射频集成电路综述

射频集成电路低噪声放大器研究前景

摘要

近年来，随着无线通信技术在移动通信、全球互联接入以及物联网等领域越来越广泛的应用。对于现代通信系统往往要求提供两个甚至更多的无线服务，因此就要求射频电路前端中的关键部件低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）能在多个频带下具有放大能力。因此如何能够放大多个频带的宽带低噪声放大器成为研究热点。

低噪声放大器是现代无线通信、雷达、电子对抗系统等应用中的十分重要的部分，常用于接收系统的前端，在放大信号的同时降低噪声干扰，提高系统灵敏度。如果在接受系统的前端连接高性能的低噪声放大器，在低噪声放大器增益足够大的情况下，就能抑制后级电路的噪声，则整个接收机系统的噪声系数将主要取决于放大器的噪声。如果低噪声放大器的噪声系数降低，接收机系统的噪声系数也会变小，信噪比得到改善，灵敏度大大提高。由于可见噪声放大器的性能制约了整个接收系统的性能，对于整个接收系统技术水平的提高，也起了决定性的作用。

宽带低噪声放大器是一种需要有良好的输入匹配的部分。输入匹配是要求兼顾阻抗匹配和噪声系数的，对于这两个指标一般来说是耦合在一起的。现有的宽带匹配技术需要反复协调电路各部分参数，通过对阻抗匹配和噪声系数这两个指标的折中设定来达到输入匹配的要求，因此给设计增大了难度。

噪声抵消技术是一种可以有效的将上述两个重要参数进行分离的方法，对降低设计复杂度、缩短设计周期、降低设计成本具有重要意义。现有的噪声抵消电路结构基本上都是基于CMOS工艺的。近年来，随着SiGe 技术的发展，SiGe BiCMOS工艺逐渐成为射频集成电路工艺的主流。然而，基于 SiGe工艺的采用噪声抵消结构的设计方法还未见报道。因此，本文基于SiGe工艺，开展对工作于0.8-5.2GHz频段低噪声放大器的噪声抵消电路结构的设计研究。

研究背景

在过去三十多年时间里，射频(Radio Frequency, RF)和无线移动通信是电子信息产业中发展最为迅速的重要分支。射频和无线移动通信使得人与人之间，甚至是人与物之间能够不受时间、地点的限制进行信息交互，诸如手机、无绳电话、全球定位系统(Global Positioning System, GPS)及射频识别(Radio Frequency IDentification, RFID)等应用已渗入我们的生活和工作的各个领域，这些大大改变了人们的生活和工作的方式。

在国外，早在2002年，意大利人Bruccoleri就提出了噪声抵消的方法，即将匹配元件产生的噪声通过两条并联支路传递到信号的输出端时具有相反的相位。此时，匹配器件的调节对系统输出噪声的影响可以忽略，噪声系数由其它器件决定。即，实现了输入阻抗匹配与系统噪声系数的去耦。

在国内，对噪声抵消结构的设计也取得了显著的成果。2007年，台湾大学的Chih-Fan Liao，Shen-Iuan Liu等人使用并联峰化技术，基于0.18μm标准CMOS 工艺对3.1-10.6频带内的超宽带LNA进行了仿真研究，整个频带内放大器的增益为9.7dB，噪声系数为4.5-5.1dB。2008年，武汉理工大学的吕峰（Feng Lu），夏磊（Xia Lei）引入变压器等技术，同样基于0.18μm标准CMOS工艺，设计了3.5-10.4GHz，增益达到16.3dB，噪声系数小于5.8dB的低噪声放大器。同年厦门大学的高明坤（Mingkun Gao），李望（Wang Li）等人，基于相同工艺，设计了一款应用了有源电感的工作在375MHz-1.8GHz的放大器，其增益高于14dB，噪声系数小于4dB。

1996 年 Srinivasan C.等人利用工作在线性区的 MOS 管作为并联负反馈

来控制增益，实现了一款工作带宽为 80MHz 的增益可变低噪声放大器，增益变化范围 25dB，功耗 30mW。 2001 年，Gatta F.等人采用反相结构提出了一种频率为 900MHz 的全差分 CMOS 增益可变低噪声放大器，在电流为 8mA 的情况下噪声系数仅为 2dB，这是当时全差分CMOS增益可变低噪声放大器研究中在此功耗下最低的噪声系数。 2006 年，Seung L.等人采用三级增益电路结构设计了一款 UWB 增益可变低噪声放大器，其增益变化范围过 61dB，3dB 带宽约 200MHz，噪声系数小于 12dB。 2007 年，Wu Chang-Ching等人基于 CMOS 工艺，运用

串联栅峰化和负载并联峰化等技术实现了一款适用于 3.1-5GHz 超宽带系统的增益可变低噪声放大器，测得增益可变低噪声放大器在高增益模式下的噪声为3.2-5.6dB，增益为12.6-15.6dB，低增益模式下增益为7.2-8.1dB，输入输出回波损耗均高于10dB。2008 年，Yong-Ju Shu等人基于0.13μm工艺，采用电

压-电流指数控制电路设计了一种可适用于 WCDMA 标准的增益可变低噪声放大器，在 800MHz 下增益动态范围超过 100dB，在 2GHz 下增益动态范围超过 84dB。2011 年，Gabaly A M等人基于0.13μm CMOS 设计了一款工作于 1-5GHz 的增

益可变低噪声放大器，增益动态范围为 5.5-11dB，噪声系数为 4.8dB。 2013 年，Hwang Hyeonseok等人采用伪指数技术控制增益变化，实现了一款工作于

0.95-2.15GHz 的增益可变低噪声放大器，控制电压从 0.5-1.8V 变化时，增益实现了-38.5-16.8dB 连续变化。

研究成果

现有的噪声抵消电路结构基本上都是基于CMOS工艺的。近年来，随着SiGe 技术的发展，SiGe BiCMOS工艺逐渐成为射频集成电路工艺的主流。然而，基于SiGe工艺的采用噪声抵消结构的设计方法还未见报道。因此，本文基于SiGe工艺，开展噪声抵消电路结构研究，并开展采用噪声抵消技术的工作于0.8-5.2GHz频段低噪声放大器的设计研究。首先，设计了一款用于LNA输入匹配的SiGe HBT噪声抵消电路结构。通过解析的方法给出了此电路结构的噪声系数表达式，并与安捷伦公司的ADS （Advanced Design System）仿真结果对比，验证了该表达式的正确性。其次，给出了0.8-5.2GHz的噪声抵消结构电路参数的设计以及基于电流镜的偏置网络的设计方法。借助射频集成电路设计软件ADS，对该结构电路的噪声系数和输入匹配进行仿真。结果表明，在该频带内，输入匹配和噪声性能良好，并且很好地实现了匹配与噪声系数的去耦。再次，基于该噪声抵消电路结构，完成了0.8-5.2GHz LNA的设计。为兼顾输出匹配、电路线性度等因素，电路输出级采用了多重反馈结构。为了补偿高频增益的衰减，保证带宽满足设计目标，应用了并联峰化、匹配补偿和反馈补偿等带宽扩展技术。最后，对放大器各项性能参数进行了仿真。仿真结果表明，在0.8-5.2GHz范围内，LNA的S21达到23dB以上，噪声系数小于4dB，S11和S22在整个频带内均小于-11dB，且放大器无条件稳定，性能良好。接着，基于JAZZ 0.35μm BiCMOS 工艺绘制出了LNA的版图。

综合过去的研究可以看出，对噪声抵消结构的研究主要基于标CMOS工艺，这主要为了便于与数字部分集成，以便实现片上系统。然而，射频 CMOS管的高频增益、噪声等性能远低于分立模块的主流的GaAs、GaN工艺，这严重制约了RFIC的发展，乃至影响到SoC技术的发展。目前，一种新兴的基于SiGe HBT 的BiCMOS工艺逐渐从实验室进入了市场，广泛的应用于射频集成电路领域。这种工艺是双极型SiGe工艺与标准CMOS工艺的一种综合，既可以提供射频性能可与GaAs器件相媲美的SiGe HBT器件，又可提供适合于数字电路设计的标准CMOS晶体管。它兼具双极工艺和CMOS工艺的技术优势，可广泛应用于制作射频前端电路。在当前硅技术趋近于物理和工艺极限的情况下，SiGe技术为解决高速高频电路提供了新的技术途径。近几年，基于SiGe BiCMOS工艺技术的RFIC 电路研制一直是世界性范围内研究的热点。世界各国的研究人员都在BiCMOS射频集成电路RFIC的设计和制作方面进行了大量的研究，其中以作为开拓者的IBM公司和德国的TEMIC公司为代表。其他拥有SiGe技术的公司主要Motorola，JAZZ，NEC，Infineon，Maxim，TSMC等。国内对SiGe BiCMOS的研究主要集中在一些高校和研究所，目前也正处于飞速发展中。随着SiGe BiCMOS技术的不断成熟，其成本也将逐渐降低，性能的优势将决定它必将取代射频CMOS工艺，成为RFIC的主流工艺。相信不久的将来，利用SiGe BiCMOS工艺制作单片RFIC 乃至SoC都将会是大势所趋。不幸的是，目前基于SiGe技术的噪声抵消结构设计还未见报道。另外，由于SiGe HBT晶体管与MOS管的工作原理以及噪声产生机制并不相同，已经在射频CMOS工艺中进行了广泛研究的噪声抵消结构不能照

搬到SiGe BiCMOS工艺中来。因此，选择一款适合于SiGe HBT的噪声抵消技术，并提出应用此技术的优化设计方法具有理论和实际意义。

参考文献

1 张万荣, 沙永萍等. 版图设计尺寸对SiGe/Si HBT高频噪声特性的影响. 微电子学, 2006, 36(5):

598~600

2 黄毅文, 张万荣, 谢红云等. 一种无电感超宽带低噪声放大器的设计, 微电子

学, 2009, 39(6): 807~810

集成电路综述论文

集成电路的过去、现在和未来摘要:本文简要介绍了集成电路的发展历史、发展现状和发展前景。着重介绍了集成电路技术在一些领域的应用和我国集成电路产业的现状和发展。关键词：集成电路技术应用电子信息技术一、发展历史集成电路的发明和应用是人类20世纪科技发展史上一颗最为璀璨的明珠。50多年来，集成电路不仅给经济繁荣、社会进步和国家安全等方面带来了巨大成功，而且改变了人们的生产、生活和思维方式。当前集成电路已是无处不有、无时不在。她已经成为人类文明不可缺乏的重要内容。 1949年12月23日，美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿三人研究小组发现了晶体管效应，并在此基础上制出了世界上第一枚锗点接触晶体管，从此开创了人类大规模利用半导体的新时代。两年后肖克莱首次提出了晶体管理论。1953年出现了锗合金晶体管，1955年又出现了扩散基区锗合金晶体管。1957年美国仙童公司利用硅晶片上热生长二氧化硅工艺制造出世界上第一只硅平面晶体管。从此，硅成为人类利用半导体材料的主要角色。1958年美国德州仪器公司青年工程师基尔比制作出世界上第一块集成电路。1960年初美国仙童公司的诺依思制造出第一块实用化的集成电路芯片。集成电路的发明为人类开创了微电子时代的新纪元。在此后的五十多年里，集成电路技术发展迅速，至今，半导体领域中获得过诺贝尔物理奖的发明创造已有5项。晶体管由于其广泛的用途而被迅速投入工业生产，“硅谷”成为世界集成电路的策源地，并由此向世界多个国家和地区辐射：上世纪60年代向西欧辐射，70年代向日本转移，80年代又向韩国、我国台湾和新加坡转移。至上世纪90年代，集成电路产业已成为一个高度国际化的产业。发展现状简介集成电路具有多种特点，如其体积小、质量轻、功能齐全、可靠性高、安装方便、频率特性好、专用性强以及元器件的性能参数比较一致，对称性好。目前最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的“核心”，可以控制电脑、手机到数字微波炉的一切。当前全球生产技术水平最高的集成电路项目是三星电子高端存储器芯片项目，其预备生产目前世界上最先进的10纳米级闪存芯片。集成电路的设计是集成电路三大产业支柱之一，目前相对主流的设计技术有IP核技术、可重构芯片技术、适应计算设计技术以及结构化设计技术等。IP核技术是目前主流的设计技术，ARM公司以专业设计IP核在CPU领域占据重要地位，成为了全球性RISC微处理器标准的缔造者。三大产业支柱之一的封装技术也在快速发展，目前有发展前景的是DCA技术和三维封装技术。同时，集成电路中单片系统集成芯片的特征尺寸在不断缩小，芯片的集成度在逐渐提升，工作电压在逐渐降低。 2、国内产业现状中国集成电路发展势头迅速。2000年《国务院关于印发鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》发布以来，中国集成电路市场和产业规模都实现了快速增长。市场规模方面，2014年中国集成电路市场规模首次突破万亿级大关，达到10393亿元，同比增长13.4%，约占全球市场份额的50%。产业规模方面，2014年中国集成电路产业销售额为3015.4亿元，2001-2014年年均增长率达到23.8%。2014年12月5日，联发科与晶圆代工厂商华力电子共同宣布双方将在28纳米工艺技术和晶圆制造服务方面紧密合作，受到业界极大关注。2015年7月，我国科技重大专项“40-28纳米集成电路制造用300毫米硅片”在上海产业区启动，旨在解决我国集成电路行业300毫米硅片完全依赖进口的局面。

雷达射频集成电路的发展及应用

龙源期刊网 https://www.360docs.net/doc/2e14349115.html, 雷达射频集成电路的发展及应用作者：黄林锋来源：《山东工业技术》2017年第24期摘要：本文概述了雷达射频集成电路技术的特点，是一种以半导体和射频电路技术为基础，一种集信号放大、数据传输和转化功能为一体的技术，并从其发展与演变切入进行研究，探讨了目前常用的几种雷达射频集成电路的发展成果及其应用状况。关键词：雷达射频集成电路;发展;应用 DOI：10.16640/https://www.360docs.net/doc/2e14349115.html,ki.37-1222/t.2017.24.099 现代的雷达系统越来越注重高精度的距离探测与跟踪，还要求较强的抗干扰性、目标识别作用和气象探测功能。由此，要求完整一套的现代雷达系统包含近万个信号接收器和信号发射装置，这也极大提高了系统的复杂性和设备的成本造价。雷达系统的现代化除保留上述基本功能，还应减少设备的造价，这推进了射频集成电路在现代雷达领域的研发 [1]。由无线天线、电磁信号处理器、显示屏幕、控制面板、信号的发射和接收器所组成的现代雷达系统。目前，射频集成系统已经应用于信号的发射和接收器，下文从射频集成电路在雷达系统的研发入手，通过深入研究，介绍雷达系统目前的几种应用现状。 1 雷达射频集成电路的发展概述随射频集成技术和信息化在雷达系统中的深入发展，射频集成电路已经演变了好几个架构形态[2]。以信号接收系统为例，在三十年内演化出三种不同的形态。在此过程，雷达系统的数字化不断提高，实现某些频段的完全数字化，使射频集成电路向混合集成电路的方向不断发展。 2 雷达系统射频集成电路的发展及应用研究 2.1 射频集成SOC 以单片作为射频电路的集成基板，SiGe和CMOS作为集成射频与数字化特点的技术平台。技术的快速发展极大提高了射频电路的集成化程度，上部集混合频率、放大频率和合成信号功能为一体，下部集增频、分贝放大功能的器件。雷声公司（美国）研发的最新设备——X 波段应用了上述技术 [3]，其在实际中具有高性能、减小雷达体积和节约造价的应用优势。 2.2 射频多通道集成电路在一个集成芯片上集多通道于一体，这种集成电路没有射频集成电路那么多的器件，应用系统的封装工艺，以高度集成化的多通道芯片，实现射频混合电路的性能优化和结构简化。采

集成电路工程领域085209

集成电路工程领域(085209) 全日制攻读工程硕士专业学位研究生培养方案一、培养目标培养掌握集成电路工程专业领域坚实的基础理论和宽广的专业知识，具有较强的解决实际问题的能力，能够承担相应的专业技术或管理工作，特别是为大中型企业培养应用型、复合型高层次工程技术和工程管理人才。具体要求为：1．拥护党的基本路线和方针政策，热爱祖国，具有良好的职业道德和敬业精神，具有科学严谨、求真务实的学习态度和工作作风，身心健康。 2．掌握集成电路工程专业领域的基础理论和专业知识，掌握解决工程问题的先进技术方法和现代技术手段；具有独立承担专业技术或工程管理工作的能力和良好的职业素养。 3．掌握一门外国语。二、研究方向 1. 集成电路系统设计技术主要研究集成电路及各类信息系统的设计理论、方法与技术，包括软硬件协同设计，IC设计过程，系统级设计方法与工具，集成电路系统模型研究，系统级规范与建模语言，集成电路系统指标研究及噪声分析、集成电路测试与可测性设计以及模拟和混合信号测试等。 2. SOC与嵌入式系统技术方向研究数字集成电路设计技术SOC设计方法、SoC设计的性能验证方法，微处理器结构设计、处理器建模与设计工具，嵌入式基础理论、嵌入式软件建模与设计，数字低功耗设计技术、具备嵌入式系统在移动数字通信、移动多媒体、网络技术、信息家电、工业控制等领域的软件与系统设计、开发能力。 3.MEMS建模、优化与控制技术针对MEMS器件制造工艺不同于常规的机械加工，性能受到尺度效应影响以及具有小惯性和大耗散阻尼的特点，研究MEMS器件遵循的微观物理规律，在此基础上对其进行性能分析，并且设计出低成本的、易于实现单片集成的控制装置。 4.基于FPGA的SOPC嵌入式系统设计基于FPGA的片上可编程系统设计、嵌入式系统编程和测试技术研究、模拟可编程电路设计、操作系统的移植和系统的编程和配置技术，集成验证技术等。

数字电压表的文献综述

文献综述一．前言发展历程数字电压表在1952年由美国NLS公司首次从电位差计的自动化过程中研制成功。50多年来，数字电压表有了不断的进步和提高。数字电压表刚开始是4位显示，然后是5位、6位，而现在发展到7位、8位数码显示；从最初的一两种类型发展到原理不同的几十种类型；从最早的采用继电器、电子管发展到全晶体管、集成电路、微处理器化；从一台仪器只能测一到两种参数到能测几十种参数的多用型；显示器件也从辉光数码管发展到等离子体管、发光二极管、液晶显示器等。数字电压表的体积和功耗越来越小，重量不断变轻，价格也逐步下降，可靠性越来越高，量程范围也逐步扩大。 DVM的高速发展，使它已成为实现测量自动化、提高工作效率不可缺少的仪表，现在已经广泛应用于电子、电工测量，自动化测试系统等领域。故数字电压表已成为一种必不可少的测量仪器。本设计是基于单片机AT89C51的数字电压表。硬件电路设计简单，具有读数方便、误差小、稳定性高等特点，具有较高应用价值，特别适合平常简单的测量。采用智能化的数字仪器将是必然的趋势，它们不仅能提高测量准确度，而且能提高电测量技术的自动化程序，可以扩展成各种通用数字仪表、专用数字仪表及各种非电量的数字化仪表(如：温度计、湿度计、酸度计、重量、厚度仪等)，几乎覆盖了电子电工测量、工业测量、自动化仪表等各个领域。从而提高计量检定人员的工作效率。二．正文 1.DVM简介数字电压表（Digital Voltmeter）简称DVM，是采用数字化的测量技术,将连续的模拟量转换成为离散的数字形式并加以显示的电子测量仪表。传统的指针式电压表功能单一、精度低，不能满足数字化时代的需求。数字电压表具有以下九大特点：1. 显示清晰直观，读数准确；2. 准确度高；3. 分辨率高；4. 测量范围宽；5. 扩展能力强；6. 测量速率快；7．输入阻抗高；8. 集成度高，微功耗；9. 抗干扰能力强。采用单片机的数字电压表不仅精度高、抗干扰能力强，

RF 设计与应用----射频集成电路封装

RF设计与应用----射频集成电路封装关键词：射频，多层电路板，电路封装摘要：针对无线通信产品业者所面临的课题，本文试着从封装技术在射频集成电路上应用的角度，来介绍射频集成电路封装技术的现况、现今封装技术对射频集成电路效能的影响，以及射频集成电路封装的未来发展和面临的挑战。在行动通讯质量要求的提高，通讯带宽的需求量大增，因应而生的各项新的通讯规范如GPRS、W-CDMA、CDMA-2000、Bluetooth、 802.11b纷纷出笼，其规格不外乎：更高的数据传输速率、更有效的调变方式、更严谨的噪声规格限定、通讯功能的增强及扩充，另外再加上消费者对终端产品“轻、薄、短、小、久（包括产品的使用寿命、维护保固，甚至是手机的待机时间）”的诉求成了必要条件；于是乎，为了达成这些目的，各家厂商无不使出混身解数，在产品射频(Radio Frequency)、中频(Intermediate Frequency)与基频(Base Band)电路的整合设计、主动组件的选择应用、被动组件数目的减少、多层电路板内线路善加运用等，投注相当的心血及努力，以求获得产品的小型化与轻量化。针对这些无线通信产品业者所面临的课题，我们试着从封装技术在射频集成电路上应用的角度，来介绍射频集成电路封装技术的现况、现今封装技术对射频集成电路效能的影响，以及射频集成电路封装的未来发展和面临的挑战。射频集成电路封装技术的现况就单芯片封装(Single Chip Package)的材质而言，使用塑料封装( P l a s t i c Pac kage)的方式，是一般市面上常见到的高频组件封装类型，低于3GHz工作频率的射频集成电路及组件，在不严格考虑封装金属导线架(Metal Lead Frame)和打线(Wire Bond)的寄生电感(Parasitic Inductance)效应下，是一种低成本且可薄型化的选择。由于陶瓷材料防水气的渗透性特佳及满足高可靠度的需求，故也有采用陶瓷封装技术；对于加强金属屏蔽作用及散热效果的金属封装，可常在大功率组件或子系统电路封装看到它的踪迹。

2014射频集成电路复习

第一章 1.频谱划分 ?无线电波段中，将30～300千赫范围内的频率称低频(LF) ?中频（MF）是指，频段由300KHz 到3000KHz的频率 ?高频(HF)，介于3MHz与30MHz之间的频率 ?RFID，13MHz ?个人移动通信: 900MHz,1.8GHz,1.9GHz,2GHz ?射频：频率范围从300KHz～30GHz之间，目前研究的主要频段为 30MHz ～3GH 2.通信系统模型 4.调制原因 ?为了有效地把信号用电磁波辐射出去 ?有效的利用频带传输多路频率范围基本相同的基带信号第二章 1.阻抗匹配网络的作用阻抗匹配网络的使用是为了让放大器从信号源获得最大的功率，或者让放大器向负载传输最大的功率，或使放大器具有最小噪声系数等。 2.长线、短线概念，集总参数、分布参数传输线有长线和短线之分。所谓长线是指传输线的几何长度与线上传输电磁波的波长比值(电长度)大于或接近1，反之称为短线。满足L<<λ条件的电路称为集总参数电路。不满足L<<λ条件的电路称为分布参数电路。 3.馈线匹配问题 ?无限长传输线上各处的电压与电流的比值定义为传输线的特性阻抗，用Ｚ 0 表示。 ?同轴电缆的特性阻抗的计算公式为Ｚ。＝〔60/√εr〕×Log ( D/d ) [ 欧]。 ?式中，D 为同轴电缆外导体铜网内径；d 为同轴电缆芯线外径；εr为导体间绝缘介质的相对介电常数。通常Ｚ0 = 50 欧，也有Ｚ0 = 75 欧的。由上式不难看出，馈线特性阻抗只与导体直径D和d以及导体间介质的介电常数εr有关，而与馈线长短、工作频率以及馈线终端所接负载阻抗无关 4.史密斯圆图的用途 ①读取阻抗、导纳、反射系数、驻波比等②阻抗和传输线匹配网络设计 ③微波、射频放大器设计④微波、射频振荡器设计第三章 1.分立电路与集成电路中，无源元件与有源元件的对比 ?分立电路中，无源元件和有源元件相比价格低、易实现 ?集成电路中，无源元件占用面积大、成本高、品质因数低 2.趋肤效应：随着频率的增加，电流趋向于导体表面的效应

集成电路与系统

集成电路与系统集成电路设计与集成系统专业工资待遇截止到 2013年12月24日，57740位集成电路设计与集成系统专业毕业生的平均薪资为4639元，其中应届毕业生工资3701元，0-2年工资4104元，10年以上工资5104元，3-5年工资6069元，8-10年工资10494元，6-7年工资11198元。集成电路设计与集成系统专业就业方向集成电路设计与集成系统专业学生毕业后可到国内外各通信、雷达、电子对抗等电子系统设计单位和微电子产品的单位从事微电子系统的研发设计。。集成电路设计与集成系统专业就业岗位硬件工程师、电气工程师、模拟集成电路设计工程师、研发工程师、射频集成电路设计工程师、设计工程师、等。集成电路设计与集成系统专业就业地区排名集成电路设计与集成系统专业就业岗位最多的地区是上海。薪酬最高的地区是肇庆。就业岗位比较多的城市有：上海[36个]、北京[30个]、深圳[28个]、苏州[11个]、西安[10个]、武汉[9个]、广州[7个]、成都[6个]、无锡[6个]、济南[6个]等。就业薪酬比较高的城市有：肇庆[8065元]、信阳[6999元]、北京[6279元]、上海[6194元]、佛山[5265元]、厦门[5231元]、杭州[5024元]、南京[5013元]、惠州[4999元]、沈阳[4867元]、大连[4799元]等。集成电路设计与集成系统专业在同类专业排名

集成电路设计与集成系统专业在专业学科中属于工学类中的电气信息类，其中电气信息类共34个专业，集成电路设计与集成系统专业在电气信息类专业中排名第28，在整个工学大类中排名第95位。在电气信息类专业中，就业前景比较好的专业有：计算机科学与技术，自动化，软件工程，信息工程，电气工程及其自动化，网络工程，计算机软件，电子信息工程，通信工程等。

集成电路论文

集成电路自动测试技术综述陈华成0812002193 电087 摘要：随着经济发展和技术的进步，集成电路(Integrated Circuit，IC)产业取得了突飞猛进的发展。集成电路测试是集成电路产业链中的一个重要环节，是保证集成电路性能、质量的关键环节之一。集成电路测试是集成电路产业的一门支撑技术，而集成电路自动测试设备(Automatic Test Equipment，A TE)是实现集成电路测试必不可少的工具。本文首先介绍了集成电路自动测试系统的国内外研究现状，接着介绍了数字集成电路的测试技术，包括逻辑功能测试技术和直流参数测试技术。逻辑功能测试技术介绍了测试向量的格式化作为输入激励和对输出结果的采样，最后讨论了集成电路测试面临的技术难题。关键词：集成电路；测试技术；IC 1 引言随着经济的发展，人们生活质量的提高，生活中遍布着各类电子消费产品。电脑﹑手机和mp3播放器等电子产品和人们的生活息息相关，这些都为集成电路产业的发展带来了巨大的市场空间。2007年世界半导体营业额高达2.740亿美元，2008世界半导体产业营业额增至2.850亿美元，专家预测今后的几年随着消费的增长，对集成电路的需求必然强劲。因此，世界集成电路产业正在处于高速发展的阶段。集成电路产业是衡量一个国家综合实力的重要重要指标。而这个庞大的产业主要由集成电路的设计、芯片、封装和测试构成。在这个集成电路生产的整个过程中，集成电路测试是惟一一个贯穿集成电路生产和应用全过程的产业。如：集成电路设计原型的验证测试、晶圆片测试、封装成品测试，只有通过了全部测试合格的集成电路才可能作为合格产品出厂，测试是保证产品质量的重要环节。集成电路测试是伴随着集成电路的发展而发展的，它为集成电路的进步做出了巨大贡献。我国的集成电路自动测试系统起步较晚，虽有一定的发展，但与国外的同类产品相比技术水平上还有很大的差距，特别是在一些关键技术上难以实现突破。国内使用的高端大型自动测试系统，几乎是被国外产品垄断。市场上各种型号国产集成电路测试，中小规模占到80%。大规模集成电路测试系统由于稳定性、实用性、价格等因素导致没有实用化。大规模/超大规模集成电路测试系统主要依靠进口满足国内的科研、生产与应用测试，我国急需自主创新的大规模集成电路测试技术，因此，本文对集成电路测试技术进行了总结和分析。 2 集成电路测试的必要性随着集成电路应用领域扩大，大量用于各种整机系统中。在系统中集成电路往往作为关键器件使用，其质量和性能的好坏直接影响到了系统稳定性和可靠性。如何检测故障剔除次品是芯片生产厂商不得不面对的一个问题，良好的测试流程，可以使不良品在投放市场之前就已经被淘汰，这对于提高产品质量，建立生产销售的良性循环，树立企业的良好形象都是至关重要的。次品的损失成本可以在合格产品的售价里得到相应的

单片机及其应用的文献综述

单片机及其应用的文献综述摘要：单片机由于其特点和突出的性能被广泛应用于各个领域，随着社会的发展和技术的进步，各种新型单片机层出不穷，片内集成的功能模块越来越多，整体性能也越来越强大。本文主要介绍了单片机的种类、特点、主要的生产厂家和应用领域等，概述介绍了单片机应用技术的进展和动向。关键词:单片机；分类；应用；发展引言单片微型计算机（Single Chip Microcomputer），又称微控制器（Micro controller Unit）或嵌入式控制器（Embedded Controller）。通常是将组成计算机的基本部件微型化并集成到一块芯片上而形成的微型计算机，其片内常含有CPU、ROM、RAM、并行I/O、串行I/O、定时器/计数器、中断控制、系统时钟及系统总线等。据统计，目前全世界单片机（嵌入式处理器）的品种总量已经超过1000多种，流行体系结构约30个系列，其中8051 体系仍占有半壁江山。 1.分类依据分类方法的不同，单片机可以分为不同的类型。根据数据总线的宽度分类，可分为4位、8位、16位、32位机等，如下表1所示：表1 根据位宽分类分类名称简介应用场所 4位单片机功能单一性能较低。如OKI公司的 MSM64164C、MSM64481，NEC 公司的75006X 系列，EPSON公司的SMC62系列等。输入装置(鼠标、游戏杆)、电池充电器、带液晶显示的音、视频产品控制器、家用电器的控制及遥控器、玩具控制、记时器、时钟、表、计算器、多功能电话、 LCD 游戏机。 8位单片机功能强大，品种最为丰富、应用最为广泛。 MCS-51 系列及其兼容机型：ATMEL、PHILIPS、 WINBOND 是MCS-51 单片机生产的老牌厂家，ST 新推出的μPSD 系列等； MOTOROLA68HC05/08 系列、MICROCHIP 的 PIC 单片机以及ATMEL 的AVR 单片机。自动化装置、智能仪器仪表、过程控制、通信、家用电器 16位单片机十六位单片机操作速度及数据吞吐能力在性能上比8 位机有较大提高。主要应用于工业控制、智能仪器仪表、便携式设备等场合。 32位单片机高性能和低功耗。以更低的时钟频率、非常低的功耗，达到很强的运算处理能力。 DVD、VCD、数码相机(DSC)、数字式电视机DTV、导航系统、便携式信息终端、空调机、洗衣机、电冰箱、打印机等根据程序存储方式的不同分类，单片机可分为MASKROM类、EPROM类、OTPROM类（一次可编程）、ROM less类、Flash ROM（MTPROM）类五种，如下表2所示：表2 根据程序存储方式分类分类名称特点 MASKROM 类程序在芯片封装过程中用掩膜工艺制作到ROM区中，如80C51，适合于大批量生产 EPROM 类紫外线可擦写存储器类，如87C51（价格较贵） ROMless类无ROM存储器，如80C31，电路扩展复杂，现在较少用 OTPROM类可一次性写入程序 Flash ROM 可多次编程写入存储器，如芯片89C51、89S51 等，其成本低，开发调试方便，可

集成电路论文83832

模拟集成电路模拟集成电路设计与应用综述系、部：计电系11级供用电技术二班学生姓名：季丽丽指导教师：徐晓莹专业：电路基础班级：11级供用电技术二班完成时间：2012、06、25

模拟集成电路设计与应用综述摘要近年来，随着集成电路工艺技术的进步，整个电子系统可以集成在一个芯片上。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。随着信息技术及其产业的迅速发展，当今社会进入到了一个崭新的信息化时代。微电子技术是信息技术的核心技术，模拟集成电路又是微电子技术的核心技术之一，因而模拟集成电路成为信息时代的重要技术领域。已广泛应用于信号放大、频率变换、模拟运算、计算机接口、自动控制、卫星通信等领域。关键词：模拟集成电路；微电子技术；信号放大；频率变换引言集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，这样，整个电路的体积大大缩小，且引出线和焊接点的数目也大为减少，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。

LED文献综述

单位代码01 学号090102074 分类号密级机密文献综述浅谈LED点阵广告牌设计院（系）名称信息工程学院专业名称电子信息工程学生姓名王珊指导教师何红丽 2013 年4月6日

浅谈LED点阵广告牌设计摘要 LED点阵广告牌显示画面鲜亮、立体感强、画面感很强。由LED点阵设计的电子屏在生活中被广泛应用于各种公共场合，如机场、车站、证券市场、大型建筑、拍卖行、超市、饭店、宾馆、广告等各种场合。能动态显示汉字、数字、字符、图像。LED点阵广告牌已逐步代替了以前的条幅。具有价格低、使用方便、制作简单、低碳环保等优点。本文主要介绍超市、宾馆等场合的LED点阵广告牌。 LED点阵广告牌通常由显示模块、控制系统及电源系统组成。本课题主要使用LED点阵构成显示模块；AT89C51单片机作为主控制模块，利用简单的外围电路来驱动16×16的点阵LED显示屏。电源系统负责将输入电压电流转为显示屏需要的电压电流。硬件部分主要包括时钟电路、复位电路、MC-51单片机系统、显示模块、行列驱动电路等关键字：LED 点阵广告牌 AT89C51单片机显示模块电源系统

1 LED广告牌发展背景简介 1.1 LED显示屏的背景随着集成微电子、光学电子技术、计算机技术、信息技术的迅速发展，LED显示屏巧妙聚集以上技术于一体在各界得到青睐，并在各行各业被广泛应用。，LED 之所以受到广泛重视而得到迅速发展，是与它本身所具有的优点分不开的。这些优点概括起来是：亮度高、工作电压低、功耗小、小型化、寿命长、耐冲击和性能稳定。所以对LED 点阵显示屏的研究成为一重要的课题[1]。从全球来看，LED产业已形成以美国、亚洲、欧洲三大区域为主导的三足鼎立产业分布和竞争格局。我国LED显示屏大约在80年代中期开始使用。LED由于受材料和工艺的限制，视角只有200度至300度，从而限制了LED电子显示屏的发展。而且由于受当时数字电子技术、集成电路技术和控制技术等技术的限制，很难做出高密度、高精度的LED显示屏。颜色主要为红、绿双基色。进入90年代，由于半导体工业的迅猛发展，使LED制造材料和工艺得到改进，在颜色和亮度上面有了质的飞越。蓝色LED晶片研制成功。最近十年，高亮度化、全色化一直是LED材料和器材工艺技术研究的前沿课题。超高亮度（UHB）是指发光强度达到或超过100mcd的LED,又称坎德拉级LED，全彩LED进入市场。目前彩色显示所需的三基色红、蓝、绿，以及橙、黄多种颜色的LED都达到了坎德拉级的发光强度，实现了高亮度化、全色化，使LED实现户外全色显示[2]。 1.2 我国LED 屏幕广告牌的发展现状我国的LED 屏幕广告牌产业发展初具规模，经过几年的发展，基本形成了一批具有一定规模的骨干企业。据不完全统计，至2008 年底，年度销售总额在1 亿元以上的企业有20 多家，其销售总额达50 亿元左右，占行业市场总额的70%以上。全国从事LED 显示屏的各类企业有100 余家。我国LED 屏幕广告牌产业在规模发展的同时，产品技术推陈出新，一直保持比较先进的水平。上世纪90 年代初即具备了成熟的16 级灰度256 色视频控制技术及无线遥控等国内先进水平技术，近年在全彩色LED 屏幕广告牌、256 级灰度视频控制技术、集群无经线控制、多级群控技术等方面均有国内先进、达到国际水平的技术和产品出现。LED 屏幕广告牌控制专用大规模集成电路也已由国内

射频集成电路综述

射频集成电路低噪声放大器研究前景

摘要近年来，随着无线通信技术在移动通信、全球互联接入以及物联网等领域越来越广泛的应用。对于现代通信系统往往要求提供两个甚至更多的无线服务，因此就要求射频电路前端中的关键部件低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）能在多个频带下具有放大能力。因此如何能够放大多个频带的宽带低噪声放大器成为研究热点。低噪声放大器是现代无线通信、雷达、电子对抗系统等应用中的十分重要的部分，常用于接收系统的前端，在放大信号的同时降低噪声干扰，提高系统灵敏度。如果在接受系统的前端连接高性能的低噪声放大器，在低噪声放大器增益足够大的情况下，就能抑制后级电路的噪声，则整个接收机系统的噪声系数将主要取决于放大器的噪声。如果低噪声放大器的噪声系数降低，接收机系统的噪声系数也会变小，信噪比得到改善，灵敏度大大提高。由于可见噪声放大器的性能制约了整个接收系统的性能，对于整个接收系统技术水平的提高，也起了决定性的作用。宽带低噪声放大器是一种需要有良好的输入匹配的部分。输入匹配是要求兼顾阻抗匹配和噪声系数的，对于这两个指标一般来说是耦合在一起的。现有的宽带匹配技术需要反复协调电路各部分参数，通过对阻抗匹配和噪声系数这两个指标的折中设定来达到输入匹配的要求，因此给设计增大了难度。噪声抵消技术是一种可以有效的将上述两个重要参数进行分离的方法，对降低设计复杂度、缩短设计周期、降低设计成本具有重要意义。现有的噪声抵消电路结构基本上都是基于CMOS工艺的。近年来，随着SiGe 技术的发展，SiGe BiCMOS工艺逐渐成为射频集成电路工艺的主流。然而，基于 SiGe工艺的采用噪声抵消结构的设计方法还未见报道。因此，本文基于SiGe工艺，开展对工作于0.8-5.2GHz频段低噪声放大器的噪声抵消电路结构的设计研究。

低功耗文献综述

文献综述摘要：随着集成电路技术的飞速发展和广泛应用，由功耗所引发的能源消耗、封装成本、以及高集成度芯片散热等问题日益突显，越来越受到人们的重视;低功耗技术己成为当今集成电路设计的一个研究重点和热点。低功耗技术的研究主要涉及了工艺、封装和电路设计三大层面;其中电路设计层面具有成本低、适用范围广的特点，有很大的优化空间。本文针对低功耗芯片设计技术进行了系统地研究，并将研究成果成功应用到一个典型的低功耗无线通讯系统—射频识别系统中。本文首先分析了不同供电机制系统低功耗的特征，区分了“低能耗”和“低功率”的概念，详尽阐述了功耗的产生机理;在此基础上，结合RFID系统中电子标签芯片的工作原理，针对其特殊的低功耗需求，提出了一种适合电子标签数字基带处理器的分布式架构。接着，比较系统地介绍了降低功耗的四种基本途径，研究了传统CMOS电路不同设计阶段的各种低功耗技术;并将其灵活应用到电子标签芯片的设计中，提出了一种简单有效的随机数发生机制和一种新颖的分步式译码电路，分别设计并实现了超低功耗的超高频、高频和低频电子标签数字基带处理器芯片。测试结果表明:本文设计与国外的同类设计相比，在功耗方面具有较大的优势。本文还积极探索了一种新颖的低功耗技术—绝热电路技术:提出了一种准静态绝热逻辑电路结构(C2N-}N2D2P)，有效地避免了动态绝热逻辑中因电路节点充放电而产生的冗余功耗;同时为了完善绝热电路的逻辑功能，提出了一种具有置位/复位功能的绝热锁存器电路结构;将绝热电路技术应用到ROM电路的设计中，提出了一种绝热ROM存储器单元电路(ADL ROM )，大大降低了读操作时位线负载电容充放电而产生的动态功耗。为了促进绝热电路技术在集成电路设计中的应用和推广，本文还开发了一套绝热电路的半自动设计方法，并设计了与之配套的绝热单元库。最终，将绝热电路技术的研究成果巧妙地与RFID系统设计相结合，设计并实现了一款绝热低频电子标签，目前该芯片正处于测试过程中。仿真结果表明，绝热数字基带处理器比传统CMOS电路的设计节省了约88%的功耗。关键词：低功率、低能耗、射频识别、电子标签、数字基带处理器、绝热电路 1．研究背景（1）低功耗技术目前集成电路己渗透到社会的各个角落，获得了飞速发展。自20世纪90年代以来，随着CMOS集成电路技术的发展，功耗已经逐渐成为大规模集成电路设计中考虑的关键因素。功耗的增大至少带来三方面的问题:能源消耗的费用将增加，依靠电池供电的各类便携式计算机及其通信设备将面临困境，电路的过热将引起系统性能不稳定。为此，1992年美国半导体工业联合会确认低功耗设计技术是集成电路设计的一个紧急技术需要。另外，封装费用也是促使人们从设计开始就重视功耗的原因，因增加散热片或从塑料封装改为陶瓷封装都会大幅度增加芯片的成本。从节约能源的角度看，降低功耗也成为十分迫切的问题。随着电脑的广泛普及，装机量急剧上升，其总耗电量已不容忽视。如Intel公司开发的处理器Core Dual Duo processor，功能十分强大，但功耗高达31W。据统计，美国每年有5%~10%的电能被电脑消耗掉。针对这种情况，1993年美国政府提出了以节能为主题的“能源之星”计划，大力提倡“绿色电脑”( Green PC)技术。各电脑厂商纷纷推出各种低功耗节能CPU产品。低功耗的DSP和单片机也不断涌现。低功耗已成为当前集成电路技术的一个重要研究方向，逐步形成了“低功耗电子学”的学科。1994年10月还专门召开了国际“低功耗电子学”的学术讨论会，可见人们对低功耗的重视。功耗成为 ASIC设计中除速度、面积之外需要考虑的第三维度，面向低功耗设计(DFP} design for power)存在巨大的商业机会。

PLC技术简介与应用论文文献综述

专业外语阅读文献综述 PLC技术简介与应用 2017 年 1 月

PLC技术简介与应用摘要:随着电子计算机技术的不断发展，PLC 技术在电气化自动控制制造与研发领域中的应用变得越来越广泛，发挥着不可替代的作用。PLC 技术在电气设备自动化控制中的应用是以微软的处理器作为基础，结合了现在的计算机技术，自动控制技术，现代通讯技术等的优势，极大的扩充了PLC 技术在电气设备自动化控制应用中的适用领域，有很强的实效性。PLC 技术有着高灵活性、高可靠性、便捷性，和工业机器人、CAD/CAM 并称现代自动化工业的三大顶梁柱。本文介绍何为PLC 技术，PLC 技术在电气设备自动化控制中的优势与应用，希望能有一定的借鉴作用。关键词:PLC 技术；电气设备；自动化控制一.PLC 技术的概念 PLC 是英语可编程控制器Programmable logic Controller 的缩写，以微处理器为依托，结合通信，计算机，互联网和自动控制技术开发而成的工业上的控制装置。PLC 技术起源于20 世纪70 年代，被成功的运用于汽车工业中。随着PLC 技术运算，处理速度，控制各种功能的进步与商业化，它在电气设备自动化中的应用领域也变得越来越广泛，形成了仪表-电器-计算机控制的一体化模式。PLC 技术在产品中的应用与生产，是以DCS 集散控制系统和FCS 总线控制系统作为主要的控制形式。PLC 技术在将来的发展中，将不仅仅是作为一个基础系统，而是一种全分布式，开放式的控制系统。二.PLC的结构 P L C 技术的本质是应用于工业控制的计算机技术，因此，它的硬件结构组成同大多数计算机结构是基本一致的，都包括有:电源、C P U( 中央处理器)、存储器、功能模块、通信模块、输入/ 输出接口电路等等。

(工艺技术)集成电路的基本制造工艺

第1章集成电路的基本制造工艺 1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应复习思考题 2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL “与非”门输出管的CS r ，其图形如图题2.2 所示。提示：先求截锥体的高度 up BL epi mc jc epi T x x T T -----= 然后利用公式： b a a b WL T r c -? = /ln 1ρ ， 2 1 2?? =--BL C E BL S C W L R r b a a b WL T r c -? = /ln 3ρ 321C C C CS r r r r ++= 注意：在计算W 、L 时, 应考虑横向扩散。 2.3 伴随一个横向PNP 器件产生两个寄生的PNP 晶体管，试问当横向PNP 器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大? 答：当横向PNP 管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。 2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在20mA 的电流负载下，OL V ≤0.4V ，请在坐标纸上放大500倍画出其版图。给出设计条件如下：答：解题思路 ⑴由0I 、α求有效发射区周长Eeff L ； ⑵由设计条件画图 ①先画发射区引线孔； ②由孔四边各距A D 画出发射区扩散孔； ③由A D 先画出基区扩散孔的三边； ④由B E D -画出基区引线孔； ⑤由A D 画出基区扩散孔的另一边；

集成电路文献综述

集成电路综述集成电路（IC）是二十世纪重要的发明之一。它被广泛地应用于国民经济和社会的一切领域,其发展规模和技术水平已成为衡量国家地位和综合国力的重要标志之一。IC产业是知识密集、技术密集和资金密集型产业，世界集成电路产业发展异常迅速，技术进步日新月异。IC技术作为推动国民经济和社会信息化的关键技术,关系到国家产业竞争力和国家信息安全。虽然目前中国IC产业无论从质还是从量来说都不算发达，但伴随着全球产业东移的大潮，中国的经济稳定增长，巨大的内需市场，以及充裕的各类人才和丰富的自然资源，可以说中国集成电路产业的发展尽得天时、地利、人和之势，将会崛起成为新的世界IC制造中心。本文在研究过程中，对集成电路的发展历程进行了回顾，并对当今世界IC产业的主要国家及区域的现状及未来计划进行调研,结合我国的IC产业的发展现状进行了深入分析，本文欲抛砖引玉，共同探讨中国IC的振兴之路。本文共分六章。第一章，导论，分析研究的背景和本文研究的意义。第二章，集成电路产业的国际比较，对于集成电路的发发展进行了回顾,着重介绍美国、日本、韩国和我国台湾地区的集成电路发展历程,并深入分析了其能处于世界领先地位的原因。第三章主要介绍了我国集成电路的发展历程,并在大量数据分析的基础上深入剖析我国集成电路的发展历程、现状、存在的问题并预测了我国集成电路的发展趋势。第四章，提出了构建我国集成电路自主创新战略的战略指导思想与原则。第五章，研究我国集成电路自主创新战略的对策和措施。第六章，全文总结与展望。综合并集成前面各章的相关结论,得出一些综合性结论要点。集成电路发展研究是一个新课题,本文尽管做了一些研究,但仍然存在不足,很多重要的问题还有待于今后更为深入的研究和思考。【关键词】：集成电路集成电路产业现状趋势对策集成电路是以半导体材料为基片，经加工制造，将元气、有源器件和五连线集成在基片内部、表面或基片之上，执行某种电子功能的微型电路。从20世纪50年代开始，集成电路制造技术经历了从小规模集成（SSI) 、中规模集成（MSI）到大规模集成（LSI）阶段，乃至进入超大规模集成（VLSI）和甚大规模集成（Ultra Large Scale Integration,ULSI)阶段。尤其在过去的30年中，集成电路几乎完全遵循摩尔定律发展，即集成电路的集成度每隔18个月就翻一番。进入20世纪90年代以及21世纪以后，其设计规模由VLSI、ULSI向G规模集成（Giga-Scale Integration,GSI)的方向发展，于是，越来越多的功能，甚至是一个完整的系统都能够被集成到单个芯片之中。电子系统设计已从板上系统（System on Board,SoB)、多芯片模块（Multi-Chip Modules,MCM)进入到系统级芯片（System on Chip,SoC)时代。集成电路的飞速发展体现出如下特点：特征尺寸越来越小，芯片面积越来越大，单片上的晶体管数目越来越多，时钟频率越来越高，电源电压越来越低，布线层数越来越多，I/O引线越来越多。美国半导体工业协会SIA 组织给出了1997年到2009年美国集成电路工艺发展趋势。随着集成度的提高，芯片内部晶体管数目越来越多，集成电路设计的复杂性越来越高，传统的手工设计和适应小规模的设计模式已经不再适用。为了设计复杂的大规模集成电路，人们越来越借助于电子设计自动化（EDA）工具。随着科学技术的迅速发展，和对

电子信息工程文献综述

文献综述前言随着信息技术革命的不断深入，以及计算机技术的快速发展，单片机的应用越来越广泛了，并且已经逐渐地发展成为了一门比较关键的技术学科。本人设计的论题是《基于单片机的音乐盒设计》。本文所介绍的是一种比较简易的单片机音乐盒的设计以及其相关的实现方案，利用的是AT89S52单片机。通过乐谱的音节以及节拍混排的方式进行了一次编码，从而实现了乐曲的播放这一功能。当今社会，应用单片机的产品已经渗透到我们生活的各个领域，几乎很难找到哪个领域没有单片机的足迹。现在，这种单片机的使用领域已十分广泛，如智能仪表、实时工控、通讯设备、导航系统、家用电器等，这些都离不开单片机。因此，单片机的学习、开发与应用将造就一批计算机应用与智能化控制的工程师和科学家。科技越发达，智能化的东西就越多。学习单片机是社会发展的必然需求，也是大学期间的必修课。

在国内单片机学习呈上升趋势，但是很多人学习时没有头绪，不知道从何下手。面对种类繁多的各类开发板，仿真器，让初学者无所事从，不但多花钱还多走不少弯路，学生学习单片机没有大的资金投入，能够做到少花钱多办事才是最好的。胡文金在《单片机应用技术实训教程》中指出单片机技术重在应用。单片机从实训概述、开发环境、指令系统实验、程序设计实验、CPU集成功能部件实验、接口实验、基本型训练项目、强化实训项目、应用系统开发技术和应用系统开发实例。本书虽以高职高专实训教程的名义编写，但就实质而言，单片机的应用大多和学历层次无关，而是取决于要从事的这项工作本身的需要或已经具有多少这方面的知识和技能，所以，本书可作为电气类、计算机类和机电类专业的实践教学用书，也可用做广大工程技术人员的参考书。蒋力培在《单片机微机系统实用教程》中以掌握国内最为流行的MCS-51系列单片机系统工业应用技术为教学目标，以实例分析与动手训练为主线，系统地阐述了单片微机应用系统的结构、原理及应用技术。本教程改变了传统教材文献资料式的编写形式，以培养学生的实际动手应用能力为教学突破口，在应用中不断发现问题、解决问题。在简要讲述单片机基本知识的基础上，通过一系列实例分析与动手实践及进一步扩展应用知识，使教学内容理论结合实际，深入浅出，通俗易懂，便于理解，培养学生具有一定的动手解决工程实践问题的能力。全书主要内容有单片微机内部结构与资源，单片微机工作原理，存储器的结构与地址分配，汇编语言程序设计，单片微机接口技术及应用实例等 Intel8051系列是我们在大学课堂中学习的。因此本课题围绕8051系列单片机设计，从电路图绘制，PCB板设计，硬件焊接，程序设计，在线仿真到各项功能实现，目的在于让学生将课堂上学来的理论知识与实践相结合，提高对单片机的认识，学习专业软件的操作，熟悉制作过程，掌握一门技能，加强专业知识的掌握。也增加学生的实践经历，为学生就业提供一个可选方向，拓展就业渠道。工信部肖华在《构建芯片与整机大产业链》中回顾了集成电路产业的发展历程，分析了各种内外因素，指出我国的集成电路产业将在“十二五”期间得到迅猛发展。我国自己的芯片自主创新能力有较大提高，产业结构逐步优化，资源整合步伐加快,封装测试仍然是产业的主体。分析当前的形势，全球竞争更加激烈，竞争中有挑战也有机遇，“Google-ARM模式”的出现使原有的“WINTEL体系”受到了挑战,基于ARM 公司CPU核的嵌入式处理器已占据市场总销售量的75%以上,只要我们正视并解决自

射频电路和射频集成电路线路设计

射频电路和射频集成电路线路设计(9天) 培训时间为9天课程特色 1）本讲座总结了讲演者20多年的工作,报告包括 o设计技术和技巧的经验， o获得的美国专利， o实际工程设计的例子， o讲演者的理论演译。 o 【主办单位】中国电子标准协会【协办单位】智通培训资讯网【协办单位】深圳市威硕企业管理咨询有限公司 o 2）本讲座分为三个部分： A. 第一部分讨论和強调在射频电路设计中的设计技术和技巧, 着重论述设计中关鍵性的技术和技巧,譬如,阻抗匹配,射频接地, 单端线路和差分线路之間的主要差別,射频集成电路设计中的难题……可以把它归类为橫向论述. 到目前为止，这种着重于设计技巧的論述是前所未有的，也是很独特的。讲演者认为，作为一位合格的射频电路设计的设计者，不论是工程师，还是教授，应当掌握这一部分所论述的基本的设计技术和技巧，包括： ?阻抗匹配； ?接地； ?射频集成电路设计； ?测试 ?画制版图； ? 6 Sigma 设计。 B. 第二部分: 描述射频系统的基本参数和系统设计的基本原理。

C. 第三部分: 提供个别射频线路设计的基本知识。这一部份和现有的有关射频电路和射频集成电路设计的书中的论述相似, 其內容是讨论一个个射频方块,譬如,低噪声放大器,混频器,功率放大器,壓控振蕩器,頻率综合器……可以把它归类为纵向论述，其中的大多数内容来自本讲座的讲演者的设计 ?在十几年前就已经找到了最佳的低噪声放大器的设计方法但不曾经发表过。在低噪声放大器的设计中可以同时达到最大的增益和最小的噪声； ?获得了可调谐濾波器的美国专利； ?本讲座的讲演者所建立的用单端线路的设计方法来进行差分对线路的设计大大简化了设计并缩短了线路仿真的时间； ?获得了双线巴伦的美国专利。学习目标在本讲座结束之后，学员可以了解到 o比照数码电路，射頻电路设计的主要差別是什麼? o什么是射频设计中的基本概念? o在射频电路设计中如何做好窄带的阻抗匹配？ o在射频电路设计中如何做好宽带的阻抗匹配？ o在射频线路板上如何做好射频接地的工作? o为什么在射频和射频集成电路设计中有从单端至双差分的趋势? o为什么在射频电路设计中容许误差分析如此重要? o什么是射频和射频集成电路设计中的主要难题？射频和射频集成电路设计师如何克服这些障碍?