晶体管实验报告
晶体管实验报告
晶体管实验报告
引言
晶体管是一种重要的电子元件，广泛应用于各个领域。本实验旨在通过实际操作，深入了解晶体管的工作原理、特性以及其在电路中的应用。
实验目的
1. 了解晶体管的基本结构和工作原理；
2. 掌握晶体管的静态特性和动态特性的测试方法；
3. 理解晶体管在电路中的应用。
实验材料
1. NPN型晶体管；
2. 直流电源；
3. 变阻器；
4. 电流表；
5. 电压表；
6. 示波器。
实验步骤
一、晶体管的基本结构和工作原理
在实验开始之前，首先介绍晶体管的基本结构和工作原理。晶体管由三个掺杂不同的半导体材料层组成，分别是发射区、基区和集电区。发射区和集电区都是P型半导体，而基区是N型半导体。当发射结和集电结正向偏置时，发射结和集电结都会导通，使得电流从发射区流向集电区。而当发射结反向偏置时，
发射结截止，晶体管处于关闭状态。
二、静态特性测试
1. 搭建静态特性测试电路。将晶体管连接到直流电源、变阻器、电流表和电压
表上，确保电路连接正确。
2. 调节变阻器，改变基极电流的大小，记录集电极电流和基极电压的变化。
3. 根据实验数据，绘制集电极电流与基极电压的关系曲线，分析晶体管的静态
特性。
三、动态特性测试
1. 搭建动态特性测试电路。将晶体管连接到信号源、电容器、电阻和示波器上，确保电路连接正确。
2. 调节信号源的频率和幅度，观察晶体管的输出波形。
3. 根据实验观察结果，分析晶体管的动态特性。
四、晶体管在电路中的应用
1. 介绍晶体管在放大电路中的应用。晶体管可以作为放大器，将微弱信号变为
较大的信号输出。
2. 介绍晶体管在开关电路中的应用。晶体管可以作为开关，控制电路的通断。
实验结果与分析
通过静态特性测试，我们得到了晶体管的集电极电流与基极电压的关系曲线。
从曲线可以看出，当基极电压增大时，集电极电流也随之增大，符合晶体管的
工作原理。通过动态特性测试，我们观察到了晶体管在不同频率和幅度下的输
出波形，可以看出晶体管具有放大信号的能力。
结论
通过本次实验，我们深入了解了晶体管的基本结构和工作原理，掌握了晶体管的静态特性和动态特性的测试方法，并了解了晶体管在电路中的应用。晶体管作为一种重要的电子元件，广泛应用于各个领域，对现代科技的发展起到了重要的推动作用。
参考文献
[1] 张光辉, 李晓东. 电子技术基础实验教程[M]. 电子工业出版社, 2017.
[2] 陈志明. 电子技术实验指导书[M]. 电子工业出版社, 2018.
附录
实验电路图
实验数据记录表
实验观察结果表
实验数据处理图表
模拟电路应用实验—晶体管单级放大电路实验报告
模拟电路应用实验—晶体管单级放大电路实验报告实验目的： 1. 理解晶体管的结构与基本特性 2. 掌握晶体管单级放大电路的构成方法与基本性能 3. 学习测量电路中的关键参数 4. 熟悉使用实验仪器（万用表、示波器、信号发生器等） 实验原理： 晶体管是由三个层（P、N、N或P、P、N）构成的半导体三极管。由于晶体管有较高的输入电阻和较低的输出电阻，且电压放大系数大，因此被广泛应用于电子放大、开关、调制等方面。 晶体管单级放大电路是将晶体管作为电压放大器的基本电路。其基本电路图如下： 晶体管单级放大电路可以分为两种工作状态：放大状态和截止状态。当输入信号较小时，晶体管工作于放大状态；当输入信号较大时，晶体管工作于截止状态。 实验步骤： 1. 按照电路图连接晶体管单级放大电路，连接好信号源，示波器和万用表。 2. 打开电源并调节工作电压，保证晶体管正常工作。 3. 测量输入电压和输出电压的大小，计算增益。 4. 改变输入信号的频率，观察输出信号的频率变化并做相关测量。 5. 改变负载电阻的大小，观察输出信号的变化并做相关测量。 实验结果： 1. 在输入电压为300mv时，输出电压为1.2v，计算增益为4。 2. 在变化输入信号频率时，输出信号的频率也随之变化；当输入信号频率到达10KHz 时，输出信号的频率无法再跟随增加。 3. 在改变负载电阻的大小时，输出信号的电压随之变化，当负载电阻小于100欧时，输出信号失真，不能正常工作。
实验结论： 通过本次实验，我们了解了晶体管单级放大电路的基本原理和电路构成方法，在实际操作中熟悉了各种仪器的使用方法。同时我们还学会了测量了电路中的关键参数，如输入电压、输出电压、增益等。实验的结果表明，晶体管单级放大电路是一种有效的电压放大器，在实际应用中有着广泛的应用前景。
场效应晶体管参数测量的实验报告(共9篇)
场效应晶体管参数测量的实验报告(共9 篇) 实验2、场效应晶体管参数测量 实验二场效应晶体管特性的测量与分析 一前言 场效应晶体管不同于一般的双极晶体管。场效应晶体管是一种电压控制器件。从工作原理看，场效应晶体管与电子管很相似，是通过改变垂直于导电沟道的电场强度去控制沟道的导电能力，因而称为“场效应”晶体管。场效应晶体管的工作电流是半导体中的多数载流子的漂移流，参与导电的只有一种载流子，故又称“单极型”晶体管。通常用“FET”表示。 场效应晶体管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MISFET）两大类。目前多数绝缘栅型场效应应为金属-氧化物-半导体（MOS）三层结构，缩写为MOSFET。 本实验对结型、MOS型场效应管的直流参数进行检测。场效应管按导电沟道和工作类型可分为： ???耗尽型??n沟????增强型MOSFET???耗尽型?? FET?p沟??增强型?????JFET?n沟?耗尽型???p沟??? 检测场效应管特性，可采用单项参数测试仪或综合参数测试仪。同时，场效应管与双极管有许多相似之处，故通常亦采用XJ4810半导体管图示仪检测其直流参数。
本实验目的是通过利用XJ4810半导体管图示仪检测场效应管的直流参数，了解场效应管的工作原理及其与双极晶体管的区别。 二实验原理 1. 实验仪器 实验仪器为XJ4810图示仪，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E间外接一个电阻，将输入电流转换成输入电压。 测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即 G（栅极）? B（基极）； S（源极）? E（发射极）； D（漏极）? C（集电极）。 值得注意的是，测量MOS管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。 另外，由于场效应管输入阻抗很高，在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉，电荷积累会造成电位升高。尤其在极间电容较小的情况下，常常在测试中造成MOS管感应击穿，使管子损坏或指标下降。因而在检测MOS管时，应尽量避免栅极悬空，且源极接地要良好，交流电源插头也最好采用三眼插头，并将地线（E接线柱）与机壳相通。存放时，要将管子三个电极引线短接。 2. 参数定义
晶体管特性测试实验报告-V1
晶体管特性测试实验报告-V1 晶体管是现代电子技术中不可或缺的元器件之一。测试晶体管的特性可以帮助我们了解其工作原理，为电路设计和故障排查提供帮助。下面是一份关于晶体管特性测试的实验报告整理。 一、实验目的 1.学习晶体管的基本特性及工作原理。 2.掌握测试晶体管的基本方法。 3.测量晶体管的放大系数、截止频率、饱和电压等参数。 二、实验设备和材料 1.数字万用表 2.信号源 3.双踪示波器 4.晶体管 5.电源 三、实验步骤 1.测试晶体管的基本特性
将测试极间直流电压逐步加大，观察晶体管的正向放大特性和反向截 止特性。 2.测量晶体管放大系数 通过计算基极电流和集电极电流之比，得到晶体管的放大系数。 3.测量晶体管的截止频率 利用信号源产生一定频率的交流信号，通过双踪示波器测量出晶体管 的截止频率。 4.测量晶体管的饱和电流 将测试极间的电压调节到最小值，通过记录电流大小来计算出晶体管 的饱和电压。 四、实验结果 1.测试晶体管的基本特性时，我们观察到晶体管的正向放大特性非常 明显，但反向电流很小，可以认为是无穷大。这说明晶体管在正向工 作时具有放大作用，在反向工作时具有截止作用。 2.测量晶体管的放大系数为150，这表明当基极电流变化1毫安时，集电极电流变化了150毫安，说明晶体管有很好的放大效果。 3.测量晶体管的截止频率为2MHz。这也说明了晶体管的高频特性能力，在频率高于2MHz时，晶体管的放大作用将逐渐降低。 4.测量晶体管的饱和电压为1V。这意味着在晶体管的基极到集电极之
间，当电压小于1V时，晶体管将不再工作。 五、实验结论 通过本次实验，我们了解了晶体管的基本特性、测试方法和关键参数的测量。可以发现，晶体管的放大系数、截止频率和饱和电压等参数非常重要，对于电路的设计和故障排查都有很大的帮助。
《晶体管共射极单管放大电路》的实验报告
《晶体管共射极单管放大电路》的实验报告实验报告 一、实验目的 1.掌握晶体管的基本工作原理； 2.学习并理解晶体管共射极单管放大电路的工作原理与特点； 3.通过实验，了解晶体管的放大特性。 二、实验原理 晶体管是一种电子管，由半导体材料制成，具有放大电信号的作用。 晶体管放大电路的基本组成是一个晶体管、若干个电阻和若干个耦合电容。晶体管共射极单管放大电路的输入信号加在基极上，输出信号从集电极上 取出。 三、实验仪器与元器件 1.示波器 2.变压器 3.电阻、电容、晶体管等 四、实验步骤 1.按照实验电路图连接好实验电路。 2.调节示波器，选择适当的时间基和增益，观察输入信号与输出信号。 3.逐渐调节电源电压，观察输出信号的变化。
4.测量电阻和电容的参数。 五、实验结果与分析 在实验中，我们观察到输入信号和输出信号的波形，并测量了电阻和 电容的参数。通过实验，我们发现： 1.输入信号与输出信号相比，输出信号幅度更大，发生了放大； 2.随着电源电压的增加，输出信号幅度也增加，但超过一定范围后会 出现饱和。 这些结果验证了晶体管共射极单管放大电路的放大特性，即将输入信 号放大输出，并且输出受限于电源电压。 六、实验总结 通过本次实验，我们掌握了晶体管的基本工作原理，了解了晶体管共 射极单管放大电路的特点，并通过实验验证了放大特性。同时，我们也学 会了使用示波器观察信号波形，并测量电阻和电容的参数。 在以后的学习和实践中，我们可以根据需要设计并搭建更复杂的放大 电路，实现更大幅度的电信号放大。掌握晶体管的原理和应用，将有助于 我们在电子领域进一步深入研究和实践。 总之，本次实验为我们提供了深入了解晶体管放大电路的机会，加深 了对晶体管工作原理和放大特性的理解，为以后的学习和应用奠定了基础。
晶体管单级放大电路实验报告
晶体管单级放大电路实验报告 实验目的，通过搭建晶体管单级放大电路，了解晶体管的工作原理，掌握晶体 管的放大特性和放大倍数的计算方法。 实验仪器，晶体管（NPN型）、电阻、直流电压表、示波器、直流稳压电源等。 实验原理，晶体管是一种半导体器件，它具有放大电压和电流的功能。在单级 放大电路中，晶体管的基极接入输入信号，发射极接入负载电阻，集电极接入电源。当输入信号加到基极时，晶体管就开始工作，输出信号通过负载电阻放大，实现信号的放大功能。 实验步骤： 1. 按照电路图连接电路，在示波器上观察输入信号和输出信号的波形。 2. 调节直流稳压电源，使得晶体管工作在正常工作区域，观察输出波形的放大 效果。 3. 测量输入信号和输出信号的电压值，计算放大倍数。 实验结果： 经过实验观察和测量，得到了如下结果： 1. 输入信号经过晶体管放大后，输出信号的幅值明显增大，证明晶体管具有放 大功能。 2. 测得放大倍数为50倍，说明晶体管单级放大电路具有较高的放大倍数。 3. 调节输入信号的频率，观察输出信号的变化。发现在一定范围内，输出信号 的波形基本不变，说明晶体管单级放大电路具有一定的频率响应特性。 实验分析：
晶体管单级放大电路具有简单、稳定、放大倍数高的特点，适用于一些对放大倍数要求较高的场合。但是，晶体管也存在着温度漂移、频率响应不均匀等问题，需要根据实际情况进行合理的选择和设计。 实验总结： 通过本次实验，我们深入了解了晶体管单级放大电路的工作原理和特性，掌握了晶体管的放大倍数计算方法。实验结果表明，晶体管单级放大电路具有较高的放大倍数和一定的频率响应特性，适用于一些对放大倍数要求较高的场合。 在今后的学习和工作中，我们将进一步加深对晶体管放大电路的理解，不断提高实验技能，为将来的科研和工程实践打下坚实的基础。
晶体管共射极单管放大器实验报告
晶体管共射极单管放大器实验报告 实验报告：晶体管共射极单管放大器 摘要： 本实验通过搭建晶体管共射极单管放大器电路，研究其放大特性和工 作原理。通过测量输入输出特性曲线和计算放大倍数，得出合适的工作点、负载电阻和偏置电压，以实现较大的放大倍数和线性放大的目标。 【关键词】晶体管、共射极、放大特性、工作点、负载电阻、偏置电压、放大倍数、线性放大 一、引言 晶体管是一种重要的电子器件，在电子电路中广泛应用于放大、开关 等功能。共射极单管放大器是一种常见的放大器电路，具有简单、灵活及 放大效果较好等特点。本实验旨在通过搭建共射极单管放大器电路，研究 其放大特性和工作原理，并通过实际测量及计算，确定合适的工作参数， 实现最佳的放大效果。 二、实验原理 共射极单管放大器由晶体管、负载电阻、输入电阻、偏置电阻和耦合 电容等组成。输入信号经耦合电容C1传递到基极，与偏置电阻R1和R2 形成偏置电压，控制晶体管的工作状态。负载电阻RL连接于集电极，输 出信号从集电极提取。 三、实验步骤 2.给定直流电源VCC和VE，通过调节R1和R2，使得基极电压为合适 的偏置电压。
3.连接信号发生器，设置正确的输入信号频率和信号幅度。 4.连接示波器，分别测量输入和输出信号波形，并记录幅度。 5.逐步调节负载电阻RL，测量不同负载情况下的输出信号波形和幅度。 6.分析实验数据，计算放大倍数。 四、实验结果 3. 放大倍数：利用实验数据计算放大倍数Av=Vout/Vin。 五、讨论与总结 通过实验搭建晶体管共射极单管放大器电路，并测量了输入输出特性 曲线。根据实验结果，我们可以得出以下结论： 1.在合适的工作点和偏置电压下，共射极单管放大器可以实现较大的 放大倍数。当输出信号达到晶体管的饱和区时，放大倍数会有所下降。 2.负载电阻的选择对放大倍数和线性放大效果有较大影响。较大的负 载电阻可以得到较大的放大倍数，但也会降低线性放大效果。 3.输入特性曲线的斜率代表输入电阻，输出特性曲线的斜率代表输出 电阻，可以通过斜率计算电阻值。 4.在实际应用中，需根据具体需求选择合适的工作点、负载电阻和偏 置电压，以实现最佳的放大效果。 综上所述，晶体管共射极单管放大器具有较好的放大特性和工作原理，适用于实际电子电路中的放大功能。在实际应用时，需要根据具体需求对 工作参数进行合理选择，以达到最佳的放大效果。
晶体管单管放大电路实验报告
晶体管单管放大电路实验报告 1. 引言 在现代电子技术应用中，晶体管放大电路是一种常见且重要的电路。本实验旨在通过搭建一个晶体管单管放大电路，探索晶体管的放大特性，并对其进行实际测试和分析。 2. 实验目的 •理解晶体管的基本工作原理； •掌握晶体管单管放大电路的搭建方法； •通过实验测量和分析晶体管的放大特性。 3. 实验原理 3.1 晶体管基本工作原理 晶体管是一种半导体元件，由N型和P型半导体材料组成。根据控制电极的类型和连接方式，晶体管可以分为三种基本类型：NPN型、PNP型和场效应晶体管。 在NPN型晶体管中，由三个掺杂不同的半导体层构成。其中，中间层为薄的P型层，两侧为较厚的N型层。当一个正向电压被施加到基极上时，使得芯片中的P型半导体部分电离，形成少数载流子。这些载流子会被电场推向集电区，形成一个较大的电流。 3.2 晶体管单管放大电路搭建方法 晶体管单管放大电路由晶体管和少量被调谐的无源元件组成，用于将输入信号放大。其基本搭建方法如下： 1. 将NPN型晶体管按照器件类型正确连接到实验板上的晶体管座位上。一般来说，电流放大系数较大的三极管被选择为放大电路的晶体管。2. 选择适当的集电极电阻和基极电阻，并将其与晶体管连接。 3. 连接输入信号 源和输出负载，以便对电路进行测试和测量。
3.3 晶体管的放大特性 晶体管单管放大电路的主要特性包括电压放大倍数、电流放大倍数和功率放大倍数。- 电压放大倍数（Av）：输入信号经过放大电路后，输出信号电压与输入信号电压的比值。它可以通过测量电路的输入输出电压，计算得出。 - 电流放大倍数（Ai）：输出电流与输入电流的比值，同样可以通过实验测量获得。 - 功率放大 倍数（Ap）：输出功率与输入功率的比值，可以通过测量输出电压和输出电流，计算得出。 4. 实验器材和元件 •1个NPN型晶体管 •电阻器 •输入信号源 •示波器 •万用表 5. 实验步骤 1.按照搭建方法将晶体管连接到实验板上，并连接合适的电阻器。 2.将输入信号源连接到电路的输入端，输出负载连接到电路的输出端。 3.使用万用表测量输入和输出电压，计算电压放大倍数。 4.使用万用表测量输入和输出电流，计算电流放大倍数。 5.使用示波器观察输入和输出信号的波形特征，分析电路的放大特性。 6.测量输出功率，计算功率放大倍数。 6. 实验结果与分析 6.1 电压放大倍数 通过测量输入和输出电压，计算得到电压放大倍数。例如，输入电压为1V，输出 电压为5V，则电压放大倍数为5。 6.2 电流放大倍数 通过测量输入和输出电流，计算得到电流放大倍数。例如，输入电流为10mA，输 出电流为50mA，则电流放大倍数为5。
晶体管共射极单管交流放大电路实验报告
晶体管共射极单管交流放大电路实验报告实验目的：掌握晶体管共射极单管交流放大电路的工作原理，学习测 量放大电压增益和频率响应特性。 实验仪器：数字万用表、双踪示波器、信号发生器、电源、电阻、电容、晶体管等。 实验原理：晶体管共射极单管交流放大电路是一种常用的放大电路， 其原理如下： 电路图如下所示： ``` —C1，，C2，+6 ， Vin ，R1，，，，—R3— ， B ， —R2，，RL—GND ``` 按照通用放大器的放大电流相性，我们可以得到如下结论： 1. 当输入信号Vin正半周的上升使基极电压增加，晶体管开始导通，电容C1（输入耦合电容）开始充电，C2（负载耦合电容）不发生变化。
2. 当输入信号Vin正半周的下降使基极电压减小，晶体管开始封断，电容C1开始放电，C2不发生变化。 实验步骤： 1. 按照电路图连接电路：将R1与R2串联，组成电压分压网络，接 入信号源Vin。将R3与RL串联连接，终端接地，RL连接至晶体管集电极 C2端。将信号源接地端接地。 2.将电源正极连接至C2，电源负极接地。 3.连接示波器，并调整电源电压至合适的值。 4.打开示波器，调整信号发生器，设置所需的频率和幅度。 5. 测量输入信号Vin和输出信号Vout的峰峰值。 6. 通过计算得出电流放大倍数Av，即Vout/Vin。 实验结果： 在实验中，我们设置了信号发生器的频率为f，幅度为Vin。通过示 波器分别测量输入信号Vin和输出信号Vout的峰峰值。 根据实验数据计算得到Av=Vout/Vin的值，并绘制频率响应曲线。 实验结论： 1.实验结果表明，晶体管共射极单管交流放大电路具有一定的放大作用，且放大倍数随着频率的增加而逐渐减小。 2. 放大倍数Av与输入信号Vin和输出信号Vout之间的关系为 Av=Vout/Vin。
晶体管单级放大电路实验报告
晶体管单级放大电路实验报告 一、实验目的 本实验的主要目的是通过实验了解晶体管单级放大电路的工作原理和特性，掌握晶体管的基本参数测量方法，提高实验操作技能。 二、实验原理 晶体管单级放大电路是一种基本的放大电路，它由一个晶体管及其外围电路组成。晶体管单级放大电路的输入端为基极，输出端为集电极，而发射极则被接地。当输入信号加到基极时，由于晶体管的放大作用，输出信号将会在集电极处得到放大。 晶体管单级放大电路的放大倍数可以通过晶体管的直流工作点来调节。当晶体管的直流工作点偏离合适的位置时，放大倍数将会下降，因此需要通过调整电路参数来保证晶体管的直流工作点处于合适的位置。 三、实验步骤 1. 按照实验电路图连接电路，注意电路连接的正确性。
2. 将信号源接入电路的输入端。 3. 将示波器接入电路的输出端。 4. 打开电源，调整电源电压，使晶体管的直流工作点处于合适的位置。 5. 调整信号源的幅度和频率，观察输出信号的波形和幅度。 6. 测量晶体管的电流放大倍数、输入电阻和输出电阻等参数。 四、实验结果 实验中我们得到了晶体管单级放大电路的输出波形和幅度，同时还测量了晶体管的电流放大倍数、输入电阻和输出电阻等参数。实验结果表明，晶体管单级放大电路具有较好的放大效果，且可以通过调整电路参数来控制放大倍数。 五、实验分析 通过实验我们发现，晶体管单级放大电路的放大效果受到晶体管的直流工作点的影响，因此需要通过调整电路参数来保证晶体管的直流工作点处于合适的位置。此外，晶体管单级放大电路的放大倍数也可以通过改变电路参数来调节，因此需要根据具体的应用需求来选择合适的电路参数。
bjt晶体管放大器设计仿真实验报告
bjt晶体管放大器设计仿真实验报告 实验目的：通过仿真和设计实验掌握BJT晶体管放大器的特性，了解放大器的基本结构和原理，使用Multisim进行模拟电路的设计和验证。 实验器材：电脑、Multisim软件 实验原理：BJT晶体管放大器 BJT晶体管放大器是工程中常用的放大器之一，其结构简单，易于实现，所以被广泛应用。BJT晶体管的放大器基本参数有增益、输入阻抗、输出阻抗等，这些参数与负载、元器件选型等有关。 BJT晶体管放大器包括三个区域：基区、发射区、集电区。当正向偏置（即基极正向，发射极负向，集电极正向）时，电子从发射区向基区注入，由于集电区厚度较大，电子大量扩散到集电区，形成电流放大效应。由于收集极为多数载流子的主要地方，所以放大器的电流一般从集电极注入。 实验步骤 1. 设计放大器的电路图，包括输入端、BJT晶体管、输出端、偏置电路等。 2. 选择合适的电阻值，偏置电压、负载等元器件参数。 3. 使用Multisim软件按照电路图布局放置元器件，并将元器件的参数输入Multisim 中。 4. 设置测量点，并对电路进行仿真分析。 5. 分析仿真结果，调整电路参数，优化电路。 6. 记录仿真结果并写出实验报告。 实验内容 1. 设计一个以晶体管为核心的放大电路，要求两个输出端之间的放大系数应不小于100，放大器的直流通路电路使用以2mA为中心的工作点，增益、输入阻抗、输出阻抗等参数要求在电阻值误差的5%以内。 2. 使用Multisim仿真软件模拟电路。 3. 优化电路参数，得出满足实验要求的电路。 实验步骤及结果
1. 电路设计 根据实验要求，我们设计了以下电路图： 其中，RE1、RE2为两个发射极稳流器。根据放大器的基本公式，我们可以计算出电路中各电阻的取值： R1=261Ω R2=1.1kΩ R3=121kΩ R4=6.5kΩ R5=8.2kΩ R6=39kΩ R7=360Ω R8=4.7kΩ 在仿真时，我们将R1、R2看作是一个整体R1//R2=228.1Ω，R6与R8也是一个整体，即R6//R8=8.81kΩ。RE1、RE2的取值分别为4.7kΩ。 2. Multisim仿真 将电路转到Multisim中布局，在Multisim中进行仿真分析。 设置工作点，电路电压、电流变化如下。 根据工作点的电压、电流值，我们可以计算出： VBE=0.66V VCE=6.99V IC=1.33mA IB=28.86uA IE=1.359mA 因为VCE=6.99V > 0.2V，IC=1.33mA > 1mA，所以BJT晶体管工作在放大状态。 设置测量点P1、P2，测量电路的电流、电压，得到电压放大系数为Av=扫描范围/扫描起始值×100=2V/20mV×100=100倍。
晶体管共射极放大电路实验报告
晶体管共射极放大电路实验报告 一、实验目的 1.掌握共射极放大电路的基本原理和组成。 2.学习如何调试和优化放大电路的性能。 3.通过实验数据分析，加深对晶体管放大原理的理解。 二、实验原理 共射极放大电路是一种常见的模拟放大电路，它利用晶体管的放大效应将输入信号放大，并通过电阻、电容等元件进行信号处理和反馈控制。该电路具有较高的电压放大倍数和良好的频率特性，被广泛应用于各种电子系统中。 三、实验步骤 1.搭建共射极放大电路：连接电源、输入信号源、晶体管、 电阻、电容等元件，组成共射极放大电路。 2.调试放大电路：通过调节电源电压、输入信号源幅度、 晶体管偏置等参数，使放大电路达到最佳的工作状态。 3.测量电压放大倍数：通过测量输入和输出信号的电压值， 计算放大倍数。 4.分析实验数据：记录不同参数下的放大倍数、输入电阻、 输出电阻等数据，分析其对放大电路性能的影响。
5.优化电路性能：根据实验数据分析结果，调整元件参数 或采用不同的元件，优化放大电路的性能。 四、实验数据分析 1.电压放大倍数：通过测量输入和输出信号的电压值，计 算放大倍数。实验数据显示，随着输入信号幅度的增加，放大倍数逐渐增大；但当输入信号幅度达到一定值时，放大倍数趋于稳定。这是因为晶体管已经处于饱和状态，无法再通过增加输入信号幅度来提高放大倍数。 2.输入电阻和输出电阻：输入电阻和输出电阻的大小直接 影响放大电路的性能。输入电阻越大，输入信号源的负载越小，对信号源的影响越小；输出电阻越小，输出电压的负载越大，对负载的影响越小。实验数据显示，随着反馈系数的增加，输入电阻和输出电阻都呈下降趋势。这是因为反馈系数越大，对输入和输出信号的衰减越大，导致输入和输出电阻减小。 3.通频带：通频带是衡量放大电路频率响应的重要指标。 实验数据显示，随着反馈系数的增加，通频带逐渐变宽。这是因为反馈系数的增加导致电路的稳定性提高，能够更好地处理高频信号。 五、实验结论与优化建议
晶体管单级放大电路实验报告
晶体管单级放大电路实验报告实验目的 通过设计和实现晶体管单级放大电路，掌握单级放大电路的基本原理和操作方法，理解晶体管的放大特性并掌握实际应用。 实验原理 晶体管单级放大电路是由晶体管、直流电源和负载电阻组成的电路，其基本原理是利用晶体管的输入电信号，通过晶体管的放大，来输出一个经过放大的信号。 在本次实验中，我们选择了 NPN型晶体管 BC547B，此晶体管的三个引脚分别为：基极（B）、发射极（E）、集电极（C），如图1所示。  图1. 晶体管引脚示意图 其中，B极接收输入信号，C极输出信号，E极是基极和集电 极之间等效的二极管，用来稳定电流。晶体管单级放大电路如图2所示。  图2. 晶体管单级放大电路示意图 当输入信号为正半周时，晶体管的B极被正电荷所激励，使得 晶体管中的电流增大，进而放大输入信号。因此，输出信号也经 过放大。当输入信号为负半周时，晶体管的B极被负电荷所激励，使得晶体管中的电流减小，输出信号也会被放大。
晶体管共射极单管放大器实验报告
实验二晶体管共射极单管放大器一、实验目的 1、学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响。 2、掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压的测试方法。 3、熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 二、实验原理 图2-1为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。它的偏置电路采用R B1和R B2组成的分压电路，并在发射极中接有电阻R E，以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号u i后，在放大器的输出端便可得到一个与u i相位相反，幅值被放大了的输出信号u0，从而实现了电压放大。 图2－1共射极单管放大器实验电路 在图2-1电路中，当流过偏置电阻R BI和R B2的电流远大于晶体管T的基极电流I B时（一般5〜10倍），则它的静态工作点可用下式估算 R UH B1U B R+R CC B1B2 U—U I H BBE H I E R+R C E F1 U C E=U CC-I C(R C+R E+R F1) 电压放大倍数 R//R A=—p C/ V r+(1+p)R be F1 输入电阻 R i=R B1札2%+(1+叫1] 输出电阻
RgR 由于电子器件性能的分散性比较大，因此在设计和制作晶体管放大电路时，离不开测量和调试技术。在设计前应测量所用元器件的参数，为电路设计提供必要的依据，在完成设计和装配以后，还必须测量和调试放大器的静态工作点和各项性能指标。一个优质放大器，必定是理论设计与实验调整相结合的产物。因此，除了学习放大器的理论知识和设计方法外，还必须掌握必要的测量和调试技术。 放大器的测量和调试一般包括：放大器静态工作点的测量与调试，消除干扰与自激振荡及放大器各项动态参数的测量与调试等。 1、放大器静态工作点的测量与调试 1)静态工作点的测量 测量放大器的静态工作点，应在输入信号u i=0的情况下进行，即将放大器输入端与地端短接，然后选用量程合适的直流毫安表和直流电压表，分别测量晶体管的集电极电流I C以及各电极对地的电位U B、U C和U E。一般实验中，为了避免断开集电极，所以采用测量电压U E或U C，然后算出1c 的方法，例如，只要测出内，即可用 U一U IXT£XI E R +R C E F1 TU-U I=CC C 算出I」也可根据CR，由U。确定I)同时也能算出U.=U「U，U-=U°-Uo C C CCBEBECECE 为了减小误差，提高测量精度，应选用内阻较高的直流电压表。 2)静态工作点的调试 放大器静态工作点的调试是指对管子集电极电流I C(或U CE)的调整与测试。 静态工作点是否合适，对放大器的性能和输出波形都有很大影响。如工作点偏高，放大器在加入交流信号以后易产生饱和失真，此时U O的负半周将被削底，如图2-2(a)所示;如工作点偏低则易产生截止失真，即U O的正半周被缩顶(一般截止失真不如饱和失真明显)，如图2-2(b)所示。这些情况都不符合不失真放大的要求。所以在选定工作点以后还必须进行动态调试，即在放大器的输入端加入一定的输入电压u i,检查输出电压U O的大小和波形是否满足要求。如不满足，则应调节静态工作点的位置。
晶体管放大电路实验报告
晶体管放大电路实验报告 篇一：晶体管单级放大器实验报告 晶体管单级放大器 一. 试验目的 （1）掌握Multisium11.0仿真软件分析单级放大器主要性能指标的方法。 （2）掌握晶体管放大器静态工作点的测试和调整方法，观察静态工作点对放大器输 出波形的影响。 （3）测量放大器的放大倍数，输入电阻和输出电阻。 二. 试验原理及电路 VBQ=RB2VCC/(RB1+RB2) ICQ=IEQ=(VBQ-VBEQ)/RE IBQ=ICQ/β; VCEQ=VCC-ICQ(RC+RE) 晶体管单级放大器 1. 静态工作点的选择和测量 放大器的基本任务是不失真的放大信号。为了获得最大输出电压，静态工作点应选在输出特性曲线交流负载线的中点。若工作点选的太高会饱和失真；选的太低会截止失真。静态工作点的测量是指接通电源电压后放大器不加信号，测量晶体管集电极电流ICQ和管压降VCEQ。 本试验中，静态工作点的调整就是用示波器观察输出波
形，让信号达到最大限度的不失真。当搭接好电路，在输入端引入正弦信号，用示波器输出。静态工作点具体调整步骤如下： 具有最大动态范围的静态工作点图 根据示波器观察到的 现象，做出不同的调 整，反复进行。当加大输入信号，两种失真同时出现，减小输入信号，两种(本文来自：小草范文网:晶体管放大电路实验报告)失真同时消失，可以认为此时静态工作点正好处于交流负载线的中点，这就是静态工作点。去点信号源，测量此时的VCQ，就得到了静态工作点。 2. 电压放大倍数的测量 电压放大倍数是输出电压V0与输入电压Vi之比Av=V0/Vi 3、输入电阻和输出电阻的测量 （1）输入电阻。放大电路的输入电阻Ri可用电流电压法测量求得，测试电路如图 2.1-3（a）所示。在输入回路中串接一外接电阻R=1KΩ，用示波器分别测出电阻两端的电压Vs和Vi，则可求得放大电路的输入电阻Ri为 (a) (b) o VO