半导体研究所关于人才引进的几项具体措施
中国科学院半导体研究所文件
半发人教字[2006]10号
半导体研究所关于人才引进的几项具体措施
所属各单位：
为贯彻落实《半导体研究所知识创新三期方案》和《半导体研究
所关于知识创新（三期）人员聘用等工作的指导意见》（半发人教字[2006]7号），有效引进高素质科技人才，以建立适应研究所三期创新
任务的科研团队，达到创新三期的科技队伍建设目标，现将研究所为
引进“百人计划”等人才采取的措施明确如下：
一、科研经费及补贴
对以“百人计划”方式引进的人才，由研究所和引进人才的实体
共同提供相应的科研经费。并每月发给补贴。
被引进人才申请到院“百人计划”择优支持后，按照院规定执行。
二、科研条件
研究所现有技术手段、平台均可为引进人才的科研工作提供所需
要的服务。
三、队伍配备、研究生培养
为引进人才配备相应的科研团组，并为其招录硕、博士研究生提
供帮助（协助申请导师资格）。
四、配偶的工作、子女入学
积极向有关方面、单位推荐引进人才的配偶，协助其落实工作单位。
帮助引进人才的子女联系就读学校。
五、住房
（一）可视具体情况通过购买研究所经济适用房、租赁研究所周
转房、领取住房补贴等方式解决住房问题。
（二）“百人计划”引进人才未获得院择优期间，由所提供周转房。超过期限未能得到院择优支持的，比照研究所内同类人员的住房
政策执行。
（三）“百人计划”引进人才获得院择优及基本建设费支持后，可
以选择以下方式之一：
1、由研究所无偿提供在“百人计划”执行期间的住房，“百人计划”执行期结束离所时搬出；
如被所继续聘用，在聘用关系存续期间，可由研究所继续提供免
费住房。
2、购买所内经济适用房，在附加“百人计划”执行期结束后在所
工作年限等其他限制条件后，按照院拨基本建设费额的一定比例发给
补贴；
3、自行解决住房，在附加“百人计划”执行期结束后在所工作年
限等其他限制条件后，按照院拨基本建设费的若干倍发给补贴。
六、创立和谐氛围
研究所党政领导定期检查引进人才的工作、生活情况。各部门都需积极帮助引进人才解决问题。
研究所协助引进人才申请项目、课题以及中科院的择优支持。
中国科学院半导体研究所
二○○六年八月十一日
主题词：人才引进措施
中国科学院半导体研究所 2006年8月15日印发
中科院半导体所科技成果——基于LED灯光的光学无线控制系统
中科院半导体所科技成果——基于LED灯光的光学无 线控制系统 项目成熟阶段孵化期 项目来源863项目、中科院知识创新重要方向项目 成果简介 该系统集照明、智能控制和通信功能于一体。它利用LED灯，在照明的同时作为光学无线通信的光源，可实现对办公设备、安全防范设备、家用电器、电动益智玩具、传感执行器等控制终端的光学无线智能控制。目前已开发出基于手机的控制软件，可以通过操控手机，借助灯光实现对家用电器等设备的全功能控制。 基于LED灯光的光学无线控制系统应用实景 技术特点 通信无电磁污染，有利于人体健康； 通信私密性强，安全性高；
与照明结合，无处不在、无须新建专用网络、节能和环保； 网络带宽高，可快速下载网上信息； 无需频率许可证。 专利情况已申请6项核心专利 市场分析 1、基于该技术开发的LED照明智能家居系统可以克服传统智能家居系统需要布设控制总线的缺点，也可以克服基于电力载波技术的智能家居控制系统改造电器设备强电部分时会影响电器安全性的缺点，LED照明智能家居系统属于光学无线方式的智能控制，只要灯光照到的地0方就可以自由摆放受控电器，是最新型的控制方式，可定义为新一代的智能家居系统。该技术也可用于智能建筑中，实现对各种自动执行器终端的光学无线控制。 2、其应用的各项技术代表了当今国内外可见光通信的发展水平，可以作为科技展品，应用在科技馆，让观众零距离接触、了解节能减排的LED照明技术以及照明网络与通信网络融合的可见光通信新技术。 3、是LED灯具厂商增加产品功能和提升产品竞争力的好机会。 合作方式技术开发、技术转让、技术服务、技术入股 产业化所需条件 进行LED照明智能家居产品中试，投资开发示范工程项目，最少投资300万元。进行智能控制接口标准制定，与家用电器厂商一起制定行业标准，大概需要2-3年，投资100-200万元。
半导体所获奖情况汇总
半导体研究所获奖情况 2001年 国家自然科学二等奖：“自组织生长量子点激光材料和器件研究” 王占国、封松林、徐仲英、梁基本、徐波等 北京市科技进步一等奖：半导体神经网络技术及其应用 王守觉、鲁华祥、石林初、石寅、王向东等 国家最高科技奖黄昆先生 2000年半导体所获奖情况： 院自然科学一等奖：“自组织生长量子点激光材料和器件研究” 王占国、封松林、徐仲英、梁基本、徐波等 院自然科学二等奖：“非晶硅的光致退化机理及消除途径” 孔光临、张殿林、廖显伯、赵奕平、岳国珍 院科技进步二等奖：“高功率激光二极管列阵” 肖建伟、马骁宇、方高瞻、刘宗顺、刘素平等 国家科技进步二等奖“670nm半导体量子阱激光器批量生产” 郭良马骁宇陈良惠王树堂李玉璋 王丽明茅冬升谭满清杨亚丽张洪琴 曹青何广平潘贵生 1999年 1. 670nm半导体量子阱激光器批量生产院科技进步一等奖 郭良马骁宇陈良惠王树堂李玉璋 王丽明茅冬升谭满清杨亚丽张洪琴 曹青何广平潘贵生 2．新型医药用水装置院科技进步二等奖
闻瑞梅沈英立沈英魁杜国栋刘素英 栗广勇谢浩波柳光元任民峰 半导体所、北京先路水处理新技术公司 3．铌酸锂光波导调制器和微波共面传输线的理论研究院自然科学三等奖祝宁华潘裕斌钟宝璇王仁明吴正德 半导体所、中山大学、香港城市大学、深圳大学、电子科技大学
1998年 1. LPE法制备的高效GaAs太阳电池院科技进步二等奖 向贤碧汪乐王加宽常秀兰励翠云 杜文会葫雨生高俊华王振英 上海冶金所、半导体所 2．半导体微结构的电子态及有关的物理性质研究院自然科学一等奖 夏建白 3．InAs/GaAs量子点和量子阱的静压光谱研究院自然科学二等奖李国华韩和相汪兆平刘振先郑宝真 4．大功率半导体量子阱激光器国家科技进步三等奖肖建伟陈良惠杨国文徐遵图徐俊英
中国科学院微电子研究所考研大纲(考研,复试,保研面试)
中国科学院微电子研究所考研大纲（考研，复试，保研面试）本《半导体物理》考试大纲适用于中国科学院研究生院微电子学与固体电子学专业的硕士研究生入学考试。半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程，它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。 一、考试内容 （一）半导体的电子状态： 半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构，III－V族化合物半导体的能带结构，II－VI族化合物半导体的能带结构 （二）半导体中杂质和缺陷能级： 硅、锗晶体中的杂质能级，III－V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级 （三）半导体中载流子的统计分布 状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体 （四）半导体的导电性 载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程，电导率的统计理论，强电场下的效应，热载流子，多能谷散射，耿氏效应 （五）非平衡载流子
非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式，连续性方程式 （六）p-n结 p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿，p-n结隧道效应（七）金属和半导体的接触 金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触（八）半导体表面与MIS结构 表面态，表面电场效应，MIS结构的电容－电压特性，硅─二氧化硅系数的性质，表面电导及迁移率，表面电场对p－n结特性的影响 （九）异质结 异质结及其能带图，异质结的电流输运机构，异质结在器件中的应用，半导体超晶格（十）半导体的光、热、磁、压阻等物理现象 半导体的光学常数，半导体的光吸收，半导体的光电导，半导体的光生伏特效应，半导体发光，半导体激光，热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的玻尔帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用，霍耳效应，磁阻效应，磁光效应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应，声波和载流子的相互作用 二、考试要求 （一）半导体的晶格结构和电子状态 1．了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。 2．理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。 3．掌握半导体中的电子运动规律，理解有效质量的意义。 4．理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。 5．熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。 6．理解硅和锗的能带结构，掌握有效质量的计算方法。
2013、14中科院博士入学考试半导体物理教程
一、简答 1、肖特基接触、欧姆接触 2、Pn 结作用、异质PN 结、同质PN 结区别 3、费米能级、判断杂质类型、掺杂浓度 4、PN 结激光器实现粒子数反转 5、光电导 二、Si 、GaAs 、GaN 晶体结构、能带特点、物理性质、应用。 三、霍尔效应，........ 证明R H = 四、Xy 方向自由，z 方向为无限深势阱1,、求本征能量2、能态密度3、如果三个方向都无受到限制，则1、本征能量 2、能态密度改变？ 五、GaAs ，次能、最低能谷。。。。有效质量性质和意义，有效质量大小比？ 2014 一、简答 1、以GaAs 为例说明几种散射机制？与温度关系？ 2、迁移率μ，电导σ，H μ区别 3、PN 结光生伏特效应？光电池？画I-V 曲线？ 4、Si 、GaAs 、GaN 晶体结构、能带特点、物理性质、应用。 5、温度太高。破坏晶体结构？ 二、导体、半导体、绝缘体能带论 三、掺杂质。。。求E ？已知j p n μμρ,i ，。。。 四、轻空穴、重空穴有效质量及图，等能面为球面，E=(....)m 22 。。。。
一、Si 、GaAs 、GaN 晶体结构、能带特点、物理性质、应用。 1、晶体结构： Si 是金刚石结构，由面心立方中心到顶角引8条对角线，在其中互不相邻的4条对角线上中点放置一个原子，对角线上的4个原子与面心和顶角原子周围情况不同，是单原子复式格子。 GaAs （III-V ）闪锌矿结构（立方对称性），与金刚石结构相仿，只是对角线上的原子与面心和顶角上的原子不同，（极性半导体/共价性化合物半导体）。 GaN 是纤锌矿结构（六方对称性，以正四面体为基础） 2、能带特点： Si 的导带极小值在K 空间<1 0 0>方向，能谷中心与 点距离是X 距离的 6 5 ，共有6个等价能谷，形状为旋转椭球。价带在布里渊区中心是简并的，有重空穴、轻空穴、自旋耦合分裂三个能级。导带底和价带顶在K 空间不同点，属于间接禁带半导体。
砷化镓晶片表面损伤层分析 - 中国科学院半导体研究所机构
稀有金属 CHINEXE JOURNAL OF RARE METALS 1999年7月 第23卷 第4期 vol.23 No.4 1999 砷化镓晶片表面损伤层分析 郑红军 卜俊鹏 曹福年 白玉柯 吴让元 惠 峰 何宏家 摘 要： 采用TEM观测与X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法，分析了SI-GaAs晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度。比较两种方法测量结果上的差异，得出了TEM观测到的只是晶片损伤层厚度，而X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离所得的深度是晶片损伤层及其形成应力区的总厚度的结论。 关键词： 砷化镓 切片 磨片 抛光片 表面损伤层 Analyses of Surface Damage in SI-GaAs Wafers Zheng Hongjun, Bu Junpeng, Cao Funian, Bai Yuke, Wu Rangyuan, Hui Feng and He Hongjia (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) Abstract： The surface damage Layer in the SI-GaAs wafer induced by cutting, grining and polishing was analyzed by means of transmission electron microscopy and X-ray rocking curve measurements after the wafer was chemically etched. A method for determining the depth of surface damage layer of SI-GaAs wafer according to the quantitative difference in the results obtained by the two methods is proposed. Key Words: SI-GaAs, Cutting wafer, Grinding wafer, Polishing wafer, Surface damage 许多重要的砷化镓器件及砷化镓高速数字电路、微波单片电路均在砷化镓晶片表面制造， 集成度越高，对表面的要求越严格。所以，材料表面加工的质量直接影响着器件的性能、成品率及寿命等。 半导体材料表面因切、磨、抛加工而引入的损伤层深度一直是人们深入研究的工作。加工后的晶片表面损伤层可能是由非晶层、多晶层、嵌镶块层和弹性畸变层等构成的多层结构［1］。 测定这些表面损伤层厚度的通常方法有恒定化学腐蚀速率法［2，3］、椭圆偏振仪［4］、透射电子显微镜［5］、光背散射［6］以及Knudsen［7］提出的X射线双晶摆动曲线观测腐蚀剥层晶片表面损伤层法。但这些方法都有一定的局限性。本文采用X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离损伤层深度与TEM观测相结合的方法，定量地分析了材料加工过程中 (切、磨、抛) 引入的损伤层深度。根据两种测量结果的差异，得出了TEM观测到的只是晶片损伤层厚度，而X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离损伤层深度是晶片损伤层及其形成应力层的总厚度的结论。
中科院微电子所介绍
招生简介 中国科学院微电子研究所是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。微电子所本着“惟精惟一、求是求新”的办所精神，面向国家战略需求，积极承担重点科技攻关与产品开发任务，一方面拓展前沿技术与基础研究领域，发展交叉学科方向；同时通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化，推动产业发展。微电子所致力于打造现代化的高技术研究机构，成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地，为促进国家微电子技术进步和自主创新，实现产业的可持续发展做出贡献。 微电子研究所是国务院学位委员会批准的博士、硕士学位授予单位，2004年批准建立博士后流动站。现有职工622人，其中中国科学院院士2人，高级研究人员91人，上岗研究生导师74名（其中博士生导师34名），在读研究生近300多人。 主要研究方向：1.硅器件及集成技术；⒉微细加工与新型纳米器件集成；3.微波电路与化合物半导体器件；4.集成电路设计与系统应用（包括专用集成电路与系统、通信与多媒体片上系统芯片、集成电路设计与应用开发、电子封装）。 本专业一级学科为电子科学与技术。作为一门交叉与综合性学科，跨专业学习具有极大的发展前景与潜力，因此微电子所欢迎并鼓励微电子专业及通讯与通信工程类、计算机类、自动化类、软件类、光电技术、物理与应用物理学、材料学等相关专业的同学报考。 除招收普研（学术型）外，我所还计划在电子与通信工程（代码：430109）和集成电路工程（代码：430110）两个领域招收全日制专业学位研究生。我所2011年度研究生招生仍为国家计划内公费。 专业代码： 080903 专业名称：微电子学与固体电子学 学科专业研究方向与导师 w 硅器件及集成技术 该方向为一室、九室、十室研究方向，主要从事CMOS及SOI CMOS器件与集成电路、功率器件与集成电路、高可靠性器件与集成电路、微系统及集成技术研究等的研究、设计、制造及测试。这些研究室一直致力于硅基器件与集成电路主流工艺技术的研究, 曾先后完成“VDMOS功率器件”、“0.8微米CMOS工艺”、“亚微米SOI CMOS电路的研究”、“0.35微米CMOS集成电路关键技术”、“0.1微米级CMOS FET”等国家重点攻关项目的研究，具有很强的硅器件、电路与工艺技术研发能力，并在诸多技术方面一直保持着国内领先地位。目前正在致力于下一代纳米级的 CMOS新结构器件与电路、新工艺技术、高可靠性集成电路设计技术与新型MEMS器件与集成，以及先进电子封装技术的研究。 导师简介 韩郑生男 1962年出生研究员博士生导师 杜寰男 1963年出生副研究员硕士生导师 欧毅男 1975年出生副研究员硕士生导师 罗家俊男 1973年出生副研究员硕士生导师 孙宝刚男 1969年出生副研究员硕士生导师 李多力男 1977年出生副研究员硕士生导师 朱阳军男 1980年出生副研究员硕士生导师 万里兮男 1955年出生研究员博士生导师 曹立强男 1974年出生研究员硕士生导师 陈大鹏男 1968年出生研究员博士生导师 王文武男 1973年出生研究员博士生导师
中科院微电子学与固体电子学考研必读的经验
距离考研真正结束已经有好几个月了，好久没来逛论坛了，记得那时迷茫的我在论坛中一个个找帖子看，只要看到“微固”就一定会点进来看，找资料，请教问题。现在，终于告别了我的考研岁月，有辛酸、有汗水、更有一份份的感动，这其中的滋味，只有走过这段路的人才能真正体会得到！我想说，走过这段路的战友，不管结果如何，你们是真正的英雄！当你选择这条路的时候，其实你应经成功的战胜了自己！ 说实话，我是二战过来的，考的是中国科学院大学微电子学与固体电子学，可惜败在了专业课上（虽然说专业课并不是很公平，自己复习的不好也是一个重要原因），之后就是毕业找工作，刚毕业出来什么都不懂，关键是工作又不是自己喜欢的，所以工作了三个月后我决定继续二战中科院。八月份，又回到熟悉的学校，熟悉的图书馆，记得坐在图书馆的第一个晚上，环顾四周，曾经的战友都不在了，一幅幅陌生的面孔，晚上从图书馆出来我哭了，不知道是什么感觉，就是控制不住我的泪水。心里的委屈无法倾诉，熟悉的地方，物是人非，那种感觉真的很辛酸！可是我在心底暗暗发誓：今年，我一定要考上！ 我知道微固专业是中科院的三大王牌专业之一，每年的录取线都是领跑全院（今年是358），为了梦想，我想豁出去得了，冲！然后就是漫长的复习，从头开始，记得招生简章没出来之前，专业课我选的是固体物理，因为第一年看了一年固体物理的知识，学起来会快很多，命运给了我很大的恩惠。总之，老天给了我一个很好的开始毕竟有失也有得之前的复习也不全一无是处，所以说我更要加倍努力啦！有时候，考研真的单纯只是为了追逐那份心中的梦想，不去想考上了会怎么样，工作怎么样，心里会发誓一定要实现自己的梦想！为了证明自己！我的同学，第一年浙大落榜，第二年继续，这是一种怎样的精神在支持着？考研人，真的勇士！八月份，学校里各种辅导班都在上课，我报的新祥旭的专业课，按照老师的指导一步步地去看书复习，只要好好总结，学习效果还是很明显的。一家之谈，可能每个人的感受不一样吧！当然了有些就是不报班的同学学得也很不错！ 在这里，我想把我数学的学习心得和大家分享一下，今年数学考的不是很好，120，本应该考得很好的，今年数学也较容易，结果考砸了。数学我买了一本李永乐的复习全书，个人觉得比陈文灯的好！主要是陈的书很多内容讲的太繁琐，很多讲题方法是很不错，讲了很多技巧，但是考研很少考到，所以我觉得与大纲偏离的太多。而李的书看起来就很舒服，讲的都是常见题型，常见解题方法，很多题型出的也很好。复习全书一定要认真做！我总共做了三遍，而且做数学题时把它当字典查，所以到最后这本书翻得实在是很烂。如果你觉得里面的题目不够做，可以再买一本660题，里面的小题都是很经典的！ 专业课我想是大家比较关心的，因为考研的总分很大一部分取决于它！今年专业课考了130+，个人觉得也还有很大的提升空间，专业课也很简单，考试才考了一半我就已经完卷了，到最后也没有检查，就等着交卷迎接考研结束，现在想想挺后悔的。我本科学的就是微电子，考试指定的那本教材也是学过的。但是本科时没有好好学，基本上都是考研时才学通了这本书。相信拿到这本书在手里，你也是很难过的，全部都是公式，推导过程！翻一遍过来，头都大了。我当时也是这种感觉，该怎么学啊？当时我问一些学长，他们告诉我，要想把这本书学好，里面的所有公式都要会推导出来！我当时都蒙了，公式记都记不住怎么推啊？好多公式都很冗长！不过困难总是要克服的呀，只能咬咬牙，从头开始看吧！下面我来说说怎么学好这本书。我们都知道微固专业的基础是物理学方面的知识，所以说这本书是基础。不过我的建议是，如果你物理学的知识之前没有接触过，刚开始肯定很多内容都看不懂，但是不要求你看懂，你只要先了解一下基本概念就可以了。在知道都是讲一些什么的时候再回过头来详细地看。但是物理的一些内容要牵扯到量子力学的内容，主要是前面晶格结构的内容，我觉得如果大家不太了解的话，最好把这些书中的相关章节拿出来翻翻，了解一下也好，这些都是一些基础的东西。我想说一遍两遍看不明白很正常！慢慢自己琢磨，不懂就去问老师问同学，总会弄懂的。你要知道既然你选择了微固专业，就要做好吃苦的准备，相信自己一定行！永远不要灰心，你可以沮丧！但不可以放弃！ 其次我想说，光看书也是不够的，要找一些题目来做，很多东西要通过做题才能真正掌握。其实我也知道普通物理的题目真的是很少！书店一般都买不到，课本后的习题也没有答案。但是困难来了，你要自己想办法！我也经常在网上下一些视频拿出来看，巩固专业基础的一些东西。我有一个同学，当时也考微固，我把这个视频拷给他，结果他只听了一两遍就不听了，说听不懂，我那个郁闷的啊唉。其实我想说每听一遍感觉都不一样，都有很多收获！觉得普通物理学得差不多了，就做点题目检验一下，要是有模糊的地方可以把教材拿出来再翻一翻，这样结合着看效果也不错。书上的很多公式自己慢慢去推导，多推导几遍就熟悉了，其实有些内容考试不考。书看过三遍左右的时候就要做真题了，历年真题，每一题都要做精做透！结合一些资料题目来做，课本上课后习题有很多也很好。平时可以把书合
中科院微电子所硕博连读培养方式
中国科学院微电子研究所硕-博连读研究生培养方案 2009-10-12 | 编辑： | 【大中小】【打印】【关闭】 为加强我所攻读硕士学位研究生的培养工作，进一步提高硕士生的培养质量，根据国家和中国科学院的相关文件的精神，并根据我所的具体情况，特制定攻读硕士学位研究生的培养方案如下： 培养目标 我所攻读硕士学位研究生的培养目标是：进一步学习、掌握马克思主义的基本原理，树立为社会主义现代化建设事业服务的理想。在攻读学科上掌握坚实的基础理论和系统的专门知识；掌握一门外国语（英语）；具有从事科学研究工作或独立担负专门技术工作的能力。具有健康的体格。 学习年限 硕士学位研究生的学习年限一般为三年，学位课程学习时间为一年，从事学位论文相关的科学研究和撰写论文为二年至三年。正常情况下，如不能按时毕业者，若完成学习任务，论文答辩未通过，作结业处理。确实由客观因素未能按时完成学习任务，必须由导师提出申请，经研究生部核准，可延长半年至一年，延长学习的时间不计算学制。在职硕士学位研究生的学习年限3年半，论文工作必须结合本职工作。硕士学位研究生一般不得提前毕业。 培养方式 政治理论学习与经常性政治、思想、纪律和理想教育相结合。对硕士生除开设必修的政治理论课外，还应加强形势、政策、理想、法纪、道德品质和爱国主义教育。同时，在完成学习任务的前提下，积极开展社会主义公益和社会实践活动。 贯彻学位课程和论文工作并重的原则。硕士生既要系统地学习理论，也要接受独立从事科
学研究的实践锻炼。贯彻指导教师负责带教和指导教师小组集体培养相结合的原则。导师应该从政治思想和业务学习两方面关心和教育硕士生。 指导教师根据本专业培养方案规定的原则和要求，结合研究方向，制定硕士生的培养计划，对学位课程和论文作出具体安排。硕士生应在导师指导下制定本人学习计划，选修课程必须征得导师或学科点学术秘书的同意；完成学位课程学习计划后，必须在一学期内完成调研工作并转入论文正式工作。 建立每学年年终评比奖励优秀研究生制度，对品学兼优的研究生进行表彰和奖励，以鼓励先进，在研究生中形成积极上进的气氛。 研究专业 我所攻读硕士学位专业为：微电子学与固体电子学（工学）。 课程学习 硕士学位研究生课程分为公共必修课、专业必修课和选修课三大类。学位课程的设置应遵循以下原则： ?公共必修课应按国家统一设置； ?专业必修课六门，按一级学科范畴设置，体现本专业和知识面宽的特点；并设置本学科实验技能方面的课程； ?必修课应相对稳定，课程内容比较成熟，覆盖面较宽，符合本学科发展要求； ?避免与本学科课程中设置内容上的不必要重复； ?为了适应科学技术的发展，在加强基本理论学习的同时，课程设置要有一个合理的知识
中科院各大研究所
中国科学院数学与系统科学研究院 *中国科学院数学研究所 *中国科学院应用数学研究所 *中国科学院系统科学研究所 *中国科学院计算数学与科学工程计算研究所 中国科学院物理研究所 中国科学院理论物理研究所 中国科学院高能物理研究所 中国科学院力学研究所 中国科学院声学研究所 中国科学院理化技术研究所 中国科学院化学研究所 中国科学院生态环境研究中心 中国科学院过程工程研究所 中国科学院地理科学与资源研究所 中国科学院国家天文台 *中国科学院云南天文台 *中国科学院乌鲁木齐天文工作站 *中国科学院长春人造卫星观测站 *中国科学院南京天文光学技术研究所 中国科学院遥感应用研究所 中国科学院地质与地球物理研究所 中国科学院古脊椎动物与古人类研究所 中国科学院大气物理研究所 中国科学院植物研究所 中国科学院动物研究所 中国科学院心理研究所 中国科学院微生物研究所 中国科学院生物物理研究所 中国科学院遗传与发育生物学研究所 *中国科学院遗传与发育生物学研究所农业资源研究中心（原中国科学院石家庄农业资源研究所） 中国科学院计算技术研究所 中国科学院软件研究所 中国科学院半导体研究所 中国科学院微电子研究所 中国科学院电子学研究所 中国科学院自动化研究所 中国科学院电工研究所 中国科学院工程热物理研究所 中国科学院空间科学与应用研究中心 中国科学院自然科学史研究所 中国科学院科技政策与管理科学研究所
中国科学院光电研究院 北京基因组研究所 中国科学院青藏高原研究所 国家纳米科学中心 院直属事业单位（京外） 中国科学院山西煤炭化学研究所 中国科学院沈阳分院 中国科学院大连化学物理研究所 中国科学院金属研究所 中国科学院沈阳应用生态研究所 中国科学院沈阳自动化研究所 中国科学院海洋研究所 青岛生物能源与过程研究所(筹) 烟台海岸带可持续发展研究所（筹） 中国科学院长春分院 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 中国科学院长春应用化学研究所 中国科学院东北地理与农业生态研究所 *中国科学院东北地理与农业生态研究所农业技术中心（原中国科学院黑龙江农业现代化研究所） 中国科学院上海分院 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院上海光学精密机械研究所 中国科学院上海硅酸盐研究所 中国科学院上海有机化学研究所 中国科学院上海应用物理研究所（原子核研究所） 中国科学院上海天文台 中国科学院上海生命科学院 *生物化学与细胞生物学研究所 *神经科学研究所 *药物研究所 *植物生理生态研究所 *国家基因研究中心 *健康科学研究中心 *中国科学院上海生命科学信息中心 *营养科学研究所 *中国科学院上海生物工程研究中心 中国科学院上海巴斯德研究所（筹） 中国科学院福建物质结构研究所 中国科学院城市环境研究所 中国科学院宁波材料技术与工程研究所(筹) 中国科学院南京分院
微电子技术发展现状及未来的认识和看法
微电子技术发展现状及未来的认识和看法 摘要：本文通过对半导体材料、微电子器件及集成电路技术近几年取得的重要成果进行的充分调研，介绍当下微电子的各项新成果。在此基础之上，充分阐述了微电子发展的现状，并对微电子的未来的发展方向给予一些见解。 关键字：微电子半导体 半导体材料是指电阻率在10-3~108Ωcm，介于金属和绝缘体之间的材料。上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。 1 半导体材料、微电子器件及集成电路技术近几年取得的重要成果及发展的现状。 1、1我国国微电子产业简介 我国硅晶片生产企业主要有北京有研硅股、浙大海纳公司、洛阳单晶硅厂、上海晶华电子、浙江硅峰电子公司和河北宁晋单晶硅基地等。有研硅股在大直径硅单晶的研制方面一直居国内领先地位，先后研制出我国第一根6英寸、8英寸和12英寸硅单晶，单晶硅在国内市场占有率为40%。2000年建成国内第一条可满足0.25μm线宽集成电路要求的8英寸硅单晶抛光片生产线;在北京市林河工业开发区建设了区熔硅单晶生产基地，一期工程计划投资1.8亿元，年产25t 区熔硅和40t重掺砷硅单晶，计划2003年6月底完工;同时承担了投资达1.25亿元的863项目重中之重课题——“12英寸硅单晶抛光片的研制”。浙大海纳主要从事单晶硅、半导体器件的开发、制造及自动化控制系统和仪器仪表开发，近几年实现了高成长性的高速发展。 自1965 年，我国研制出第一块双极型集成电路以来，经过40 多年的发展，我国集成电路产业目前已初步形成了设计业、芯片制造业及封装测试业三业并举、比较协调的发展格 局，并将持续保持良好的发展势头。我国微电子产业处在高速发展阶段我国现已成为世界电子产品生产大国，数字电视、3G 等电子产品未来几年内将进入高速发展阶段。据信息产业部预计，2007 年－2011 年这 5 年间，中国集成电路产业销售收入的年均复合增长率将达到27.7%。到2011年，中国集成电路产业销售收入将突破3000亿元，达到3415.44 亿元。届时中国将成为世界重要的集成电路制造基地之一。 1、2 我国微电子产业取得的主要成就 （1）超深亚微米集成技术研究逐渐接近国际先进水平。由于多方面的原因，我国在这一领域的研究工作长期处于劣势，不能与国际先进水平相提并论。在“863”等项目的支持下，清华、北大、中科院微电子所和半导体所等微电子基础条件较好的单位率先开展了面向超深亚微米集成技术的研究，在新型器件结构
2016年中科院微电子所考研复试经验 -----新祥旭考研辅导
2016年中科院微电子所考研复试经验 准备了10个月，初试发挥不是很好，393，今年分都高，我差不多十七八名吧，但复试后总排名变成第一了，给大家说说经验。 准备考微所是去年三月八号开始的。有点早，但是大一混到大三，该玩的都玩了，对自己说是时候学点了，但老实说大三下学期看不下去书，每天学4个小时吧，一去自习室就想睡觉，但那个学期让我生活习惯改了过来。暑假和我女朋友出去住的。每天学8个小时，效率很高。然后暑假开学后突然质变了，学习效率超级高，差不多一天能学10个小时。学啊学啊到了冬天，发现身体因为学习变得不行了，总生病，反正最后两个月就没消停。最后浑浑噩噩的考完了。寒假回家玩了一个月，开学查成绩，发现过复试了，很开心。 开始准备复试。复试要看好多书，数电模电信号。我看了一天模电就放弃了。因为模电可是补考了两次才抄过去的。完全看不懂，于是下定决心看器件工艺方面的，差不多五六天就看完了吧。这时候我就在想如果复试就这样岂不是太简单了，后来发现的确是这回事，复试的时候老师的确会问点没学过的东西。这时候我受我们班长的诱导，说一个微所博士说微电子十室搞22nm工艺的牛人多，挺虎的。于是我开始看工艺，看论文。先上微电子所官网看看他们室的方向有哪些，然后就是下论文看论文。找那种总结性的论文。这样能看懂。然后呢，好好做笔记，对新东西一定要了解，后来复试的发现太有用了。 说说复试经历吧，我复试前就猜应该复试会问些不一样的东西，要不然还不如考专业课卷子呢，后来李博老师也是这么说的。果然第一天下午复试出来的人好多都发现问的问题很怪异，有些不是很好答，书上都找不到。对了，复试通知上说，复试主要考基本原理和知识面，这就要求不能只会书上的东西。第二天轮我复试了，还好，竟然不紧张。进去了，鞠躬，说老师好，然后坐下来自我介绍，后来同学说我自我介绍的时候身体晃来晃去的。这个自我介绍太重要了，你要靠这个介绍让老师问你学过的东西，我对老师说我对新的东西总有兴趣，
中科院所有研究所
北京市 数学与系统科学研究院 力学研究所 物理研究所 高能物理研究所 声学研究所 理论物理研究所 国家天文台 渗流流体力学研究所 自然科学史研究所 理化技术研究所 化学研究所 过程工程研究所 生态环境研究中心 古脊椎动物与古人类研究所大气物理研究所 地理科学与资源研究所 遥感应用研究所 空间科学与应用研究中心 对地观测与数字地球科学中心地质与地球物理研究所 数学科学学院 物理学院 化学与化工学院 地球科学学院 资源与环境学院 生命科学学院 计算机与控制学院 管理学院 人文学院
外语系 工程管理与信息技术学院 材料科学与光电技术学院 电子电气与通信工程学院 华大教育中心 动物研究所 植物研究所 生物物理研究所 微生物研究所 遗传与发育生物学研究所 心理研究所 计算技术研究所 工程热物理研究所 半导体研究所 电子学研究所 自动化研究所 电工研究所 软件研究所 国家科学图书馆 微电子研究所 计算机网络信息中心 科技政策与管理科学研究所 北京基因组研究所 青藏高原研究所 光电研究院 国家纳米科学中心 信息工程研究所 空间应用工程与技术中心（筹）天津市 天津工业生物技术研究所
河北省 渗流流体力学研究所 遗传与发育生物学研究所农业资源研究中心山西省 山西煤炭化学研究所 辽宁省 大连化学物理研究所 沈阳应用生态研究所 沈阳计算技术研究所 金属研究所 沈阳自动化研究所 吉林省 长春人造卫星观测站 长春应用化学研究所 东北地理与农业生态研究所 长春光学精密机械与物理研究所 上海市 上海应用物理研究所 上海天文台 声学研究所东海研究站 上海有机化学研究所 上海硅酸盐研究所 上海生命科学研究院 上海药物研究所 上海微系统与信息技术研究所 上海光学精密机械研究所 上海技术物理研究所 上海巴斯德研究所
中科院半导体所科技成果——基于TDLAS技术的气体传感器
中科院半导体所科技成果——基于TDLAS技术的气体 传感器 项目成熟阶段生长期 项目来源公益行业（气象）专项资金 成果简介基于可调谐二极管激光器吸收光谱技术（TDLAS）的气体传感器，是结合光电子学，光谱学，以及微弱信号处理等高新技术的气体传感器系统。该设备与传统的气体传感器装置（电化学法，气象色谱法，吸附法）相比具有更高的灵敏度，更精确的测量数据，更快的响应速度，以及在线实时测量等特点。 通过内建程序及显示屏，可以实时显示当前的待测气体浓度，以及各测量量随时间变化的曲线。标准的RS232通信接口可以方便的向上位机传输实时测量数据。通过光纤和电缆的延伸，可以进行远端在
线测试。通过可更换的气室选择，完成不同环境下的测试任务。并且我们可以根据客户的要求进行定制气体（H2O、NO、CH4、HF）的测试。 技术特点 基于可调谐二极管激光吸收光谱技术，通过向待测气体发射特定波长的激光，并对穿过气体的激光信号进行解调，分析气体的组分和浓度。利用光吸收技术进行气体浓度测试，不会对气体组分造成影响，并且响应速度很快，可以进行实时监测及数据采集。通过延长的光纤和电缆，可以将传感器深入到人身无法达到的地方及环境，进行远程测试。 专利情况 多项专利技术申请中，其中已授权1项。 市场分析
根据我们目前的调研情况，目前能够很容易检测的气体包括H2O、NH3、NO、HF、HBr、HI、CH4，其中H2O和HF的检测灵敏度可以高达100个ppb，是目前同类型传感器中灵敏度最高的检测手段。上述气体都是化工生产、气象监测、特种气体测量（如SF6中的水汽测量、矿井的瓦斯监测等），因此该类传感器具有非常广阔的应用前景。另外，目前国家在环境监控非常重视，其中一些危险气体的检测缺乏体积小、灵敏度高、响应时间快的传感器技术，因此该技术还能在国家安全和环境控制方面发挥重要的作用。 合作方式技术入股 产业化所需条件 企业提供厂房、基础建设、资金、可靠性试验设备、人员配合。
半导体所复试
03-06部分笔试和面试题目不完全 1、Hall系数测量原理。实验上如何确定半导体材料的导电类型？ 2、Hall迁移率如何测量？它的高低与材料的质量关系如何？你知道几种测量电阻率的方法？ 3、什么叫DLTS？如何用DLTS判断多子和少子陷阱？ 4、简述光致发光的基本原理和测试方法。 5、什么是C-V法？什么是电化学C-V法？平行板电容器的公式是什么？ 6、什么是MBE和MOCVD技术？它们与常规的LPE和LEC等方法有什么不同？ 7、简述低维半导体材料定义和性质，什么叫库仑阻塞效应？有什么应用前景？ 8、纳米科学与技术的物理内涵？你认为纳米时代已经到来了吗？ 9、为什么2DEG有很高的低温电子迁移率？ 10、什么叫异质外延？什么叫同质外延？什么叫应变异质结外延？ 11、布里渊区的定义。对称点、对称轴的概念。（以闪锌矿结构GaAs 为例说明） 12、什么是自发发射？什么是受激发射？以两能级系统加以说明。 13、Si和GaAs晶体中的本征点缺陷有哪些？可能的电学行为如何？ 14、晶格振动和声子谱。 15、直接带隙和间接带隙，GeSi是直接带隙吗？
16、你了解STM、AFM工作原理吗？高分辨电镜（RTEM）和扫描电镜（SEM）呢？ 17.Si能不能做发光器件，为什么？ 下面主要是说一下复试的情况，希望能对需要的同学有所帮助。 笔试部分除了上面的试卷占20％以外，还有20分的听力部分，也占整个成绩的20％。听力 部分大家普遍感觉不大好，所以也拉不了什么差距。主要是听几个passage后选择，但是题 目没有告诉哪几个题目对应哪段passage（较郁闷），而且开始的时候语速较慢，大概是V OA special English 的速度，后来令人猝不及防的一下子又跳到BBC 的语速了。所以做好 心理准备很重要。 面试 面试小组有4～5个老师，气氛也比较活，但是英语很重要，口语占10分（但个人认为 更重要的是给老师的印象会影响整体得分）。前几届是进去后先用英语做1分钟的自我介绍 ，今年改为老师随机命题了。我进去后老师先问了我6级成绩，然后叫我描述一下半导体所 两分钟，后来又用英语问了我们学校及自己的家乡之类的。这个过程
半导体研究所关于机关管理部门设置及岗位(职务)聘任工作的意见(精)
中国科学院半导体研究所文件 半发人教字[2007]4号 半导体研究所关于机关管理部门设置 及岗位（职务）聘任工作的意见 所属各有关单位： 根据《中国科学院人员聘用制度暂行规定》（科发人教字[2006]142号和《半导体研究所关于知识创新（三期）人员聘用等工作的指导意见》（半发人教字[2006]7号），经研究并征求意见，对研究所机关管理部门设置及岗位（职务）聘任工作提出以下意见： 一、按照“科学合理、精简效能”原则将机关管理部门及其主要职能设置如下： （一）科技开发处 职能：科研任务组织和科研项目管理：为所领导提供科学发展趋势及战略规划研究的信息咨询。国家自然科学基金、973、863、中科院和地方委托项目的申请和管理，高技术项目的申请、管理、协调及用户推广，相关科研经费及档案管理。科研专利、
成果管理及推广：科研成果登记、验收、报奖，科技论文统计，专利申报和管理，院地合作。学术活动、国际科技交流与合作管理：组织国际、国内学术会议和学术交流活动，国际合作项目申请工作，办理科研人员出国学术交流手续，接待国际人士来访。设备与原材料进出口管理：国外设备与原材料订货、报关等手续，办理政府采购仪器设备。固定资产管理（财务管理之外）：全所科研设备管理，包括设备资源共享、档案及相关设备信息收集、处理。完成所领导交办的其他工作。 （二）质量管理处 职能：科研、开发与生产过程的控制与管理：研究所科研、开发与生产过程的质量控制与管理。标准化工作管理：高技术项目检测过程的控制与管理, 制定和执行与本所工作相关的检测规范、标准等。采购过程及设备状态的控制与管理：关键原材料的采购控制，合格供应商的选择与更新；设备状态控制；质量信息管理, 质量信息的收集、传递与处理，文件、记录、档案管理；相关质量培训管理。产品检验控制与管理：负责全所高技术产品的最终检验控制，及相关产品质量控制。完成所领导交办的其他工作。 （三）人事教育处
中科院微电子所联合培养协议书
中国科学院微电子研究所 接受外单位联合培养研究生协议书 甲方：中国科学院微电子研究所 乙方：（学校） 为进一步加强对联合培养研究生的管理，促进研究所与高校科研工作的开展，加强学术交流，经甲、乙双方协商，特就联合培养硕士/博士研究生达成如下协议： (一) 甲、乙双方同意联合培养学校年级硕士/博士研究生，由甲方导师研究员和乙方导师教授共同培养指导。 （二）该联合培养研究生已在乙方完成学位课程的学习，成绩合格。自年月至年月在甲方单位完成研究生学位论文工作。 （三）乙方提供该联合培养研究生的奖学金、生活补助、医疗保障、交通及住宿等费用。甲方导师负责提供该生完成论文工作必要的研究条件，考虑到北京地方物价因素，可酌情给予部分生活补助（原则上硕士不超过1000元，博士不超过1500元）。在有住房的情况下，甲方协助联合培养研究生解决住宿，但费用自理。 （四）该联合培养研究生的科研经费及学位论文题目，由甲、乙双方导师协商确定。学位论文发表时，联合培养研究生为第一作者或并列第一作者；甲方导师为通讯作者，作者顺序由双方导师协商而定；在联合培养期间获得的成果或专利所有权，均属甲方。 （五）该联合培养研究生的学籍属于乙方，必修环节、学位论文答辩、学位授予及毕业分配等事宜均由乙方负责。 （六）该联合培养研究生在甲方工作期间，必须遵守我所各项规章制度，如因违反操作规定而造成事故，须追究本人责任。视事故情况，甲方有权终止协议并作出相应处罚。 （七）联合培养研究生在论文工作结束时，必须向甲方单位研究室（或导师）移交全部原始实验记录，并向甲方研究生部提供毕业论文一本。 （八）学生在实习期间自行购买保险，发生人身伤害等意外事件的赔偿事宜，按所购买保险的相关规定执行。 （九）本协议一式三份，微电子研究所研究生部（甲方）一份备案，学校（乙方）一份，联合培养研究生一份。 （本协议如有未尽事项，随时协商后另附） 甲方（盖章）乙方（盖章） 甲方导师（签字）：乙方导师（签字）： 联合培养研究生（签字）： 20 年月日20 年月日
中科院半导体所科技成果——基于人脸识别的身份认证系统
中科院半导体所科技成果——基于人脸识别的身份 认证系统 项目成熟阶段生长期 项目来源863计划、基金重大研究计划 成果简介 本项目的核心技术“低数据量人脸认证技术”是在国家863计划、国家自然科学基金重大研究计划等项目的支持下，基于高维形象几何分析方法，自主创新的一种仿生人脸认证技术。本技术可以将人脸特征信息有效表达为48个字节，远远低于国际传统人脸识别技术所需的特征数据量（1k字节以上），拥有全球唯一可以存储于磁卡、条形码等低容量介质的人脸认证核心技术。 人脸认证系统样机 技术特点 人脸特征信息量：<50Byte； 人脸检测准确率：>99.0%；
双眼定位准确率：>99.0%； 人脸认证等错率：<2.0%； 人脸特征比对速率：>10000次/秒； 人脸姿态适应范围：深度旋转±10°，俯仰±10°。 专利情况 非划分的仿生模式识别方法，ZL02145891.X； 基于人类视觉模拟的计算机人脸定位方法，ZL200810105764.1。 市场分析 进入21世纪后，由于国际反恐、互联网应用等因素的推动，在全球范围内，生物特征识别技术（包括人脸识别、指纹识别、虹膜识别等）得到了更加广泛的应用。IBG（国际生物识别集团）发布的2009-2014年度报告中预测，全球生物特征识别市场规模到2014年将超过93亿美元。 本项目首创的超低数据量人脸特征表达技术，可以将人脸特征信息有效表达为48个字节，远远低于国际传统人脸识别技术所需的数据量（1K字节以上）。因此，本项目可进一步拓展人脸识别技术在磁卡、条形码、RFID等低容量介质中的应用，基于数据库认证时可极大地提高网络传输效率和比对速度，具有广阔的市场前景。 合作方式技术转让、技术入股 产业化所需条件 场地：约500平米；资金投入：约2000万元人民币；技术开发人员：约10-15人。