TM3130_V1.0天微电子
TM1622_V1.2 天微小康
特性描述 TM1622是256点内存映象和多功能的LCD驱动专用芯片,TM1622的软件配置特性使它适用于多种LCD 应用场合,包括:LCD模块和显示子系统。用于连接主控制器和TM1622的管脚只有4或5条，TM1622还有一个节电命令用于降低系统功耗。本产品性能优良、质量可靠。 功能特点 工作电压2.4~ 5.2V 内置32 KHz RC振荡器 可外接32KHz频率源作为时钟输入 内置时基频率源 内置蜂鸣器输出驱动，有两种输出频率可选(2 KHz或者4 KHz) 内置节电模式，可用于减少功耗 内置时基发生器和看门狗（WDT）输出 内置32ⅹ8位显示寄存器,32个SEG，8个COM输出驱动 四线串行接口 提供VLCD管脚用于调整LCD操作电压 三种数据访问模式 八个时基/看门狗定时器时钟源 数据模式和命令模式指令 四种封装形式可选：QFP44，LQFP44，QFP52，LQFP64 内部结构框图 OSCI CS RD WR DATA VDD GND BZ BZ COM0 COM7 . . . . . . . . . . . SEG0 VLCD IRQ
管脚排列 11 1098765DATA 4321T222 21 20 19 18 17 16 15 14 13 T 3 12 23 24252627282930313233SEG234 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 TM1622 T1IRQ VSS WR RD CS C O M 0 SEG10SEG11SEG12S E G 23 VLCD VDD OSCI SEG3SEG4SEG5SEG6SEG7SEG8SEG9S E G 0 S E G 1 S E G 22 S E G 21 S E G 20 S E G 19 S E G 18 S E G 17 S E G 16 S E G 15 S E G 14 S E G 13 141312111098765432115T316 VLCD 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 C O M 0 17 31 32 35363738394041424344454647483433 NC 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 S E G 31 50 49N C T2T1BZ NC BZ IRQ VDD OSCI VSS DATA WR RD NC CS NC NC SEG7C O M 1 C O M 2 C O M 3 C O M 4 C O M 5 C O M 6 C O M 7 TOP VIEW QFP44/LQFP44 TM1622 TOP VIEW LQFP64 C O M 1 N C C O M 2 C O M 3 C O M 4 C O M 5 C O M 6 C O M 7 S E G 0 S E G 1S E G 2 S E G 3 S E G 4 S E G 5 S E G 6 SEG8SEG9SEG10SEG11SEG12SEG13SEG14SEG15SEG16SEG17SEG18SEG19N C N C N C S E G 30 S E G 29 S E G 28 S E G 27 S E G 26 S E G 25 S E G 24 S E G 23 S E G 22 S E G 21 S E G 20 13 121110987654321VLCD 26 25 24 23 22 212019 18 17 16 15 C O M 1 14 27 28293031323334353637383940 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 S E G 31 S E G 19COM0T3T1IRQ VDD OSCI VSS DATA WR RD CS SEG6 TM1622 TOP VIEW QFP52 C O M 2 C O M 3C O M 4 C O M 5 C O M 6C O M 7 S E G 0 S E G 1S E G 2 S E G 3 S E G 4 S E G 5 SEG8SEG9SEG10SEG11SEG12SEG13SEG14SEG15SEG16SEG17SEG18S E G 30 S E G 29 S E G 28 S E G 27 S E G 26 S E G 25 S E G 24 S E G 23 S E G 22 S E G 21S E G 20T2 SEG7
微电子的发展以及在医学上的应用
微电子技术发展趋势展望以及在医学中的应用 摘要： 电子技术是现代电子信息技术的直接基础。微电子技术的发展大大方便了人们的生活。它主要应用于生活中的各类电子产品，微电子技术的发展对电子产品的消费市场也产生了深远的影响。本文主要介绍了对微电子技术的认识、发展趋势以及微电子技术在医学中的应用。引言： 一、微电子技术的认识、发展历史以及在社会发展中所起的作用 1、微电子技术的认识 微电子技术，顾名思义就是微型的电子电路。它是随着集成电路,尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的技术。 微电子技术是在电子电路和系统的超小型化和微型化过程中逐渐形成和发展起来的,其核心是集成电路,即通过一定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互联,采用微细加工工艺,集成在一块半导体单晶片(如硅和砷化镓) 上,并封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能。与传统电子技术相比,其主要特征是器件和电路的微小型化。它把电路系统设计和制造工艺精密结合起来,适合进行大规模的批量生产,因而成本低,可靠性高。它的特点是体积小、重量轻、可靠性高、工作速度快，微电子技术对信息时代具有巨大的影响。它包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术,是微电子学中的各项工艺技术的总和。 2、发展历史 微电子技术是十九世纪末,二十世纪初开始发展起来的新兴技术,它在二十世纪迅速发展,成为近代科技的一门重要学科。它的发展史其实就是集成电路的发展史。1904 年,英国科学家弗莱明发明了第一个电子管——二极管，不就美国科学家发明了三极管。电子管的发明,使得电子技术高速发展起来。它被广泛应用于各个领域。1947 年贝尔实验室制成了世界上第一个晶体管。体积微小的晶体管使集成电路的出现有了可能。之后,美国得克萨斯仪器公司的基比尔按其思路,于1958 年制成了第一个集成电路的模型,1959 年德州仪器公司宣布发明集成电路。至此集成电路便诞生了。集成电路发明后,其发展非常迅速,其制作工艺不断进步,规模不断扩大。至今集成电路的集成度已提高了500 万倍,特征尺寸缩小200 倍,单个器件成本下降100 万倍。 3、微电子技术的应用 微电子技术广泛应用于民用、军方、航空等多个方面。现在人类生产的电子产品几乎都应用到了微电子技术。可以这么说微电子技术改变了我们的生活方式。 微电子技术对电子产品的消费市场也产生了深远的影响。价廉、可靠、体积小、重量轻的微电子产品，使电子产品面貌一新；微电子技术产品和微处理器不再是专门用于科学仪器世界的贵族，而落户于各式各样的普及型产品之中，进人普通百姓家。例如电子玩具、游戏机、学习机及其他家用电器产品等。就连汽车这种传统的机械产品也渗透进了微电子技术，采用微电子技术的电子引擎监控系统。汽车安全防盗系统、出租车的计价器等已得到广泛应用，现代汽车上有时甚至要有十几个到几十个微处理器。现代的广播电视系统更是使微电子技术大有用武之地的领域，集成电路代替了彩色电视机中大部分分立元件组成的功能电路，使电视机电路简捷清楚，维修方便，价格低廉。由于采用微电子技术的数字调谐技术，使电视机可以对多达100个频道任选，而且大大提高了声音、图像的保真度。 总之，微电子技术已经渗透到诸如现代通信、计算机技术、医疗卫生、环境工程在源、交通、自动化生产等各个方面，成为一种既代表国家现代化水平又与人民生活息息相关的高新技术。 4、发展趋势
微电子实验报告一
实验一MOS管的基本特性 班级姓名学号指导老师袁文澹 一、实验目的 1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法； 2、熟练掌握MOS管基本特性； 3、掌握使用HSPICE对MOS电路进行SPICE仿真，以得到MOS电路的I-V曲线。 二、实验内容及要求 1、熟悉Hspice仿真工具； 2、使用Hspice仿真MOS的输出特性，当VGs从0~5V变化，Vds分别从1V、2V、3V、4V 和5V时的输出特性曲线； 三、实验原理 1、N沟道增强型MOS管电路图 a)当Vds=0时，Vgs=0的话不会有电流，即输出电流Id=0。 b)当Vgs是小于开启电压的一个确定值，不管Vds如何变化，输出电流Id都不会改变。 c)当Vgs是大于开启电压的一个确定值，在一定范围内增大Vds时,输出电流Id增大。但当 出现预夹断之后，再增大Vds，输出电流Id不会再变化。 2、NMOS管的输出特性曲线
四、实验方法与步骤 实验方法： 计算机平台：（在戴尔计算机平台、Windows XP操作系统。） 软件仿真平台：（在VMware和Hspice软件仿真平台上。） 实验步骤： 1、编写源代码。按照实验要求，在记事本上编写MOS管输出特性曲线的描述代码。并以aaa.sp 文件扩展名存储文件。 2、打开Hspice软件平台，点击File中的aaa.sp一个文件。 3、编译与调试。确定源代码文件为当前工程文件，点击Complier进行文件编译。编译结果有错误或警告，则将要调试修改直至文件编译成功。 4、软件仿真运行及验证。在编译成功后，点击simulate开始仿真运行。点击Edit LL单步运行查看结果,无错误后点击Avanwaves按照程序所述对比仿真结果。 5、断点设置与仿真。… 6、仿真平台各结果信息说明. 五、实验仿真结果及其分析 1、仿真过程 1）源代码 *Sample netlist for GSMC $对接下来的网表进行分析 .TEMP 25.0000 $温度仿真设定 .option abstol=1e-6 reltol=1e-6 post ingold $设定abstol,reltol的参数值 .lib 'gd018.l' TT $使用库文件 * --- Voltage Sources --- vdd VDD 0 dc=1.8 $分析电压源 vgs g 0 0 $分析栅源电压 vds d 0 dc=5 $分析漏源电压 vbs b 0 dc=0 $分析衬源电压 * --- Inverter Subcircuit --- Mnmos d g 0 b NCH W=30U L=6U $Nmos管的一些参数 * --- Transient Analysis --- .dc vds 0 5 0.1 SWEEP vgs 1 5 1 $双参数直流扫描分析 $vds从0V~5V,仿真有效点间隔取0.1 $vgs取1V、2V、3V、4V、5V
微电子行业入门通用教材
半导体基础知识与晶体管工艺原理
目录 第一章半导体的基础知识 1-1半导体的一些基本概念 1-1-1什么是半导体？ (4) 1-1-2 半导体的基本特性………………………………………………. .4 1-1-3 半导体的分类 (4) 1-1-4 N型半导体和P型半导体 (5) 1-1-5 半导体的导电机构 (6) 1-2 P-N结 (9) 1-2-1 P-N结的构成 (9) 1-2-2 P-N结内的载流子运动和平衡 (10) 1-2-3 P-N结的基本特性 (10) 1-3 二极管 (12) 1-3-1 二极管的基本构成 (12) 1-3-2 二极管的特性曲线（伏安特性） (12) 1-3-3 二极管的分类 (13) 1-4 晶体管（仅讲双极型） (13) 1-4-1 晶体管的构成 (13) 1-4-2 晶体管的放大原理 (15) 1-4-3 晶体管的特性曲线 (18) 1-4-4 晶体管的分类 (21) 1-4-5 晶体管的主要电参数 (21)
第二章晶体管制造工艺与原理 2-1 典型产品工艺流程 (24) 2-1-1 晶体管的基本工艺流程 (24) 2-1-2 典型产品的工艺流程 (24) 2-2 晶体管制造主要工艺的作用与原理 (25) 2-2-1 氧化工艺 (25) 2-2-2 扩散工艺 (26) 2-2-3 离子注入工艺 (30) 2-2-4 光刻工艺 (31) 2-2-5 蒸发（真空镀膜）工艺 (32) 2-2-6 CVD工艺 (33) 2-2-7 台面工艺 (34) 2-2-8 三扩、磨抛工艺 (35) 2-2-9 清洗工艺 (36) 2-2-10 中测、划片工艺 (36) 2-3 常见的工艺质量问题以及对产品质量的影响 (37) 2-3-1 工艺质量问题分类 (37) 2-3-2 常见的工艺质量问题举例 (37) 2-4 工艺纪律和工艺卫生的重要性 (41) 2-4-1 半导体生产对空气洁净度的要求 (41) 2-4-2 工艺卫生的内涵 (42) 2-4-3 工艺卫生好坏对半导体生产的影响 (42) 2-4-4 工艺纪律的内涵 (43) 2-4-5 工艺纪律的重要性 (43)
微电子综合实验报告
微电子综合实验报告实验题目：⒚同或门电路仿真 班级：电子科学与技术1201 姓名：XXX 学号：XXX 时间：2015.5—2015.6
一、电路图。 OUT A B (IN1) （IN2） 分别给上图中的每个管子和结点标注，如下所述： P管分别标记为：MP1、MP2、MP3;N管分别标记为：MN1、MN2、MP3;A、B端分别标记为：IN1、IN2;输出端标记为：OUT；N 管之间连接点标记为：1；连接反相器的点标记为：2；如上图所示。 其真值表如下所示：
二、电路仿真表。 *dounand MN1 1 IN1 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U MN2 2 IN2 1 0 NMOS L=0.6U W=2.4U MN3 OUT 2 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U MP1 IN2 IN1 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U MP2 IN1 IN2 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U MP3 OUT 2 VDD VDD PMOS L=0.6U W=4.4U VDD VDD 0 DC 5V VIN1 IN1 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 5N 10N) VIN2 IN2 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 10N 20N) .TRAN 1N 100N UIC .LIB './HJ.L' TT .END 下图为无负载电容，IN1=10ns，IN2=20ns时的波形图。 从图中可以发现，本来输出应该是5v，实际输出只有4.8v，可见输出有阈值损失。 原因是N管传高电平、P管传低电平时，输出半幅，所以存在阈值损失。 三、输出加负载电容。 1、C=0.2p ；IN1=10ns ；IN2=20ns 时波形如下：
TM1926天微电子
TM1926是十二通道LED固定恒流驱动控制专用电路，内部集成有MCU单线数字接口、数据锁存器、LED 固定恒流驱动，PWM辉度控制等电路。芯片可通过单线数字接口（DI、DO）级联，外部控制器只需单线就可控制该芯片和与其级联的后续芯片。TM1926输出端口的PWM辉度可单独通过外部控制器设置。VDD 引脚内部集成5V稳压管，外围器件少。本产品性能优良，质量可靠。 功能特点 采用功率CMOS工艺 图1
VDD GND DO GND OUTn DIN 图3
十二通道LED恒流驱动 TM1926集成电路系静电敏感器件，在干燥季节或者干燥环境使用容易产生大量静电，静电放电可能 会损坏集成电路，天微电子建议采取一切适当的集成电路预防处理措施，不正当的操作和焊 接，可能会造成ESD损坏或者性能下降，芯片无法正常工作。 极限参数（1）（2）
十二通道LED 恒流驱动 TM1926 电气特性 时序特性 DIN DO 图4
十二通道LED恒流驱动 TM1926功能说明 本芯片采用单线通讯方式，采用归一码的方式发送信号。芯片在上电复位以后，接受DIN端送来的数据，接收完24×4bit后，DO端口开始转发DIN端继续发来的数据，为下个级联芯片提供输入数据。在转发数据之前，DO口一直为高电平。如果DIN输入RESET复位信号，芯片将在复位成功后根据接收到24×4bit数据输出相对应PWM占空比，且芯片重新等待接受新的数据，在接收完开始的24×4bit数据后，通过DO口转发数据，芯片在没有接受到RESET信号前，OUTR、OUTG、OUTB管脚原输出保持不变。 芯片采用自动整形转发技术，信号不会失真衰减，使得该芯片的级联个数不受信号传送的限制，仅受限于刷屏速度的要求。 PWM 位可
微电子的技术发展方向
1 微电子技术发展方向 21世纪初微电子技术仍将以尺寸不断缩小的硅基CMOS工艺技术为主流；随着IC设计与工艺水平的不断提高，系统集成芯片将成为发展的重点；并且微电子技术与其他学科的结合将会产生新的技术和新的产业增长点。 1.1 主流工艺——硅基CMOS电路 硅半导体集成电路的发展，一方面是硅晶(圆)片的尺寸愈来愈大，另一方面是光刻加工线条（特征尺寸）愈来愈细。 从硅片尺寸来看，从最初的2英寸，经过3英寸、4英寸、5英寸、6英寸发展到当今主流的8英寸。据有关统计，目前世界上有252条8英寸生产线，月产片总数高达440万片，现在还在继续建线。近几年来又在兴建12英寸生产线，硅晶片直径达12英寸（300mm），它的面积为8英寸片（200mm）的2.25倍。1999年11月下旬，由Motorola与Infineon Technologies联合开发的全球首批300mm 晶片产品面市。该产品是64M DRAM，采用的是0.25μm工艺技术，为标准的TSOP 封装。据介绍，300mm晶片较200mm晶片，每个芯片的成本降低了30%～40%。到目前，已经达到量产的12英寸生产线已有6条，它们是： （1）Semiconductor 300公司，位于德国德累斯顿，开始月产1500片，由0.25μm进到0.18μm。 （2）Infineon公司，位于德国德累斯顿，0.14μm，开始月产4000片。 （3） TSMC公司，位于我国台湾新竹， Fab12工厂生产线，由0.18μm进到0.15μm以至0.13μm，开始月产4500片。 （4）三星公司，位于韩国，Line 11生产线，0.15/0.13μm，开始月产1500片。 （5）Trecenti公司，位于日本那珂N3厂，月产能7000片，0.15/0.13μm。 （6）Intel公司的D1C厂，开始月产4000片，0.13μm。 此外，已经建厂，开始试投的也已有9条线；正在建的有4条线。 采用12英寸晶片生产的IC产品，据报道已有：韩国三星公司批量生产512M 内存（DRAM）；美国Altera公司在台湾TSMC公司加工生产可编程逻辑器件（PLD），采用0.18μm技术；美国Intel公司在2001年3月份宣布，在当年采用0.13μm 技术建12英寸生产线量产CPU。其余各线主要做存储器电路,DRAM、SRAM或Flash。 在光刻加工线条（特征尺寸）方面，如前所述，在主流0.25μm技术之后，已有0.18μm、0.15μm以至0.13μm技术连续开发出来并投入使用。
深圳天微1721驱动
/* *版权信息：深圳天微技术部 *文件名：TM1721 *当前版本： 1.0 *单片机型号：AT89S52 *开发环境：Keil uVision3 *晶震频率：12M *作者：李建文 *完成日期：2008-6-19 *功能：按键控制LCD屏显示0-9；以及全屏显示和全灭。*/ #include
微电子科学与工程专业
微电子科学与工程专业 一、培养目标 本专业培养德、智、体等方面全面发展，具备微电子科学与工程专业扎实的自然科学基础、系统的专业知识和较强的实验技能与工程实践能力，能在微电子科学技术领域从事研究、开发、制造和管理等方面工作的专门人才。 二、专业特色 微电子科学与工程是在物理学、电子学、材料科学、计算机科学、集成电路设计制造学等多个学科和超净、超纯、超精细加工技术基础上发展起来的一门新兴学科。微电子技术是近半个世纪以来得到迅猛发展的一门高科技应用性学科，是21世纪电子科学技术与信息科学技术的先导和基础，是发展现代高新技术和国民经济现代化的重要基础，被誉为现代信息产业的心脏和高科技的原动力。本专业主要学习半导体器件物理、功能电子材料、固体电子器件，集成电路设计与制造技术、微机械电子系统以及计算机辅助设计制造技术等方面的基础知识和实践技能，培养出来的学生在微电子技术领域初步具有研究和开发的能力。 三、培养标准 本专业学生要求在物理学、电子技术、计算机技术和微电子学等方面掌握扎实的基础理论，掌握微电子器件及集成电路的原理、设计、制造、封装与应用技术，接受相关实验技术的良好训练，掌握文献资料检索基本方法，具有较强的实验技能与工程实践能力，在微电子科学与工程领域初步具有研究和开发的能力。 毕业生应获得以下几方面的知识和能力： 1. 具有较好的人文科学素养、创新精神和开阔的科学视野； 2. 树立终身学习理念，具有较强的在未来生活和工作中继续学习的能力； 3. 具有较扎实的自然科学基本理论基础； 4. 具备微电子材料、微电子器件、集成电路、集成系统、计算机辅助设计、封装技术和测试技术等方面的理论基础和实验技能； 5. 了解本专业领域的科技发展动态及产业发展状况，熟悉国家电子信息产业政策及国内外有关知识产权的法律法规； 6.掌握文献检索及运用现代信息技术获取相关信息的基本方法； 7.具有归纳、整理和分析实验结果以及撰写论文、报告和参与学术交流的能力。 77
电工电子工艺基础实验报告完整版
电工电子工艺基础实验报告完整版 电工电子工艺基础实验报告专业年级: 学号: 姓名: 指导教师: 2013 年 10 月 7 日
目录 一．手工焊点焊接方法与工艺,贴片、通孔元器件焊接工艺。 二．简述磁控声光报警器的工作原理,画出电路组成框图,实物图片。 三．简述ZX—2005型稳压源/充电器的工作原理,画出电路组成框图,实物图片;附上实习报告。四．简述流水灯工作原理,画出电路组成框图,实物图。 五．简述ZX2031FM微型贴片收音机的工作原理,画出电路组成框图,实物图。 六．简述HTDZ1208型—复合管OTL音频功率放大器的工作原理,画出电路组成框图,实物图。七．总的实训体会,收获,意见。 一．手工焊点焊接方法与工艺,贴片、通孔元器件焊接工艺。 （1）电烙铁的拿法 反握法:动作稳定,不易疲劳,适于大功率焊接。 正握法:适于中等功率电烙铁的操作。
握笔法:一般多采用握笔法,适于轻巧型的电烙铁,其 烙铁头就是直的,头端锉成一个斜面或圆锥状,适于焊 接面积较小的焊盘。 （2）焊锡的拿法 （3）焊接操作五步法 左手拿焊条,右手拿焊铁,处于随时可焊状态。 加热焊件、送入焊条、移开焊条、移开电烙铁。（4）采用正确的加热方法 让焊件上需要锡侵润的各部分均匀受热 （5）撤离电烙铁的方法 撤离电烙铁应及时,撤离时应垂直向上撤离 （6）焊点的质量要求 有可靠的机械强度、有可靠的电气连接。 （7）合格焊点的外观 焊点形状近似圆锥体,椎体表面呈直线型、表面光泽 且平滑、焊点匀称,呈拉开裙状、无裂纹针孔夹 渣。 （8）常见焊点缺陷分析 二．简述磁控声光报警器的工作原理,画出
(完整版)微电子技术发展现状与趋势
本文由jschen63贡献 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 微电子技术的发展 主要内容 微电子技术概述；微电子发展历史及特点；微电子前沿技术；微电子技术在军事中的应用。 2010-11-26 北京理工大学微电子所 2 2010-11-26 北京理工大学微电子所 3 工艺流程图 厚膜、深刻蚀、次数少多次重复 去除 刻刻蚀 牺牲层，释放结构 多 工艺 工工艺 2010-11-26 工 5 微电子技术概述 微电子技术是随着集成电路，尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和；微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向；衡量微电子技术进步的标志要在三个方面：一是缩小芯片中器件结构的尺寸，即缩小加工线条的宽度；二是增加芯片中所包含的元器件的数量，即扩大集成规模；三是开拓有针对性的设计应用。 2010-11-26 北京理工大学微电子所 6 微电子技术的发展历史 1947年晶体管的发明；到1958年前后已研究成功以这种组件为基础的混合组件； 1962年生产出晶体管——晶体管逻辑电路和发射极耦合逻辑电路；由于MOS电路在高度集成和功耗方面的优点，70 年代，微电子技术进入了MOS电路时代；随着集成密度日益提高，集成电路正向集成系统发展，电路的设计也日益复杂、费时和昂贵。实际上如果没有计算机的辅助，较复杂的大规模集成电路的设计是不可能的。 2010-11-26 北京理工大学微电子所 7 微电子技术的发展特点 超高速：从1958年TI研制出第一个集成电路触发器算起，到2003年Intel推出的奔腾4处理器（包含5500 万个晶体管）和512Mb DRAM（包含超过5亿个晶体管），集成电路年平均增长率达到45％；辐射面广：集成电路的快速发展，极大的影响了社会的方方面面，因此微电子产业被列为支柱产业。
集成电路综合实验报告
集成电路设计综合实验 题目：集成电路设计综合实验 班级：微电子学1201 姓名： 学号：
集成电路设计综合实验报告 一、实验目的 1、培养从版图提取电路的能力 2、学习版图设计的方法和技巧 3、复习和巩固基本的数字单元电路设计 4、学习并掌握集成电路设计流程 二、实验内容 1. 反向提取给定电路模块（如下图1所示），要求画出电路原理图，分析出其所完成的逻辑功能，并进行仿真验证；再画出该电路的版图，完成DRC验证。 图1 1.1 查阅相关资料，反向提取给定电路模块，并且将其整理、合理布局。 1.2 建立自己的library和Schematic View（电路图如下图2所示）。 图2 1.3 进行仿真验证，并分析其所完成的逻辑功能（仿真波形如下图3所示）。
图3 由仿真波形分析其功能为D锁存器。 锁存器:对脉冲电平敏感，在时钟脉冲的电平作用下改变状态。锁存器是电平触发的存储单元，数据存储的动作取决于输入时钟（或者使能）信号的电平值，当锁存器处于使能状态时，输出才会随着数据输入发生变化。简单地说，它有两个输入，分别是一个有效信号EN,一个输入数据信号DATA_IN，它有一个输出Q，它的功能就是在EN有效的时候把DATA_IN的值传给Q，也就是锁存的过程。 只有在有锁存信号时输入的状态被保存到输出，直到下一个锁存信号。其中使能端A 加入CP信号，C为数据信号。输出控制信号为0时，锁存器的数据通过三态门进行输出。所谓锁存器，就是输出端的状态不会随输入端的状态变化而变化，仅在有锁存信号时输入的状态被保存到输出，直到下一个锁存信号到来时才改变。锁存，就是把信号暂存以维持某种电平状态。 1.4 生成Symbol测试电路如下(图4所示) 图4
华桥大学微电子器件与电路实验实验报告IC2019实验2
实验报告)微电子器件与电路实验(集成 学号实验时间姓名 2019.04 实验成绩实验操作教师签字 实验二集成二极管电学特性分析实验名称(1)计算机 (2)操作系统：Centos 实验设备TSMC RF0.18um工艺模型软件平台：Cadence Virtuoso (4)(3)1.掌握变量扫描分析、OP分析、DC Sweep下分析器件电学模型参数 2.掌握二极管电流和结面积和结周长关系，加深对集成二极管电学特性的理解实验目的特性的测试方法 3.掌握二极管CV 掌握单边突变结二极管掺杂浓度测量方法 4.实验 要求 1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤 2. 实验过程中按实验报告要求操作、仿真、记录数据(波形) 3. 实验结果经指导老师检查、验收，经允许后方可关机，离开实验室 ，、实验后按要求处理数据和波形，回答问题。实验报告打印后，于下次实验时间缴交。3实验内容： 【20%】 2.1 集成二极管电流随结面积变化特性(变量分析)实验对给定的二极管固定二极管的L，然后对二极管结W进行变量分析，测得二极管电流和结面积之间的关系曲线，通过曲线斜率估计二极管电流和结面积是否满足线性关系，回答思考题1 【20%】分析)2.2 实验集成二极管电流随结周长变化特性(OP使用不同结周长的二极管单元并联成结面积相同的二极管器件，测得相同偏置条件下的二极管电流，通过对比不同二极管电流之间的差异，确定二极管电流和结周长的关系，回答思考题2 【30%】 CV特性测试(DC分析下器件电学模型参数分析)集成二极管实验2.3 对给定结面积的二极管进行DC分析，分析二极管结电容和反偏电压之间的关系，测得CV特性曲线。并根据《微电子器件与电路》所学知识，回答思考题3、4、5。 【30%】实验2.4 集成二极管内建电势差及掺杂浓度测量2测试不同结电压下单边突变结二极管的单位结面积电容，根据单边突变结1/C关系曲线特点计算得到二极管的掺杂浓度和内建电势差。
EDA实验报告
电子科技大学成都学院 实验报告册 课程名称：EDA实验与实践 姓名：魏亮 学号：2940710618 院系：微电子技术系 专业：集成电路设计与集成系统（嵌入式） 教师：李海 2011 年12 月12 日
实验一：计数器 一、实验目的： 学习计数器的设计，仿真和硬件测试； 进一步熟悉Verilog HDL的编程方法。 二、实验原理和内容： 本实验的原理是利用复位信号rst，时钟信号clk，输出cout ，实现由0自加到学号（即18）。 本实验的内容是利用Quartus Ⅱ建立一个自加至18的计数器，并进行仿真测试。 三、实验步骤： 1. 启动Quartus Ⅱ建立一个空白工程，然后命名为count . qpf 。 2. 新建Verilog HDL源程序文件count.v，输入程序代码并保存， 然后进行综合编译，若在编译过程中发现错误，则找出并更正错误， 直到编译成功为止。 3. 建立波形仿真文件并进行仿真验证。 四、实验数据和结果： module count (clk,rst,cout); input clk,rst; output[5:0] cout; reg[5:0] cout; always @ (posedge clk) begin if(rst) begin cout=cout+1; if(cout==5'b10011) cout=0; end end endmodule
五、实验总结： 进一步熟悉仿真测试和Verilog HDL 编程方法。
实验二：流水灯 一、实验目的： 通过次试验进一步了解、熟悉和掌握CPLD/FPGA开发软件的使用方法及Verilog HDL的编程方法；学习简单的时序电路的设计和硬件 测试。 二、实验原理和内容： 本实验的内容是建立可用于控制LED流水灯的简单硬件电路，要求在实验箱上时间LED1~LED8发光二极管流水灯显示。 原理：在LED1~LED8引脚上周期性的输出流水数据，如原来输出的数据是11111100则表示点亮LED1、LED2。流水一次后，输出数据应 该为11111000，而此时则应点亮LED1~LED3三个LED发光二极管，这 样就可以实现LED流水灯，为了方便观察，在源程序中加入了一个分频 程序来控制流水速率。 三、实验步骤： （1）启动QuartusII建立空白工程，然后命名为led.qpf。 （2）新建Verilog HDL源程序文件led.v，输入程序代码并保存（源程序参考实验内容），进行综合编译，若在编译过程中发现错误，则找出并更正错误，直至编译成功为止。 （3）FPGA引脚分配，在Quartus II主界面下，选择Assignments→Pins，按照实验课本附录进行相应的引脚分配，引脚分配好以后保存。 （4）对该工程文件进行最后的编译，若在编译过程中发现错误，则找出并更正错误，直至编译成功为止。 （5）打开试验箱的电源开关，执行下载命令，把程序下载到FPGA试验箱中，观察流水灯的变化。 四、实验数据和结果： module led(led,clk); input clk; output[7:0] led; reg[7:0] led_r; reg[31:0] count; assign led=led_r[7:0]; always @ (posedge clk) begin count<=count+1';
TM1722_V1.1 天微电子
LCD驱动控制专用电路 TM1722一、 概述 TM1722是一种LCD驱动控制专用电路，内部集成有MCU 数字接口、数据锁存器、LCD驱动、幻彩背光驱动等电路。本产品性能优良，质量可靠，无须更改解码板底层指令，与天微现有LED驱动IC的指令集完全兼容。同时支持PWM背光驱动；主要应用于VCR、VCD、DVD 及家庭影院等产品的显示屏驱动。 二、 特性说明 ?采用低功耗CMOS工艺 ?最大15X4点LCD驱动 ?3路LED驱动，具有64级PWM，可用于LCD幻彩背光驱动； ?1/2或1/3LCD驱动偏压可选 ?LCD工作电压可调 ?串行接口（CLK，STB，DIO） ?振荡方式：内置RC振荡，典型振荡频率为128KHZ ?封装形式：SOP24 三、 管脚定义 - 1 - ?Titan Micro Electronics https://www.360docs.net/doc/296060913.html,
LCD驱动控制专用电路 TM1722四、管脚功能定义： - 2 - ?Titan Micro Electronics https://www.360docs.net/doc/296060913.html,
LCD驱动控制专用电路 TM1722五、 显示寄存器 该寄存器存储通过串行接口从外部器件传送到TM1722的数据，地址从00H-0FH共16字节单元，实际的地址有02H、03H、06H、07H、0AH、0BH、0EH、0FH共8字节单元,分别与芯片SGE和COM 管脚所接的LCD灯对应，没有的SEG引脚相对应的地址单元写0。分配如下图： 写LCD显示数据的时候，按照从显示地址从低位到高位，从数据字节的低位到高位操作。 上电后所有寄存器初始状态为0 - 3 - ?Titan Micro Electronics https://www.360docs.net/doc/296060913.html,
微电子技术专业领域的哲学问题
微电子技术专业领域的哲学问题 论文摘要：微电子技术作为近几十年高速发展的学科，它已经从多个方面影响着我们的生活，改变我们的生活。作为研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的学科，微电子为我们架起了从微观到宏观的桥梁。用哲学的辩证体系和思想方法思考这架“桥”的形成发展和作用及其影响。 关键字：微电子技术，微观与宏观，哲学 1、绪论 进入21世纪以来，我国信息产业在生产和科研方面都大大加快了发展速度，并已经成为国民经济发展的支柱产业之一。作为信息技术的基础的微电子技术的发展，特别是微电子半导体行业的发展，已经成为衡量一个国家综合国力的重要标志。并且半导体行业已经进入到日常生活的各个领域，在我们的生活中扮演中极其重要的角色。 微电子学（Microelectronics）是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小化电路，子系统及系统的电子学分支。微电子学作为电子学的一门分支学科，主要是研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的学科。微电子学是以实现电路和系统的集成为目的的。微电子学中实现的电路和系统又成为集成电路和集成系统，是微小化的；在微电子学中的空间尺寸通常是以微米（μm，1μm=10 ? 6m）和纳米（nm，1nm=10 ? 9m）为单位的。 哲学，是理论化、系统化的世界观，是自然知识、社会知识、思维知识的概括和总结,是世界观和方法论的统一。是社会意识的具体存在和表现形式，是以追求世界的本源、本质、共性或绝对、终极的形而上者为形式，以确立哲学世界观和方法论为内容的社会科学。 哲学、微电子学在一般人看来，一个属于理工科的范畴，另一个属于文科。他们中间是对立的两面，彼此在不同的圈子，还是存在必然的联系。其实，从西方学术史看，是哲学衍生出科学，在学术上的哲学，是对这些基本原则的理性根据的质疑、反思，并试图对这些基本原则进行理性的重建。这一套理论体系在创造发展一门学科上起到了指导性的作用，当然微电子学也不会例外。 2、“桥梁”形成中的哲学思想 在日常生活中，我们想象有许多事物是正确的；但是仔细加以观察，就可以发现它们却是如此充满了显明的矛盾，以至于唯有深思才能使我们知道什么是我们真正可以相信的。在探讨真确性时，我们自然是从我们现有的经验出发，而且在某种意义上，知识无疑就是从这些经验派生出来的。但是，直接经验使我们知道那个东西究竟是什么，有关这一点，任何陈述都很可能是错误的。我觉得我此刻正坐在一张椅子上，面前是一张某种形状的桌子，我看到桌上有一些字纸。我转过头来，便看到窗子外边的建筑物，还有云彩和太阳。我相信太阳离地球约为九千三百万英里；我相信它是一个比地球大许多倍的炽热的天体；我相信由于地球的自转，太阳便每天早晨升起，并且未来它仍将继续如此。我相信，如果有个
中国微电子行业的技术水平和未来希望
中国微电子行业的技术水平和未来希望 教育部、国家发展改革委、科技部、工业和信息化部、财政部、国家外专局联合发布关于支持有关高校建设示范性微电子学院的通知，支持北京大学、清华大学等9所高校建设示范性微电子学院，北京航空航天大学、北京理工大学等17所高校筹备建设示范性微电子学院。6部委联合发文的情况可不多，联合通知上明言此举旨在尽快满足国家集成电路产业发展对高素质人才的迫切需求。 微电子包括哪些内容？ 微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术。换而言之，微电子是信息技术产业的核心，然而大家懂的，在集成电路上我国目前无论产业规模还是技术实力上，和国外的差距还是有点大的，按照官方的说法：“微电子是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。当前和今后一段时期是中国微电子发展的重要战略机遇期和攻坚期。加快推进产业发展，对转变经济发展方式、保障国家安全、提升综合国力具有重大战略意义。在全球信息产业飞速发展、网络经济迅速兴起、现代国防和未来战争中尖端技术不断崛起的今天，微电子比以往任何时候都更显示出其重要的战略地位。” 9+17基本代表了国内最强力量 从本次进入的建设和筹建示范校微电子学院的高校来看，首批建设的9所中，除了中科院大学和西安电子科技大学外，其余全部是985高校，但是中科院大学本身实力也完全是一流的985高校水准，西电本身在微电子方面也一直是国内顶尖水准，9所大学基本代表了目前国内在微电子方面最为强悍的高校，而筹备的17 所高校在微电子方面也绝对是一流水准，特别值得一提的是，筹备的17所高校中，绝大部分是985大学，唯独3所高校例外，分别是北京工业大学、合肥工业大学和福州大学三所211大学，这三所大学展现了在微电子方面不弱于985高校的强悍实力，值得嘉许。而这9所直接建设的和17所筹备建设的高校，也基本代表了国内微电子方面的最强力量。 各大高校的转变 虽然通知上说，关于微电子学院的教学组织可以独立设置，也可以依托现有学院设置，但是各大高校基本都选择了成立全新的微电子学院，包括浙江大学，北京工业大学，中山大学等在六部委发文后都开始纷纷成立各自的微电子学院，由此看来微电子方向未来会成为一大热门，而六部委的联合通知上也要求各大高校增强微电子方向的师资力量，并加强国际化，保证经费投入。这点从联合发文中财政部参与就可以知道，未来这26所高校得到的
微电子实验报告二
实验二非门、与非门、或非门的电路结构与仿真 班级姓名学号指导老师袁文澹 一、实验目的 1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法； 2、熟练掌握MOS管基本特性； 3、掌握使用HSPICE对MOS电路进行SPICE仿真，以得到MOS电路的I-V曲线。 二、实验内容及要求 1、设计反相器电路； 2、设计出二输入与非门、或非门并仿真； 三、实验原理 1、反相器 a)反相器中NMOS管和PMOS管轮流导通，在理想的输入高电平或者低电平时，电源VDD 与地级始终没有导通电路存在，最终输出的电平大小与NMOS管和PMOS管的尺寸没有关系。 b)直流电压传输特性
2、二输入与非门 T P1、T P2为PMOS管，T N1、T N2为NMOS管 a)当输入信号A、B都是低电平时，两个NMOS管都截止，两个PMOS管都导通， 输出高电平V DD； b)当A、B有一个是高电平，一个是低电平时，必然有一个NMOS管截止同时有 一个PMOS管导通，输出高电平V DD，； c)当A、B都是高电平时，两个PMOS管都截止，两个NMOS管都导通，输出低 电平0。 3、二输入或非门
a)或非门中NMOS管并联，PMOS管串联； b)当输入信号A、B都是低电平时，两个NMOS管都截止，两个PMOS管都导通， 输出高电平V DD ； c)当输入信号A、B只要有一个是高电平，那么至少有一个NMOS管导通，同时 至少有一个PMOS管截止，因此输出低电平0. 四、实验方法与步骤 实验方法： 计算机平台：（在戴尔计算机平台、Windows XP操作系统。） 软件仿真平台：（在VMware和Hspice软件仿真平台上。） 实验步骤： 1、编写源代码。按照实验要求，在记事本上编写CMOS反相器、二输入与非门、二输入或非门输出特性曲线的描述代码。并以相应的文件扩展名存储文件。 2、打开Hspice软件平台，点击File中的一个文件。 3、编译与调试。确定源代码文件为当前工程文件，点击Complier进行文件编译。编译结果有错误或警告，则将要调试修改直至文件编译成功。 4、软件仿真运行及验证。在编译成功后，点击simulate开始仿真运行。点击Edit LL单步运行查看结果,无错误后点击Avanwaves按照程序所述对比仿真结果。 5、断点设置与仿真。… 6、仿真平台各结果信息说明. 五、实验仿真结果及其分析 1、仿真过程 1）源代码 反相器 *Sample netlist for GSMC .TEMP 25.0000 .param wn=1u wp=0.28u Lmin=0.28u vdd=3.6v .lib 'gd018.l' TT .option post vdd vcc 0 dc vdd * --- V oltage Sources --- * --- Inverter Subcircuit --- M1 n2 n1 vcc vcc PCH w = wp L = Lmin M2 n2 n1 0 0 NCH w = wn L = Lmin C1 n2 0 10p vs n1 0 * --- Transient Analysis --- .dc vs 0 vdd 0.01 .print dc v(n2) I(m2) .alter .param wp = 1u .alter .param wp = 3u .alter .param wp = 9u .alter