光化学蚀刻

光合作用的过程

植物和藻类利用自身的叶绿素将可见光转化为能量（包括光反应和暗反应）驱动二氧化碳和水转化为有机物并释放氧气的过程。它是生物界赖以生存的生化反应过程，也是地球碳氧循环的重要媒介。【基本概念】光合作用公式二氧化碳＋水―光/叶绿体→有机物（主要是淀粉）＋氧气 6CO2+6H2O―光/叶绿体→C6H12O6+6O2 中文解释光合作用（Photosynthesis）是植物、藻类利用叶绿素和某些细菌利用其细胞本身，在可见光的照射下，将二氧化碳和水（细菌为硫化氢和水）转化为有机物，并释放出氧气（细菌释放氢气）的生化过程。植物之所以被称为食物链的生产者，是因为它们能够通过光合作用利用无机物生产有机物并且贮存能量。通过食用，食物链的消费者可以吸收到植物及细菌所贮存的能量，效率为10%～20%左右。对于生物界的几乎所有生物来说，这个过程是它们赖以生存的关键。而地球上的碳氧循环，光合作用是必不可少的。详细机制植物利用阳光的能量，将二氧化碳转换成淀粉，以供植物及动物作为食物的来源。叶绿体由于是植物进行光合作用的地方，因此叶绿体可以说是阳光传递生命的媒介。（1）原理植物与动物不同，它们没有消化系统，因此它们必须依靠其他的方式来进行对营养的摄取。就是所谓的自养生物。对于绿色植物来说，在阳光充足的白天，它们将利用阳光的能量来进行光合作用，以获得生长发育必需的养分。这个过程的关键参与者是内部的叶绿体。叶绿体在阳光的作用下，把经有气孔进入叶子内部的二氧化碳和由根部吸收的水转变成为淀粉，同时释放氧气：（2）注意事项上式中等号两边的水不能抵消，虽然在化学上式子显得很特别。原因是左边的水，是植物吸收所得，而且用于制造氧气和提供电子和氢离子。而右边的水分子的氧原子则是来自二氧化碳。为了更清楚地表达这一原料产物起始过程，人们更习惯在等号左右两边都写上水分子，或者在右边的水分子右上角打上星号。（3）光反应和暗反应（高中生物课本中称之为暗反应，也有些地方称之为碳反应）光合作用可分为光反应和暗反应两个步骤。（4）光反应条件：光，色素，光反应酶场所：囊状结构薄膜上过程：水的光解：2H2O→4[H]+O2↑(在光和叶绿体中的色素的催化下） ATP的合成：ADP+Pi→ATP（在光、酶和叶绿体中的色素的催化下）影响因素：光强度，水分供给植物光合作用的两个吸收峰叶绿素a,b的吸收峰过程：叶绿体膜上的两套光合作用系统：光合作用系统一和光合作用系统二，（光合作用系统一比光合作用系统二要原始，但电子传递先在光合系统二开始）在光照的情况下，分别吸收680nm和700nm波长的光子（以蓝紫光

蚀刻加工厂家

蚀刻是整个生产流程的关键工序，主要是将产品通过化学溶液的化学作用将产品经过爆光显影后外露的不锈钢部位进行腐蚀，从而形成我们想要的图案。下面就让广德均瑞电子科技为您简单解析，希望可以帮助到您！广德均瑞电子科技有限公司说明一下腐蚀的问题：蚀刻工件的保护膜去除之后，就显露出光泽的金属本色，例如：黄铜装饰件、铭牌、未蚀刻到的凸处是光亮的金黄色。被腐蚀到的凹处则是亚光或是无光的，层次清晰，经漂洗钝化后，表面罩上保护漆，即为成品。也有在被腐蚀到的凹处填上各种色漆，形成彩色的图案再罩上保护漆。高档工艺品脱膜后往往还要电镀，镀合金或真金或白银，再填漆罩光或直接罩光。也有局部电镀的，例如：不去除保护膜，在被腐蚀的部位镀上其它颜色，然后再去除保护膜，这样就是金银二色的产品了。显得精致、华丽，高贵。罩光的用保护漆以前有人用自干漆，当时好看但

不耐久，现在多用烘干型涂料，紫光光（UV）固化涂料或电泳涂料。工业产品中使用不锈钢材质的零件，通常去除保护膜，清洗干净就好了，当然，有特殊要求的也可能需要表面着色，钝化或涂层。广德均瑞电子科技有限公司注册资金500万人民币，拥有不锈钢五金蚀刻加工独立法人环评资质，厂房面积2000平方米，6条不锈钢生产线，公司销售生产管理人员均超十年不锈钢蚀刻生产加工经验。公司主要生产集成电路导线架；接地端子; 表面贴装零件(SMT)模板；精密线材布线钢板;编码器光栅；手机按键、RDIF天线、基板及金属配件；(VFD)栅网、陈列、支架；电极针（放电针）；各类金属过滤网片/喇叭网片；眼镜框架；精密元器件掩模板；LCD背光模仁、钢版；显像管荫罩；电脑硬盘骨架；金属蚀刻发热片工艺等。广德均瑞电子科技是以补强钢片为主打产品的蚀刻厂，ISO9001认证工厂，具有独立法人和环评资质，持有排污许可证的企业。拥有6蚀刻加工生产线，免费提供FPC补强板工艺解决方案以及蚀刻行业资讯。

蚀刻液稳定性的研究

0 前言化学蚀刻以其操作简单，成本低，加工周期短等优点，在加工领域得到了广泛的应用。近几年，化学蚀刻为航天航空、船舶等行业的精密零件加工解决了很多难题，如加工码盘等[1]。因此，对其工艺研究越来越多。蚀刻液的性能是影响蚀刻加工效果的决定因素之一，其主要考核指标为腐蚀速率和稳定性。其中稳定性是指蚀刻液在蚀刻过程中能保持腐蚀速率在一定范围内的性能，它最终将影响产品蚀刻效果的一致性[2]，所以对蚀刻液稳定性的分析是非常重要的。但是，目前对蚀刻液稳定性的研究很少。本文采用王水型蚀刻体系，以高Ni 不锈钢为蚀刻材料，确定了一种研究蚀刻液的稳定性的方法。 1 实验部分蚀刻液稳定性的研究傅玉婷，巴俊州，蒋亚雄，颜飞雪（中国船舶重工集团公司第七一八研究所，河北邯郸，056027）摘要：为了得到更好的蚀刻效果，研究蚀刻液的稳定性具有必要性，其实验研究方法显得尤为重要。采用原子发射光谱法得出蚀刻液中Ni2+浓度，间接计算出腐蚀量的数据采集方法，研究了3组不同成分浓度蚀刻液的稳定性，将考察蚀刻速率—腐蚀量的关系与蚀刻速率—时间的关系这2种方法进行了对比实验。实验结果证明：通过蚀刻速率—腐蚀量的关系来考察蚀刻液的稳定性具有可行性和优越性；同时得到，3种蚀刻液中，1B42稳定性最好，且该蚀刻液的最大金属腐蚀量为3g/L 。关键词：化学蚀刻；蚀刻液；稳定性中图分类号：TG 176；TN305.7 文献标识码：A A Method of Studying the Stability of Etching Solution Fu Yu-ting, Ba Jun-zhou, Jiang Ya-xiong, Yan Fei-xue (The 718th Research Institute of CSIC, Handan 056027, China) Abstract: In order to improve the effect of etching, it needed to study the stability of etching solution, and its method of studying was more important. Obtained the concentration of Ni 2+ by ICP-AES ,then obtained the weight of etched metal , studied the stability of three types of solution with different concentration, found the relations between etching rate and etched weight, as well as etching rate and etching time, then compared the both of them. it showed that the relations between etching rate and etched weight had superiority and was viable for evaluating the stability of etching solution. Meanwhile, the stability of 1B42 is the best, and the solution’s maximum of etched metal was more than 3g/L 。 Keywords: Chemic etching ；etching solution ；stability 舰船防化 2010年第3期，27~29 CHEMICAL DEFENCE ON SHIPS №3, 27~29

光合作用的过程

光合作用的过程 ?光合作用过程： 1、光合作用的概念：绿色植物通过叶绿体，利用光能，把二氧化碳和水转化成储存着能量的有机物，并且释放出氧气的过程。 2、光合作用图解： 3、光合作用的总反应式及各元素去向 ?光反应与暗反应的比较：

? ?易错点拨： 1、光合作用总反应式两边的水不可轻易约去，因为反应物中的水在光反应阶段消耗，而产物中的水则在暗反应阶段产生。

2、催化光反应与暗反应的酶的分布场所不同，前者分布在类囊体薄膜上，后者分布在叶绿体基质中。知识拓展： 1、氮能够提高光合作用的效率的原因是：氮是许多种酶的组成成分光合作用的场所：光合作用第一个阶段中的化学反应，必须有光才能进行。在类囊体的薄膜上进行；光合作用的第二个阶段中的化学反应，有没有光都可以进行。在叶绿体基质中进行。 2、玉米是C4植物，其维管束鞘细胞中含有没有基粒的叶绿体，能够进行光合作用的暗反应。C4植物主要是那些生活在干旱热带地区的植物。 ①四碳植物能利用强日光下产生的ATP推动PEP与CO2的结合，提高强光、高温下的光合速率，在干旱时可以部分地收缩气孔孔径，减少蒸腾失水，而光合速率降低的程度就相对较小，从而提高了水分在四碳植物中的利用率。 ②二氧化碳固定效率比C3高很多,有利于植物在干旱环境生长。C3植物行光合作用所得的淀粉会贮存在叶肉细胞中；而C4植物的淀粉将会贮存于维管束鞘细胞内，维管束鞘细胞不含叶绿体。 3、光合细菌：利用光能和二氧化碳维持自养生活的有色细菌。光合细菌(简称PSB)是地球上出现最早、自然界中普遍存在、具有原始光能合成体系的原核生物，是在厌氧条件下进行不放氧光合作用的细菌的总称，是一类没有形成芽孢能力的革兰氏阴性菌，是一类以光作为

蚀刻加工报价

蚀刻加工，是利用过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果，对金属进行定制加工的一门工艺手段。下面就让广德均瑞电子科技为您简单解析，希望可以帮助到您！蚀刻加工的具体价格，建议您咨询广德均瑞电子科技有限公司。蚀刻加工用途： 1、去毛刺：由于不锈钢板在冲制或机械加工后，在端面或棱角处存在毛刺，不仅影响产品的外观，也影响机器的使用效果，如果采用机械抛光或手工去毛刺，不仅工效低，也不能满足设计的圆角倒角要求，采用特殊的化学抛光或电化学抛光溶液，对毛刺进行腐蚀加工，而又不损害表面光洁度，甚至可以提高表面光洁度。这是表面处理与机械加工的结合。

2、除去多余尺寸：如某不锈钢弹簧钢丝，其线径要求φ0.8~0.84，而实际线径是和0.9，如何使制成品均匀变为φ0.8~0.84，如何有效地去除机加工过程中的毛刺和热处理过程中产生的氧化膜?如要采用机械抛磨和钳修的方法除去毛刺、氧化皮和钢丝直径圆周上均匀地除去0.06~0.1mm.不仅加工工艺性差，效率低，加工质量也难以保证。利用化学抛光的特殊溶液，可以同时达到除去毛刺，氧化皮，均匀除去多余的线径尺寸的目的。又如对某些片状不锈钢零件，尺寸大些，也可以利用电化学抛光的特殊溶液适当减薄厚度尺寸，达到产品尺寸要求。 3铣切加工：将不锈钢材料需要加工的部位暴露于化学铣切液中进行铣切加工，从而获得一定形状或尺寸的零件，达到具有立体感、装饰性的目的。利用丝网漏印，可对不锈钢表面化学铣切出文字、花纹、图样，达到一定的深度，再填充上一定的不同的色彩，如奖牌、标牌、铭牌等。

蚀刻用腐蚀液与配方比例

蚀刻用腐蚀液与配方比例 Document number：WTWYT-WYWY-BTGTT-YTTYU-2018GT

大部份的蚀刻过程包含了一个或多个化学反应步骤，各种形态的反应都有可能发生，但常遇到的反应是将待蚀刻层表面先予以氧化，再将此氧化层溶解，并随溶液排出，如此反复进行以达到蚀刻的效果。如蚀刻硅、铝时即是利用此种化学反应方式。湿式蚀刻的速率通常可藉由改变溶液浓度及温度予以控制。溶液浓度可改变反应物质到达及离开待蚀刻物表面的速率，一般而言，当溶液浓度增加时，蚀刻速率将会提高。而提高溶液温度可加速化学反应速率，进而加速蚀刻速率。除了溶液的选用外，选择适用的屏蔽物质亦是十分重要的，它必须与待蚀刻材料表面有很好的附着性、并能承受蚀刻溶液的侵蚀且稳定而不变质。而光阻通常是一个很好的屏蔽材料，且由于其图案转印步骤简单，因此常被使用。但使用光阻作为屏蔽材料时也会发生边缘剥离或龟裂的情形。边缘剥离乃由于蚀刻溶液的侵蚀，造成光阻与基材间的黏着性变差所致。解决的方法则可使用黏着促进剂来增加光阻与基材间的黏着性，如Hexamethyl-disilazane(HMDS)。龟裂则是因为光阻与基材间的应力差异太大，减缓龟裂的方法可利用较具弹性的屏蔽材质来吸收两者间的应力差。蚀刻化学反应过程中所产生的气泡常会造成蚀刻的不均匀性，气泡留滞于基材上阻止了蚀刻溶液与待蚀刻物表面的接触，将使得蚀刻速率变慢或停滞，直到气泡离开基材表面。因此在这种情况下会在溶液中加入一些催化剂增进蚀刻溶液与待蚀刻物表面的接触，并在蚀刻过程中予于搅动以加速气泡的脱离。

玻璃表面蚀刻的原理

玻璃表面蚀刻的原理热度 6已有 84 次阅读2010-10-23 17:15|个人分类:理论和实践| 玻璃表面化学深蚀刻的工艺原理与操作方案 2007-12-17 18:57 本文对平板玻璃表面化学蚀刻做一些较为通俗的理性论述: 一、化学蚀刻的原理：我们知道玻璃属于无机硅物质中的一种，非晶态固体。易碎；透明。它与我们的生活密不可分，现代人已不再满足于物理式机械手段加工的艺术玻璃制品，更致力于用多种化学方式对玻璃表面进行求新求异深加工，以求得到更好的视觉享受，从而使玻璃产品的附加值再度得到提高. 例如对玻璃表面进行化学粗化[蒙砂；玉砂]，化学深蚀刻[凹蒙；冰雕]，化学抛光及其它工艺，本文论述的重点将是玻璃化学的氧化与还原反应的构造及工艺操作控制性。对于玻璃蚀刻液中起氧化反应的物质是选择纯液质的能与玻璃起氧化反应的可以是H2SO4; HCL, HNO3. 它们能与玻璃中的硅原子发生氧化作用, 形成SIO2, 做为蚀刻液中设定的络合剂氢氟酸正好能将SIO2再次分解, 从而形成我们设计的化学反应程式,达到对玻璃表面进行蚀刻的目地。例如程式: a:3SI+4HNO3=3SIO2+2H2O+4NO b:SIO2+6HF = H2[SIF6]+2H2O 对玻璃蚀刻液配制可以展现的物质性质包含氧化剂;络合剂;缓冲剂;催化剂;附加剂;表面活性剂;酸雾抑制剂. 如下再例: 氧化剂： H2SO4 ; HCL ; HNO3; 还原剂： HF 缓冲剂： H2O; CH3COOH; 催化剂： NH4NO3; CuSO4; NaNO2; AgNO3; 附加剂： Br2 酸雾抑制剂： FC-129; FC-4; FT248TM 湿润活性剂 ; 长直链烷基TH系；烷基酚聚氧乙烯醚按重量百分比配制玻璃蚀刻液可以视深蚀刻、浅蚀刻及抛光要求对蚀刻液中各物质百分比投料进行调整. 如下续例: 缓冲剂--------------------------------------- 40----67% 氧化剂--------------------------------------- 15----38% 络合剂--------------------------------------- 27----45% 催化剂--------------------------------------- 0.03---0.06 附加剂--------------------------------------- 0.05---0.1 表面湿润活性剂--------------------------- 0.04 酸雾抑制剂----------------------------------0.003

金属蚀刻工艺流程

金属蚀刻工艺流程 (一)金属蚀刻工艺流程金属的种类不同，其蚀刻的工艺流程也不同，但大致的工序如下：金属蚀刻板→除油→水洗→浸蚀→水洗→干燥→丝网印刷→千燥→水浸2～3min→蚀刻图案文字→水洗→除墨→水洗→酸洗→水洗→电解抛光→水洗→染色或电镀→水洗→热水洗→干燥→软布抛(擦光)光→ 喷涂透明漆→干燥→检验→成品包装。 1．蚀刻前处理在金属蚀刻之前的工序都是前处理，它是保证丝印油墨与金属面具有良好附着力的关键工序，因此必须要彻底清除金属蚀刻表面的油污及氧化膜。除油应根据工件的油污情况定出方案，最好在丝印前进行电解除油，保证除油的效果。除氧化膜也要根据金属的种类及膜厚的情况选用最好的浸蚀液，保证表面清洗干净。在丝网印刷前要干燥，如果有水分，也会影响油墨的附着力，而且影响后续图纹蚀刻的效果甚至走样，影响装饰效果。 2．丝网印刷丝网印刷要根据印刷的需要制作标准图纹丝印网版。图纹装饰工序中，丝印主要起保护作用，涂感光胶时次数要多些，以便制得较厚的丝网模版，这样才使得遮盖性能好，蚀刻出的图纹清晰度高。丝网版的胶膜在光的作用下，产生光化学反应，使得光照部分交联成不溶于水的胶膜，而未被光照部分被水溶解而露出丝网空格，从而在涂有胶膜丝网版上光刻出符合黑白正阳片图案的漏网图纹。把带有图纹的丝印网版固定在丝网印刷机上，采用碱溶性耐酸油墨，在金属板上印制出所需要的图纹，经干燥后即可进行蚀刻。 3．蚀刻后处理蚀刻后必须除去丝印油墨。一般的耐酸油墨易溶于碱中。将蚀刻板浸入40～60g／L的氢氧化钠溶液中，温度50～80℃，浸渍数分钟即可退去油墨。退除后，如果要求光亮度高，可进行抛光，然后进行染色，染色后为了防止变色及增加耐磨、耐蚀性，可以喷涂透明光漆。对于一些金属本身是耐蚀性能好而且不染色的，也可以不涂透明漆，要根据实际需要而定。 (二)化学蚀刻溶液配方及工艺条件蚀刻不同的金属要采用不同的溶液配方及工艺条件，常用金属材料的蚀刻溶液配方及工艺条件见表6―4～表6-6。

电化学蚀刻

对于金属蚀刻加工来说，化学蚀刻和电化学蚀刻是现在比较常见的蚀刻加工方式，那么电化学蚀刻是什么？下面就让广德均瑞电子科技为您简单解析，希望可以帮助到您！金属和介质发生电化学反应而引起的腐蚀，在腐蚀过程中有阳极和阴极区，电流可以通过金属在一定的距离中流动，如金属在各种电介质溶液（如海水、酸、碱、盐溶液、潮湿大气等）中的腐蚀。在一般情况下，电化学蚀刻主要为微电池腐蚀和浓差电池腐蚀。电化学蚀刻的必要条件是：阳极、阴极、电介质、电流回路。除去或改变其中任何一个条件即可阻止或减缓腐蚀的进行。涂层能将金属周围的电介质隔离开，实际上也有电化学防腐的作用。电化学防腐主要通过阴极保护和阳极保护来实现。电化学蚀刻对环境污染小，但是蚀刻的深度

较浅，电流分布受面积影响，面积较大时，蚀刻精度不能很好的控制，且不能做凸面的蚀刻。广德均瑞电子科技有限公司注册资金500万人民币，拥有不锈钢五金蚀刻加工独立法人环评资质，厂房面积2000平方米，6条不锈钢生产线，公司销售生产管理人员均超十年不锈钢蚀刻生产加工经验。公司主要生产集成电路导线架；接地端子; 表面贴装零件(SMT)模板；精密线材布线钢板;编码器光栅；手机按键、RDIF天线、基板及金属配件；(VFD)栅网、陈列、支架；电极针（放电针）；各类金属过滤网片/喇叭网片；眼镜框架；精密元器件掩模板；LCD背光模仁、钢版；显像管荫罩；电脑硬盘骨架；金属蚀刻发热片工艺等。广德均瑞电子科技是以补强钢片为主打产品的蚀刻厂，ISO9001认证工厂，具有独立法人和环评资质，持有排污许可证的企业。拥有6蚀刻加工生产线，免费提供FPC补强板工艺解决方案以及蚀刻行业资讯。

北师大版(2019)高中生物必修一4.4.2碳反应-教案

碳反应【教学目标】 1．理解碳反应的过程。 2．明确光反应与碳反应的区别与联系，领悟光合作用的真谛。【教学重难点】光反应与碳反应的区别与联系。【教学过程】一、导入新课在一些植物的叶片上，时常会有蚜虫趴附着，从叶脉中吸取富含蔗糖的汁液。这些蔗糖是叶片光合作用的产物，最终要运输到果实、种子、根等器官中。在光合作用中，糖类是如何生成的呢？（通过实例，导入新课，引发学生思考，激发学生兴趣和探究欲）二、讲授新课（一）CO2被还原为糖类等有机物并储存了能量寻找证据——阅读阅读P122页资料，根据阅读获得的信息，思考下列问题： 1．碳反应中CO2转化成的第一个产物是什么？CO2是与什么物质发生反应生成第一产物的？ 2．卡尔文认为碳反应涉及一个物质循环过程，请你尝试写出这一过程。 3．光反应生成的ATP和[H]是在碳反应的哪个环节被消耗的？如果ATP和[H]不被消耗，光反应能否持续不断地进行？每个学生先自己独立完成，然后以组为单位进行讨论，各组代表回答上述问题。教师点评：1．三碳酸（用C3酸表示）；CO2是与一种五碳化合物（用C5表示）结合，反应生成第一产物的。 2．CO2首先与一种五碳化合物（用C5表示）结合，生成2个三碳酸（用C3酸表示），之后C3酸获得ATP提供的能量，被[H]还原成三碳糖（用C3糖表示）。大部分C3糖经过一系列复杂的变化，重新生成了C5，以保证CO2的固定能够源源不断地进行，小部分C3糖被合成淀粉，或者转移到胞质溶胶中合成蔗糖。

3．光反应生成的ATP和[H]在三碳化合物的还原的过程中被消耗；光反应不能持续不断地进行下去。碳反应是在叶绿体基质中进行的，每一阶段的化学反应都需要特定的酶催化。碳反应的最终结果是使ATP和[H]中活跃的化学能转化成糖类中稳定的化学能。碳反应小结：（二）[H]与ATP是联系光反应与碳反应的纽带光合作用的光反应和碳反应是两个相对独立的过程。光反应高度依赖于光照，碳反应不需要光照（亦称暗反应），但依赖于光反应提供的ATP和[H]，碳反应消耗ATP和[H]后生成的ADP和NADP+又是光反应不可缺少的原料。光反应和碳反应两者之间的区别与联系又是怎样的呢？每个学生先自己独立完成，然后以组为单位进行讨论，各组代表回答上述问题。教师点评：

蚀刻用腐蚀液与配方比例

刻蚀基础（转载）湿式蚀刻技术最早的蚀刻技术是利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光阻覆盖的部分，而达到蚀刻的目的，这种蚀刻方式也就是所谓的湿式蚀刻。因为湿式蚀刻是利用化学反应来进行薄膜的去除，而化学反应本身不具方向性，因此湿式蚀刻过程为等向性，一般而言此方式不足以定义3微米以下的线宽，但对于3微米以上的线宽定义湿式蚀刻仍然为一可选择采用的技术。湿式蚀刻之所以在微电子制作过程中被广泛的采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高产能及优越的蚀刻选择比等优点。但相对于干式蚀刻，除了无法定义较细的线宽外，湿式蚀刻仍有以下的缺点：1) 需花费较高成本的反应溶液及去离子水；2) 化学药品处理时人员所遭遇的安全问题；3) 光阻附着性问题；4) 气泡形成及化学蚀刻液无法完全与晶圆表面接触所造成的不完全及不均匀的蚀刻；5) 废气及潜在的爆炸性。湿式蚀刻过程可分为三个步骤：1) 化学蚀刻液扩散至待蚀刻材料之表面；2) 蚀刻液与待蚀刻材料发生化学反应；3) 反应后之产物从蚀刻材料之表面扩散至溶液中，并随溶液排出(3)。三个步骤中进行最慢者为速率控制步骤，也就是说该步骤的反应速率即为整个反应之速率。大部份的蚀刻过程包含了一个或多个化学反应步骤，各种形态的反应都有可能发生，但常遇到的反应是将待蚀刻层表面先予以氧化，再将此氧化层溶解，并随溶液排出，如此反复进行以达到蚀刻的效果。如蚀刻硅、铝时即是利用此种化学反应方式。湿式蚀刻的速率通常可藉由改变溶液浓度及温度予以控制。溶液浓度可改变反应物质到达及离开待蚀刻物表面的速率，一般而言，当溶液浓度增加时，蚀刻速率将会提高。而提高溶液温度可加速化学反应速率，进而加速蚀刻速率。除了溶液的选用外，选择适用的屏蔽物质亦是十分重要的，它必须与待蚀刻材料表面有很好的附着性、并能承受蚀刻溶液的侵蚀且稳定而不变质。而光阻通常是一个很好的屏蔽材料，且由于其图案转印步骤简单，因此常被使用。但使用光阻作为屏蔽材料时也会发生边缘剥离或龟裂的情形。边缘剥离乃由于蚀刻溶液的侵蚀，造成光阻与基材间的黏着性变差所致。解决的方法则可使用黏着促进剂来增加光阻与基材间的黏着性，如Hexamethyl-disilazane (HMDS)。龟裂则是因为光阻与基材间的应力差异太大，减缓龟裂的方法可利用较具弹性的屏蔽材质来吸收两者间的应力差。蚀刻化学反应过程中所产生的气泡常会造成蚀刻的不均匀性，气泡留滞于基材上阻止了蚀刻溶液与待蚀刻物表面的接触，将使得蚀刻速率变慢或停滞，直到气泡离开基材表面。因此在这种情况下会在溶液中加入一些催化剂增进蚀刻溶液与待蚀刻物表面的接触，并在蚀刻过程中予于搅动以加速气泡的脱离。以下将介绍半导体制程中常见几种物质的湿式蚀刻：硅、二氧化硅、氮化硅及铝。 5-2-1 硅的湿式蚀刻在半导体制程中，单晶硅与复晶硅的蚀刻通常利用硝酸与氢氟酸的混合液来进行。此反应是利用硝酸将硅表面氧化成二氧化硅，再利用氢氟酸将形成的二氧化硅溶解去除，反应式如下： Si + HNO3 + 6HF à H2SiF6 + HNO2 + H2 + H2O 上述的反应中可添加醋酸作为缓冲剂(Buffer Agent)，以抑制硝酸的解离。而蚀刻速率的调整可藉由改变硝酸与氢氟酸的比例，并配合醋酸添加与水的稀释加以控制。

蚀刻工艺

蚀刻工艺蚀刻是金属板模图纹装饰过程中的关键，要想得到条纹清晰、装饰性很强的图纹制品，必须注意控制好蚀刻工艺的条件。主要是蚀刻溶液的温度和蚀刻时间。溶液温度稍高，可以提高金属溶解的速度，也就是蚀刻的速度，缩短蚀刻所需要的时间，但是蚀刻溶液一般都是强酸液，强酸液在温度高的情况下腐蚀性强，容易使防护的涂层或耐蚀油墨软化甚至溶解，使金属非蚀刻部位的耐蚀层附着力下降，导致在蚀刻和非蚀刻交界处的耐蚀涂层脱落或溶化，使蚀刻图纹模糊走样，影响图纹的美观真实和装饰效果，因此温度不宜超过45℃。同样，如果蚀刻的时间太长，特别是蚀刻液温度较高的情况下，耐蚀油墨或防护涂层浸渍时间过长，也同样起到上述的副作用和不良后果，因此时间控制上也要适当，不能浸得太久，一般不宜超过20～25min。 (四)化学蚀刻图纹装饰实例 1．装饰用的材料装饰用的金属板材：普通钢材、不锈钢、铜及铜合金、铝及铝合金等，以不锈钢板为例说明，板厚l～3mm。化工原料：丝印感光胶(例如浙江昆山市化工涂料厂生产的DH重氮型)，耐酸油墨有 99-956型和99-200K型等一(广东顺德大良油墨厂产品)，其他为常用化学化工药品。 2．工艺流程不锈钢板→除油→水洗→干燥→丝网印刷→干燥→水浸→蚀刻图纹叶(片)水洗→除墨→水洗→抛光→水洗→着色→水洗叶(片)硬化处理→封闭处理→清洗叶(片)干燥→检验→产品。 3．具体操作及注意事项 (1)除油除油是为了使丝印油墨与板材有良好的附着力，所以金属板在印前必须彻底把油除干净。除油的方法很多，可以根据情况及需要选择，例如采用常规的化学除油、表面活性剂除油，甚至电解除油、超声除油等，也可以选用商品的专用除油剂。彻底清洗干净后，经干燥再转入丝网印刷。 (2)丝网印刷选用l50目不锈钢、聚酯或尼龙单丝维网，用绷网机固定在网框上，再用上浆器刮涂DH重氮型感光胶，涂覆2～3次，涂膜干燥后，将拍摄好的图纹黑白胶片附着在涂膜丝网上，经曝光、显影后，即制得丝印模板，然后再将不锈钢板、图纹模板固定在丝网印刷机对应位置上，采用碱溶性的耐酸油墨，印上所需要的图纹，自然干燥(或烘干)。如果烘烤，则温度不宜过高及时间不宜过长，否则油墨的碱溶性降低，到除油墨时，不易清除干净。一般情况下，自然干燥1h。烘干为55～60℃，4～5min。

高中生物《光合作用的过程》教学设计

高中生物《光合作用的过程》教学设计一、教材分析本节课为高中生物必修1《分子与细胞》（人教版）第5章第4节《能量之源──光与光合作用》中的学习内容。第4节的教学包括“捕获光能的色素和结构”、“光合作用的原理和应用”两小节。“光合作用的过程”是继《光合作用的探究历程》学习之后，教师引领学生深入而有简短地认识光合作用过程中化学反应的实质的最重要、最核心的教学内容。二、教学目标知识目标 1．概述光合作用的光反应和暗反应阶段的化学反应，比较二者的区别和联系； 2．从物质转变和能量转换的角度，简述光合作用的实质。技能目标 1．尝试对光合作用过程的图解进行自主性、探索性的学习； 2．尝试利用“同位素标记法”探究H2O中的氢原子在光合作用中的转移途径；情感目标通过模仿学习科学家的研究方法，通过与老师和同学的合作学习与探究，体验自主学习、探究学习与合作学习成功的的乐趣。

三、教学重点和难点教学重点：光合作用的过程和实质，光反应过程和暗反应过程的区别和联系；教学难点：光反应、暗反应过程中物质和能量的转变过程。四、教学设计思路教学过程秉承“学生为主体，教师为主导”的教学理念，学生按照学案实施流程和教师的引导，首先可通过自主阅读课本有关段落，简要寻找、梳理出光合作用两个阶段的知识要点，然后在教师指导下，深入理解、注重比较并学会归纳知识要点。整个学习过程教师要注意方法的介绍、学情的关注和适时点拨。特别注重通过图解的认识、列表的比较，认清光合作用的光反应和暗反应中，物质和能量的变化过程、化学反应发生的部位和条件等，让学生能够真正明确光反应和暗反应这两个阶段中，物质变化的来龙去脉和伴随着的能量转换过程，以便从整体上认识、理解和掌握光合作用全过程。五、教学过程的实施教师的组织和引导学生活动设计意图

金属的化学和电化学蚀刻加工及抛光

金属的化学和电化学蚀刻加工及抛光一、实验导言金属材料和非金属材料各有不同的加工处理方法。金属材料的加工成形和提高表面光洁度的方法很多，历史悠久的传统加工方法有：热加工，即将材料加热至熔融状态，放到模具里冷却成形；机械加工：在常温下，用车床、刨床、镗床、铣床以及冷扎等加工工具的机械能量，使被加工材料成形。随着被加工材料组成、材质的变化，仅仅用传统加工方法已不能满足生产和科研的需要。20世纪50年代以来，对材料的化学和电化学加工方法迅速发展起来。化学加工是利用自发进行的氧化还原反应将电极电势低的金属氧化掉，保留下需要的部分成为产品。这种加工方法又称为化学蚀刻。之所以称为“蚀刻”，是因为其加工反应原理与金属腐蚀原理相同，也可以说是金属腐蚀原理在材料加工中的应用。随着电讯技术的迅猛发展，电子器件的生产加工技术不断更新，越来越趋向于微型化、精密化，集成化，以至如在“微波水热合成法制备纳米材料”中所述：在分子和原子量级上加工器件已不足为奇。不过截至目前，印刷电路板的制作工艺仍在沿用始于上世纪初的化学蚀刻方法。电化学加工是利用电化学中电解的原理使非自发进行的氧化还原反应得以进行，而将金属加工成为需要的产品的。这种加工方法又称为电化学蚀刻。不锈钢是具有抵抗大气、酸、碱、盐等腐蚀作用的合金钢的总称。在钢中添加元素铬，其含量达12％～13％以上，含量超过17％的不锈钢为耐酸钢。典型不锈钢的化学成分为：1Crl8Ni9Ti。不锈钢的强耐腐蚀性使得一般的化学加工对它来说不适宜。因此常用电化学加工法。化学蚀刻和电化学蚀刻二者的区别在于前者不必通电流，而后者需要外电源通电实现加工反应。从加工速率来说，电化学加工来得快。化学蚀刻和电化学蚀刻主要用于：各种难切削材料的加工(硬质合金、钛合金等)、各种复杂表面的加工(喷气涡轮机叶片、整体涡轮、发动机机匣等)、各种超精、光整及特殊要求的加工(航天、航空陀螺仪等)。为了提高加工效率和质量，人们寻找更加有效的加工方法，还创造出了将化学或电化学加工与机械加工有机结合、同步进行的加工方法，例如，电解磨翻、电解珩磨等。对材料进行化学和电化学加工前都需要采取措施将需要保留的部分覆盖住，对材料进行加工成型后，再将覆盖膜除掉。加工的精度往往取决于覆盖的精度和各工艺参数。用此法加工孔径为0．5 mm的均匀筛孔不成问题，而且加工精度很高。机械、纺织、制糖业等使用的精致不锈钢制件，以及精美的不锈钢工艺品等也都可以加工。金属表面光洁度往往是衡量金属制件品质的重要技术参数。化学或电化学抛光是常用的抛光方法。科学技术总是在不断发展前进的，传统工艺经过改造也能放出异彩。应用电解原理进行电镀的工艺已有较长历史，但是，自1921年Bluml开创了利用两种不同的电解液镀出金属多层膜以来，各国研究者采用双槽法、液流法和单槽法等相继电镀出了Cu—Bi、Cu—Ni、Ru—Co、Ni—NiP、Ag—Pd等纳米级多层膜，为电化学工艺理论研究和镀层应用开辟了新的途径。电镀工艺考察在实验18中进行。二、实验原理和提要 1．印刷电路板的制作印刷电路板的导电物质是金属铜，但并非是铜导线或铜片，而是铜薄膜。铜薄膜的制备方法是：在表面压复有铜薄膜的敷铜板上，将需要的电路图形用抗腐蚀物质覆盖住，应用腐

金属蚀刻技术

金属蚀刻技术摘要：金属蚀刻技术历史悠久，是一项既古老又新颖、既普通又尖端的技术。随着新技术的发展，新产品的开发，金属蚀刻技术发挥着越来越重要的作用。本文从金属蚀刻的原理入手，简单介绍了这种技术的分类，并详细叙述了其加工过程、应用实例、目前主要存在的问题及前景展望。关键词：蚀刻、光致油墨坚膜前言金属蚀刻是采用化学处理（化学腐蚀、化学砂面）或机械处理（机械喷砂、压花等）技术手段，将光泽的金属表面加工成凹凸粗糙晶面，经光照散射，产生一种特殊的视觉效果，赋予产品别具情趣的艺术格调。近几十年来，随着经济发展、社会进步，金属蚀刻技术的应用越来越被人们重视。例如：制作旅游今年品、高档铭牌、奖牌、编码盘和显示屏的点击、印花辊筒和模板、精细零件等，都离不开金属蚀刻技术。作为一种精密而科学的化学加工技术，化学蚀刻在多种金属材料上被广泛运用，对金属材料进行蚀刻，关键是两方面的问题，即保护需要的部分不被蚀刻；而不需要的部分则完全时刻掉，从而获得需要的图文。 1、原理金属在蚀刻液中蚀刻的过程，首先是金属零件表面发生晶粒溶解的作用；其次在晶界上也发生溶解作用；一般来讲晶界与晶粒是以不同溶解速度发生溶解作用的。在多数金属和合金机构中，各个晶体几乎都能采取原子晶格的任何取向。而晶粒的不同取向、晶粒密度的大小都会和周围的母体金属形成微观原电池。对金属的蚀刻液来讲，一方面这些原电池的存在，使金属表面存在着电位差，电位正的地方得到暂时的保护，电位负的地方被优先蚀刻。另一方面在零件表面具有变化着的原子间距，而且原子间距较宽的地方溶解迅速，一直到显示出不平整的表面为止。然后溶解作用以几乎恒定的速度切削紧密堆积的原子层，表面的几何形状也随着晶粒的溶解而不断变化。晶界上的蚀刻也将进一步影响零件表面。蚀刻技术的分类： 1、1 根据蚀刻时的化学反应类型分类：（1）、化学蚀刻。工艺流程：预蚀刻→蚀刻→水洗→浸酸→水洗→去抗蚀膜→水洗→干燥。（2）、电解蚀刻。工艺流程：入槽→开启电源→蚀刻→水洗→浸酸→水洗→去抗蚀膜→水洗→干燥。 1、2 根据蚀刻的材料类型分类 (1)铜材蚀刻。工艺流程：经过抛光或拉丝的铜板表面清洁处理→丝网印刷图文→干燥→预蚀刻→水洗→检查→蚀刻→水洗→浸酸处理→水洗→去除丝印的保护层→热水洗→冷水冲洗→后处理→成品。（2）不锈钢蚀刻。工艺流程：板材表面清洁处理→网印液态光致抗蚀油墨→干燥→加底片曝光→显影→水洗→检查修板→坚膜→蚀刻→去除保护层→水洗→后处理→干燥→成品。（3）金属蚀刻加工根据其加工对象的要求不同，可分为两类：对薄板状金属蚀刻穿了叫化学冲裁（chemical blanking）；对一定厚度金属只蚀刻去一部分厚度而不刻穿，使刻去的

蚀刻工艺

一蝕刻技術利用對金屬表面的侵蝕作用，從金屬表面去除金屬的處理技術。 (1) 電解蝕刻(electrolytic etching) 用母模作導電性陰極，以電解液作媒介，對加工部分，集中實施蝕刻的侵蝕去除法。 (2) 化學蝕刻(chemical etching) 利用耐藥品被膜，把蝕刻侵蝕去除，作用集中於所要部位的方法。照相蝕刻技術(photo-etching process) 在金屬表面全面均勻形成層狀的感光性耐藥品被膜(photo resist)，而透過原圖底片，用紫外線等曝光，後施以顯像處理，來形成所要形狀的耐藥品被膜之被覆層，再以蝕刻浴的酸液或鹼液，對露出部產生化學或電化學侵蝕作用，來溶解金屬的加工技術。 2

(3) 化學蝕刻技術之特性 a. 不需要電極、母型(master)等工具，故無需此等工具之維護費。 b. 由規劃到生產間所需時間短，可作短期加工。 c. 材料之物理、機械性質不受加工影響。 d. 加工不受形狀、面積、重量之限制。 e. 加工不受硬度、脆性之限制。 f. 能對所有金屬(鐵、不銹鋼、鋁合金、銅合金、鎳合金、鈦、史泰勒合金)實施加工。 g. 可高精度加工。 h. 可施複雜、不規則、不連續之設計加工。 i. 面積大，加工效率良好，但小面積時，其效率比機機械加工差。 j. 水平向之切削易得高精度，但深度、垂直方向不易得到同機機械加工之 3

精度。 k. 被加工物之組成組織宜均勻，對不均質材，不易加工順利。二蝕花加工(咬花加工)演進 (1) 第1階段：補助目的掩飾成形品上之缺陷。 (2) 第2階段：裝飾目的提高商品價值。 (3) 第3階段：應用複合花紋邁入更高度的意匠設計時代。 (4) 第4階段：應用立體花紋進入更高品質之時代。三咬花加工之特性(針對模具) (1) 加工時，幾乎不產生熱量，故不會引起熱變形或熱變質。 (2) 大型模具亦可加工。 (3) 加工時不會產生毛邊、應變、硬化等不良現象。 (4) 曲面、側面之加工容易。 4

蚀刻详解

蚀刻详解一、名词定义均匀性（Uniformity）-- 相对平均值的变化，常在描述蚀刻速率，CD和淀积物厚度时使用。有以下几种百分数表示的数学定义：平均均匀性=[(Max-Min)÷ (2×AVG)]× 100% 中值均匀性=[(Max-min)÷(Max＋Min)]×100% 3sigma均匀性=(3×STD)÷AVG×100% 选择比(Selectivity) – 不同材料蚀刻速率的比值。中止层(Stopping layer) – 停止层，通常通过终点控制。剖面形貌(Profile) – 器件结构横截面的形状和倾斜度。条宽损失(Etch bias) 过蚀刻(Over etch) – 在平均膜厚完全蚀刻掉以后的额外蚀刻。补偿蚀刻速率和膜厚的不均匀性。残留物(Residues) – 在蚀刻和平版印刷过程中无意留下的物质。微掩膜（Micro-masking）-- 由于微粒，薄膜掺杂以及残留物产生的无意留下的掩膜。糊胶（Resist reticulation）-- 温度超过150摄氏度时光刻胶产生的燃烧和折皱。纵横比（Aspect ratio）-- 器件结构横截面深度和宽度的比率。负载（Loading）-- 蚀刻速率依赖于可蚀刻表面数量，可在宏观或微观尺寸下。纵横比决定蚀刻（Aspect Ratio Dependent Etching/ARDE）--蚀刻速率决定于纵横比。终点（Endpoint）-- 在一个蚀刻过程中，平均膜厚被蚀刻干净时的时间点。光刻胶（Photo-resist）-- 作为掩膜用来图形转移的光敏材料。分辨率（Resolution）-- 用于测试光学系统把相邻的目标形成分离图像的能力。焦深 (Depth of focus) – 在焦平面上目标能形成影像的纵向距。关键尺寸（Critical dimensions-CD）-- 一个最小特征图形的绝对尺寸，包括线宽、间隙、或者关联尺寸。去边（Edge bead removal-EBR）--去胶边的过程，通常在涂胶后将溶剂喷在硅片的背面或前边沿上。前烘（Soft-bake）-- 在涂胶后用来去除胶溶剂的温度步骤。曝光（Exposure）-- 把涂胶后的硅片，暴露在某种形式的射线下，以在胶上产生隐约的图像的步骤。 PEB (Post-exposure-bake)—曝光以后消除胶里的由衬底反射引起的胶里的驻波的温度步骤。显影（Development）-- 在曝光以后分解胶产生掩膜图案的过程。后烘(Hard-bake)—用来去除残留溶剂，增加胶的沾着力和耐腐能力，在显影后完成，可以包括DUV固胶。化学蚀刻（Chemical etching）-- 根据化学反应机理，气态物质（中性原子团）与表面反应，产物必定易挥发，也称为等离子蚀刻。等离子增强蚀刻(Ion-enhanced etching)—单独使用中性原子团不能形成易挥发产物，具有一定能量的离子改变衬底或产物；具有一定能量的离子改变衬底或产物层，这样，化学反应以后能生成挥发性物质，亦称为反应离子蚀刻（RIE）。溅射蚀刻（Sputter etching）--具有一定能量的离子机械的溅射衬底材料。

高中生物第三章细胞的代谢第五节第2课时光反应与碳反应的基本过程练习含解析浙科版必修第一册

第2课时光反应与碳反应的基本过程基础巩固 1.光合作用中光反应阶段为碳反应阶段的进行提供的物质是( ) A.NADPH和氧气 B.CO2和ATP C.O2和ATP D.NADPH和ATP 2.用14C标记CO2,可用于研究光合作用过程中的( ) A.光反应的条件 B.碳反应的条件 C.由CO2合成糖的过程 D.能量的传递过程 3.光合作用过程中,ATP形成和三碳糖形成的场所是( ) A.都在叶绿体的类囊体膜中 B.前者在叶绿体基质中,后者在叶绿体的类囊体膜中 C.都在叶绿体基质中 D.前者在叶绿体的类囊体膜中,后者在叶绿体基质中 4.光合作用可分为光反应和碳反应两个阶段,下列叙述正确的是( ) A.光反应不需要酶,碳反应需要多种酶 B.光反应消耗水,碳反应消耗ATP C.光反应储存能量,碳反应消耗能量 D.光反应固定二氧化碳,碳反应还原二氧化碳 5.(2020嘉兴高一期末)叶绿体是植物细胞进行光合作用的场所。下列叙述正确的是( ) A.类囊体叠在一起形成的基粒彼此独立 B.光被叶绿体内膜上的色素吸收并转化

C.白天叶绿体基质中的蔗糖浓度不断增加 D.叶绿体基质中含有CO2还原为糖所需的酶 6.在叶绿体中,NADPH和ADP的运动方向是( ) A.NADPH和ADP同时由类囊体薄膜向叶绿体基质运动 B.NADPH和ADP同时由叶绿体基质向类囊体薄膜运动 C.NADPH由类囊体薄膜向叶绿体基质运动,ADP的运动方向正好相反 D.ADP由类囊体薄膜向叶绿体基质运动,NADPH的运动方向正好相反 7.科学家提取植物细胞中的叶绿体,用高速离心法打破叶绿体膜后,分离出类囊体和基质,在不同条件下进行实验(如表所示),用来研究光合作用过程,下列选项中各试管得到的产物情况错误的是 ( ) (注:表中的“+”表示添加,“-”表示不添加) A.甲试管不会产生18O2 B.乙试管可得到三碳糖 C.丙试管可能得到淀粉 D.丁试管可得到蔗糖 8.下列关于卡尔文循环的叙述,错误的是( ) A.该循环是从1个五碳糖开始的 B.该循环是二氧化碳氧化为糖的一系列反应 C.三碳糖是该循环的产物