中科院半导体研究所自主研发实验型Mocvd用户手册
用户手册
版本 <1.0>
修订历史记录
目录
1.编写目的 (4)
2.功能 (5)
3.系统运行环境 (6)
4.系统逻辑结构 (7)
5.主界面 (8)
5.1菜单栏 (9)
5.1.1文件 (10)
5.1.2查看 (12)
5.1.3工具 (13)
5.1.4关于 (16)
5.2控制面板 (17)
5.2.1参数设定 (17)
5.2.2告警 (18)
5.3气路图控制 (19)
5.3.1气路图控制 (19)
5.4表格监控 (22)
5.5图线监控 (24)
5.5.1添加/删除图线 (25)
5.5.2工具栏 (26)
5.5.3调节纵向显示比例 (26)
5.5.4图线显示 (27)
5.6工艺流程 (28)
5.6.1打开工艺文件 (29)
5.6.2编辑工艺流程 (30)
5.6.3执行工艺流程 (33)
5.7故障告警列表 (34)
5.8故障告警动作列表 (35)
5.9状态栏 (36)
用户手册
1.编写目的
本用户手册将作为程序用户的帮助手册，将对MOCVD监控系统的运行环境及其整个使用流程进行详细描述，力求在没有技术人员在现场的情况下，给用户提供随手可得的帮助。用户手册主要针对MOCVD监控程序的用户编写。
2.功能
MOCVD监控程序主要完成如下功能：
●提供控制界面，实时显示MOCVD各监控对象的当前状态；
●可自定义工艺控制流程；
●支持3种控制模式：直接在主界面的控制图上执行控制，单步执行工艺控制流
程，自动执行工艺控制流程；
●实时故障告警以及编辑告警响应动作；
●可自定义告警响应动作流程；
●提供统计分析功能，可查询历史监控记录，制作并打印统计图表；
●可根据压力、流量、温度和时间自动进行MO源消耗量统计；
●提供日志记录
3.系统运行环境
为保证系统运行的实时性，系统配置要求如下：
◆硬件环境
●机型：推荐使用工控机和原装机；
●处理器：采用奔腾700MHz以上的处理机；
●内存： 128M以上；
●硬盘空间： 2G；
●多串口卡：最少要有四个串口，以保证通讯。采用串行双工通讯方式，接
口为RS485，通过RS485转接口连接到电脑，保证足够的信号传输距离；
◆软件环境
●操作系统：操作系统推荐采用windows 2000/XP；
●数据库接口：推荐采用ACCESS2000以上数据库；
●应用程序： MOCVD监控程序；
4.系统结构
装有MOCVD监控程序的PC机通过4个RS232接口分别与MOCVD控制器、压差计PM2000、压力控制器651C、温控表FP93相连接进行串口通讯。
5.主界面
主界面如下图所示：
主界面主要包括：菜单栏、工具栏（快捷按钮）、控制面板、气路图控制、表格监控、图线监控、工艺流程、故障告警动作列表、故障告警列表、日志、状态栏。
5.1菜单栏
菜单栏将监控程序的所有功能集合在一起，主要菜单功能从左至右分别是【文件】、【查看】、【工具】、【帮助】如下图所示：
5.1.1文件
◆开始轮巡：系统开始轮巡。
◆停止轮巡：系统停止轮巡。
◆系统设置：打开系统设置界面。
系统设置是完成系统基本设置，包括：部件定义和通讯串口设置。
?部件设置
点击部件设置，打开部件设置界面，如下图所示：
左边的列表中显示的是部件分组（质量流量控制器、压力流量控制器，低压气动常闭阀、低压气动常开阀、MainFold（MN阀）、其他低压气动阀，告警故
障，电磁阀，其他），点击其中一个部件组名称，右边列表显示该部件组的部件属性列表。可定义的部件属性有：名称、小数、单位、上限、下限、注释、默认值、超限误差。
?通讯设置
通讯设置完成串口的参数设置，可设置4个设备的串口：控制器、压差计、温控表、压力计。点击通讯设置按钮，打开通讯设置界面，如下图所示：
从端口号下拉框中选择端口号（对应于计算机串口号），4个端口号各不相同，否则发生通讯错误。然后分别在控制器、压差计、压力计、温控表所对应的端口设置文本框中输入正确的端口设置，格式如：9600，n，8，1。点击“确定”按钮，则保存此次修改，点击“取消”按钮，则不保存此次修改。
◆重置控制器（R）
系统运行时，当控制器发生异常时（如无法反转开关或者设置模拟量，持续报告轮巡错误）点击此菜单重置控制器可解决问题。
◆加载默认值（D）
默认状态：当控制器打开电源时，所有开关都是断电的，此时各个开关显示的标签和颜色应为各自断电时的值。点击“加载默认值”按钮时，系统设置各个开关为断电状态，但不发送命令，只是修改开关的标签和颜色为断电时的状态。
◆反转开关（R）
改变开关的当前状态，有两种方法：
一、直接在主界面上的气路图上点击开关量，实现单个开关的反转，改变单个开关的
当前状态；
二、在主界面的气路图上按Ctrl键连续选中多个要反转的开关，，选中的开关以黄颜
色高亮度显示，此时单击“反转开关”，即可实现批量反转，改变选中的多个开关的当前状态。开关反转成功，开关颜色也会依据状态发生相应的变化。否则保持黄色。
◆取消选择（V）
取消对所有开关量按钮的选择，使得开关量按钮恢复原先的颜色。
◆待机（W）
置所有开关断电。
◆退出（X）
停止监控并退出系统。
5.1.2查看
◆全屏
勾选全屏，隐藏控制面板、日志区、工具栏和状态栏以全屏显示控制图形界面。
◆日志
勾选日志，在主界面的右下区域显示日志列表。日志列表主要显示如下内容：通讯错误信息，欢迎登录信息，故障告警信息，超限告警信息。
◆工具栏（快捷按钮）
工具栏通常位于系统菜单栏的下面，但可以移动到其他位置。勾选工具栏
，显示/隐藏工具栏。工具栏如下图所示：
工具栏上从左到右包括：【反转开关】、【取消选择】、【待机】、【开始轮巡】、【停止轮巡】、【系统设置】、【重置控制器】、【加载默认值】、【全屏】、【日志】、【统计分析】、【计算MO源消耗量】、【关于】。当光标停留在某一工具栏按钮上时，会以文字显示对应的菜单项，如果勾选了状态栏，此时则会在状态栏显示该菜单项的功能解释。
◆状态栏
勾选状态栏，显示/隐藏状态栏。
5.1.3工具
统计分析
统计分析完成历史数据查询、告警查询、表格分析、曲线分析、保存表格、打印表格等功能。单击“统计分析”，打开统计分析界面，如下图所示：
查询历史数据的步骤如下
1.在部件列表下拉框中选择要进行统计分析的部件；
2.从查询日期下拉框中选择要查询的日期；
3.从时间范围下拉框中选择要查询的时间范围；
4.点击查询按钮即可查询历史记录，查询结果在右边显示区域显示；
表格分析显示的是历史记录的记录时间、测量值和告警状态，可点击“保存”、“打印”按钮保存和打印历史记录。
曲线分析显示测量值的趋势图线。
历史记录的频率：当模拟量的测量值发生变化时候记录到历史记录文件中。
历史记录保存在安装目录的Log目录下，每天对应一个文件，命名格式为“日期_Data.csv”，该文件亦可用Excel打开。
◆计算MO源消耗量
单击“计算MO源消耗量”，打开MO消耗量统计界面，如下：
在查询范围后面的下拉框中选择查询的时间，可以进行如下操作：
?浏览MO源的总消耗量和消耗记录
进入界面时MO源列表显示所有的MO源的信息以及消耗情况。设置要查询的时间范围，在MO源列表上点击要查询流量的MO源，在MO源消耗记录表上显示指定时间范围内的的消耗记录，以及查询到的记录的消耗量的合计。
当源的剩余百分数低于警示百分数时候，以红色显示源所在的行，以提示用户及时更换源。
?编辑MO源
选择要编辑的MO源（选中的MO源行以黑色高亮度显示），点击编辑MO源按钮，打开编辑MO源对话框，然后就可以编辑源的名称、关联的MFC部件、EPC部件、Moc（出气口部件）、原始质量、警示百分比、特性常数A、特性常数B、分子量、源瓶温度。系统根据特性常数A、特性常数B和源瓶温度自动计算蒸汽压。其中MFC部件必须确认是未关联的MFC部件，EPC部件必须确认是未关联的EPC部件，MOc部件必须确认是未关联的低压常闭开关。
编辑界面如下图所示。
勾选“高级”，显示更多设置项目：
?增加源
点击“增加源”按钮，打开如下编辑源对话框，增加新源。操作于编辑MO源一样。
?删除源
删除MO源并清除其消耗记录。当点击“删除源”按钮时，会弹出如下确认对话框：
确认删除，点击“是”，取消删除点击“否”。
?清除消耗记录
清除选择的源的消耗记录并置总消耗量和原始质量为0。当点击此按钮时，会弹出如下确认对话框：
点击关闭按钮退出MO源消耗量统计。当更换新源的时候可点击此按钮以清除之前的消耗记录。
5.1.4关于
◆内容
◆关于Mocvd监控程序
给出Mocvd监控程序版本信息如下图所示：
点击“确定”，返回到主界面。
5.2控制面板
主界面的左侧是控制面板，主要用来进行一些参数的设定和实时显示告警或者超限的信息。
5.2.1参数设定
参数设定界面如下图所示：
◆温度PV：显示温控表的实际温度测量值。
◆温度SV：显示温控表的温度设定值。点击温度SV输入框右边的“设置”按钮，
弹出温度设定对话框
在输入框中输入新的温度值，点击“确定”按钮，保存此次设置，点击“取消”
按钮，取消此次设置。
◆压力：显示压力控制的压力测量值。点击压力输入框右边的“设置”按钮，弹出
如下压力设定对话框
在输入框中输入新的压力值，点击“确定”按钮，保存此次设置，点击“取消”
按钮，取消此次设置。
◆压差计1：显示PDR2000压差计的测量值1。
◆压差计2：显示PDR2000压差计的测量值2。
5.2.2告警
告警界面如下图所示：
◆故障告警：显示20路开关量输入中的告警信号。
?无故障发生：显示“无故障告警”字样，故障告警下面的列表框为空。
?发生故障：显示故障告警图标和故障告警记录数量，并在告警记录列表中显
示所有记录。
?清除选中的故障告警：单击在故障告警列表中的项目，再点击右键选择“清
除选中的故障告警”，系统清除故障选中的告警记录。
?清除所有故障告警：在故障告警列表点击右键选择“清除所有故障告警”。
清除故障告警列表中告警记录。
◆超限告警：当模拟量的测量值与设定值之间的误差达到设定的误差范围时，发生
超限告警。
?显示超限告警：显示超限告警图标和超限告警记录数量，并在告警记录列表
中显示所有记录。
?清除选中的超限告警：单击在超限告警列表中的项目，再点击右键选择“清
除选中的超限告警”，系统清除超限选中的告警记录。
?清除所有超限告警：在超限告警列表点击右键选择“清除所有超限告警”。
清除超限告警列表中告警记录。
5.3气路图控制
5.3.1气路图控制
气路图控制界面如下：
气路图控制界面，控制图形界面以图形方式展示系统当前状态。所有的监控对象均出现在控制界面上。气路图控制界面直观形象方便用户操作。在该界面上可以实现以下操作： 反转单个开关：反转开关即改变开关量的双击开关量，反转单个开关。如果反转成功，开关的颜色会发生变化，如果是绿色则变为灰色，灰色变为绿色。
反转多个开关：按Ctrl键，选择多个开关，选中的开关背景色变为黄色。点击菜单上的“反转开关”以反转气路图上选择的开关。如果反转成功，开关显示反转
后的颜色，否则保持黄色。点击菜单上的“取消选择”以取消气路图上选中的开
关，并恢复开关原来的颜色。
设置模拟量：单击模拟量型部件图标，弹出如下设置模拟量界面：
在设定值文本框中设置要设置的值，输入的值不能超出模拟量的上下限。点击“设置”按钮或者按下回车键以发送设置命令，若成功则显示“设置成功”字样，否则显示“设置失败”。
注：在设置模拟量界面上，在部件下拉框中选择其它模拟量部件，也可以设置模拟量，具体操作同上。
设置压差计控制模式：双击任意一个“PMODE”按钮即可修改。红色为压差模式，由压差计自动平衡两路的压力；黄色为流量控制模式，由程序调节流量计以平衡两路的压力。
显示提示信息：对于开关量型的部件，可直接以不同的颜色代表开关不同的状态。对于模拟量型的部件，移动鼠标到部件图标（处于Enabled状态，即非灰色显示的部件图标）上时，系统显示浅黄色提示面板，给出部件的详细信息。如下图所示，同时该信息显示在状态栏上。
上海市劳动保护科学研究所
国外安全生产动态 【2006】第(2)期总第(11)期 上海市劳动保护科学研究所2006年2月28日 目录 应急救援 ●企业应急救援管理必须考虑的核心因素（2）1安全技术 ●美国职业安全健康局（OSHA）将直接发布 恢复防翻倒保护结构标准（ROPS）原有规定的最终规则11安全监管 ●新西兰2005年职业病与职业伤害监管体系状况堪忧13安全消息 ●第八届澳大利亚伤害预防（AIPN）大会即将在悉尼召开14
应急救援 企业应急救援管理必须考虑的核心因素（2）【美国联邦应急救援管理机构】 第四、保护财产 一旦发生紧急状况，人们必须保护企业的主要设施、设备和关键的信息记录；因为在企业恢复运作时，这些东西往往显得十分重要。 首先，企业必须制定一套周全的计划，保护企业财产。在应急救援管理过程中，保护财产的计划必须考虑如下内容： ?发生火灾时该如何应对； ?如何防止污染物质的泄漏； ?如何关闭门窗或采取临时隔离措施； ?如何关闭设备； ?如何保护设备； ?如何把设备转移到安全的地方。 发生紧急状况时，必须确定何处可以获取备用设备、部件和其他供给资源；必须指定专人监管设备的运作、决定是否关闭设备、以及在何种情况下放弃设备、及时撤离；必须制定保护企业设备的流程，确保有关人员可以随时得到这些资料。 其次, 企业必须建立一套完整的企业应急保护系统。企业应急保护系统必须能够检测到企业设施、设备运作时发生的非正常状况，并发出警告。一般来说，一套完整的企业应急保护系统应该包含如下内容： ?防火系统；
?防雷击系统； ?水位监控系统； ?溢流监测装臵； ?自动关闭装臵； ?应急电力供应系统。 如果企业还需要一些特殊的应急保护装臵，可以咨询企业的财产保险专员。 在发生紧急状况前，企业还要考虑应采取何种措施，避免紧急状况的发生；或在发生紧急状况时，如何采取措施减轻紧急状况对企业设备所造成的危害。 企业通常可以采取的措施包括物理结构性调整措施和非结构性缓解措施两种。 物理结构性调整措施包括如下几个方面： ?提升企业设备的抗震性能和抗风性能； ?建造防水墙或其他防洪水的设施，保护企业设备； ?安装防火喷淋装臵； ?使用防火材料和防火装饰； ?在所有窗户外部和门外面安装防暴风雪的加固装臵。 非结构性缓解措施包括如下几个方面： ?增加灯或其他室内物品的牢固性，防止它们在紧急状况下松动 和跌落； ?把份量重的物品或易碎物品搬到架子的底层；
中科院半导体所科技成果——基于LED灯光的光学无线控制系统
中科院半导体所科技成果——基于LED灯光的光学无 线控制系统 项目成熟阶段孵化期 项目来源863项目、中科院知识创新重要方向项目 成果简介 该系统集照明、智能控制和通信功能于一体。它利用LED灯，在照明的同时作为光学无线通信的光源，可实现对办公设备、安全防范设备、家用电器、电动益智玩具、传感执行器等控制终端的光学无线智能控制。目前已开发出基于手机的控制软件，可以通过操控手机，借助灯光实现对家用电器等设备的全功能控制。 基于LED灯光的光学无线控制系统应用实景 技术特点 通信无电磁污染，有利于人体健康； 通信私密性强，安全性高；
与照明结合，无处不在、无须新建专用网络、节能和环保； 网络带宽高，可快速下载网上信息； 无需频率许可证。 专利情况已申请6项核心专利 市场分析 1、基于该技术开发的LED照明智能家居系统可以克服传统智能家居系统需要布设控制总线的缺点，也可以克服基于电力载波技术的智能家居控制系统改造电器设备强电部分时会影响电器安全性的缺点，LED照明智能家居系统属于光学无线方式的智能控制，只要灯光照到的地0方就可以自由摆放受控电器，是最新型的控制方式，可定义为新一代的智能家居系统。该技术也可用于智能建筑中，实现对各种自动执行器终端的光学无线控制。 2、其应用的各项技术代表了当今国内外可见光通信的发展水平，可以作为科技展品，应用在科技馆，让观众零距离接触、了解节能减排的LED照明技术以及照明网络与通信网络融合的可见光通信新技术。 3、是LED灯具厂商增加产品功能和提升产品竞争力的好机会。 合作方式技术开发、技术转让、技术服务、技术入股 产业化所需条件 进行LED照明智能家居产品中试，投资开发示范工程项目，最少投资300万元。进行智能控制接口标准制定，与家用电器厂商一起制定行业标准，大概需要2-3年，投资100-200万元。
中国科学院微电子研究所考研大纲(考研,复试,保研面试)
中国科学院微电子研究所考研大纲（考研，复试，保研面试）本《半导体物理》考试大纲适用于中国科学院研究生院微电子学与固体电子学专业的硕士研究生入学考试。半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程，它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。 一、考试内容 （一）半导体的电子状态： 半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构，III－V族化合物半导体的能带结构，II－VI族化合物半导体的能带结构 （二）半导体中杂质和缺陷能级： 硅、锗晶体中的杂质能级，III－V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级 （三）半导体中载流子的统计分布 状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体 （四）半导体的导电性 载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程，电导率的统计理论，强电场下的效应，热载流子，多能谷散射，耿氏效应 （五）非平衡载流子
非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式，连续性方程式 （六）p-n结 p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿，p-n结隧道效应（七）金属和半导体的接触 金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触（八）半导体表面与MIS结构 表面态，表面电场效应，MIS结构的电容－电压特性，硅─二氧化硅系数的性质，表面电导及迁移率，表面电场对p－n结特性的影响 （九）异质结 异质结及其能带图，异质结的电流输运机构，异质结在器件中的应用，半导体超晶格（十）半导体的光、热、磁、压阻等物理现象 半导体的光学常数，半导体的光吸收，半导体的光电导，半导体的光生伏特效应，半导体发光，半导体激光，热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的玻尔帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用，霍耳效应，磁阻效应，磁光效应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应，声波和载流子的相互作用 二、考试要求 （一）半导体的晶格结构和电子状态 1．了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。 2．理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。 3．掌握半导体中的电子运动规律，理解有效质量的意义。 4．理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。 5．熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。 6．理解硅和锗的能带结构，掌握有效质量的计算方法。
中国科学院在各地的分院研究所
中国科学院在各地的分院、研究所 中国科学院作为中国自然科学最高学术机构，在我国工学理学等自然科学领域做出了杰出贡献，化学物理、材料科学、数学、环境生态学已步入世界先进行列。中国科学院成立于建国初期，响应国家号召，在全国范围内，设立研究分院，截止2016年已有分院12所，分别为北京分院、沈阳分院、长春分院、上海分院、南京分院、武汉分院、广州分院、成都分院、昆明分院、西安分院、兰州分院、新疆分院；下设包括微生物研究所、近代物理研究所、武汉岩土力学研究、物理研究所、生物物理研究所、兰州物化所在内的研究单位114个，涉及理工、基础化学物理、数学、微生物、生态等各个学科领域。中国科学院拥有2所直属高校（中国科学院大学、中国科学技术大学）、1所共建高校（与上海市人民政府共建上海科技大学）、130多个国家级重点实验室和工程中心、210多个野外观测台站。 中国科学院的组织架构图中国科学院院士数据据2016年1月中科院官网显示，中国科学院有院士777人，其中数学物理学部148人，化学部131人，生命科学和医学学部143人，地学部127人，信息技术科学部90人，技术科学部138人；此外中国科学院还拥有外籍院士82人。截至2016，中国科学院院士工作地分布在全国25个省、直辖市、自治
区，其中，北京市380人，上海市92人，江苏省42人，辽宁省21人，湖北省21人，陕西省18人，香港特别行政区18人，安徽省16人，以上8个省、直辖市、自治区共有院士608人，占全体院士的83%；院士性别比例男性占94%，女性占6%。中科院2017度的科研项目2017年，中国科学院下属植物研究所、地理科学与资源研究所、昆明植物研究所、合肥物质科学研究院、深圳先进技术研究院等多个研究单位的“大气辐射特性自动检测仪”、“地表反射自动观测高精度辐射计”、“多角度地表光学反射特性自动观测仪”、“高精度太阳辐射计”、“太阳直射自校准辐照度仪”、“光学遥感卫星智能化高精度地面定标系统”数十个科研项目，通过了我国第一家第三方科技成果评价机构——中科合创（北京）科技成果评价中心组织专家召开的评价会。
砷化镓晶片表面损伤层分析 - 中国科学院半导体研究所机构
稀有金属 CHINEXE JOURNAL OF RARE METALS 1999年7月 第23卷 第4期 vol.23 No.4 1999 砷化镓晶片表面损伤层分析 郑红军 卜俊鹏 曹福年 白玉柯 吴让元 惠 峰 何宏家 摘 要： 采用TEM观测与X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法，分析了SI-GaAs晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度。比较两种方法测量结果上的差异，得出了TEM观测到的只是晶片损伤层厚度，而X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离所得的深度是晶片损伤层及其形成应力区的总厚度的结论。 关键词： 砷化镓 切片 磨片 抛光片 表面损伤层 Analyses of Surface Damage in SI-GaAs Wafers Zheng Hongjun, Bu Junpeng, Cao Funian, Bai Yuke, Wu Rangyuan, Hui Feng and He Hongjia (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) Abstract： The surface damage Layer in the SI-GaAs wafer induced by cutting, grining and polishing was analyzed by means of transmission electron microscopy and X-ray rocking curve measurements after the wafer was chemically etched. A method for determining the depth of surface damage layer of SI-GaAs wafer according to the quantitative difference in the results obtained by the two methods is proposed. Key Words: SI-GaAs, Cutting wafer, Grinding wafer, Polishing wafer, Surface damage 许多重要的砷化镓器件及砷化镓高速数字电路、微波单片电路均在砷化镓晶片表面制造， 集成度越高，对表面的要求越严格。所以，材料表面加工的质量直接影响着器件的性能、成品率及寿命等。 半导体材料表面因切、磨、抛加工而引入的损伤层深度一直是人们深入研究的工作。加工后的晶片表面损伤层可能是由非晶层、多晶层、嵌镶块层和弹性畸变层等构成的多层结构［1］。 测定这些表面损伤层厚度的通常方法有恒定化学腐蚀速率法［2，3］、椭圆偏振仪［4］、透射电子显微镜［5］、光背散射［6］以及Knudsen［7］提出的X射线双晶摆动曲线观测腐蚀剥层晶片表面损伤层法。但这些方法都有一定的局限性。本文采用X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离损伤层深度与TEM观测相结合的方法，定量地分析了材料加工过程中 (切、磨、抛) 引入的损伤层深度。根据两种测量结果的差异，得出了TEM观测到的只是晶片损伤层厚度，而X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离损伤层深度是晶片损伤层及其形成应力层的总厚度的结论。
中科院微电子所介绍
招生简介 中国科学院微电子研究所是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。微电子所本着“惟精惟一、求是求新”的办所精神，面向国家战略需求，积极承担重点科技攻关与产品开发任务，一方面拓展前沿技术与基础研究领域，发展交叉学科方向；同时通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化，推动产业发展。微电子所致力于打造现代化的高技术研究机构，成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地，为促进国家微电子技术进步和自主创新，实现产业的可持续发展做出贡献。 微电子研究所是国务院学位委员会批准的博士、硕士学位授予单位，2004年批准建立博士后流动站。现有职工622人，其中中国科学院院士2人，高级研究人员91人，上岗研究生导师74名（其中博士生导师34名），在读研究生近300多人。 主要研究方向：1.硅器件及集成技术；⒉微细加工与新型纳米器件集成；3.微波电路与化合物半导体器件；4.集成电路设计与系统应用（包括专用集成电路与系统、通信与多媒体片上系统芯片、集成电路设计与应用开发、电子封装）。 本专业一级学科为电子科学与技术。作为一门交叉与综合性学科，跨专业学习具有极大的发展前景与潜力，因此微电子所欢迎并鼓励微电子专业及通讯与通信工程类、计算机类、自动化类、软件类、光电技术、物理与应用物理学、材料学等相关专业的同学报考。 除招收普研（学术型）外，我所还计划在电子与通信工程（代码：430109）和集成电路工程（代码：430110）两个领域招收全日制专业学位研究生。我所2011年度研究生招生仍为国家计划内公费。 专业代码： 080903 专业名称：微电子学与固体电子学 学科专业研究方向与导师 w 硅器件及集成技术 该方向为一室、九室、十室研究方向，主要从事CMOS及SOI CMOS器件与集成电路、功率器件与集成电路、高可靠性器件与集成电路、微系统及集成技术研究等的研究、设计、制造及测试。这些研究室一直致力于硅基器件与集成电路主流工艺技术的研究, 曾先后完成“VDMOS功率器件”、“0.8微米CMOS工艺”、“亚微米SOI CMOS电路的研究”、“0.35微米CMOS集成电路关键技术”、“0.1微米级CMOS FET”等国家重点攻关项目的研究，具有很强的硅器件、电路与工艺技术研发能力，并在诸多技术方面一直保持着国内领先地位。目前正在致力于下一代纳米级的 CMOS新结构器件与电路、新工艺技术、高可靠性集成电路设计技术与新型MEMS器件与集成，以及先进电子封装技术的研究。 导师简介 韩郑生男 1962年出生研究员博士生导师 杜寰男 1963年出生副研究员硕士生导师 欧毅男 1975年出生副研究员硕士生导师 罗家俊男 1973年出生副研究员硕士生导师 孙宝刚男 1969年出生副研究员硕士生导师 李多力男 1977年出生副研究员硕士生导师 朱阳军男 1980年出生副研究员硕士生导师 万里兮男 1955年出生研究员博士生导师 曹立强男 1974年出生研究员硕士生导师 陈大鹏男 1968年出生研究员博士生导师 王文武男 1973年出生研究员博士生导师
【免费下载】中国大学名录 中国科学院大学
学校简介 中国科学院大学，简称“国科大”，是一所以研究生教育为主的科教融合、 独具特色的新型高等学校，成立于1978年，是经党中央国务院批准创办的新中国第一所研究生院。目前，国科大全日制在学研究生达3.86万名，其中博士生占49%。依托于中科院各研究所的高水平科研优势和高层次人才资源，国科大 形成了由京内4个校区、京外5个教育基地和分布全国的117个研究所组成的“大学校”。迄今，国科大已经培养出了9.97万名毕业研究生，其中博士4.71万名，历届毕业生中，已有103位当选为中国科学院和中国工程院院士。目前， 全校研究生指导教师1.12万人，其中院士340余人，博士生导师5100余人。 分布在各研究所的260余个国家实验室、国家重点实验室、院重点实验室及众 多国家级前沿科研项目,为研究生培养提供了宏大的科研实践平台。每学年，有院士69人次、教学科研骨干2249人次以及海外知名学者142人次亲临教学一 线，开设研究生课程1568门。 内部培养单位 中国科学院大学的研究生培养单位包括分布在全国各地22个行政省市的117个研究院所和中国科学院大学18个直属院系中心。 北京市——数学与系统科学研究院（80002），力学研究所（80007），物 理研究所（80008），高能物理研究所（80009），声学研究所（80010），理论物理研究所（80012），国家天文台（80025），渗流流体力学研究所（80027），自然科学史研究所（80029），理化技术研究所（80030），化学研究所（80032），过程工程研究所（80041），生态环境研究中心（80042），古脊椎动物与古人类研究所（80054），大气物理研究所（80058），地理科学与资源 研究所（80060），遥感应用研究所（80070），空间科学与应用研究中心（80073），对地观测与数字地球科学中（80074），地质与地球物理研究所（80075），数学科学学院（80080），物理学院（80081），化学与化工学院（80082），地球科学学院（80083），资源与环境学院（80084），生命科学学院（80085），计算机与控制学院（80086），管理学院（80087），人文学院（80088），外语系（80089），工程管理与信息技术学院（80090），材料科学与光电技术学院（80092），电子电气与通信工程学院（80093），中丹学院（80094），动物研究所（80103），植物研究所（80105），生物物理研究所（80112），微生物研究所（80113），遗传与发育生物学研究所（80121），心理研究所（80125），计算技术研究所（80132），工程热物理研究所（80135），半导体研究所（80136），电子学研究所（80137），自动化研究所（80146），电工研究所（80148），软件研究所（80150），国家科学图书馆（80155），微电子研究所（80159），计算机网络信息中心（80160），科技政策与管理科学 研究所（80164），北京基因组研究所（80167），青藏高原研究所（80171），光电研究院（80172），国家纳米科学中心（80173），信息工程研究所（80186） 天津市——天津工业生物技术研究所（80182） 河北省——遗传与发育生物学研究所农业资源研究中心（80156） 山西省——山西煤炭化学研究所（80043）
上海注册公司流程及所需材料
上海注册公司流程及所需材料 上海是国际化大都市，有着很好的创业环境，孕育出像前程无忧，携程旅行这样的大公司，从2018年伊始至今，经过一系列新政推行，上海注册公司流程简化程度已经可以承诺在当天出证，7天营运的高效率时代了。创业者想要在上海注册公司流程是简单了，但是每天去工商局往返的创业者不在少数，特别是对于身在国外或者外省市的法人来说事情依然没有得到很好的解决，因为注册公司法人需要到场，上海创业网小编为投资者介绍一些在上海注册公司的流程。 一、上海公司注册需要准资料： 1、全体股东身份证复印件； 2、股东之间的投资比例； 3、拟定好的企业名称； 4、拟定的公司经营范围； 5、企业住所证明（房产证或购房合同复印件），由我们提供虚拟地址的附带租房合同复印件； 6、财务人员的身份证和上岗证的复印件（核税用）。 二、三证合一以后，上海注册公司流程 1、公司名称核准。 核名所需材料：股东身份证原件、公司名称、经营范围等，需股东签署《名称预先核准通知书》。 2、签署工商注册材料。 公司名称核准后需由股东、法人代表、监事签署《公司章程》、《企业告知承诺书》、《股东会决议》等工商注册材料。 3、办理营业执照（三证合一）。 经签署过的工商注册材料、房屋租赁协议等，并报工商局审批，办理公司营业执照。 4、刻章。 公司营业执照出来后，可以刻公司的公章、财务章、法人章等。 上述项目办理完毕，公司基本注册完成。若开展实际业务，还需要开设公司基本帐户、办理税种核定及购买发票等适宜。若公司需要开增值税专用发票，还需申请一般纳税人资格。 三、上海注册公司详细费用 工商查名---免、注册地址---给免，办理营业执照—免，收费项目都是后期购买设备以及银行管理费用。
中科院微电子所硕博连读培养方式
中国科学院微电子研究所硕-博连读研究生培养方案 2009-10-12 | 编辑： | 【大中小】【打印】【关闭】 为加强我所攻读硕士学位研究生的培养工作，进一步提高硕士生的培养质量，根据国家和中国科学院的相关文件的精神，并根据我所的具体情况，特制定攻读硕士学位研究生的培养方案如下： 培养目标 我所攻读硕士学位研究生的培养目标是：进一步学习、掌握马克思主义的基本原理，树立为社会主义现代化建设事业服务的理想。在攻读学科上掌握坚实的基础理论和系统的专门知识；掌握一门外国语（英语）；具有从事科学研究工作或独立担负专门技术工作的能力。具有健康的体格。 学习年限 硕士学位研究生的学习年限一般为三年，学位课程学习时间为一年，从事学位论文相关的科学研究和撰写论文为二年至三年。正常情况下，如不能按时毕业者，若完成学习任务，论文答辩未通过，作结业处理。确实由客观因素未能按时完成学习任务，必须由导师提出申请，经研究生部核准，可延长半年至一年，延长学习的时间不计算学制。在职硕士学位研究生的学习年限3年半，论文工作必须结合本职工作。硕士学位研究生一般不得提前毕业。 培养方式 政治理论学习与经常性政治、思想、纪律和理想教育相结合。对硕士生除开设必修的政治理论课外，还应加强形势、政策、理想、法纪、道德品质和爱国主义教育。同时，在完成学习任务的前提下，积极开展社会主义公益和社会实践活动。 贯彻学位课程和论文工作并重的原则。硕士生既要系统地学习理论，也要接受独立从事科
学研究的实践锻炼。贯彻指导教师负责带教和指导教师小组集体培养相结合的原则。导师应该从政治思想和业务学习两方面关心和教育硕士生。 指导教师根据本专业培养方案规定的原则和要求，结合研究方向，制定硕士生的培养计划，对学位课程和论文作出具体安排。硕士生应在导师指导下制定本人学习计划，选修课程必须征得导师或学科点学术秘书的同意；完成学位课程学习计划后，必须在一学期内完成调研工作并转入论文正式工作。 建立每学年年终评比奖励优秀研究生制度，对品学兼优的研究生进行表彰和奖励，以鼓励先进，在研究生中形成积极上进的气氛。 研究专业 我所攻读硕士学位专业为：微电子学与固体电子学（工学）。 课程学习 硕士学位研究生课程分为公共必修课、专业必修课和选修课三大类。学位课程的设置应遵循以下原则： ?公共必修课应按国家统一设置； ?专业必修课六门，按一级学科范畴设置，体现本专业和知识面宽的特点；并设置本学科实验技能方面的课程； ?必修课应相对稳定，课程内容比较成熟，覆盖面较宽，符合本学科发展要求； ?避免与本学科课程中设置内容上的不必要重复； ?为了适应科学技术的发展，在加强基本理论学习的同时，课程设置要有一个合理的知识
中科院所有研究所
北京市 数学与系统科学研究院 力学研究所 物理研究所 高能物理研究所 声学研究所 理论物理研究所 国家天文台 渗流流体力学研究所 自然科学史研究所 理化技术研究所 化学研究所 过程工程研究所 生态环境研究中心 古脊椎动物与古人类研究所大气物理研究所 地理科学与资源研究所 遥感应用研究所 空间科学与应用研究中心 对地观测与数字地球科学中心地质与地球物理研究所 数学科学学院 物理学院 化学与化工学院 地球科学学院 资源与环境学院 生命科学学院 计算机与控制学院 管理学院 人文学院
外语系 工程管理与信息技术学院 材料科学与光电技术学院 电子电气与通信工程学院 华大教育中心 动物研究所 植物研究所 生物物理研究所 微生物研究所 遗传与发育生物学研究所 心理研究所 计算技术研究所 工程热物理研究所 半导体研究所 电子学研究所 自动化研究所 电工研究所 软件研究所 国家科学图书馆 微电子研究所 计算机网络信息中心 科技政策与管理科学研究所 北京基因组研究所 青藏高原研究所 光电研究院 国家纳米科学中心 信息工程研究所 空间应用工程与技术中心（筹）天津市 天津工业生物技术研究所
河北省 渗流流体力学研究所 遗传与发育生物学研究所农业资源研究中心山西省 山西煤炭化学研究所 辽宁省 大连化学物理研究所 沈阳应用生态研究所 沈阳计算技术研究所 金属研究所 沈阳自动化研究所 吉林省 长春人造卫星观测站 长春应用化学研究所 东北地理与农业生态研究所 长春光学精密机械与物理研究所 上海市 上海应用物理研究所 上海天文台 声学研究所东海研究站 上海有机化学研究所 上海硅酸盐研究所 上海生命科学研究院 上海药物研究所 上海微系统与信息技术研究所 上海光学精密机械研究所 上海技术物理研究所 上海巴斯德研究所
中科院各大研究所
中国科学院数学与系统科学研究院 *中国科学院数学研究所 *中国科学院应用数学研究所 *中国科学院系统科学研究所 *中国科学院计算数学与科学工程计算研究所 中国科学院物理研究所 中国科学院理论物理研究所 中国科学院高能物理研究所 中国科学院力学研究所 中国科学院声学研究所 中国科学院理化技术研究所 中国科学院化学研究所 中国科学院生态环境研究中心 中国科学院过程工程研究所 中国科学院地理科学与资源研究所 中国科学院国家天文台 *中国科学院云南天文台 *中国科学院乌鲁木齐天文工作站 *中国科学院长春人造卫星观测站 *中国科学院南京天文光学技术研究所 中国科学院遥感应用研究所 中国科学院地质与地球物理研究所 中国科学院古脊椎动物与古人类研究所 中国科学院大气物理研究所 中国科学院植物研究所 中国科学院动物研究所 中国科学院心理研究所 中国科学院微生物研究所 中国科学院生物物理研究所 中国科学院遗传与发育生物学研究所 *中国科学院遗传与发育生物学研究所农业资源研究中心（原中国科学院石家庄农业资源研究所） 中国科学院计算技术研究所 中国科学院软件研究所 中国科学院半导体研究所 中国科学院微电子研究所 中国科学院电子学研究所 中国科学院自动化研究所 中国科学院电工研究所 中国科学院工程热物理研究所 中国科学院空间科学与应用研究中心 中国科学院自然科学史研究所 中国科学院科技政策与管理科学研究所
中国科学院光电研究院 北京基因组研究所 中国科学院青藏高原研究所 国家纳米科学中心 院直属事业单位（京外） 中国科学院山西煤炭化学研究所 中国科学院沈阳分院 中国科学院大连化学物理研究所 中国科学院金属研究所 中国科学院沈阳应用生态研究所 中国科学院沈阳自动化研究所 中国科学院海洋研究所 青岛生物能源与过程研究所(筹) 烟台海岸带可持续发展研究所（筹） 中国科学院长春分院 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 中国科学院长春应用化学研究所 中国科学院东北地理与农业生态研究所 *中国科学院东北地理与农业生态研究所农业技术中心（原中国科学院黑龙江农业现代化研究所） 中国科学院上海分院 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院上海光学精密机械研究所 中国科学院上海硅酸盐研究所 中国科学院上海有机化学研究所 中国科学院上海应用物理研究所（原子核研究所） 中国科学院上海天文台 中国科学院上海生命科学院 *生物化学与细胞生物学研究所 *神经科学研究所 *药物研究所 *植物生理生态研究所 *国家基因研究中心 *健康科学研究中心 *中国科学院上海生命科学信息中心 *营养科学研究所 *中国科学院上海生物工程研究中心 中国科学院上海巴斯德研究所（筹） 中国科学院福建物质结构研究所 中国科学院城市环境研究所 中国科学院宁波材料技术与工程研究所(筹) 中国科学院南京分院
中科院半导体所科技成果——基于TDLAS技术的气体传感器
中科院半导体所科技成果——基于TDLAS技术的气体 传感器 项目成熟阶段生长期 项目来源公益行业（气象）专项资金 成果简介基于可调谐二极管激光器吸收光谱技术（TDLAS）的气体传感器，是结合光电子学，光谱学，以及微弱信号处理等高新技术的气体传感器系统。该设备与传统的气体传感器装置（电化学法，气象色谱法，吸附法）相比具有更高的灵敏度，更精确的测量数据，更快的响应速度，以及在线实时测量等特点。 通过内建程序及显示屏，可以实时显示当前的待测气体浓度，以及各测量量随时间变化的曲线。标准的RS232通信接口可以方便的向上位机传输实时测量数据。通过光纤和电缆的延伸，可以进行远端在
线测试。通过可更换的气室选择，完成不同环境下的测试任务。并且我们可以根据客户的要求进行定制气体（H2O、NO、CH4、HF）的测试。 技术特点 基于可调谐二极管激光吸收光谱技术，通过向待测气体发射特定波长的激光，并对穿过气体的激光信号进行解调，分析气体的组分和浓度。利用光吸收技术进行气体浓度测试，不会对气体组分造成影响，并且响应速度很快，可以进行实时监测及数据采集。通过延长的光纤和电缆，可以将传感器深入到人身无法达到的地方及环境，进行远程测试。 专利情况 多项专利技术申请中，其中已授权1项。 市场分析
根据我们目前的调研情况，目前能够很容易检测的气体包括H2O、NH3、NO、HF、HBr、HI、CH4，其中H2O和HF的检测灵敏度可以高达100个ppb，是目前同类型传感器中灵敏度最高的检测手段。上述气体都是化工生产、气象监测、特种气体测量（如SF6中的水汽测量、矿井的瓦斯监测等），因此该类传感器具有非常广阔的应用前景。另外，目前国家在环境监控非常重视，其中一些危险气体的检测缺乏体积小、灵敏度高、响应时间快的传感器技术，因此该技术还能在国家安全和环境控制方面发挥重要的作用。 合作方式技术入股 产业化所需条件 企业提供厂房、基础建设、资金、可靠性试验设备、人员配合。
写给准备考中科院研究所的你
我还是做一些比较吧，拿研究所和一般大学比较下，这里的大学不是指清华，北大这类一等一的高校，而是稍微普通点的大学。当然成不成才还是看个人的，环境不是唯一的因素。我只是说说我的一点看法。一己之见，还是请大家轻拍！ Q1：报考单位选择问题：很多人在纠结到底是考大学好还是研究所好？ A1：大学生活丰富多彩，很多课余活动，而研究所生活相对单调。所以这个 问题是仁者见仁智者见智，如果你是安安静静的人，可以选择考研究所。如果你想课余生活多姿多彩点，可以考大学。大学读书人多，和本科没有很大的差别。研究所人少，相对冷清点。 Q2：研究所好考吗？ A2：我感觉研究所比一般的大学还是难考的，我这次去复试，看到很多都是211,985的院校的，学生档次还是比较高的。当然我也是毕业于一所普通师范大学，也算是通过自己努力考上的。所以关键看个人努力程度，我感觉只要是正儿八经的上了个本科的同学，都应该有实力考的。不过也不排除很多研究所歧视非重点大学的学生。所以还是自己斟酌，研究所没有想象中那么难考，也没有想象中的那么容易。 Q3：研究所待遇怎样？ A3：中科院所有硕士（包括专业型的硕士）都是公费的，读硕期间每人每月 还有1K左右的生活补贴。对于家境不是很好的同学，这是很不错的选择。 Q4：中科院研究所的专业课好复习吗？ Q4：从07年开始中科院各研究所大多是统一交总院统一命题了，也就是只要是相同专业，每个研究所基本考试试卷都是一样的。每个研究所虽然是同一个专业，每个所得专长不同。其实这恰恰是总结命题规律的依据。我举例：自然地理学：成都山地所专长是山地灾害与环境，兰州寒旱所专长的冻土，冰川，沙漠，其他所等等吧。所以要命一份题给拥有不同专长的研究所考，这份题必然不会有深度，而是重视基本的东西，具有普遍基础的题目。深度不会很大的。把课本搞透，应对初试足够了。复试时再去搞这些专长。 Q5：读大学的研究生和研究所的有什么不同？ A5：众所周时很多大学研究生培养都走上了批量化生产，一个导师带了10几个学生的也是常见的。但是研究所一般导师一两届只招一个，所以对你来说。这是个学习的绝佳机会。拿我们所来说，招生指标有限，很多导师就是两届招1个的。对你重视程度可见一般。 Q6：读大学与研究所各方面能力有什么差别？ A6：大学里面与人交流的机会，锻炼自己各方面素质还是有优势的，对人的 综合素质会好点。研究所生活相对单调，寒暑假可能都有做不完的事，更别提周末了，与人接触的也少点。科研能力上还是研究所好点，研究所项目很多，我今年报
中国电子科技集团公司各研究所
中国电子科技集团公司各研究所 电科院北京电子科学研究院 2所太原西北电子装备技术研究所 3所北京电视电声研究所 7所广州广州通信研究所 8所淮南安徽光纤光缆传输技术研究所9所绵阳西南应用磁学研究所 10所成都西南电子技术研究所 11所北京华北光电技术研究所 12所北京北京真空电子技术研究所 13所石家庄河北半导体研究所 14所南京南京电子技术研究所 15所北京华北计算技术研究所 16所合肥合肥低温电子研究所 18所天津天津电源研究所 20所西安西安导航技术研究所 21所上海上海微电机研究所 22所新乡中国电波传播研究所 23所上海上海传输线研究所 24所重庆四川固体电路研究所 26所重庆四川压电与声光技术研究所 27所郑州中原电子技术研究所
29所成都西南电子设备研究所 30所成都西南通信研究所 32所上海华东计算技术研究所 33所太原太原磁记录技术研究所 34所桂林桂林激光通信研究所 36所嘉兴江南电子通信研究所 38所合肥华东电子工程研究所 39所西安西北电子设备研究所 40所蚌埠蚌埠接插件继电器研究所41所蚌埠华东电子测量仪器研究所43所合肥华东微电子技术研究所 44所重庆重庆光电技术研究所 45所平凉平凉半导体专用设备研究所46所天津天津电子材料研究所 47所沈阳东北微电子研究所 48所长沙长沙半导体工艺设备研究所49所哈尔滨东北传感技术研究所 50所上海上海微波技术研究所 51所上海上海微波设备研究所 52所杭州杭州计算机外部设备研究所53所锦州东北电子技术研究所 54所石家庄石家庄通信测控技术研究所
58所无锡无锡微电子研究所（无锡微电子科研中心） 信息化工程总体研究中心 中电科技国际贸易有限公司 中电华通通信有限公司 中电科投资开发有限公司 中电科技电子信息系统有限公司 北京中电科卫星导航系统有限公司 中电科技旅游产业发展有限公司 中电科技德清华莹电子有限公司 长江数据通讯股份有限公司 中华通信系统有限责任公司 北京科控微电子工程公司 1、电子科学研究院 https://www.360docs.net/doc/c37535215.html,/index.asp 地址：北京石景山八大处科技园区双园路10号 1984年在北京创建的国家级研究机构，是中国电子科技集团的中央研究院，是国家电子 信息系统顶层设计、系统总体研究开发和系统集成以及组织重大科技项目实施的总体研 究院。电子科学研究院院部和主要的科研基地在石景山高科技开发区内，它毗邻风 光秀丽的西山风景区，拥有科研、试验、办公、学术报告、专家公寓、教育培训设施及
中科院光电所研制出实用深紫外光刻机
中科院光电所研制出实用深紫外光刻机 近日，中国科学院光电技术研究所微电子专用设备研发团队研制成功波长254nm 的实用深紫外光刻机（Mask aligner ），光刻分辨力达到500nm 。Mask aligner 因使用方便、效率高、成本低，一直是使用面最广、使用数量最多的一种光刻设备。在现有的微纳加工工艺中，光刻所采用的波段是决定光刻分辨力的重要因素之一。长期以来，国产Mask aligner 均采用紫外波段 （350nm 至450nm ），分辨力只能做到1ym以上。而对于 200nm至1 ^m的微纳器件复制，只能采用进口紫外投影光刻机，200nm 以下分辨力则只能采用进口深紫外投影光刻机。光电所该型设备的成功研制，填补了国内商用化深紫外光刻机的空白，可低成本解决500nm 以上器件的高效复制，具有很好的社会经济效益。光电所微电子专用设备研发团队积极响应客户需求，大胆创新，成功解决了低成本深紫外光源、深紫外高均匀性匀光技术、新型深紫外介质膜镀膜技术以及非球面准直技术等诸多难点。该型设备仅需通过更换滤光模块，便可实现紫外、中紫外波段、深紫外波段的相互切换。同时，该型设备以光电所URE-2000 系列紫外光刻机为基台（已经销售550 台，其中出口30 多台），配有高精度对准模块、真空曝光模式、双面曝光模式、纳米压印模式、接近式模式、数字设定曝光间隙等诸多功能供用户选择或定制，能满足不同光刻工艺需求。该设备自动化程度高、操作十分方便、外形美观。该型
设备的成功研制，是光电所光刻机团队将光刻工艺需求与设备研发紧密结合的产物，市场前景十分广阔。光电所研发团队还积极与潜在用户单位进行需求沟通和工艺探索，利用中紫外波段(峰值波长310nm )在光敏玻璃(FOTURANII)上完成了高深宽比结构的制备直接光刻，设备已经销售数台，并与德国肖特 (SCHOTT)公司达成合作协议。⑻设备外观图；(b)设备输出光谱实测曲线
2016年中科院微电子所考研复试经验 -----新祥旭考研辅导
2016年中科院微电子所考研复试经验 准备了10个月，初试发挥不是很好，393，今年分都高，我差不多十七八名吧，但复试后总排名变成第一了，给大家说说经验。 准备考微所是去年三月八号开始的。有点早，但是大一混到大三，该玩的都玩了，对自己说是时候学点了，但老实说大三下学期看不下去书，每天学4个小时吧，一去自习室就想睡觉，但那个学期让我生活习惯改了过来。暑假和我女朋友出去住的。每天学8个小时，效率很高。然后暑假开学后突然质变了，学习效率超级高，差不多一天能学10个小时。学啊学啊到了冬天，发现身体因为学习变得不行了，总生病，反正最后两个月就没消停。最后浑浑噩噩的考完了。寒假回家玩了一个月，开学查成绩，发现过复试了，很开心。 开始准备复试。复试要看好多书，数电模电信号。我看了一天模电就放弃了。因为模电可是补考了两次才抄过去的。完全看不懂，于是下定决心看器件工艺方面的，差不多五六天就看完了吧。这时候我就在想如果复试就这样岂不是太简单了，后来发现的确是这回事，复试的时候老师的确会问点没学过的东西。这时候我受我们班长的诱导，说一个微所博士说微电子十室搞22nm工艺的牛人多，挺虎的。于是我开始看工艺，看论文。先上微电子所官网看看他们室的方向有哪些，然后就是下论文看论文。找那种总结性的论文。这样能看懂。然后呢，好好做笔记，对新东西一定要了解，后来复试的发现太有用了。 说说复试经历吧，我复试前就猜应该复试会问些不一样的东西，要不然还不如考专业课卷子呢，后来李博老师也是这么说的。果然第一天下午复试出来的人好多都发现问的问题很怪异，有些不是很好答，书上都找不到。对了，复试通知上说，复试主要考基本原理和知识面，这就要求不能只会书上的东西。第二天轮我复试了，还好，竟然不紧张。进去了，鞠躬，说老师好，然后坐下来自我介绍，后来同学说我自我介绍的时候身体晃来晃去的。这个自我介绍太重要了，你要靠这个介绍让老师问你学过的东西，我对老师说我对新的东西总有兴趣，
半导体研究所关于人才引进的几项具体措施
中国科学院半导体研究所文件 半发人教字[2006]10号 半导体研究所关于人才引进的几项具体措施 所属各单位： 为贯彻落实《半导体研究所知识创新三期方案》和《半导体研究 所关于知识创新（三期）人员聘用等工作的指导意见》（半发人教字[2006]7号），有效引进高素质科技人才，以建立适应研究所三期创新 任务的科研团队，达到创新三期的科技队伍建设目标，现将研究所为 引进“百人计划”等人才采取的措施明确如下： 一、科研经费及补贴 对以“百人计划”方式引进的人才，由研究所和引进人才的实体 共同提供相应的科研经费。并每月发给补贴。 被引进人才申请到院“百人计划”择优支持后，按照院规定执行。 二、科研条件 研究所现有技术手段、平台均可为引进人才的科研工作提供所需 要的服务。 三、队伍配备、研究生培养 为引进人才配备相应的科研团组，并为其招录硕、博士研究生提
供帮助（协助申请导师资格）。 四、配偶的工作、子女入学 积极向有关方面、单位推荐引进人才的配偶，协助其落实工作单位。 帮助引进人才的子女联系就读学校。 五、住房 （一）可视具体情况通过购买研究所经济适用房、租赁研究所周 转房、领取住房补贴等方式解决住房问题。 （二）“百人计划”引进人才未获得院择优期间，由所提供周转房。超过期限未能得到院择优支持的，比照研究所内同类人员的住房 政策执行。 （三）“百人计划”引进人才获得院择优及基本建设费支持后，可 以选择以下方式之一： 1、由研究所无偿提供在“百人计划”执行期间的住房，“百人计划”执行期结束离所时搬出； 如被所继续聘用，在聘用关系存续期间，可由研究所继续提供免 费住房。 2、购买所内经济适用房，在附加“百人计划”执行期结束后在所 工作年限等其他限制条件后，按照院拨基本建设费额的一定比例发给 补贴； 3、自行解决住房，在附加“百人计划”执行期结束后在所工作年 限等其他限制条件后，按照院拨基本建设费的若干倍发给补贴。
中科院半导体所科技成果——基于人脸识别的身份认证系统
中科院半导体所科技成果——基于人脸识别的身份 认证系统 项目成熟阶段生长期 项目来源863计划、基金重大研究计划 成果简介 本项目的核心技术“低数据量人脸认证技术”是在国家863计划、国家自然科学基金重大研究计划等项目的支持下，基于高维形象几何分析方法，自主创新的一种仿生人脸认证技术。本技术可以将人脸特征信息有效表达为48个字节，远远低于国际传统人脸识别技术所需的特征数据量（1k字节以上），拥有全球唯一可以存储于磁卡、条形码等低容量介质的人脸认证核心技术。 人脸认证系统样机 技术特点 人脸特征信息量：<50Byte； 人脸检测准确率：>99.0%；
双眼定位准确率：>99.0%； 人脸认证等错率：<2.0%； 人脸特征比对速率：>10000次/秒； 人脸姿态适应范围：深度旋转±10°，俯仰±10°。 专利情况 非划分的仿生模式识别方法，ZL02145891.X； 基于人类视觉模拟的计算机人脸定位方法，ZL200810105764.1。 市场分析 进入21世纪后，由于国际反恐、互联网应用等因素的推动，在全球范围内，生物特征识别技术（包括人脸识别、指纹识别、虹膜识别等）得到了更加广泛的应用。IBG（国际生物识别集团）发布的2009-2014年度报告中预测，全球生物特征识别市场规模到2014年将超过93亿美元。 本项目首创的超低数据量人脸特征表达技术，可以将人脸特征信息有效表达为48个字节，远远低于国际传统人脸识别技术所需的数据量（1K字节以上）。因此，本项目可进一步拓展人脸识别技术在磁卡、条形码、RFID等低容量介质中的应用，基于数据库认证时可极大地提高网络传输效率和比对速度，具有广阔的市场前景。 合作方式技术转让、技术入股 产业化所需条件 场地：约500平米；资金投入：约2000万元人民币；技术开发人员：约10-15人。