薄膜电容器选型与应用
薄膜电容器选型与行业应用
————光伏逆变器行业
变频器行业 风电行业 交流滤波电容 其他场合
一、光伏行业DC-link电容
DC-link电容（大功率27μF-30μF/KW 薄膜电容）
二、变频器行业DC-link电容
输入电压等级 DC-Link 电容 吸收电容 LC 交流滤波电容 220V.AC-440V.AC 薄膜电容电压
Un=700V.DC 0.1-2μF/1200V.DC Un=450V.AC 660V.AC-690V.AC
薄膜电容电压 Un=1100V.DC 0.47-2.5μF/1600V.DC Un=850V.AC 1140V.AC
薄膜电容电压 Un=2000V.DC
0.47-3μF/3000V.DC
Un=1140V.AC
2000μF/1200VDC
SVG客户的选型
420/470 uf –1100/1200V .DC
500/1200/2000/3000 uf –1200V .DC
功率P DC-Link 电容 吸收电容 交流滤波电容
500KW 园柱SCREW 型
400μF-500μF/1100V .DC 27-30只并联 采用6只 方块铜片型
0.47-1.5μF/1600V .DC 金属盒三角接法SCREW 型 3×200μF/450V .AC 250KW 园柱SCREW 型
200-420 多只并联总容量在6000uf
采用3只 方块铜片型
0.47-1.5μF/1600V .DC
金属盒三角接法SCREW 型 3×200μF/450V .AC 100K 园柱SCREW 型 420uf 6只并联
方块铜片型 1μF/1200V .DC 金属盒三角接法SCREW 型 3×200μF/450V .AC
50K 方块导针型 10μF-50μF 多只并联
方块铜片型
0.47μF/1200V .DC
20μF/450V .AC (自己采用三角接法)，会选园柱SCREW 型的
备注 采用容量小，多只并联，这样同等容量流过DC-LINK 电容有效电流大， I 总rms≥nI 输出电流
容量选取不是容量越大越好，主要通过IGBT 开关频率和功率选取容量 选择交流电容设计电容的有效电流多少，这主要载波频率有关系
逆变器输出总功率对应４７０ＵＦ电容折算数量
6kv/250A =1.5兆瓦
10kv/200A/400A/600A/800A/1000A,=2/4/6/8/10兆瓦
1.5MW2MW4MW6MW8MW 10MW
180只198只429只648只864只1080只
――－依470 uf –1100/1200V.DC折算出的电容数量；
---风电变流器行业容量选取可参照此案，但务必对电压考虑裕量； 三、IGBT 保护电容（snubber）
IGBT 实际工作电流每 100A 使用容量大约 1UF。
5.2.3 交流滤波电容(AC_Filter)
滤波方式有LC滤波和LCL滤波，容量选取从几微法到300uF都有，
光伏上450VAC比较多50uF-300uF，850VAC和1140VAC选10-200微法的都常见；
5.2.4 其他场合使用的电容(other Application Series)
DC-LINK ：420μF/1100V.DC （上述电路能用型规格的ＤＣ-ｌｉｎｋ）
20μF/800V.AC（螺栓穿心，大功率UPS、开关电源、变频器等设备中作交
流滤波用）
吸收电容：1μF/1200V.DC 1μF/1600V.DC（引线穿心电子设备中开关器件
关断的尖峰电压、电流吸收保护）20μF/800V.AC（双端U型钢片穿心）――
IGBT缓冲吸收尖峰电压
电焊机、感应加热的谐掁电容1μF 500V.AC（螺栓穿心,壳体加固定支托）
具体外型参见下图所示：
电容器用金属化薄膜
电容器用金属化薄膜 1范围 本标准规定了电容器用金属化薄膜的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、以及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于电容器用金属化聚丙烯薄膜和金属化聚酯薄膜。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/－2003计数检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验计划 GB/－××××电气绝缘用薄膜第2部分：试验方法 3术语 3.1 3.2基膜base film 电容器用的能在其表面蒸镀一层极薄金属层的塑料薄膜。 3.3 3.4金属化薄膜metallized film 将高纯铝或锌在高真空状态下熔化、蒸发、沉淀到基膜上，在基膜表面形成一层极薄的金属层后的塑料薄膜。 3.5 3.6自愈作用self-healing 金属化薄膜介质局部击穿后立即本能地恢复到击穿前的电性能现象。 3.7
3.8留边margin 为实际制作电容器需要，将金属化薄膜一侧或两侧边缘或中间遮盖而形成不蒸镀金属的空白绝缘条(带)称为留边，其宽度称为留边量。 3.9 3.10方块电阻square resistance 金属化薄膜上的金属层在单位正方形面积的电阻值称为方块电阻，用Ω/□表示，通常用方块电阻来表示金属镀层的厚度。 3.11 3.12金属化安全薄膜metallized safe film 金属层图案含有保险丝安全结构的金属化薄膜。按保险丝安全结构特点可分网格安全膜、T形安全膜和串接安全膜等。 4分类 4.1产品类型 MPPA（MPETA）——单面铝金属化聚丙烯（或聚酯）薄膜，见图1－图3。 图1图2图3 MPPAD(MPETAD)——双面铝金属化聚丙烯(或聚酯)薄膜，见图4和图5。 图4图5 MPPAH(MPETAH)——边缘加厚金属层的单面铝金属化聚丙烯(或聚酯)薄膜，见图6。 图6 MPPAZ(MPETAZ)——单面锌铝金属化聚丙烯(或聚酯)薄膜，见图7。
IGBT吸收电容选型手册(EACO)
Electrical specifications, ordering codes Part Number Cap (μF) Dimention(mm) du/dt (v/μs) Ipeak A Irms max A ESR (m?) L B H STM-1200-2.2-*P# 2.2 57.5 35.0 50.0 455 1001 30.0 2.4 STM-1200-2.2-*S# 2.2 57.5 30.0 50.0 455 1001 29.5 2.4 STM-1200-2.5-*P# 2.5 57.5 35.0 50.0 455 1138 31.0 2.3 STM-1200-2.5-*S# 2.5 57.5 30.0 50.0 455 1138 30.5 2.3 STM-1200-3.0-*P# 3.0 57.5 35.0 50.0 455 1365 32.0 2.1 STM-1200-4.5-*S# 4.5 57.5 42.5 56.0 455 2047 33.0 1.7 Ur 1500Vdc, Urms 575Vac, Upk 2000Vdc STM-1500-0.33-*P# 0.33 42.5 24.5 27.5 800 264 13.5 4.6 STM-1500-0.33-*S# 0.33 42.5 18.0 31.5 800 264 13.0 4.6 STM-1500-0.39-*P# 0.39 42.5 24.5 27.5 800 312 14.0 4.3 STM-1500-0.39-*S# 0.39 42.5 22.0 30.0 800 312 13.5 4.3 STM-1500-0.47-*P# 0.47 42.5 33.5 35.5 800 376 18.0 3.7 STM-1500-0.47-*S# 0.47 42.5 28.0 37.0 800 376 17.5 3.7 STM-1500-0.68-*P# 0.68 42.5 33.5 35.5 800 544 19.5 3.1 STM-1500-0.68-*S# 0.68 42.5 28.0 37.0 800 544 19.0 3.1 STM-1500-0.75-*P# 0.75 42.5 33.5 35.5 800 600 20.5 2.8 STM-1500-1.0-*P# 1.0 42.5 33.0 45.0 800 800 23.0 2.5 STM-1500-1.0-*S# 1.0 42.5 30.0 45.0 800 800 22.5 2.5 STM-1500-1.2-*P# 1.2 57.5 30.0 45.0 560 672 25.0 2.8 STM-1500-1.5-*P# 1.5 57.5 35.0 50.0 560 840 28.0 2.5 STM-1500-1.8-*P# 1.8 57.5 35.0 50.0 560 1008 29.5 2.3 STM-1500-2.5-*S# 2.5 57.5 42.5 56.0 560 1400 31.0 1.8 Ur 1700Vdc, Urms 575Vac, Upk 2000Vdc STM-1700-0.22-*P# 0.22 42.5 24.5 27.5 880 194 13.2 5.3 STM-1700-0.22-*S# 0.22 42.5 17.0 28.0 880 194 13.0 5.3 STM-1700-0.33-*P# 0.33 42.5 24.5 27.5 880 290 14.0 5.0 STM-1700-0.33-*S# 0.33 42.5 22.0 30.0 880 290 13.5 5.0 STM-1700-0.47-*P# 0.47 42.5 33.5 35.5 880 413 19.0 3.8 STM-1700-0.47-*S# 0.47 42.5 28.0 37.0 880 413 18.5 3.8 STM-1700-0.56-*P# 0.56 42.5 33.5 35.5 880 492 19.5 3.1 STM-1700-0.56-*S# 0.56 42.5 28.0 37.0 880 492 19.0 3.1 STM-1700-0.68-*P# 0.68 42.5 33.5 35.5 880 598 20.0 2.9 STM-1700-0.82-*P# 0.82 42.5 33.0 45.0 880 721 22.1 2.5 STM-1700-0.82-*S# 0.82 42.5 30.0 45.0 880 721 19.5 2.5 STM-1700-1.0-*P# 1.0 57.5 30.0 45.0 610 610 23.5 2.7 STM-1700-1.2-*P# 1.2 57.5 30.0 45.0 610 732 26.2 2.6 STM-1700-1.5-*P# 1.5 57.5 35.0 50.0 610 915 28.5 2.4 STM-1700-2.2-*S# 2.2 57.5 42.5 56.0 610 1342 30.0 1.8 Ur 2000Vdc, Urms 630Vac, Upk 2400Vdc STM-2000-0.10-*P# 0.10 42.5 24.5 27.5 1000 100 8.0 13.0 STM-2000-0.10-*S# 0.10 42.5 15.0 26.0 1000 100 8.5 13.0 STM-2000-0.15-*P# 0.15 42.5 24.5 27.5 1000 150 10.5 7.5 STM-2000-0.15-*S# 0.15 42.5 15.0 26.0 1000 150 10.0 7.5 STM-2000-0.22-*P# 0.22 42.5 24.5 27.5 1000 220 12.0 5.1 STM-2000-0.22-*S# 0.22 42.5 22.0 30.0 1000 220 11.5 5.1 STM-2000-0.33-*P# 0.33 42.5 33.5 35.5 1000 330 16.5 4.1 STM-2000-0.33-*S# 0.33 42.5 28.0 37.0 1000 330 16.0 4.1 STM-2000-0.39-*P# 0.39 42.5 33.5 35.5 1000 390 17.5 3.6 STM-2000-0.39-*S# 0.39 42.5 28.0 37.0 1000 390 17.0 3.6 STM-2000-0.47-*P# 0.47 42.5 33.0 45.0 1000 470 20.5 3.2 STM-2000-0.47-*S# 0.47 42.5 28.0 37.0 1000 470 20.0 3.2 STM-2000-0.56-*P# 0.56 42.5 33.0 45.0 1000 560 21.5 3.0 STM-2000-0.68-*P# 0.68 57.5 30.0 45.0 700 476 22.5 3.5 STM-2000-0.82-*P# 0.82 57.5 30.0 45.0 700 574 24.0 3.1 STM-2000-1.0-*P# 1.0 57.5 35.0 50.0 700 700 27.0 2.8
电容器选用的基本知识(上)
電容器選用的基本知識（上） 文/唐凌 在一般電子電路中，尤其是與Hi-Fi有關的各種電路包括HFIFAF 電容器使用的頻度，大致上僅次於電阻器然電阻器使用雖多，而其作用特性種類卻遠較電容器為單純，因為在一張線路圖上，我們常常可以看到有關電阻規格的說明是除特別說明外一律用碳膜1/2瓦，而電容器就沒有那麼方便了。 因為電容器的規格，除了電壓容量之外還有因結構不同而產生的種種形體及特性上的差異，若有選用錯誤，不僅電路不能工作，甚至於將發生危險包括損及其他零件和人體等本文擬就以業餘者為對象，敘述一般電容器的選用常識，因編幅有限，是特將其較實用者優先論述。 一電子電路中的電容器 電容器的基本作用就是充電與放電，但由這種基本充放電作用所延伸出來的許多電路現象，使得電容器有著種種不同的用途，例如在電動馬達中，我們用它來產生相移，在照相閃光燈中，用它來產生高能量的瞬間放電等等，而在電子電路中，電容器不同性質的用途尤多，這許多不同的用途，雖然也有截然不同之處，但因其作用均係來自充電與放電，所以，在不同用途之間，亦難免有其共同之處，例如傍路電容實際上亦可稱為平滑濾波電容，端看從哪一個角度來解釋。 以下係就一般習慣的稱呼做為分類，來說明電容器在不同電路中的作用和基本要求。 1.1直流充放電電容 電容器的基本作用既是充電和放電，於是直接利用此充電和放電的功能便是電容器的主要用途之一。 在此用途中的電容器，有如蓄電池和飛輪一般的功能，在供給能量高於需求時即予吸收並儲存，而當供給能量低於需求或沒有能量供給時，此儲存的能量即可放出電容器充放電的作用與
電池充放電的作用不一樣，電池不管在充電或放電時，所需之作用時間均較長，因此，它無法在瞬間吸收大量的電能，也無法在瞬間放出大量的電能。 圖1-1是常見的整 流電路，圖中二極 體僅導通下半週 的電流，在導通期 間把電能儲存於 電容器上，在負半 週時，二極體不導 電，此時負載所需 的電能唯賴電容 器供給。 在此電路中，你可能想到，電容器在正半週所充之電能是否足夠維持到負半迵使用關於這個問題，有三個因素來決定 1.交流電在正半週時能否充份供應所需能量 2.電容器在正半週的充電期間，是否能夠儲存充份的能量 3.負載所需的平均電能是多少。 以上三個因素之中，1.2.數字若很大，而3.的需求則很小，即使在理論上亦無法獲得純粹的直流，因為電容器並非在正半週的全部時間都在充電，而只是在正半週的電壓高於電容器既有的電壓時，才有充電的作用在電容器不接負載時漏電流亦不計，其充電的時間只是正半週的前四分之一週電壓上升時及至電壓上升到峰值後，第二個正半週就不再充電了當電容器接上負之後，開始放電，在不充電的時間內，放去了多少電能，在充電時才能回多少電能，正是因為這樣，所以紋波是無法等於零的。 通常的整流充放電電路，都是在交流接近峰值的極短時間內充電，然後做穩定的如前級放大器或不穩定的如B類放大器放電，而放電之量亦僅佔總電容量極小的部份但也有少數電路中的電容是做長時間緩慢充電而後在瞬間大量放電的，這類電路例如照相用之閃光電路和點銲機中之放電電路等，其電容所要求的特性自與一般整流用電容不一樣。 1.2電源平滑濾波及反交連電容
薄膜电容器基本构造和分类教学文案
薄膜电容器基本构造 和分类
塑料薄膜电容（ Plastic Film Capacitor ）往往被简称为薄膜电容（ Film Capacitor ）或 FK 电容。其以塑料薄膜为电介质。 在应用上薄膜电容具有的一些的主要特性：无极性，绝缘阻抗高，频率特性优异 ( 频率响应宽广 ) ，介质损失小。基於以上的优点，薄膜电容器被大量使用在模拟电路上。尤其是在信号交连的部份，必须使用频率特性良好，介质损失极低的电容器，方能确保信号在传送时，不致有太大的失真情形发生。在所有的塑胶薄膜电容当中，又以聚丙烯 (PP) 电容和聚苯乙烯 (PS) 电容的特性最为显着。 1 基本构造： 薄膜电容内部构成方式主要是：以金属箔片（或者是在塑料上进行金属化处理而得的箔片）作为电极板，以塑料作为电介质。通过绕卷或层叠工艺而得。箔片和薄膜的不同排列方式又衍生出多种构造方式。图 1 是薄膜电容得典型示意图。
2 基本分类： 薄膜电容主要分类法有：按电介质分类；按薄膜（介质）和箔片（电极板）的排列方式分类；按结构分类；按线端方式分类。 从电介材质上分类： 从应用特性角度看，关键特性的表现还是缘于其电介质的不同。按电介质的不同 DIN 41379 对薄膜电容作了如下划分： T 型：即 PE T － Polyethylene terephthalate （聚乙烯对苯二酸盐( 或酯 ) ） P 型：即 P P － Polypropylene （聚丙烯）
N 型：即 PE N － Polyethylene naphthalate （聚乙烯石脑油） 以 M 作前缀表示为金属化薄膜的电容。 MFP 及 MFT 电容由金属箔片和金属化塑料薄膜构成，并不在 DIN 41379 阐述的范围内。
旁路电容使用和选择
简介 旁路电容常见于电子设备的每个工作部分。大多数工程师都知道要对系统、电路甚至每个芯片进行旁路。很多时候我们选择旁路电容是根据过往的设计经验而没有针对具体电路进行优化。本应用指南旨在对看似简单的旁路电容的设计思路进行探讨。在分析为什么要使用旁路电容之后，我们会介绍有关电容基础知识、等效电路、电介质所用材料和电容类型。 接下来对旁路电容的主要功能和使用场合进行区分。与仅工作在高频的电路不同，会产生大尖峰电流的电路有不同的旁路需求。另外还会讨论一些有针对性的问题，如,运用多个旁路电容以及电路板布局的重要性。 最后，我们给出了四个具体的示例。这四个例子涉及了高、低电流和高、低频率。 为什么要使用旁路电容 非常常见（和相当令人痛心）的是用面包板搭建一个理想配置电路时，经常会遇到电路运行不稳定或者根本就不能运行的情况（见图1）。来自电源、内部IC 电路或邻近IC 的噪声可能被耦合进电路。连接导线和电路连接起到了天线的作用而电源电压产生变化，电流随之不稳定。 图2所示为通过示波器所观察到的电源引脚上的信号波形。 . 图2. 示波器所观察到的同相放大器直流电源引脚的波形 我们可以看到，直流电压附近有很多高频噪音(约10mV P-P ) 。此外，还有之前提到的幅度超出50mVr 的周期性电压脉冲。因假定电源为稳定值（恒定为直流电压），那么任何干扰都将被直接耦合到电路并可能因此导致电路不稳定。 电源的第一道抗噪防线是旁路电容。通过储存电荷抑制电压降并在有电压尖峰产生时放电，旁路电容消除了电源电压的波动。旁路电容为电源建立了一个对地低阻抗通道，在很宽频率范围内都可具有上述抗噪功能。 要选择最合适的旁路电容，我们要先回答四个问题： 1、需要多大容值的旁路电容 2、如何放置旁路电容以使其产生最大功效 3、要使我们所设计的电路/系统要工作在最佳状态， 应选择何种类型的旁路电容？ 4、隐含的第四个问题----所用旁路电容采用什么样的封装最合适？（这取决于电容大小、电路板空间以及所选电容的类型。） 其中第二个问题最容易回答，旁边电容应尽可能靠近每个芯片电源引脚来放置。距离电源引脚越远就等同于增加串联电感，这样会降低旁路电容的自谐振频率（使有效带宽降低）。 图1. 同相放大器实验电路板(A V =2) 1 注：这类器件对静电放电比较敏感；请遵守正确的IC 操作规程。 1-888-INTERSIL 或1-888-468-3774|Intersil (和设计)是Intersil Americas Inc 的注册商标。 版权 ? Intersil Americas Inc . 2008，本公司保留一切权利。 文中提到的所有其它商标均归其持有者个人所有。
电容器用金属化薄膜
1.1.1.1.1.2 电容器用金属化薄膜 Prepared on 22 November 2020
电容器用金属化薄膜 1 范围 本标准规定了电容器用金属化薄膜的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、以及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于电容器用金属化聚丙烯薄膜和金属化聚酯薄膜。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/－2003计数检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验计划 GB/－××××电气绝缘用薄膜第2部分：试验方法 3 术语 3.1 3.2 基膜base film 电容器用的能在其表面蒸镀一层极薄金属层的塑料薄膜。 3.3 3.4 金属化薄膜metallized film 将高纯铝或锌在高真空状态下熔化、蒸发、沉淀到基膜上，在基膜表面形成一层极薄的金属层后的塑料薄膜。 3.5 3.6 自愈作用self-healing 金属化薄膜介质局部击穿后立即本能地恢复到击穿前的电性能现象。 3.7 3.8 留边margin 为实际制作电容器需要，将金属化薄膜一侧或两侧边缘或中间遮盖而形成不蒸镀金属的空白绝缘条(带)称为留边，其宽度称为留边量。 3.9 3.10 方块电阻square resistance 金属化薄膜上的金属层在单位正方形面积的电阻值称为方块电阻，用Ω/□表示，通常用方块电阻来表示金属镀层的厚度。 3.11 3.12 金属化安全薄膜metallized safe film 金属层图案含有保险丝安全结构的金属化薄膜。按保险丝安全结构特点可分网格安全膜、T形安全膜和串接安全膜等。 4 分类
钽电容的选用和使用标准
钽电容器设计指南 发布 前 言 本指南规定了电源类产品在设计生产中选择及使用钽电解电容时的基本原则、技术要求及注意事项。 本指南起草单位：XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX 本指南主要起草人： 本指南主要审查人： 本指南批准人：
目 录 1范围 4 2规范性引用文件 4 3概述 4 3.1.钽电容器的简要说明 4 3.2.符号说明 5 4术语定义 5 4.1.容量 5 4.2.电压 6 4.3.损耗因子和损耗角正切(tgδ) 7 4.4.阻抗(Z)和等效串联电阻(ESR) 7 4.5. D.C.漏电流 7 5选择时应注意的基本要求 8 5.1.固体电解质钽电容应考虑的主要因素 8 5.2.非固体电解质钽电容器应考虑的主要因素 9 5.3.不同电路类型对钽电容器类型的选择使用要求 10 5.4.对使用容量的选择要求 10 6使用时应注意的基本要求 11 6.1.固体电解质钽电容（主要以片式钽电容为例） 11 6.2.非固体电解质钽电容器 17 7钽电容器使用方式不同时电容器参数变化规律说明 20 8钽电容器的故障率计算 21 9保护电路与可靠性设计 21 10关于钽电容器的一些问题及解决方案 22 10.1.液体钽电容器的漏液问题 22 10.2.液体钽电容器的耐反向电压问题 22 10.3.固钽“不断击穿”又“不断自愈”的问题 22 10.4.固钽有“热致失效”问题 23 10.5.固钽有“场致失效”问题 23 10.6.解决方案 23 10.7.ESR和波纹电流之间的关系以及波纹电流对电路设计者的重要性 23 10.8.钽电容器的保存限期 24 11钽电容选用及使用总结 24 11.1.电压及纹波特性 24 11.2.使用环境温度 24 11.3.频率特性 25 11.4.可靠性 25 12供应商 25
电容器用金属化薄膜
电容器用金属化薄膜 Final revision by standardization team on December 10, 2020.
电容器用金属化薄膜 1 范围 本标准规定了电容器用金属化薄膜的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、以及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于电容器用金属化聚丙烯薄膜和金属化聚酯薄膜。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/－2003 计数检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验计划GB/－××××电气绝缘用薄膜第2部分：试验方法 3 术语 3.1 3.2 基膜base film 电容器用的能在其表面蒸镀一层极薄金属层的塑料薄膜。 3.3
3.4 金属化薄膜metallized film 将高纯铝或锌在高真空状态下熔化、蒸发、沉淀到基膜上，在基膜表面形成一层极薄的金属层后的塑料薄膜。 3.5 3.6 自愈作用self-healing 金属化薄膜介质局部击穿后立即本能地恢复到击穿前的电性能现象。 3.7 3.8 留边margin 为实际制作电容器需要，将金属化薄膜一侧或两侧边缘或中间遮盖而形成不蒸镀金属的空白绝缘条(带)称为留边，其宽度称为留边量。 3.9 3.10 方块电阻square resistance 金属化薄膜上的金属层在单位正方形面积的电阻值称为方块电阻，用Ω/□表示，通常用方块电阻来表示金属镀层的厚度。 3.11 3.12 金属化安全薄膜metallized safe film
薄膜电容器选型与应用
薄膜电容器选型与行业应用 ————光伏逆变器行业 变频器行业 风电行业 交流滤波电容 其他场合 一、光伏行业DC-link电容 DC-link电容（大功率27μF-30μF/KW 薄膜电容） 二、变频器行业DC-link电容 输入电压等级 DC-Link 电容 吸收电容 LC 交流滤波电容 220V.AC-440V.AC 薄膜电容电压 Un=700V.DC 0.1-2μF/1200V.DC Un=450V.AC 660V.AC-690V.AC 薄膜电容电压 Un=1100V.DC 0.47-2.5μF/1600V.DC Un=850V.AC 1140V.AC 薄膜电容电压 Un=2000V.DC 0.47-3μF/3000V.DC Un=1140V.AC 2000μF/1200VDC SVG客户的选型 420/470 uf –1100/1200V .DC 500/1200/2000/3000 uf –1200V .DC 功率P DC-Link 电容 吸收电容 交流滤波电容 500KW 园柱SCREW 型 400μF-500μF/1100V .DC 27-30只并联 采用6只 方块铜片型 0.47-1.5μF/1600V .DC 金属盒三角接法SCREW 型 3×200μF/450V .AC 250KW 园柱SCREW 型 200-420 多只并联总容量在6000uf 采用3只 方块铜片型 0.47-1.5μF/1600V .DC 金属盒三角接法SCREW 型 3×200μF/450V .AC 100K 园柱SCREW 型 420uf 6只并联 方块铜片型 1μF/1200V .DC 金属盒三角接法SCREW 型 3×200μF/450V .AC 50K 方块导针型 10μF-50μF 多只并联 方块铜片型 0.47μF/1200V .DC 20μF/450V .AC (自己采用三角接法)，会选园柱SCREW 型的 备注 采用容量小，多只并联，这样同等容量流过DC-LINK 电容有效电流大， I 总rms≥nI 输出电流 容量选取不是容量越大越好，主要通过IGBT 开关频率和功率选取容量 选择交流电容设计电容的有效电流多少，这主要载波频率有关系
通用型贴片电容规格书(选型手册)
【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】
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MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR
COG/COH
COG
, ,
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,
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30ppm/
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0805
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500
N
T
(PF) ( 0402 0.04 0603 0.06 0805 0.08 1206 0.12 ) 0.02 0.03 0.05 0.06 1.00 1.60 2.00 3.20 ( ) 0.50 0.80 1.25 1.60 CG CH COG NPO COH 100 101 102 10 10
0 1
J G C B D
5.00% 2.00% 0.25PF 0.10PF 0.50PF
10 10 10 10
2
6R3 100 250 500
6.3V 10V 25V 50V
S C N / / T B
WB
W
T
L mm L 0402 0603 0805 1206 1005 1608 2012 3216 1.00 1.60 2.00 3.20 0.05 0.10 0.20 0.30 W 0.50 0.80 1.25 1.60 0.05 0.50 0.10 0.80 0.20 0.80 1.00 1.25 0.20 0.80 1.00 1.25 T WB 0.05 0.25 0.10 0.30 0.20 0.50 0.20 0.20 0.20 0.60 0.20 0.20 0.10 0.10 0.20 0.30
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钽电容选型和外形介绍
钽电容选型介绍及外形尺寸 | | 2010年08月23日 | [字体：小大] | 点击推荐给好友 关键词：钽电容 一、钽电容介绍 钽电容是由稀有金属钽加工而成，先把钽磨成微细粉，再与其它的介质一起经烧结而成。目前的工艺有干粉成型法和湿粉成型法两种。钽电容由于金属钽的固有本性，具有稳定好、不随环境的变化而改变、能做到容值很大等特点，在某些方面具有陶瓷电容不可比较的一些特性，因此在很多无法使用陶瓷电容的电路上钽电容被广泛采用。 目前全球主要有以下几个品牌的钽电容：AVX、KEMET、VISHAY、NEC，其中AVX 和VISHAY的产量最大，而且质量最好。 二、钽电容技术规格和选型（以VISHAY和AVX为例说明） （一）VISHAY 1、型号表示方法 293D 107 X9 010 D 2 W ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ① 表示系列，VISHAY有293D和593D两个系列，293D表示普通钽电容，593D 表示的是低阻抗钽电容，直流电阻小于1欧，一般在100毫欧到500毫欧之间。 ② 表示电容的容量，范围从0.1UF----680UF ③ 表示容量误差，钽电容的容量误差有两种：一是±10%（K）和±20%（M） ④ 表示电容的耐压，指在85℃时额定直流电压，钽电容的耐压范围从4V---50V ⑤ 表示钽电容的尺寸大小，有A、B、C、D、E、P五种尺寸 ⑥ 表示电容的焊点材料，一般是镍银，和钯银 ⑦ 表示包装方式，有两种包装方式，7寸盘和13寸盘
2、外形尺寸 3、容量与电压和尺寸的范围关系表 293D普通系列 593D低阻系列（通用低阻钽电容为100UF----470UF）
薄膜电容和铝电解电容在直流支撑应用的换算关系-中文
替代电解电容的薄膜电容技术 DC-Link电容器应用 在过去多年的发展中，使用金属化膜以及膜上金属分割技术的DC滤波电容得到了长足的发展，现在薄膜生产商开发出更薄的膜，同时改进了金属化的分割技术极大的帮助了这种电容的发展，聚丙烯薄膜电容能够比电解电容更加经济地覆盖600VDC 到2200VDC的电压范围。薄膜电容具有的许多优势，使它替代电解电容成为工业和电力电子功率变换市场的趋势。 这些优点包括了： 承受高的有效电流的能力 能承受两倍于额定电压的过压 能承受反向电压 承受高峰值电流的能力 长寿命，可长时间存储 但是，只种替代并非“微法对微法”的替代，而是功能上的替代. 当然，尽管膜电容技术有了长足的进展，但不是所有的应用领域都能替代电解电容。 电解电容技术 典型的电解电容的最大标称电压为500 到600V。所以在要求更高电压的情况下，使用者必须将多只电容串联使用。同时，由于各电容的绝缘电阻不同，使用者必须在每个电容上连接电阻以平衡电压。 此外，如果超过额定电压1.5倍的反向电压被加在电容上时，会引起电容内部化学反应的发生。如果这种电压持续足够长的时间，电容会发生爆炸，或者随着电容内部压力的释放电解液会流出。为了避免这种危险，使用者必须给每个电容并联一个二极管。在特定应用中电容的抗浪涌能力也是考察电容的重要指标。实际上，对电解电容而言，允许承受的最大浪涌电压是VnDC的1.15或1.2倍（更好的电解电容）。这种情况迫使使用者不得不考虑浪涌电压而非标称电压。 直流支撑滤波：高电流设计和电容值设计 a) 使用电池供电的情况 应用为电车或电叉车 在这种情况下，电容被用来退耦。膜电容特别适合这种应用。因为直流支撑电容的主要标准是有效值电流的承受能力。这意味着直流支撑电容能够以有效值电流来设计 以电车为例，要求的数据 工作电压: 120VDC 允许的纹波电压: 4V RMS 有效值电流: 80 A RMS @ 20 kHz 最小容值为
电容器用金属化薄膜
范围 本标准规定了电容器用金属化薄膜的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、以及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于电容器用金属化聚丙烯薄膜和金属化聚酯薄膜。 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/—2003计数检验程序第1部分：按接收质量限（AQL检索的逐批检验计划 GB/ — XXXX 电气绝缘用薄膜第2部分：试验方法 术语 基膜base film 电容器用的能在其表面蒸镀一层极薄金属层的塑料薄膜。 金属化薄膜metallized film 将高纯铝或锌在高真空状态下熔化、蒸发、沉淀到基膜上，在基膜表面形成一层极薄的金属层后的塑料薄膜。 自愈作用self-healing 金属化薄膜介质局部击穿后立即本能地恢复到击穿前的电性能现象。 留边margin 为实际制作电容器需要，将金属化薄膜一侧或两侧边缘或中间遮盖而形成不蒸镀金属的空白绝缘条称为留边，其宽度称为留边量。（带） 方块电阻square resistance 金属化薄膜上的金属层在单位正方形面积的电阻值称为方块电阻，用Q 示金属镀 层的厚度。 / □表示，通常用方块电阻来表 金属化安全薄膜metallized safe film 金属层图案含有保险丝安全结构的金属化薄膜。按保险丝安全结构特点可分网格安全膜、T形安全膜和串接安全膜等。 分类 产品类型 MPPA（MPETA——单面铝金属化聚丙烯（或聚酯）薄膜，见图
薄膜电容器在新能源汽车上的运用
薄膜电容器在新能源汽车上的运用厦门法拉电子股份有限公司赖五福 薄膜电容器是一种应用于直流滤波场合的电容器。由于它跟传统电容相比有寿命长、温度稳定性好等优点，更适用于新能源汽车中的逆变器直流滤波。【摘要】本文主要介绍薄膜电容器优点、采用的先进技术、相关的选型标准及应用分析。 能源,薄膜电容器,电解电容器,逆变器,新能源汽车【关键词】 1.引言容理论上不会产生短路击穿的现象，这大 大提高了这类电容的安全性，典型的失效随着工业的迅速发展、人口的增长和人 民生活水平的提高，能源短缺已成为世界性模式是开路。在特定应用中电容的抗峰值问题，能源安全受到越来越多国家的重视。电压能力也是考察电容的重要指标。实际随着“汽车社会”的逐渐形成，汽车保有量上，对电解电容而言，允许承受的最大浪在不断地呈现上升趋势，全球汽车行业的发涌电压是1.2倍，这种情况迫使使用者不得 展面临着能源和环保的双重压力，各个国家不考虑峰值电压而非标称电压。为了将来在世界汽车业中占得一席之地，纷 b.良好的温度特性，产品温度使用范图1 电机控制器主回路示意图围广，可以从-40?-105? 纷推出了各自的的新能源汽车的规划蓝图，
直流支撑薄膜电容器采用的高温聚丙并大力发展新能源汽车。 新能源汽车是指采用非常规的车用烯薄膜，具有聚酯薄膜和电解电容没有的燃料作为动力来源，新能源汽车包括混合温度稳定性，具体如下图5，图6。动力汽车、纯电动汽车、燃料电池电动汽从图5中可以看出，随着温度的升高，车、氢发动机汽车、其他新能源(如高效聚丙烯膜电容器容量总体是下降的，但下[1]储能器、二甲醚)汽车等各类别产品。降的比例是很小的，大概是300PPM/?; 电机，电池和电机控制技术是新能源而聚酯膜不管是在高温阶段还是在低温汽车的三大核心。电机控制技术的核心就阶段，容量随温度变化则大了很 多，为是需要高效电机控制的逆变器技术，高效 +200+600PPM/?。从图6可以看出，聚~ 电机控制的逆变器技术则需要一个功能强丙烯膜介质电容图2 第一代丰田Prius电机控制器大的IGBT模块和一个与之匹配的直流支撑器的损耗随温度变化基本不变的，但聚酯 膜介质电容器在低温和高温显示变化规律电容器，如图1所示。 是不一样的。本文主要介绍薄膜电容的优点、采用的 先进技术、相关的选型标准及应用分析。由于聚丙烯膜介质电容器具有良好
薄膜电容器的使用要求和电性能参数
薄膜电容器的使用要求和电性能参数 电磁加热设备把工频的交流电或纯直流电,通过半桥/全桥逆变技术,变为高频交流电(1KHz—1MHz).高频交流电通过各种电感性负载后会产生高频交变磁场.当金属物体处于高频交变磁场中,金属分子会产生无数小涡流. 涡流使金属分子高速无规则运动,金属分子间互相碰撞、磨擦而产生热能,最终达到把电能转换为热能的目的.电磁加热设备在我们的工作和生活中大量的频繁的使用.例如电磁炉/电磁茶炉,电磁炉,高频淬火机,封口机,工业熔炼炉等等.本文以三相大功率电磁灶为例, 浅析薄膜电容器在电磁加热设备中的应用. 一电磁灶三相全桥电路拓扑图 二 C1—C6功能说明 新晨阳 C1/C2:三相交流输入滤波、纹波吸收, 提高设备抗电网干扰的能力 C1,C2和三相共模电感组成Pi型滤波,在设备中起电磁干扰抑制和吸收的作用.该电路一方面抑制IGBT由于高速开关而产生的电磁干扰通过电源线传送到三相工频电网中,影响其他并网设备的正常使用.另一方面防止同一电网中其他设备产生的电磁干扰信号通过电源线传送到三相工频电网中,影响电磁加热设备自身的正常使用.(对内抑制自身产生的干扰,对外抵抗其他设备产生的干扰,具有双面性) EMC=EMI+EMS 在实际使用中,C1可以选择MKP-X2型(抑制电磁干扰用固定电容器),容量范围在 3μF－10μF之间,额定电压为275V.AC－300V.AC. 采用Y型接法,公共端悬空不接地. C2可以选择MKP型金属化薄膜电容器,容量范围在3μF－10μF之间,额定电压为450V.AC－ 500V.AC ,采用三角形接法.
C1和C2原则上选用的电容量越大,那么对于电磁干扰的抑制和吸收效果越好.但是电容量越大,那么设备待机时的无功电流就越大.耐压方面要根据设备使用地域的电网情况而合理保留一定的余量,防止夜间用电量非常小的时候,电网电压过高而导致电容器电压击穿或寿命受到一定的影响. C3: 整流后平滑滤波、直流支撑(DC-Link),吸收纹波和完成交流分量的回路。 C3和扼流圈L组成LC电路,把三相桥式整流后的脉动直流电变为平滑的直流电,供后级逆变桥及负载使用.在电磁灶机芯实际电路中,C3一般是由几十微法的薄膜电容器组成.该 位置的薄膜电容器其实所起的作用是直流支撑(DC-LINK),负责纹波的吸收和完成交流分量的回路,而不是很多人所认为的(滤波).几十微法的电容量,对于几十千瓦的负载来说,所起到的滤波作用是非常小的,直流母线的电压波形根本就无法变得很平滑.由于IGBT的高速开关,会产生大量的高次谐波电流及尖峰谐波电压.如果没有电容器作为谐波电流和尖峰电压的吸收,那么直流母线回路会产生大量的自激振荡,影响IGBT等的安全使用及缩短寿命时间.因此,使用薄膜电容器作为直流母线纹波电压和纹波电流的吸收是目前国内外最常用的方法之一。 C3原则上选用的电容量越大,那么吸收效果越好.但是需要注意的是电容量过大,容易导致设备刚合闸上电的时候,由于电容器的瞬间充电电流过大而导致整流桥,保险管等过流击穿.在电磁灶机芯里,一般的选用原则是:半桥方案(1.5μF/KW) 全桥方案(1.2μF/KW).该配置是根据常规的薄膜电容器能承受的2A/μF的设计工艺所推断。 例如电磁灶半桥20KW机型,需要的C3容量是20*1.5=30μF C3的总纹波电流是 30*2=60A 全桥20KW机型,需要的C3容量是20*1.2=24μF（实际可取25－30μF） C3的总纹波电流是25*2=50A 建议实际选取的电容量及电容器能允许承受的纹波电流值不能低于上述建议值。 C3位置必须要考虑电路实际需要的纹波电流值是否小于所选用的薄膜电容器能承受的总纹波电流值(还要保留一定的电流余量),否则假如电路需要60A的纹波电流,而选择的电容器总共能承受的纹波电流只有40A,那么会导致薄膜电容器发热严重,长期过热运行,大大降低薄膜电容器的使用寿命,严重的导致薄膜电容器膨胀鼓包,甚至起火燃烧.耐压方面,一般选择额定电压为800－1000V.DC即可. C4: IGBT的尖峰电压/电流吸收、缓冲和抑制，防止IGBT击穿
金属化薄膜电容器
?金属化薄膜电容是以有机塑料薄膜做介质，以金属化薄膜做电极，通过卷绕方式制成（叠片结构除外）制成的电容，金属化薄膜电容器所使用的薄膜有聚乙酯、聚丙 烯、聚碳酸酯等，除了卷绕型之外，也有叠层型。其中以聚酯膜介质和聚丙烯膜介质应用最 广。 目录 ?金属化薄膜电容的作用 ?金属化薄膜电容的特点 ?金属化薄膜电容的缺点及改善 ?金属化薄膜电容的应用及相关要求 金属化薄膜电容的作用 ?金属化薄膜这种型态的电容器具有一种所谓的自我复原作用(Self Healing Action)，即假设电极的微小部份因为电界质脆弱而引起短路时，引起短路部份周围的电极金属，会因当时电容器所带的静电能量或短路电流，而引发更大面积的溶融和蒸发而恢复绝缘，使电容器再度回复电容器的作用。 金属化薄膜电容的特点 ?金属化薄膜电容即是在聚酯薄膜的表面蒸镀一层金属膜代替金属箔做为电极，因为金属化膜层的厚度远小于金属箔的厚度，因此卷绕后体积也比金属箔式电容体积小很多。金属化膜电容的最大优点是“自愈”特性。所谓自愈特性就是假如薄膜介质由于在某点存在缺陷以及在过电压作用下出现击穿短路，而击穿点的金属化层可在电弧作用下瞬间熔化蒸发而形成一个很小的无金属区，使电容的两个极片重新相互绝缘而仍能继续工作，因此极大提高了电容器工作的可靠性。不同种类的金属化薄膜电容特点如下表：
金属化薄膜电容的缺点及改善 ?从原理上分析，金属化薄膜电容应不存在短路失效的模式，而金属箔式电容器会出现很多短路失效的现象（如27-PBXXXX-J0X 系列）。金属化薄膜电容器虽有上述巨大的优点，但与金属箔式电容相比，也有如下两项缺点： 一是容量稳定性不如箔式电容器，这是由于金属化电容在长期工作条件易出现容量丢失以及自愈后均可导致容量减小，因此如在对容量稳定度要求很高的振荡电路使用，应选用金属箔式电容更好。 另一主要缺点为耐受大电流能力较差，这是由于金属化膜层比金属箔要薄很多，承载大电流能力较弱。为改善金属化薄膜电容器这一缺点，目前在制造工艺上已有改进的大电流金属化薄膜电容产品，其主要改善途径有 1）用双面金属化薄膜做电极； 2）增加金属化镀层的厚度； 3）端面金属焊接工艺改良，降低接触电阻。 金属化薄膜电容的应用及相关要求 ?金属化薄膜电容具有优异的电气特性、高稳定性和长寿命，可以满足各种不同的应用。目前，电容制造商一直在不断改进这种产品，以在较小的封装尺寸内提供更大的电容量。 电容制造商能够根据具体的应用，通过选择适当的电介质来优化金属化薄膜电容的特性。例如，聚脂薄膜在普通应用中表现出良好的特性，具有高介电常数( 使其在金属化薄膜电容中获得最高的单位体积电容量) 、高绝缘强度、自我复原特点和良好的温度稳定
常用贴片电容选型资料
贴片电容简述 通常大家所说的贴片电容是指片式多层陶瓷电容(Multilayer Ceramic Capacitors)，简称MLCC，又叫做独石电容。 它是在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次烧结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成的。具有小体积、大容量、Q值高、高可靠和耐高温等优点。同时也具有容量误差较大、温度系数很高的缺点。一般用在噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。 常规贴片电容按材料分为COG(NPO)、X7R、Y5V，常见引脚封装有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。 贴片电容基本结构 多层陶瓷电容(MLCC)是由平行的陶瓷材料和电极材料层叠而成。见下图： 贴片电容封装尺寸 封装 (L) 长度 公制(毫米) 英制(英寸) (W) 宽度 公制(毫米) 英制(英寸) (t) 端点 公制(毫米) 英制(英寸) 0201 0.60 ± 0.03 (0.024 ± 0.001) 0.30 ± 0.03 (0.011 ± 0.001) 0.15 ± 0.05 (0.006 ± 0.002) 0402 1.00 ± 0.10 (0.040 ± 0.004) 0.50 ± 0.10 (0.020 ± 0.004) 0.25 ± 0.15 (0.010 ± 0.006) 0603 1.60 ± 0.15 (0.063 ± 0.006) 0.81 ± 0.15 (0.032 ± 0.006) 0.35 ± 0.15 (0.014 ± 0.006) 0805 2.01 ± 0.20 (0.079 ± 0.008) 1.25 ± 0.20 (0.049 ± 0.008) 0.50 ± 0.25 (0.020 ± 0.010) 1206 3.20 ± 0.20 1.60 ± 0.20 0.50 ± 0.25