大学物理(下)复习材料概要

选择题

[ ]下列说法正确的是:

(A )闭合曲面上各点电场强度都为零时,曲面内一定没有电荷;

(B )闭合曲面上各点电场强度都为零时,曲面内电荷的代数和一定为零; (C )闭合曲面的电通量为零时,曲面上各点的电场强度必为零;

(D )闭合曲面的电通量不为零时,曲面上任意一点的电场强度都不可能为零.

[ ]在场强i x E

=的电场中,沿x 轴放置放置一底面积为S 长为a 的圆柱面,其左底面距离原点

也为a ,如图所示,则通过该圆柱面E

的通量为:

(A )0; (B )aS ; (C )3aS ; (D )aS i

.

[ ]如图所示,闭合曲面S 内有一点电荷q ,P 为S 面上任意一点,S 面外有另一点电荷Q ,设通过S 面的电通量为e Φ,P 点的场强为P E

,则当Q 从A

点移到B 点时:

(A )e Φ改变,P E 不变;(B )e Φ不变,P E

不变; (C )e Φ改变,P E 改变;(D )e Φ不变,P E 改变;

[ ]一孤立导体球壳带有正电荷,若将远处一带电体移至导体球壳外附近,则静电平衡后, (A )导体球壳的电势仍保持不变;

(B )导体球壳面上的电荷仍均匀分布;

(C )导体球壳外附近的场强仍与其表面垂直;

(D )球壳外的带电体在球壳内产生的场强处处为零.

[ ]下列说法正确的是:

(A )电场强度为零的点,电势也一定为零; (B )电场强度不为零的点,电势也一定不为零; (C )电势为零的点,电场强度也一定为零;

(D )电势在某一区域内为常量,则电场强度在该区域内必定为零.

[ ]如图所示,在无限长载流导体附近作一球形曲面S ,当面S 向长直导线靠近的过程中,穿过面S 的磁通量m Φ以及曲面上任一点P 的磁感应强度大小B 的变化为: (A )m Φ增大,B 增大;(B )m Φ不变,B 不变;

(C )m Φ增大,B 不变;(D )m Φ不变,B 增大.

[ ]如图所示,a 、c 处分别放置无限长载流导线,P 为环路L 上任一点,若把a 处的载流导线移至b 处,则:

(A )⎰⋅L

l d B

改变,P B 改变;

(B )⎰

⋅L l d B 改变,P B

不变;

(C )⎰⋅L

l d B

不变,P B 改变;

(D )⎰⋅L

l d B

不变,P B 不变.

[ ]如图所示,I 是稳定的直线电流,在它下方有一电子射线管,欲使图中阴极所发射的电

子束不偏转,可加一电场,该电场方向应是: (A )竖直向上; (B )竖直向下; (C )垂直纸面向里; (D )垂直纸面向外.

[ ]如图所示,半径为R 的半圆形线圈中通有电流I ,在均匀磁场B 的作用下,从图示位置转过30°时,它所受磁力矩的大小和方向分别为: (A )42

IB R π,沿图面竖直向下; (B )42IB R π,沿图面竖直向上; (C )432IB R π,沿图面竖直向下; (D )432IB R π,沿图面竖直向上;

[ ]铜圆盘水平放置在均匀磁场中,B 的方向垂直向上。当铜盘绕通过中心垂直于盘面的轴沿图示方向转动时,则: (A )铜盘上有感应电流,沿着铜盘转动的相反方向流动;

(B )铜盘上有感应电流,沿着铜盘转动的方向流动; (C )铜盘上有感应电动势,铜盘中心处电势高; (D )铜盘上有感应电动势,铜盘边缘处电势高.

[ ]在一自感线圈中通过的电流I 随时间变化规律如图所示,若以I 的正流向作为ɛ的正方向,则线圈中的自感电动势ɛ随时间t 的变化规律曲线应选择:

(A ) (B )

(C ) (D )

[ ]对位移电流,下列说法正确的是: (A )位移电流的实质是变化的电场;

(B )位移电流和传导电流一样是定向运动的电荷; (C )位移电流服从传导电流遵循的所有定律; (D )位移电流的磁效应不服从安培环路定理.

[ ]已知真空中传播的平面电磁波的电场强度振幅为0E ,则该电磁波的平均能流密度为(c 为真空中光速): (A )

20021E ε (B )c E 20021ε (C )2002

1

E μ (D )c E 200ε

[ ]杨氏双缝试验中,欲使干涉条纹间距变宽,需怎样调整: (A )增加双缝的间距;

(B )增大入射光的波长;

(C )减小双缝与光屏之间的距离; (D )减小入射光的波长.

[ ]在杨氏双缝干涉实验中,如图所示,原来缝S 到达两缝S 1和S 2的距离是相等的。现在将S 向下移动一微小距离,则屏幕上干涉条纹讲如何变化: (A )干涉条纹向上平移; (B )干涉条纹向下平移; (C )干涉条纹不会平移; (D )干涉条纹无法确定.

[ ]迈克尔逊干涉仪可用来测单色光的波长,当干涉仪的动镜M 2移动到d ∆距离时,测得某单色光的干涉条纹移过N ∆条,则该单色光的波长为:

(A )N d ∆∆2 (B )N d ∆∆ (C )N d ∆∆4 (D )N

d

∆∆2

填空题

如图所示,两个电量都是+q 的点电荷,相距2a ,其中垂线上距O 为r 处的P 点的场强

E

= 。

如图所示,沿x 轴放置的无限长分段均匀带电直线,电荷线密度分别为+λ(x<0)和-λ(x>0),则oxy 面上点(0,a )处的电场强度E

= 。

若匀强电场强度的场强为 E

,其方向平行于半径为R 的半球面的轴,如图所示,则通过此半球面的E 通量 e Φ =_____________.

如图所示,a 点有点电荷1q ,b 点有点电荷2q -,a 、b 距离为R,若选∞远处为电势能、电势参考零点,则a 、b 连线中点的电势V = ,此系统的电势能P E = 。

一个中性金属球壳的内外半径分别是R 1和R 2,其中心放一点电荷q ,则金属球壳的电势V = 。

求图(a )、(b )、(c )、(d )中,圆弧中心O 处的磁感应强度B.(图中虚线表示通向无穷远

处的直导线)

(a )(b )

(c )(d )

一条长为0.5m 的直导线沿y 方向放置,通过沿y 正向的电流I=10A ,导线所在处的磁感应强度k j i B 5.02.13.0+-=(T ),则该导线所受磁力F

= 。

如图所示,真空中稳恒电流I 1、I 2、I 3、I 4、I 5,则⎰

⋅L

l d B

= 。

已知某静电场的电势函数22766y

y x x U --=(SI).由场强与电势梯度的关系式可得点(2,3,0)处的电场强度E = i + j + k (SI).

如图,长为L 的导体棒ab 在均匀磁场B

中,绕通过C 点的轴匀角速度转动,角速度为ω,

ac 长为L/3,则Va -Vc= ;Vb -Vc= ;Vb -Va= 。

如图所示,长为2a 的细铜杆MN 与通有恒定电流I 的长直导线垂直且共面。N 端距长直导

线为a ,当铜杆以匀速v

平行长直导线移动时,则杆内出现的动生电动势大小为=ε , 端电势较高。

如图所示,在杨氏双缝试验中,入射光波长为6000Å(1 Å=10-10

m ),屏幕上的P 点为第4级明条纹位置。则双缝S1和S2到达P 点的光程差 ;在P 点,叠加的两光振动的相位差 。

空气中有一透明薄膜,其折射率为n ,用波长为λ的平行单色光垂直照射该薄膜,欲使反射光得到加强,薄膜的最小厚度为 ;为使透射光得到加强,薄膜的最小厚度为 。

用波长为λ的单色光做牛顿环实验,测得第k 个暗环的半径为k r ,第k+p 个暗环的半径为

p k r +,则牛顿环平凸透镜的曲率半径R= 。

简答题

静电平衡时导体的基本性质:

(1)电场强度 导体内部:0=E ;导体表面附近:n E 0

εσ=

,n

为导体表面法向方向; (2)电势 导体是个等势体,表面是等势面;

(3)电荷 导体内部没有净电荷,净电荷只分布在导体外表面上。孤立导体表面电荷密度与表面曲率有关,曲率越大,电荷面密度越大,曲率越小,电荷面密度越小。

电势能和电场能两者有什么区别和联系?

电势能是带电体处于电场中某一位置时所具有的势能,是带电体与电场之间的相互能。而电场能是电场本身所具有的能量。对于电荷系形成的电场而言,当其中的某一点电荷在此电场中移动时,随各个带电体相互之间位置变化的那一部分电场能成为电势能。

从电磁场的基本性质来看,静电场是有源场,而稳恒磁场是无源场,请写出:

静电场的高斯定理:0

ε∑⎰=⋅ins

S

q S E

稳恒磁场的高斯定理:0=⋅⎰S

S B

静电场的环路定理:0=⋅⎰

S l d E

稳恒磁场的环路定理:∑⎰=⋅ins S

I l d B 0μ

比奥-萨伐尔定律

2

04r r l Id B d ⨯=πμ;⎰⎰⨯==20

04r r l Id B d B π

μ

顺磁质、抗磁质及铁磁质三者的相对磁导率r μ有什么区别?

磁介质中任一点的磁感应强度B B B '+

= 0,式中0B 为外磁场的磁感应强度,B '

为磁介质磁化后产生的附加磁感应强度。

对顺磁质,B 稍大于0B ,而00B B r μμ=,可知r μ稍大于1;

对抗磁质,B 稍小于0B ,而00B B r μμ=,可知r μ稍小于1; 对铁磁质,B »0B ,故r μ»1,且不是恒量,它与磁场强度有关。

说明下列各式的物理意义:

(1)l d E

⋅表示电场力对单位正电荷所做的元功; (2)l d E b

a

⋅表示静电场中,单位正电荷从a 点移动到b 点时,电场力所做的功;

(3)

0=⋅⎰L

l d

E

表示静电场中,单位正电荷沿任意闭合回路一周,电场力所做的功为零; (4)S d E

⋅表示通过面积元的电场强度通量.

光的相干条件:

两列光波同频率、同振动方向以及在相遇点上相位差保持恒定。

为了实现相干光的干涉,还应注意:两相干光至相遇点的光程差不能超过波列长度(即相干长度),以保持两相干光在考察点相遇;两相干光的振幅不能相差太大,以保证干涉条纹清晰可辨。

惠更斯-菲涅尔原理:

同一波阵面上各点都可以认为是产生新子波的相干光源;它们发出的子波在空间各点相遇时,各子波之间也可以相互叠加而产生干涉现象。

光的衍射是同一光束中无数个子波在障碍物后叠加相干的结果,衍射现象中出现的明暗相间条纹,正是从同一波阵面上发出的各子波互相干涉的结果。

瑞利判据

计算题

P18、例

10.11 均匀带电球体的电场强度分布。已知带电球体半径为R ,电荷体密度为ρ。

P44. 10.9 半径为b 的细圆环,圆心在Oxy 坐标系的原点上,圆环所带电荷的线密度λ=Acosθ,其中A 为常量,如图所示,求圆心处电场强度的x 、y 分量

P53 11.2 如图所示,在长为L 的一段载流直导线中,通有电流I ,求 (1)距离导线为a 处一点P 的磁感应强度。 (2)若导线线为无线长时,P 点的磁感应强度。

半径为R 的无限长半圆柱金属薄片中,自上而下地有电流I 通过,如图所示。试求圆柱体轴线上任一点P 处的磁感应强度

L

P

b

y

如图所示,一个半径为r 1的小线圈,起初和一个半径为r 2(r 1远小于r 2)的大线圈共面并同心,大线圈通入一恒定电流I 2

,并保持不动,而小线圈以角速度ω绕直径转动。小线圈的电阻为R

,其感抗可以忽略不计,试求

(1)两线圈的互感系数;

(2)小线圈中的电流(表示成时间的函数)

(3)大线圈的感生电动势(表示成时间的函数)

两个同轴螺线管1和螺线管2,同绕在一个半径为R 的长磁介质棒上。它们的绕向相同,截面积都可以近似等于磁介质帮的截面积,螺线管1和螺线管2的长度分别为l 1和l 2,单位长度上的匝数分别为n 1和n 2,(l 1和l 2都远大于R )试由此特例证明M 12=M 21=M 。

P

I

双缝干涉实验中,用钠光灯作单色光源,其波长为589.3 nm ,屏与双缝的距离 D=600 mm 。求:

(1) d =1.0 mm 和 d =10 mm ,两种情况相邻明条纹间距分别为多大?

(2) 若相邻条纹的最小分辨距离为 0.065 mm ,能分清干涉条纹的双缝间距 d 最大是多少? 解:

(1)由d

D x λ=∆可得 d =1.0 mm 时,d

D x λ=

∆=0.35mm d =10 mm 时,d

D x λ=∆=0.035mm (2)双缝间距d 为x D d ∆=λ=5.4mm

已知杨氏双缝实验装置中,双缝间距为0.5mm ,屏与缝的距离为2.0m ,入射光波长λ1=550nm ,求:

(1)相邻明纹间距;

(2)第3级明纹中心位置;

(3)若此时在入射光中又加入一种波长为λ2的单色光,是的屏上λ1的第六级明纹中心位置与λ2的第五级明纹中心位置重合,求λ2的值。

(1)根据双缝干涉相邻明(或暗)纹间距公式d

D x λ=∆, l 2 l 1

I

I

1λd

D x =

∆,求的x ∆=2.2mm (2)由明纹位置公式d

D k x k λ=, 133λd D x =,求的3x =6.6mm (3)由于λ1的第六级明纹中心和λ2的第五级明纹中心重合

故有()()2516λλx x =,所以2156λλd

D d D =,求得2λ=660mm

为了测量一根细的金属丝直径D ,按图办法形成空气劈尖,用单色光照射形成等厚干涉条纹,用读数显微镜测出干涉明条纹的间距,就可以算出D 。已知单色光波长为 589.3 nm ,测量结果是:金属丝与劈尖顶点距离L=28.880 mm ,第1条明条纹到第31条明条纹的距离x 为4.295 mm 。求金属丝直径D 。

N

x a ==0.14317mm 2s i n λθ=⋅a ,L D ≈θsin ,得到2λ⋅=a L D =0.0594mm

大学物理复习提纲(下册)

电场强度E=F/q ε=1/4πk 点电荷的场强公式E=q/4πεr2 电势a点电势V=∫EdI 电场力做功W=q∫EdI 如果无穷远处电势为零,点电荷的电势公式:V=q/4πεr 真空中静电场的高斯定理:∫Eds=(∑q)/ε高斯定理表明静电场是个有源场, 静电场的环路定理:∫EdI=0表明静电场是一种保守场 利用点电荷的场强公式和叠加原理求点电荷 E=1/4πε∑q/r2电势的定义求电势U=∫EdI 利用点电荷的电势公示和电势叠加原理求电势:U=∫dq/4πεr 利用电容公式求电容: C=Q/U 电容器储存的能量 W=1/2CU2=1/2QU B矢量大小: B=F/qv Φ=∫BdS μ真空导磁率 B矢量方向:规定为正的运动电荷在磁场中受力为零时的运动方向为该点的磁场方向。 恒定电流在磁场中的基本定律-毕奥-萨伐尔定律B=μIdL/4πr3表征磁场特性的定理 磁场的高斯定理: ∫BdS=0 说明磁场是无源场 安培环路定理∫BdI=μI说明磁场是非保守场 磁场对运动电荷和电流的作用 磁场对运动电荷的作用力-洛伦兹力: F=qvB 磁场对载流导线的作用力-安培力F=BIdL 在均匀磁场中,任意形状的平面载流导线所受的磁力与该导线始终点连线相同的直导线所受磁力相同,平面闭合线圈所受的合力为零。 载流线圈在磁场中所受的磁力矩M=NIS 磁力矩的大小 M=NBISsinθ方向:遵循右手螺旋法则 一个回路,不管什么原因,只要穿过回路的磁通量随时间变化,回路中就有感应电动势。 动生电动势:V=∫(Bv)dLdl为线元,B外磁场,v线元的速度导体或导体回路在恒定磁场中运动时(即导体切割磁力线运动时),产生的电动势为动生电动势。应用V=∫(Bv)dLdl时,应先选一个合适的线元dl注意线元所在处的B它的运动速度v并注意各矢量之间的夹角。 杨氏双缝干涉:波程差dsinθ明纹dsinθ= kλ暗d sinθ=(2k+1)λ/2 ?x=D/dλ相邻两明(或暗)纹对应的光程差为λ,相邻明、暗纹光程差为λ/2 单缝衍射光程差a sinθ明纹a sinθ=±(2k+1)λ/2暗a sinθ=±kλθ=x/f f:焦距 偏振:I=I0cos2α 单孔衍射:Dsinθ=1.22λ

安徽大学版大学物理下复习资料

安徽大学版大学物理下复习资料 第十四章热力学基础 14-1 平衡态、理想气体状态方程 一、状态参量 P 、V 、T ,单位Pa 、m 3、K 二、平衡态、准静态过程 1、平衡态:所有状态参量不随时间、位置变化 2、准静态过程:整个变化过程中的任一状态都可以近似看作平衡态(理想模型)三、理想气体状态方程: 1、大学物理涉及到的气体都是理想气体,因此该方程普遍存在 2、注意计算的时候才用国际单位制 14-2 热力学第一定律内能功热量一、热力学第一定律 1、吸收的热量转换为气体内能以及对外做功 2、 3、无限小过程 二、内能、功、热量 1、内能由状态唯一确定; 2、三者之间可以转换; 3、dW=pdV 14-3 第一定律在等值过程中的应用 一、等体过程,V 不变,dW=0, dQ=dE 1 2、摩尔定体热容1mol 理想气体在等体过程中,温度升高1K 所吸收的热量 3、 用摩尔定体热容计算内能变化,该公式可用于任意过程内能变化

4、单原子、双原子、多原子分子C v,m 分别为3R/2, 5R/2, 6R/2 二、等压过程,p 不变,dQ=dE+pdV 1 2 3、摩尔定压热容 4、比热容比三、等温过程,T 不变,dQ=dW=pdV 14-4 绝热过程 一、Q=0,-dE=dW=pdV m p V R T M = 二、绝热方程,一般常用第一个

等温线与绝热线 14-5 循环过程卡诺循环 一、循环过程:系统经一系列变化后,又回到原来的状态。(内能不变)1、系统所做的总功,为阴影部分面积,正、负循环对应正、负功2、热机(正循环)和致冷机(逆循环)热机:高温热源吸热Q 1,低温热源放热Q 2, 热量差做功Q 1-Q 2=W 致冷机:低温热源吸热Q 2,高温热源放热Q 1, 3、循环过程中,热量传递与做功是关键,由此求效率 二、卡诺循环(理想循环,实际循环达不到此效率,这是极限值) 1、由两个等温线、两个绝热线围成

大学物理(下)复习材料概要

选择题 [ ]下列说法正确的是: (A )闭合曲面上各点电场强度都为零时,曲面内一定没有电荷; (B )闭合曲面上各点电场强度都为零时,曲面内电荷的代数和一定为零; (C )闭合曲面的电通量为零时,曲面上各点的电场强度必为零; (D )闭合曲面的电通量不为零时,曲面上任意一点的电场强度都不可能为零. [ ]在场强i x E =的电场中,沿x 轴放置放置一底面积为S 长为a 的圆柱面,其左底面距离原点 也为a ,如图所示,则通过该圆柱面E 的通量为: (A )0; (B )aS ; (C )3aS ; (D )aS i . [ ]如图所示,闭合曲面S 内有一点电荷q ,P 为S 面上任意一点,S 面外有另一点电荷Q ,设通过S 面的电通量为e Φ,P 点的场强为P E ,则当Q 从A 点移到B 点时: (A )e Φ改变,P E 不变;(B )e Φ不变,P E 不变; (C )e Φ改变,P E 改变;(D )e Φ不变,P E 改变; [ ]一孤立导体球壳带有正电荷,若将远处一带电体移至导体球壳外附近,则静电平衡后, (A )导体球壳的电势仍保持不变; (B )导体球壳面上的电荷仍均匀分布; (C )导体球壳外附近的场强仍与其表面垂直; (D )球壳外的带电体在球壳内产生的场强处处为零. [ ]下列说法正确的是: (A )电场强度为零的点,电势也一定为零; (B )电场强度不为零的点,电势也一定不为零; (C )电势为零的点,电场强度也一定为零; (D )电势在某一区域内为常量,则电场强度在该区域内必定为零. [ ]如图所示,在无限长载流导体附近作一球形曲面S ,当面S 向长直导线靠近的过程中,穿过面S 的磁通量m Φ以及曲面上任一点P 的磁感应强度大小B 的变化为: (A )m Φ增大,B 增大;(B )m Φ不变,B 不变;

大学物理内容复习(下)

大学物理(下)复习 一、稳恒磁场 基本槪念,基本定律: 磁感应强度:, 磁矩: 磁通量: 高斯定理: 环流定理: ―――稳恒磁场无源有旋磁感应强度的计算: 1.电流产生的磁场(毕—萨定律):2。运动电荷产生的磁场:

几种典型载流导线的磁场: 有限长直导线: 无限长直导线: 圆形电流轴线上: 圆形电流圆心处: 无限长直螺线管内部: 螺绕环内部: 无限长载流直圆柱体: 柱内: 柱外: 轴线上: 磁场对载流导线及运动电荷的作用:

安培力: 磁力矩: 洛仑兹力: 磁力的功:例题:

一、一载流导线弯成如图所示形状,电流由无限远处流来,又流向无限远处。则圆的圆心o点的磁感应强度大小为多少?方向如何? (1) ; (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) 二、氢原子中的电子(电量为e),在一半径为R的圆

轨道上以速率v做匀速率圆周运动,则圆心处的磁感应强度大小为多少?圆心处磁场能量密度为多少?等效圆电流的磁矩 , , 三、两个电子e1和e2同时射入某均匀磁场后,分别作螺旋运动。若它们的速率,入射方向与磁场方向成,则它们的旋转周期之比是多少?旋转半径之比是多少?旋转螺距之比是多少? 四、用数学式表示出稳恒磁场的基本性质,一是无源场,二是有旋场。 五、有一宽为a的无限长薄金属片,自下而上通有电流I,如图,求图中P点处的磁感应强度。 , 方向垂直纸面向里。 六、一根通电I ABCD回路共面,如图。则ABCD 中的磁通量Ф是多少? 推广:若将矩形换成三角形,则磁通量Ф又 是多少? , 七、磁导率为的无限长磁介质圆柱

最新大学物理复习提纲(下册)

大学物理复习提纲(下 册)

大学物理复习纲要(下册) 第九章 静电场 一、 基本要求 1、 理解库仑定律 2、 掌握电场强度和电势概念 3、 理解静电场的高斯定理和环路定理 4、 熟练掌握用点电荷场强公式和叠加原理以及高斯定理求带电系统电场强度的方法 5、 熟练掌握用点电荷的电势公式和叠加原理以及电势的定义式来求带电系统电势的方法 二、 内容提要 1、 静电场的描述 描述静点场有两个物理量。电场强度和电势。电场强度是矢量点函数,电势是标量点函数。如果能求出带电系统的电场强度和电势分布的具体情况。这个静电场即知。 (1) 电场强度 0 q E = 点电荷的场强公式 r e r q 2041 πε= (2) 电势 a 点电势 0 .a a V E dl =? (00V =) (3) a 、b 两点的电势差 .b ab a b a V V V E dl =-=? (4) 电场力做功 00.()b a b a W q E dl q V V ==-? (5) 如果无穷远处电势为零,点电荷的电势公式: 04a q V r πε=

2、表征静电场特性的定理 (1)真空中静电场的高斯定理: 1 .n i i s q E d s ε== ∑? 高斯定理表明静电场是个有源场,注意电场强度通量只与闭合曲面内的电荷有关,而闭合面上的场强和空间所有电荷有关 (2)静电场的环路定理: .0l E dl =? 表明静电场是一种保守场,静电力是保守力,在静电场中可以引入电势的概念。 3、电场强度计算 (1) 利用点电荷的场强公式和叠加原理求 点电荷 2101 4n i i i q E r πε== ∑ 带电体 2014r dq E e r πε=? (2) 高斯定理求E 高斯定理只能求某些对称分布电场的电场强度,用高斯定理求电场强度关键在于做出一个合适的高斯面。 4、电势计算 (1)用电势的定义求电势(E 的分布应该比较容易求出).a a V E dl =? 电势零点 (2)利用点电荷的电势公示和电势叠加原理求电势: 01 4P dq V r πε=? 第十章 静电场中的导体和电介质 一、基本要求 1、 理解静电场中的导体的静电平衡条件,能从平衡条件出发分析导体上电荷分布和电场分布。

大学物理复习提纲(下)

4 《大学物理》(下)复习提纲 第6章恒定电流的磁场 (1) 掌握磁场,磁感应强度,磁力线,磁通量等概念,磁场中的高斯定理,毕奥一沙伐 一拉普拉 斯定律。 (2) 掌握安培环路定律,应用安培环路定律计算磁场 (3) 掌握安培定律,会用安培定律计算磁场力。会判断磁力矩的方向。会判断霍尔效应 电势的方向。 1.边长为2a 的等边三角形线圈,通有电流 I ,则线圈中 心处的磁感强度的大小为 —9戶°门(4丸可 _______________ . I (其中ab 、cd 与正方形共 面), C 2.边长为I 的正方形线圈,分别用图示两种方式通以电流 在这两种情况下,线圈在其中心产生的磁感强度的大小分别为 3.—无限长载流直导线,通有电流 I ,弯成如图形状.设各线段皆在纸面内,一无限长载

4 流直导线,通有电流I ,弯成如图形状.设各线段皆在纸面内,则 P 点磁感强度B 的大小为 ?则P 点磁感强度B 的大小为

5=51-B 2=A O ZW ,(B 方向指向纸内) 6.如图所示,用均匀细金属丝构成一半径为 R 的圆环C ,电流I 由导线1流入圆环A 点,并由 圆环B 点流入导线2?设导线1和导线2与圆环共面,则环心 O 处的磁感强度大小 为 ________________ (4n/?i ,。 _________________ ,方向 ___________ 垂直纸面向内 ___________ 7.真空中电流分布如图,两个半圆共面,且具有公共圆心,试求 O 点处的磁感强度. 设半径分别为R 和2R 的两个载流半圆环在 O 点产生的磁感强度的大小分别 为B i 和B 2 . § 二 “0(47?) B 厂坯! ?R) O 点总磁感强度为 4. 一无限长载有电流I 的直导线在一处折成直角, P 点位于导线所在 平面内,距一条折线的延长线和另一条导线的距离都为 a ,如图?求P 点的磁感强度B . B 1 i(^ ―) 方向为 4na 2 B 2 二 J Q I (1 -、2) ”.FAG 4na 2 B = Bj - B 2 = 2.L 0l /(4~.a) 方向为: 5?无限长直导线在P 处弯成半径为R 的圆,当通以电流I 时,则在圆心O 点的磁感强度大 小等于 D (A) (B) %1、2 4R (C) 0, (D) 伍)

大学物理复习提纲(下册)

大学物理复习纲要(下册) 第十四章 光学 (一) 光的干涉 1、 怎样获得相干光: 将普通光源上同一点发出的光,利用双缝(分波振面法)和反射和折射(分振幅法)使一束光“一分为二”,沿两条不同的路径传播并相遇,这样,单束的每一个波列都分成了频率相同,振动方向相同,相位差恒定的两部分,当它们相遇时,符合相干条件,产生干涉现象。 2、 杨氏双缝干涉: 波程差 条纹坐标: 相邻明纹或相邻暗纹之间的距离 3、 光程: 光在介质中通过L 距离引起的相位差: nL 为光程,即光通过介质中的几何路程折合成的光在真空中的路程。 4、 等厚干涉(劈尖、牛顿环) (1)等厚干涉的成纹公式: 垂直入射时,上下表面反射的光的光程差(假 ??????? =-±=±=暗纹 明纹)3,2,1(2)12()3,2,1,0(2 2' k k k k d x d λλ ?????? ?-±±=2 )12(2 2' 'λλ k d d k d d x λd d x ' =?' 12sin d x d d r r r ==-=?θnL L n λ π λπ?22==????? ?=+==+减弱 ,加强 3,2,102 )12(3,2,122k k k k nd λλλ

设有半波损失) (2)劈尖条纹分布规律: (a) 如果反射光有半波损失,棱 处d=0, 零级暗纹 (b) 条纹等间距 (c) 相邻明纹(或暗纹)对应的劈尖的厚度差 (3)牛顿环:光垂直入射,反射光有半波损失时, 明纹半径 暗纹半径 条纹不是等间距的。 (4) 关于半波损失(产生的条件):入射光从光疏介质 到光密介质的反射光,相位有π的跃变。 2 2n n d λλ== ? 3,2,1)21 (=-=k R k r λ 3,2,1,0== k kR r λ

大学物理下册复习资料

大学物理下册复习资料 大学物理下册复习资料 在大学物理学习的过程中,下册的内容往往更加深入和复杂。为了更好地复习 和掌握这些知识,我们需要有一份全面而有深度的复习资料。本文将为大家提 供一份关于大学物理下册的复习资料,帮助大家更好地备考。 一、电磁场与电磁波 电磁场与电磁波是大学物理下册的重要内容。电磁场包括静电场和静磁场,而 电磁波则包括光波和无线电波等。在复习这一部分内容时,我们可以从以下几 个方面进行总结和梳理。 首先,我们可以回顾电场和磁场的基本概念和性质。电场是由电荷产生的力场,而磁场是由电流产生的力场。我们需要掌握电场和磁场的计算公式,以及它们 的叠加原理和能量守恒定律等。 其次,我们可以深入学习电磁场的运动学和动力学。在这一部分中,我们需要 了解电磁场中的粒子运动规律,如洛伦兹力和质点在电磁场中的运动方程等。 同时,还需要掌握电磁场中的能量和动量守恒定律,以及电磁场的能量密度和 能流密度等概念。 最后,我们需要学习电磁波的基本性质和传播规律。电磁波是由振荡的电场和 磁场组成的,具有波动性和粒子性。我们需要了解电磁波的传播速度、波长和 频率之间的关系,以及电磁波的干涉、衍射和偏振等现象。 二、量子力学 量子力学是大学物理下册的另一个重要内容。它是研究微观领域的物质和能量 的理论。在复习这一部分内容时,我们可以从以下几个方面进行总结和梳理。

首先,我们需要回顾波粒二象性的基本概念和原理。量子力学认为微观粒子既具有波动性又具有粒子性,这一观点颠覆了经典物理学的观念。我们需要了解波粒二象性对物质和能量的描述,以及波函数和概率密度等概念。 其次,我们可以深入学习量子力学的基本原理和数学表达。量子力学的基本原理包括叠加原理、不确定性原理和量子力学的统计解释等。我们需要掌握薛定谔方程和波函数的求解方法,以及量子力学中的算符和测量等概念。 最后,我们需要学习量子力学在原子物理和固体物理中的应用。量子力学在原子物理中解释了原子的结构和性质,如玻尔模型和量子力学模型等。在固体物理中,量子力学解释了电子在晶格中的行为,如能带理论和半导体物理等。 三、热力学与统计物理 热力学与统计物理是大学物理下册的另一个重要内容。它是研究热现象和宏观物质的理论。在复习这一部分内容时,我们可以从以下几个方面进行总结和梳理。 首先,我们需要回顾热力学的基本概念和定律。热力学研究的是热现象和能量转化的规律。我们需要了解热力学的基本概念,如温度、热量和功等,以及热力学的基本定律,如热力学第一定律和热力学第二定律等。 其次,我们可以深入学习统计物理的基本原理和数学表达。统计物理是研究宏观物质的微观基础。我们需要了解统计物理的基本原理,如统计系综和统计力学等,以及统计物理中的分布函数和配分函数等概念。 最后,我们需要学习热力学与统计物理在物质的相变和热力学性质中的应用。热力学与统计物理解释了物质的相变现象,如固液气三态平衡和相变的热力学性质等。同时,还可以应用热力学与统计物理研究物质的热力学性质,如理想

《大学物理》(下) 复习资料整理归纳合集

《大学物理》(下) 复习资料整理归纳合集 一、电磁感应与电磁场 1. 感应电动势——总定律:法拉第电磁感应定律 dt d m i Φ-=ε , 多匝线圈dt d i ψ - =ε, m N Φ=ψ。 i ε方向即感应电流的方向,在电源内由负极指向正极。由此可以根据计算结果判断一段导体中 哪一端的电势高(正极)。 ①对闭合回路,i ε方向由楞次定律判断; ②对一段导体,可以构建一个假想的回路(使添加的导线部分不产生i ε) (1) 动生电动势(B ?不随t 变化,回路或导体L运动) 一般式:()λ?? ?d B v b a i ??=ε?; 直导 线:()λ? ????=εB v i 动生电动势的方向:B v ? ??方向,即正电荷所受的洛仑兹力方向。 (注意)一般取B v ? ? ?方向 为λ?d 方向。如果B v ??⊥,但导线方向与B v ???不在一直线上(如习题十一填空2.2题) ,则上式写成标量式计算时要考虑洛仑兹力与线元方向的夹角。 (2) 感生电动势(回路或导体L不动,已知t /B ??的值):????-=s i s d t B ?? ε,B与回路平面垂直时S t B i ???=ε 磁场的时变在空间激发涡旋电场i E :?????-=?L s i s d t B d E ?? λ?? (B增大时t B ???同磁场方向,右图) [解题要点知识] 对电磁感应中的电动势问题,尽量采用法拉第定律求解——先求出t 时刻穿过 回路的磁通量??=ΦS m S d B ??,再用dt d m i Φ-=ε求电动势,最后指出电动势的方向。(不用法拉弟 定律:①直导线切割磁力线;②L不动且已知t /B ??的值) [注] ①此方法尤其适用动生、感生兼有的情况;②求m Φ时沿B 相同的方向取dS ,积分时t B ?? i E ?

大学物理下复习

第八章 电磁感应 电磁学 一、电磁感应定律: 1.电磁感应定律内容: 当穿过闭合回路所围面积的磁通量发生变化时,回路中会产生感应电动势,且感应电动势正比于磁通量对时间变化率的负值. 公式形式: ;其中 注:若闭合回路的电阻为 R ,感应电荷为: 2.楞次定律:闭合的导线回路中所出现的感应电流,总是使它自己所激发的磁场反抗任何引发电磁感应的原因(反抗相对运动、磁场变化或线圈变形等). 二、动生电动势与感生电动势: 1.定义:感生电动势:由于磁感强度变化而引起的感应电动势; 动生电动势:由于回路所围面积的变化或面积取向变化而引起的感应电动势。 2.动生电动势: 在磁场中运动导线OP 所产生的动生电动势为: 注:1)E 的方向:先任意取定l d 的的方向,l B d )(??v 确定E 的正负:若为正,E 与l d 同向,反之,与l d 反向。 2)当OP 为直导线且其在均匀磁场中以恒定速度垂直磁场运动时, 3)此公式只适用于求动生电动势 3.感生电动势: 1)麦克斯韦假设 变化的磁场在其周围空间激发一种电场——感生电场 . 2)感生电场和静电场的区别: 感生电场是非保守场,由变化的磁场产生,电场线闭合且 而静电场是保守场,由静止电荷产生,电场线不闭合且 3)闭合回路中的感生电动势: 若闭合回路是静止的,S 不随时间变化,则上式可以改写为: 注意:a )S 是以回路 l 为边界所围曲面的面积; b)回路 l 环绕方向与 dS 法向成右手螺旋关系; t Φd d -=E k E 单位为伏特 单位为,的单位为韦伯E s t Φ,Wb )(1d 12121ΦΦR ΦR ΦΦ-=-=? ? =21d t t t I q ? ?=OP l E d k i E ? ??=OP l B d )(v Bl l B l v v ==? i d E 0d d d k ≠-=?? t Φl E L 0 d =?? L l E 静 t Φ l E L d d d k i -=?=? E ? ??-=?=S L s t B l E d d d d k i E

大学物理下复习提纲(中原工学院信息商务学院)

大学物理(下)复习提纲 1、光的相干性,相干光,薄膜干涉,干涉条件,干涉加强及减弱条件,相位差、光程差的概念、公式及相关计算 光程差:??取决于光程差(=光程之差。)用δ表示光程差,则)(12r r n -=δ, 2、杨氏双缝干涉:亮纹位置、暗纹位置、相邻条纹间距,条纹特征,相关计算等 3、半波损失,洛埃镜实验与杨氏双缝干涉实验的联系与区别 4、等光程性 5、薄膜干涉条件,附加光程差的判定 注意:(1)等厚干涉,i 不变,e 变 (2)等厚干涉是薄膜干涉的一特例。 6、劈尖干涉明、暗纹条件 ??? ????=+==+-=)(),,,()(),,(sin '暗纹)(明纹 210k 21k 221k k 2i n n e 2222λλλδ?????=+==+=)(),,,()()(),,(暗纹明纹 210k 21k 221k k 2ne 2λλλδ?? ???=-±=±=????=-±=±==?))(,,()())(,,,())(,,()())(,,,(减弱加强减弱加强 21k 21k 2210k k 21k 1k 2210k k 22λλδππλδπ?

讨论:①劈尖干涉图样是平行于棱边的一系列明暗相间的直条 纹。干涉条纹出现在劈尖的上表面处。 ②离棱边越远,k 则越大,即条纹的次越大。 ③相邻明纹对应劈尖高度差为 常数==---+=-=?+n k n k n e e e k k k 2)21(21]2)1[(211λλλλ。 同样,对相邻暗条纹对应劈尖高度差也为 常数=n 2λ。 ④相邻明(暗)纹间距为 θλθλθn n e e k 2sin 2sin ≈=?=(θ很小)。 ⑤e=0时,如暗纹。若1、2均有或均无半波损失,则e=0处为明纹。若ne 2=δ,在e=0处为明纹 7、牛顿环明、暗条纹条件: ?????=+==+=+=暗纹明纹),2,1,0(2)12(),2,1(2222 k k k k e ne λλλ λδ,(空气中)。 讨论:①牛顿环是以O 为中心的一系列圆环形明暗相间的条纹,条纹出现在L 、D 夹层上表面处。 ②离O 点越远,则条纹级次k 越大(与等倾干涉相反)。 ③明暗条纹及半径: 设C 为L 中球面的球心,半径为R ,在直角三角形CDA 中有 )Re(2Re 2)(2222e R e e R R r >>≈-=--= R r e 22=? 可有 图 14-16

大学物理第二版下册复习总结

《大学物理》下册复习 《热学》复习 一、想气体的状态方程及其变形 (1)RT PV ν=;(2) 2 22111T V P T V P = ;(3)nKT P = (4)mol M RT P ρ= V N n = 称为分子数密度,摩尔数表达式:mol mol V V N N M M ===0ν 二、理想气体的压强公式和温度公式: 22313231v n v nm P t ρε===, KT v m t 2 3 212==ε 三、理想气体的能量(注意掌握各种理想气体的自由度) 1.一个分子的能量 平均平动动能:KT t 23=ε; 平均转动动能:KT r r 2=ε 平均总动能:KT r t KT i k 2) (2+= = 2.理想气体内能:T C PV i RT i E m V ,22νν=== 单位体积的内能P i V E 2)/(= ; 单位质量的内能mol M iRT M E 2)/(= 四、三种速率及其应用(特别注意最可几速率的应用) 最可几速率:mol P M RT m kT v 22== 平均速率:mol M RT m kT v ππ88== 方均根速率:ρ P M RT m kT v mol 3332= == 五、速率分布函数Ndv dN v f = )(及其应用(归一化条件:1)(0=?∞dv v f ) 意义:表示在速率v 附近,单位速率区间内的分子数占总分子数的百分比。 dv v v +→区间的分子数占总分子数的百分比:dv v f N dN )(= dv v v +→区间的分子数:dv v Nf dN )(= 21v v →有限区间的分子数:??==?2 1 )(v v dv v Nf dN N 利用速率分布函数求平均值:? ?=2 1 2 1)()(v v v v dv v f dv v vf v , ? ?= 2 1 2 1 )()(22 v v v v dv v f dv v f v v

大学物理(下)知识点总结

大学物理(下) 1简谐运动: 1.1定义:物体运动位移(或角度)符合余弦函数规律,即:; 1.2特征:;=令; 1.3简谐运动:= 1.4描述简谐运动的物理量: I振幅A:物体离开平衡位置时的最大位移; II频率是单位时间震动所做的次数(周期和频率仅与系统本身的弹性系数和质量有关); III相位:称为初相,相位决定物体的运动状态 1.5常数A和的确定: I解析法:当已知t=0时x和v; II旋转矢量法(重点):运用参考圆半径的旋转表示; 2单摆和复摆 2.1复摆:任意形状的物体挂在光滑水平轴上作微小()的 摆动。 I回复力矩;(是物体的转动惯量) II方程:; 2.2单摆:单摆只是复摆的特殊情况所以推导方法相同,单摆的 惯性矩 3求简谐运动周期的方法 (1) 建立坐标,取平衡位置为坐标原点;

(2) 求振动物体在任一位置所受合力(或合力矩); (3) 根据牛顿第二定律(或转动定律)求出加速度与位移的关系式2a x ω=- 4 简谐运动的能量: 4.1 简谐运动的动能: ; 4.2 简谐运动的势能:; 4.3 简谐运动的总能量:;(说明:①简谐运动强度的标 志是A ②振动动能和势能图像的周期为谐振动周期的一半) 5 简谐振动的合成 5.1 解析法:①和振幅② 5.2 旋转矢量法:①和振幅②由几何关系求出初相 6 波 6.1 定义:振动在空间的传播过程;分为横波 纵波; 6.2 波传播时的特点:①沿波传播的方向各质点相位依次落后② 各质点对应的相位以波速向后传播; 6.3 描述波的物理量: I 波长(λ):相位相差2π的两质点之间的距离,反应了波 的空间周期性; II 周期(T ):波前进一个波长所需要的时间(); III 频率(ν):单位时间内通过某点周期的个数; IV 波速(u ):振动在空间中传播的速度;

大学物理(下)部分考点复习

大学物理(下)部分考点复习 【电磁学】 主要公式: ★无限长载流直导线磁感应强度: B=μ0I/(2πa); 圆形电流圆心处磁感应强度: μ0I/(2R); 无限长载流直螺线管轴线上磁感应强度: μ0nI 其中 n为单位长度的线圈匝数(N/L); 无限长载流直圆柱体磁感应强度: 柱外将其看作载流直导线,柱内将内部看作直导线;感应电动势: ε=dΦ/(dt); 注:变化的磁场产生的是涡旋电场 自感系数: LI=NΦ(记公式) 互感系数: M=N2Φ21/I1= M=N2Φ12/I2 典型例题: ★例1. 已知:无限长载流直导线通以电流I,在其 右侧L处有一长为a宽为b的矩形导线框, 求:通过线圈的磁通量Φ; 解:dB=B=μ0I/(2π(L+x)) dΦ=dB*dS =μ0I/(2π Φ=∫dΦ =∫(μ0I/(2π(L+x))*(b*dx)) =bμ0I/(2π)∫ =bμ0I/(2π)∫( 1/(L+x))dx =bμ0I/(2π)*(ln(L+a)-lnL) =bμ0I/(2π)*(ln((L+a)/L))

例2. 已知:圆形磁场区域B=kt(k>0),半径为R ,有一顶点在圆心处的三角形线圈ABO , 求:线圈各边的电势差; 解:ε= d Φ/(dt)=dB*S/(dt)=kS εAB =ε= kS ;方向:A →B O 、A 在同一个等势面,O 、A 在同一个等势面 所以εao =εBO =0 X O X X X X X X A B 例3. 无限长载流直导线折成如图所示形状,圆形半径为R B 1=μ0I/(2πa) *1/2 =μ0I/(2πR) *1/2 =μ0I/(4πR) B 2=0 B 3=μ0I/(2R)*3/4 =3μ0I/(8R) B=B 1+B 2+B 3 =μ0I/(4πR)+0+3μ0I/(8R) =μ0I/(4πR) +3μ0I/(8R) 【光学】 主要公式: ★加强减弱条件: 加强(明纹):Δψ=±2k π 或 δ=±k λ 减弱(暗纹):Δψ=±(2k+1)π 或 δ=±(k+1/2)λ 杨氏双缝干涉: 光程差:δ=2ax/D 条纹间距:Δx=D λ/(2a) 劈尖干涉(牛顿环): 光程差:δ=2ne+λ/2 条纹间距:λ/(2n θ) 单缝的夫琅和费衍射: 明纹:asin ψ=±(2k+1) λ/2 暗纹:asin ψ=±k λ/2 ★光栅衍射: 光栅方程:(a+b)sin ψ=±k λ

南京理工大学大学物理(下)复习提纲综述

大学物理(下)复习 十、真空中的稳恒磁场: (一)基本概念: 1、电流密度:n dS dI = δ, 导体内 υδ nq = (此式对正负电荷q 都成立,对电子q=-e ;v 为载流子漂移速度). 电流:⎰⋅=S S d I δ,dt dq I = 对负电荷,规定电流沿-v 方向. 2、稳恒电流:0=⋅⎰S S d δ(稳恒电流的条件) 稳恒电场:稳定电荷分布产生的电场。 满足 0=⋅⎰ L l d 3、电动势:定量描述电源非静电力做功本领的物理量。 ⎰+ - ⋅= 电源内) (l d ε 或 ⎰⋅=L l d ε 4、磁矩:n S I m ∆0=(I 0为线圈电流,△S 为线圈面积,n 为线圈法向,与I 0成右旋关系). 5、磁感应强度: 量值 m M B m a x =; 或 ⊥=dS d B max Φ (n S I m ∆0=) 方向:试验线圈稳定平衡后,其磁矩的方向。 6、磁通量:⎰ ⋅= S m S d B Φ 7、霍耳效应:在磁场中,载流导体上出现横向电势差的现象。 (二)基本定律、定理: 1、毕奥—萨伐尔定律: 2 04r r l Id d ⨯⋅=πμ 遵从磁场叠加原理,对一段载流导线L 的磁场: ⎰⨯⋅=−−−−→−⨯⋅=L r r l Id B r r l Id B d 2002 0044 πμπμ磁场叠加原理 2、运动电荷的磁场: 20 04r r q ⨯⋅=υπμ 3、磁场中的高斯定理: 0=⋅⎰⎰S S d B ; 4、安培环路定理: ∑⎰ =⋅I l d B L 0μ 磁介质中,安培环路定理:∑⎰=∙0I l d H L . 磁场强度 M B H -=0 μ,M 为介质磁化强度. 对各向同性磁介质,H B μ=,磁导率 r μμμ0=

《大学物理》下册复习资料

《大学物理》下册复习资料

第 2 页 2 《大学物理》(下) 复习资料 一、电磁感应与电磁场 1. 感应电动势——总规律:法拉第电磁感应定律 dt d m i Φ- =ε , 多匝线圈dt d i ψ - =ε, m N Φ=ψ。 i ε方向即感应电流的方向,在电源内由负极指向正极。由此可以根据计算结果判断一段导体中哪一端的电势高(正极)。 ①对闭合回路,i ε方向由楞次定律判断; ②对一段导体,可以构建一个假想的回路(使添加的导线部分不产生i ε) (1) 动生电动势(B 不随t 变化,回路或导体L运动) 一般式:() d B v b a i ⋅⨯=ε⎰; 直导线:() ⋅⨯=εB v i 动生电动势的方向:B v ⨯方向,即正电荷所受的洛仑兹力方向。 (注意)一般取B v ⨯方向为 d 方向。如果B v ⊥, 但导线方向与B v ⨯不在一直线上(如习题十一填空2.2题),则上式写成标量式计算时要考虑洛仑兹力与线元方向的夹 角。 (2) 感生电动势(回路或导体L不动,已知t /B ∂∂的值):⎰⋅∂∂-=s i s d t B ε,B与回路平面垂直时S t B i ⋅∂∂=ε 磁场的时变在空间激发涡旋电场i E :⎰⎰⋅∂∂-=⋅L s i s d t B d E (B增大时t B ∂∂ [解题要点] 对电磁感应中的电动势问题,尽量采用法拉第定律求解——先求出t 时刻穿过回路的磁通量⎰⋅=ΦS m S d B ,再用 dt d m i Φ- =ε求电动势,最后指出电动势的方向。(不用法拉弟定律:①直导线切割磁力线;②L不动且已知t /B ∂∂的值) [注] ①此方法尤其适用动生、感生兼有的情况;②求m Φ时沿B 相同的方向取dS ,积分时t 作为常量;③长直电流 r π2I μ=B r /;④i ε的结果是函数式时,根据“i ε>0即m Φ减小,感应电流的磁场方向与回路中原磁场同向,而i ε与感应 电流同向”来表述电动势的方向:i ε>0时,沿回路的顺(或逆)时针方向。 2. 自感电动势dt dI L i -=ε,阻碍电流的变化.单匝:LI m =Φ;多匝线圈LI N =Φ=ψ;自感系数I N I L m Φ=ψ = 互感电动势dt dI M 212-=ε,dt dI M 121-=ε。(方向举例:1线圈电动势阻碍2线圈中电流在1线圈中产生的磁通量的变化) 若dt dI dt dI 12=则有 2112εε=; 212MI =ψ,121 MI =ψ,M M M 2112==;互感系数1 2 2 1I I M ψ=ψ= 3. 电磁场与电磁波 位移电流:S d t D I S D ⋅∂∂⎰=,t D j D ∂∂= (各向同性介质E D ε=) 下标C 、D 分别表示传导电流、位移电流。 t B ∂∂

武汉理工大学物理下复习提纲

武汉理工大学物理下复习提纲(总 11页) --本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可-- --内页可以根据需求调整合适字体及大小--

第14章 气体动理论 1、 理想气体状态方程: RT M M pV mol = 即 RT pV μ=其中 mol M M =μ,R=1 1--⋅⋅K mol J 2、 平衡态的统计假设:1)分子按位置的分布是均匀的. V N V N n == d d 2)分子各方向运动概率均等,即:分子的速度按 方向 的分布是均匀的. 各方向运动概率均等 ===z y x v v v ; x 方向速度平方的平均值 ∑= i ix x N 2 21v v 各方向运动概率均等 22 2231v v v v = ==z y x 3、理想气体的压强公式: t 32 εn p = 4、分子平均平动动能: 2t 21v m = ε 5、温度的统计解释: RT N N RT m N Nm RT M M pV A A mol === T N R V N P A = nkT p =(n 为分子数密度)玻尔兹曼常数:1231038.1--⋅⨯== K J N R k A kT m 23212t == v ε 6、方均根速率: mol M RT m kT v 332 = = 1 222 2 1m m v v = 两瓶不同种类(分子质量不同)的气体,温度、压强相同,但体积不同,则 (1) 它们单位体积中的分子数相等( p=nkT ) (2) 它们单位体积中的气体质量相等( ρ= mn ) (3) 它们单位体积中的分子平均平动动能的总和相等( εk = nεt ) 7、分子自由度:(1)单元子分子 如:He 、Ne 、Ar 平动自由度 t = 3

大学物理下册知识点总结(期末)

大学物理下册 学院: 姓名: 班级: 一、气体的状态参量:用来描述气体状态特征的物理量。 气体的宏观描述,状态参量: (1)压强p:从力学角度来描写状态。 垂直作用于容器器壁上单位面积上的力,是由分子与器壁碰撞产生的。单位 Pa (2)体积V:从几何角度来描写状态。 分子无规则热运动所能达到的空间。单位m 3 (3)温度T:从热学的角度来描写状态。 表征气体分子热运动剧烈程度的物理量。单位K。 二、理想气体压强公式的推导: 三、理想气体状态方程: 1122 12 PV PV PV C T T T =→=; m PV R T M ' =;P nkT = 8.31J R k mol =;23 1.3810J k k - =⨯;231 6.02210 A N mol- =⨯; A R N k = 四、理想气体压强公式: 2 3kt p nε =2 1 2 kt m v ε=分子平均平动动能 五、理想气体温度公式: 2 13 22 kt m v kT ε== 六、气体分子的平均平动动能与温度的关系: 七、刚性气体分子自由度表 八、能均分原理: 1.自由度:确定一个物体在空间位置所需要的独立坐标数目。 2.运动自由度: 确定运动物体在空间位置所需要的独立坐标数目,称为该物体的自由度 (1)质点的自由度: 在空间中:3个独立坐标在平面上:2 在直线上:1 (2)直线的自由度: 中心位置:3(平动自由度)直线方位:2(转动自由度)共5个 3.气体分子的自由度 单原子分子 (如氦、氖分子)3 i=;刚性双原子分子5 i=;刚性多原子分子6 i=

4. 能均分原理:在温度为T 的平衡状态下,气体分子每一自由度上具有的平均动都相等,其值为 12 kT 推广:平衡态时,任何一种运动或能量都不比另一种运动或能量更占优势,在各个自由度上,运动的机会均等,且能量均分。 5.一个分子的平均动能为:2 k i kT ε= 五. 理想气体的内能(所有分子热运动动能之和) 1.1m ol 理想气体2 i E R T = 5. 一定量理想气体()2i m E RT M νν' == 九、气体分子速率分布律(函数) 速率分布曲线峰值对应的速率 v p 称为最可几速率,表征速率分布在 v p ~ v p + d v 中的分子数,比其它速率的都多,它可由对速率分布函数求极值而得。即 十、三个统计速率: a. 平均速率 M RT M RT m kT dv v vf N vdN v 60.188)(0 00 === == ⎰⎰∞ ∞ ππ b. 方均根速率 M RT M kT v dv v f v N dN v v 73.13)(20 2 2 2 == ⇒ = = ⎰⎰∞ C. 最概然速率:与分布函数f(v)的极大值相对应的速率称为最概然速率,其物理意义为:在平衡态条件下,理想气体分子速率分布在p v 附近的单位速率区间内的分子数占气体总分子数的百分比最大。 M RT M RT m kT v p 41.1220=== 三种速率的比较: 各种速率的统计平均值: 理想气体的麦克斯韦速率分布函数 十一、分子的平均碰撞次数及平均自由程: 一个分子单位时间里受到平均碰撞次数叫平均碰撞次数表示为 Z ,一个分子连续两次碰撞之间经历的平均自由路程叫平均自由程。表示为 λ 平均碰撞次数 Z 的导出: 热力学基础主要内容 一、内能 分子热运动的动能(平动、转动、振动)和分子间相互作用势能的总和。内能是状态的单值函数。 对于理想气体,忽略分子间的作用 ,则 平衡态下气体内能: 二、热量 系统与外界(有温差时)传递热运动能量的一种量度。热量是过程量。 摩尔热容量:( Ck =Mc ) 1mol 物质温度升高1K 所吸收(或放出)的热量。 Ck 与过程有关。 系统在某一过程吸收(放出)的热量为: 系统吸热或放热会使系统的内能发生变化。若传热过程“无限缓慢”,或保持系统与外界无穷小温差,可看成准静态传热过程。 准静态过程中功的计算: 元功: )(12T T C M m Q K k -= ) (12T T C M m K -=)(12T T Mc M m -=)(12T T mc Q -=41 .1:60.1:73.1::2=p v v v n v d Z 2 2π=p d kT 2 2πλ= n d Z v 221πλ= = kT mv e v kT m v f 22232 )2(4)(-=ππ⎰∞ ⋅=0 )(dv v f v v ⎰ ∞ ⋅= 22)(dv v f v v ∑∑+i pi i ki E E E =内) (T E E E k =理=RT i M m E 2 =PdV PSdl d F dA ==⋅=

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