大学继续教育学院毕业设计，论文， 摘要:冶金行业生产过程中，铸坯质量是决定生产结果的关键，方坯形状缺陷中的脱方就是其中一个缺陷，对于小方坯脱方缺陷，在方坯连铸生产过程中很常见，对于它的危害，给后道轧钢工序带来的影响是相当严重的，不问具体论述一下实际生产过程中是如何消除脱方缺陷的。 关键词:冶金行业铸坯质量解决脱方缺陷 东北大学继续教育学院毕业设计，论文， 1.脱方对生产的影响 在炼钢连铸生产工序中，方坯脱方是连铸坯常见的形状质量缺陷，它的形成比较复杂但主要是由于钢水在结晶器内不均匀冷却，初生坯壳厚度不均匀造成的，它产生于结晶器内，在二冷区得以发展和壮大，所以体现在二冷区。方坯的脱方又称之为菱变，概念意义主要是方坯横断面上两条对角线的长度不相等，呈现菱形形状。脱方在连铸生产过程中很常见，尤其在高拉速状态下显得更加明显，控制不当还会造成漏钢等生产事故，脱方量大于10mm的铸坯，送往轧钢轧钢轧制工序中会东北大学继续教育学院毕业设计，论文，影响轧机的咬入，造成轧制困难，出现堆钢等事故，而且脱方缺陷常伴有对角线裂纹，严重还发生漏钢事故，由于脱方给生产带来严重的影响，所以对于它产生的原因以及如何才能有效快捷的拒绝此缺陷的发生，是我们连铸生产人员当前必须解决的问题。 2.介绍脱方
钢铁冶金专业毕业设计---(年产70万吨电弧炉)
目录 绪言 第一章设计方案 (1) 1.1 设计概述 (1) 1.2 产品方案 (2) 1.3 产量计算 (4) 1.4 新技术、新设备的选择说明 (14) 1.5 工艺流程及车间的组成………………………………………….……… 15 第二章电弧炉设计 (17) 2.1 电弧炉炉型及其尺寸计算 (17) 2.2 炉子变压器功率和电参数的确定 (22) 第三章连铸设计 (26) 3.1 车间设备及参数的选定 (26) 3.2 连铸机基本参数的确定 (27) 3.3 连铸车间的工艺布置 (31) 第四章车间布置及主要设备的选择 (33) 4.1 炉子跨 (35) 4.2 原料跨 (42) 4.3 浇铸跨 (45) 4.4 精炼跨间布置 (48) 第五章电炉炼钢的经济技术指标 (53) 5.1 产量方面 (53) 5.2 质量方面 (53) 5.3 品种方面 (53) 5.4 成本方面 (54) 第六章专题研究 (55) 6.1 开发背景 (55) 6.2成形耐火涂料的特性和性能 (56) 6.3耐火涂料层的涂敷作业 (58) 6.4结束语 (58) 参考文献 (59)
绪言 本次设计是根据娄底地区条件设计年产量为70万吨电弧炉炼钢车间，该地区矿藏丰富，水源充沛，交通发达，设计炼钢车间条件比较合理。同时在该地区建厂不仅是本地区工业发展的需要，也为本地区重工业的发展提供拉可靠保证在本次设计中。考虑到我国的钢铁工业的发展现状，及未来钢铁行业发展的方向，更加为能够创造出最大的经济效益，在行业竞争中处于有利地位，同时根据市场需求，重点发展优质钢，合金钢等特钢品种， 本次设计中采用现在比较先进的炼钢技术。尽量做到经济上合理，技术上先进，减轻工人的劳动强度，改善工人的工作环境，建设一流的现代炼钢车间。如：在本次设计中。电炉中采用二次燃烧技术，吹氧自动系统。连铸车间中，采用全程保护浇注，电磁搅拌系统，结晶器液面控制仪，汽水喷雾冷却等先进技术，为企业的高产量，高质量发展创造拉条件，将为企业本身和地方经济发展做出不可磨灭的贡献，创造丰富的经济效益。 在本次设计中，是本人三年专业知识学习的一个促进过程。电炉部分的一个总结，知识的一个再学习过程。本次设计中得到了李永清老师的悉心指导和帮助，本人表示非常的感谢。然而，由于本人水平有限，设计中难免有不足和纰漏之处。望各位给予指正。
太阳能电池-湿法刻蚀工艺指导书
蒈 Edge Isolation & PSG Selective Emitter 工艺操作规程 莁产品型号名称 賺156X 156多晶绒面电池 薆共6页 蒄第 腿设计文件名称 羅 T-IS-026
肂1、工艺目的: 节通过化学反应，将硅片上下表面的PN结刻断，以达到正面与背面绝缘的目的；另外经过 化学反应，刻蚀掉未被蜡覆盖的硅片表面的一定深度，做选择性发射极；最后用BDG去除inkjet工序中的喷涂的层蜡，用KOH药液去除硅片表面的多孔硅；同时用HF去除表面的磷硅玻璃层。 罿2、设备及工具： 肇Edge Isolation & PSG Selective Emitter 、电子天平、PVC手套、口罩、防护服、防护眼罩、防护套袖、橡胶手套、防酸碱胶鞋、GPSolar电阻测试仪（边缘电阻）、浓度分析仪等。 袂3、适用范围 聿本工艺适用于Edge Isolation & PSG Selective Emitter 。 肇4、职责 薇本工艺操作规程由工艺工程师负责调试、修改、解释。 薃5、材料： 肁合格的多晶硅片（INKJET后）、HF（49%电子级，工作压力3-5bar，
葿KOH（49%,电子级，工作压力3-5bar ）、HNO（65% 电子级，工作压力3-5bar），羆DI水（工作压力3-5bar ）、压缩空气（工作压力6-7bar，除油，除水，除粉尘） 莃Butyldiglycol （2 一（2 一丁氧乙氧基）乙醇）（BDG （100%，电子级，工作压力 3-5bar）， ），膂冷却水（入水：工作压力3-4bar，最大入水温度25°C,出水工作压力：最大2bar 薈新鲜空气（Fresh air用于旋转器腔室）（工作压力100Pa）， 莅乙二醇（制冷机）。 肃6、工艺描述： 羀6.1、工艺条件：环境温度：+ 22° C to + 24° C;环境湿度：45 to 65 %RHat 24° C;