862电子技术基础考试大纲
862电子技术基础(含数字与模拟电路)考试大纲
一、考试目的：
《电子技术基础》主要考察学生全面系统地掌握电子技术的基本概念和基本电路，并且能灵活应用的能力。重点考察考生对电子技术的基本概念、基本原理和基本分析方法的掌握程度和利用其解决电子技术领域相关问题的能力，要求具有较强的分析和设计电路的能力。。
二、考试性质与范围：
本考试是一种测试应试者电子线路基本原理与应用的能力的尺度参照性水平考试。评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者具有较好的电子技术理论基础和技能。考试范围包括模拟电子技术和数字电子技术(详见考试内容)。
三、考试基本要求
1、掌握半导体器件的特性和模拟电子电路的分析和设计方法；
2、熟悉模拟电子技术的基本理论、基本方法和基本技能；
3、初步掌握模拟电子电路系统的分析、设计方法；
4、掌握门电路的结构、接口连接；熟练掌握数制与码制、逻辑代数基础；
5、熟练掌握组合逻辑及时序逻辑电路的分析与设计；
6、熟练掌握存储器的原理与使用；熟练掌握波形产生和整形电路ADC、DAC的分析。
四、考试形式
笔试、闭卷
五、考试内容：
考试内容包括模拟电子技术和数字电子技术。
(一)、模拟电子技术
1、晶体管（包括二极管、双极晶体管、MOS晶体管）的基本结构和放大、开关的工作原理、特性曲线、参数、处于三个工作区的条件和特点、小信号等效电路；
2、基本放大电路的三种电路组态及其特点（共发、共基、共集），基本放大电路的基本分析方法（静态工作点、负载线、电路增益、输入电阻和输出电阻），微变参数等效电路分析方法；
3、多级放大电路的耦合方式，直接耦合放大电路的零点漂移现象及其抑制措施，差分放大电路的分析与计算(静态工作点、差模电压放大倍数、差模输入电阻、输出电阻)；
4、集成运算放大器的结构特点、组成、电压传输特性，电流源电路的分析及计算；
5、放大电路的频率响应的基本概念、隔直电容、旁路电容对低频响应的影响，结电容、杂散电容对高频响应的影响，单级放大电路 fl、f h的计算及波特图的画法，频率失真、增益带宽积和多级放大电路的频率响应；
6、放大器中反馈的概念、反馈类型及其性质、反馈的判别，反馈对放大电路性能的影响，反馈电路的计算，特别是深度负反馈电路的判别和计算，负反馈电路的自激条件；
7、运算放大器的电路分析、运放的开环运用和闭环运用的特点，虚短（地）和虚断、运放的性能参数、负反馈接法的运放的直流计算；
8、运放电路组成的运算电路（加、减、积分、微分、对数的工作原理及分析计算，有源滤波电路的分析方法和设计方法；
9、正弦波振荡器的起振条件及其判别，RC、LC正弦振荡电路的工作原理和振荡频率的计算，非正弦波产生电路的组成及工作原理；
10、功率放大电路的特殊问题及设计原则，典型功率放大单元电路(包括甲类、乙类、OCL电路)的工作原理和指标计算；
11、直流稳压电源的组成及各部分的作用，直流电源中整流电路、滤波电路、稳压电路的组成、工作原理和相关计算。
(二)、数字电子技术
1、数字逻辑基础
1）数制和码制；二进制数和十进制数、八进制数、十六进制数的相互转换；
2）三种基本逻辑运算、几种复合逻辑运算；
3）逻辑函数的表示方法：函数式、真值表、逻辑电路图、卡诺图、波形图；表示法的相互转换；逻辑函数的基本定律及逻辑函数的代数法化简和变换；卡诺图的化简方法；
2、基本门电的结构及其工作原理（二极管的简单与、或、非门，TTL门电路的静态特性和动态特性，CMOS门电路静态特性和动态特性等。）
3、组合逻辑电路
1) 组合逻辑电路的含义、逻辑功能的描述；
2) 组合逻辑电路的分析和设计方法；
3) 常用集成组合逻辑器件（编码器、译码器、数据选择器、数值比较器、加法器、超前进位加法器，减法器）的逻辑功能及使用方法—分析由SSI、MSI构成的组合逻辑电路及用SSI、MSI设计组合逻辑电路；
4) 组合逻辑电路中的竞争冒险；
4、时序逻辑电路
1) 时序逻辑电路的分析和设计方法
2）各种触发器的结构、逻辑功能及其描述方法；
3）时序逻辑电路的含义；同步、异步时序电路的分析方法；
4）时序逻辑电路的状态转换表、状态转换图、状态机流程图和时序图；
5）常用时序逻辑电路（MSI：寄存器和移位寄存器、计数器）的功能及使用方法—分析由MSI构成的时序逻辑电路及用MSI设计时序逻辑电路；
6）同步时序逻辑电路的设计、自启动设计（用触发器、MSI和门电路）；
5、脉冲波形的产生和整形
1）施密特触发器的性能特点和电压传送特性；
2）单稳态触发器工作原理；
3）多谐振荡器工作原理。
6、半导体存储器的基本原理际及应用
1）存储器的分类；存储器容量的计算和扩展；用存储器实现组合逻辑函数。
2）常用半导体存储器：SRAM，DRAM，ROM （PROM、EPROM、EEPROM、FlasROM ）等。
7、数/模和模/数转换器
1）D／A和A／D变换的作用及分类方法。
2）D／A转换器：权电阻DAC，倒 T型电阻网络 DAC的工作原理及技术参数，D／A 转换器的转换精度、分辨率。
3）A/ D转换器：转换的四个步骤（采样、保持、量化、编码）、采样定理；逐次逼近型ADC的构成及原理；双积分型ADC；DAC的转换精度。
六、考试题型
概念题、分析论述题、计算题、作图题、推导题、电路设计题。
七、参考书目
相关的本科通用教材。
1、、童诗白、华成英主编，《模拟电子技术基础》（第四版），高等教育出版社，2006年。
2、阎石主编. 数字电子技术基础（第五版），高等教育出版社, 2005年
电子技术基础实训大纲
《电子技术基础》实训大纲 适用对象：电子电器应用与维修专业 学时：90节 课程性质：专业技能训练课程 一、课程性质、目的和任务 1、课程性质：本课程是计算机、网络等专业的基础课程的实践课程之一。 2、课程的目的和任务：培养相关专业学生在电子技术应方面的基本操作技能。 二、教学基本要求 1、熟悉电子元器件的功能用途。 2、学会电子元器件的测量、检测方法。 3、掌握电子电路加工制作的基本方法、操作过程和基本技能。 4、掌握电子电路的识图方法和分析技巧。 三．教学中需注意的问题
1、教学中应结合相关电子生产工艺标准和流程进行，强调操作的规范性。 2、注重元件、电路焊接和检测等基本工的培养。 3、注重整装调试能力的培养。 4、注重电路原理和故障的分析能力的培养。 四、课程教学内容： 1、电子元器件认识与识别：包括电阻器、电容器和电感器，常用半导体器件二极管、三极管，常用模拟/数字集成电路，印制电路板，拨码开关，发光二极管，接插件，导线等。 1）电阻器、电容器和电感器，半导体器件二极管、三极管命名。 2）集成电路命名、管脚识别及性能检测 2、仪器仪表的使用，包括直流电源，变压器，万用表，信号发生器，示波器等，教授使用注意事项，用它们来用对元器件、电路进行判别、测量和调试的方法。 3、根据模拟/数字电路原理设计，完成初步对元件进行选择和筛选。
1）根据电路要求列出元器件清单 2）选择元器件 4、电子产品的安装与焊接。包括准备工作、元器件安装与导线处理、电子产品的焊接工艺。 1）电烙铁的种类、选用和使用方法 2）焊料和焊剂 3）焊接工艺 4）电子元器件的安装与焊接 5）焊接质量检查 5、电子产品整机装配与调试 1）静、动态测试 2）故障查找和排除 五、实训方法和手段 集中在电子生产实训室进行实训，具体操作方法先由教师讲解、学生独立操作，配备2名指导教师跟进指导。 六、考核
中等职业技术学校：电子技术基础试题库3Word版
中等职业技术学校电子技术应用专业参考试题3 一、选择题 1. 硅二极管的导通电压为（）。 A.0.2V B.0.3V C.0.5V D.0.7V 2.二极管的内部是由（）所构成的。 A.两块P型半导体 B.两块N型半导体 C.一个PN结 D.两个PN结 3.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管（）的关系曲线。 A.V D—I D B.V D—R D C.I D—R D D.f—I D 4.二极管的正极电位是－10V，负极电位是－5V，则该二极管处于（）。 A.导通 B.截止 C.击穿 D.热击穿 5.下列二极管可用于稳压的是（）。 A.2AU6 B. 2BW9 C.2CZ8 D.2DP5 6.若把二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为零的电源实行正向连接,则该管( ) A.击穿 B.电流为零 C.电流过大而损坏 D.正向电压偏低而截止 1．用万用表测得PNP三极管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=0.7V，V E=1V则晶体管工作在（）状态。 A. 放大 B.截止 C.饱和 D.损坏 2．在三极管的输出特性曲线中，当I B减小时，它对应的输出特性曲
线
（） A.向下平移 B.向上平移面 C. 向左平移 D. 向右平移 3.工作在放大区的某三极管，如果当I B从10μA增大到30μA时，I C 从2mA变为3mA，那么它的β约为( ) A.50 B. 20 C. 100 D.10 4.工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（） A.V C > V B > V E B.V C < V B < V E C.V B > V C > V E D.V C > V E > V B 5.三极管的主要特性是具有（）作用。 A.电压放大 B.单向导电 C.电流放大 D.电流与电压放大 6.一个正常放大的三极管，测得它的三个电极c、b、e的电位分别为6V、3.7V、3.0V，则该管是（）管。 A.锗PNP B.锗NPN C.硅PNP D.硅NPN 7.三极管各极对地电位如图1-3-1所示，则处于放大状态的硅三极管是( ) 8.当三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电
南京理工大学-研究生入学考试大纲-823电子技术基础
南京理工大学研究生入学考试大纲 科目名：《电子技术基础》 一. 考试内容 模拟电路部分 1半导体器件 （1）半导体的基本概念：本征半导体； PN结 （2）半导体二极管：①半导体二极管的伏安特性；半导体二极管的主要参数；半导体二极管电路的分析。 （3）稳压二极管：稳压二极管的伏安特性；稳压二极管的主要参数；稳压二极管电路的分析。 （4）半导体三极管：三极管的电流放大特性；三极管的特性曲线和主要参数 （5）场效应管： ①结型场效应管的工作原理；伏安特性；主要参数；输出特性曲线；转移特性曲线； ②绝缘栅型场效应管的工作原理；伏安特性；主要参数；输出特性曲线；转移特性曲线；输出特性曲线的三个区； 2基本放大电路 （1）三极管放大电路：固定偏置放大电路的组成和分析；分压偏置放大电路的组成和分析；有交流射极电阻的共射放大电路的组成和分析；共集放大电路的组成和分析； （2）场效应管放大电路：场效应管放大电路；场效应管的微变等效模型；场效应管的两种静态偏置电路：自给偏压电路与分压式偏置电路；基本共源电路的组成、静态分析、动态分析方法；基本共漏电路及其静态、动态分析。 3 多级放大电路 （1）多级放大电路的三种耦合方式： （2）阻容耦合放大电路及其分析方法； （3）直接耦合放大电路及其分析方法； （4）变压器耦合放大电路； 4差分放大电路 （1）差放电路的工作原理：差放电路的组成；抑制零漂的原理；信号的三种输入方式：差模、共模、任意输入方式；共模电压放大倍数；差模电压放大倍数；共模抑制比； （2）差放电路的四种输入输出方式；双端输入双端输出方式；双端输入单端输出方式；（3）长尾差分放大电路:电阻长尾差分放大电路的静态分析和动态分析；带恒流源长尾差放电路的组成和静态分析、动态分析； 5功率放大电路 （1）功率放大电路的特点； （2）功率放大电路的三种工作状态；甲类、乙类、甲乙类功率放大电路的特点。 （3）甲类功率放大电路的组成及分析方法（ 甲类功率放大电路的工作原理，静态分析，动态分析。） （4）乙类功率放大电路的组成及分析方法（乙类功率放大电路的工作原理，静态分析，动态分析。） （5）甲乙类功率放大电路的组成及分析方法（甲乙类功率放大电路的工作原理，静态分析，
电子技术基础-考试大纲
电子技术基础-考试大纲 参考书： 1.《电工学(下册)-电子技术》(第六版、第七版都可)；秦曾煌主编,高教出版社 2.《模拟电子技术基础》（第三版或第四版）；童诗白主编，高等教育出版社 3.《数字电子技术基础》（第四版）；阎石主编，高等教育出版社 考试时间：2小时（满分100分）。 一、本课程的地位、作用和任务 《电子技术基础》是工科电气类的专业技术基础核心课程。课程任务是使学生获得电子技术的基本理论和基本技能,为学习后续课程和从事有关的工程技术工作打下基础。 二、基本内容 1、模拟电子技术基础 (1)掌握半导体二极管、稳压管、晶体三极管的基本概念和主要参数；尤其是掌握半导体二极管、稳压管、晶体三极管的计算方法及应 用。 (2)理解和掌握不同类型单级放大电路的工作原理和性能特点,掌握放大电路的静态分析及动态分析方法。能够分析计算基本共射放大电路中的实验现 象。 (3)了解深度负反馈的概念,掌握不同反馈类型的分析方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，能够计算单级深度负反馈电路的电压放大倍数。 (4) 掌握集成运算放大器的基本组成和电压传输特性,掌握其基本分析方法。能分析和计算由理想运算放大器组成的基本运算电路及信号处理电 路。
(5)理解与掌握互补对称功率放大电路的基本概念与分析计算方法。 (6)了解不同类型的正弦波振荡电路的基本组成及工作原理，判断电路能否产生正弦波振荡，掌握分析计算电路振荡频率的方法。 (7)掌握单相直流稳压电路的基本组成、工作原理及电路参数的计算。 2、数字电子技术基础 (1)掌握组合逻辑电路中基本门电路的逻辑图、波形图、功能表及其应用。 (2)用逻辑代数法或卡诺图法化简，分析组合逻辑电路的作用。掌握组合逻辑电路的基本设计方 法。 (3)理解常用组合电路集成模块的应用。掌握不同类型的译码器、优先编码器的分析方法及简单应用。 (4)掌握时序逻辑电路中双稳态触发器的逻辑功能, 能够实现逻辑功能的转换。 (5)掌握用555集成定时器组成的多谐振荡器的分析与参数计算方 法。 (6)掌握同步时序电路、寄存器及计数器的基本分析和设计方法。
模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析
1半导体二极管 自我检测题 一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。 （A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度） 4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变 ） 5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。 （A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电
压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。（大于、小于、等于） 图选择题7 8．PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×） 1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ） 2．在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。 （ √ ） 3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ × ） 4．PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 （ √ ） 5．由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ × ） 6．PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性，又描写了PN 结的反向击穿特 性 。 （ × ） 7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。
中等职业学校电子技术基础教学大纲
中等职业学校 《电子技术基础与技能》 教学大纲 适用专业：电子技术应用、电子信息技术、机电技术等相关专业 国家示范性职业学校数字化资源共建共享计划 《电子技术应用》精品课程资源建设项目 组长单位：江苏省如皋中等专业学校 修订日期：2012年4月
一、课程性质与任务 本课程是中等职业学校电类专业的一门基础课程。其任务是：使学生掌握电子信息类、电气电力类等专业必备的电子技术基础知识和基本技能，具有分析和处理生产与生活中一般电子问题的基本能力，具备继续学习后续电类专业技能课程的基本学习能力，为获得相应的职业资格证书打下基础。培养学生的职业道德与职业意识，提高学生的综合素质与职业能力，增强学生适应职业变化的能力，为学生职业生涯的发展奠定基础。 二、课程教学目标 1．专业能力目标 （1）初步具有查阅电子元器件手册并合理选用元器件的能力。 （2）会使用常用电子仪器仪表。 （3）了解电子技术基本单元电路的组成、工作原理及典型应用。 （4）初步具有识读电路图、简单电路印制板和分析常见电子电路的能力。 （5）具有制作和调试常用电子电路及排除简单故障的能力。 （6）掌握电子技能实训的安全操作规范，形成安全生产、规范操作的意识。 2．方法能力目标 （1）了解电子技术的认知方法，培养学习兴趣，形成正确的学习方法，有一定的自主学习能力。 （2）具有资料查阅和信息处理能力，具有一定的交流、分析、解决问题的能力。 （3）通过参加电子实践活动，培养运用电子技术知识和工程应用方法解决与生产和生活相关电子问题的能力，形成良好的工作方法与工作作风。 3．社会能力目标 （1）树立辩证唯物主义观点，形成实事求是的科学态度和良好的职业道德，具有创新精神与团队合作精神。 （2）树立节能环保、产品质量等职业意识。 三、教学内容结构 大纲采用模块式结构，教学内容由基础模块与选学模块构成，每个模块下又分为两个部分：模拟电子技术和数字电子技术。 1．基础模块是各专业学生必修的教学内容和应该达到的基本教学要求，建议安排84学时。 2．选学模块是适应不同专业需要，以及不同地域、学校、学制差异，满足学生个性发展的选学内容。选定后也为该专业的必修内容，建议至少选择12学时教学内容。 3．课程总学时数应至少保证96学时。
中职电工电子技术基础课程标准
中职 机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业 和农业机械使用与维护专业 电工电子技术基础课程标准 一、适用对象 中职三年制机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业和农业机械使用与维护专业。 二、课程性质 中等职业教育电工电子技术基础课程是中等职业学校机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业和农业机械使用与维护专业等电类和非电类专业的一门专业基础课程，它包含了电工电子技术中最基本的内容，使学生掌握专业必备的电工和电子技术基础知识和基本技能，具备分析和解决生产生活中一般电工电子技术问题的能力，具备学习后续专业技能课程的能力；对学生进行职业意识培养和职业道德教育，提高学生的综合素质与职业能力，增强学生适应职业变化的能力，为学生职业生涯的发展奠定基础，是培养公民素质的基础课程。同时，它为学生的终身发展，形成科学的世界观、价值观奠定基础，对提高全民族素质具有重要意义。它的任务是：阐明直流电路和正弦交流电路的基本概念和基本原理；电磁现象的基本现象和规律；晶体二极管、三极管和晶闸管的等特性及其应用；低频放大电路、脉冲数字电路、直流电源电路结构和工作原理。 三、参考学时 中等职业教育电工电子技术基础课程的教学时数，建议根据专业不同，有所区别，各专业的教学时数分别为： ㈠、28学时（适用于机械加工技术专业、数控技术应用专业和计算机应用专业） ㈡、60学时（适用于农业机械使用与维护专业） 这一课程的教学统一安排在第一学年第二学期，具体学时分配建议在第七部分：内容纲要中。 四、课程的基本理念 中等职业教育电工电子技术基础课程根据社会发展、学生发展的需要，精选最基本的体现专业基础的电工电子技术知识，增加一些问题探究等内容，构建简明合理的知识结构。中等职业教育电工电子技术基础课程教学要以应用技术专业为导向，以提升学生电工电子技术知识，了解焊接设备的组成结构和工作原理与安全技术能力、以提高焊接职业素质、符合焊接职业资格标准的需要为目标，以强化应用为重点。 在本课程的实施中，要根据三年制中等职业教育学生的认知水平，提出与学生认知基础相适应的逻辑推理、数据处理等能力要求，适度加强贴近生活实际与所学专业相关的电工电子技术应用意识，避免繁杂的运算。同时，要展现知识形成和发展的过程，为学生提供感受和体验的机会，激发学生兴趣，培养学生合作交流的能力。 五、课程设计思路 中等职业教育电工电子技术基础课程以“凸现学生是教学的主体地位，理论教学为实习服务，根据企业需要，本着必需、够用原则，将内容模块化，教与学进程一体化”的总体设计要求。本课程要求学生掌握电路基础、电工技术、模拟电子技术、数字电子技术这四部分内容的基本概念和基本规律，彻底打破原有的学科体系设计思路，紧紧围绕专业工作任务完成的需要来选择和组织教学内容，突出项目任务与电工电子知识的联系，让学生在职业实践活动的基础上掌握电工电子知识，增强理论教学内容与职业岗位能力要求的相关性，提高学生的就业能力。
对口高职电子技术基础中职期末精编测试题(一)
电子技术基础期末试题（一） 一、填空题（每空2分，共54分） 1．三极管的内部结构是由区、区、区及结和结组成的。 2．整流电路的作用是将电压变换为电压。3．PN结的单向导电性表现为时导通；时截止。4．交流负反馈能改善放大器的性能，直流负反馈能稳定放大器的，负反馈能增大输入电阻、减小输出电阻。 5．正弦波振荡器起振的幅度平衡条件为，相位平衡条件为△，n为整数。 6．硅二极管的导通电压为 V，锗二极管的导通电压为 V。 7．完成变换：（365）10＝（）2＝（）16 ＝( )8421BCD 8.分析集成运放电路要用到重要的两个概念和。9．开关型稳压电路的调整管工作在状态；普通线性稳压电路的调整管工作在状态。 10. 具有“有1出0，全0出1”的逻辑功能的逻辑门是门；与非门电路的逻辑功能为“、”。11. 双向晶闸管等同于两个单向晶闸管。 二、选择题（每小题3分，共33分） 12．基本RS触发器不具备的功能是( ) A. 置0 B. 置1 C. 保持 D. 翻转13．与非门的逻辑函数表达式为（） A. AB B. A+B C. AB D. A B + 14．用万用表测二极管的正、反向电阻几乎都趋于无穷大，则二极管（） A．正常 B.开路 C.短路 D.性能低劣15.逻辑函数式EFG Y=，可以写作（） A．G F E Y+ + = B．Y = E+F+G C．G F E Y? ? = D．FG E Y+ = 16.逻辑函数式AA+0+A,简化后的结果是（） A．1 B．A C．AA D． 0
17由NPN 型三极管构成的共射放大电路输出电压波形如图所示，该电路中存在（ ） A.线性失真，饱和失真 B.非线性失真，饱和失真 C.线性失真，截止失真 D.非线性失真，截止失真 18.图示电路中二极管的导通电压为0.7 V ，则输出电压Uo 等于 （ ） A.0V B.-2.3V C.2.3V D.-2V 19．逻辑函数EF F E F E ++，化简后答案是（ ） A ．EF B ．F E F E + C ．E+F D ．E+F 20. 单相桥式整流电容滤波电路中变压器次级电压U 2=10V ，则负载两端电压为（ ） A.9V B.10V C.12V D.15V 21.八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端个数是（ ） A 、2个 B 、3个 C 、4个 D 、8个 22.测得放大电路中，三极管三个极的电位分别如图所示，则此管 是（ ） A. NPN 型硅管 B. NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D. PNP 型锗管 三、判断题（每小题3分，共33分） （ ）23.组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态。 （ ）24.负载要求得最大功率的条件是R=2r ，r 为电池内阻。 （ ）25.u i = 102sin ωt V 的最大值是10V 。 （ ）26.电位大小与参考点无关，电压大小与参考点有关。 （ ）27.二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿损坏。 （ ）28.三极管内部电流不满足基尔霍夫第一定律。 （ ）29.与甲类功放相比，乙类功放的主要优点是没有失真。 （ ）30.用频率计测量1兆Hz 的方波信号，低通滤波器应处于“关”的位置。 （ ）31.共阴接法LED 数码管是用输出低电平有效的显示译 u o t 12v 0v 11.3v
电子技术基础考试大纲
《电子技术基础》考试大纲 (包括模拟电路、数字电路两部分) 一、参考书目 1.康华光，电子技术基础——模拟部分，第五版，高等教育出版社，2008 2.康华光，电子技术基础——数字部分，第五版，高等教育出版社，2008 二、考试内容与基本要求 《模拟电子技术》考试大纲 一、半导体器件 [考试内容] PN结、半导体二极管、稳压二极管的工作原理；晶体三极管与场效应管的放大原理； [考试要求] 1. 熟悉半导体二极管的伏安特性，主要参数及简单应用。 2. 熟悉稳压二极管的伏安特性，稳压原理及主要参数。 3. 理解双极性三极管的电流放大原理，伏安特性，熟悉主要参数。 二、放大器基础 [考试内容] 放大电路的性能指标和电路组成及静态分析；稳定静态工作点的偏置电路；放大电路的 动态分析，三种基本组态放大电路；场效应管放大电路性能指标分析；运算放大器放大 电路性能指标分析。 [考试要求] 1. 理解放大电路的组成原则。 2. 理解静态、动态、直流通路、交流通路的概念及放大电路主要动态指标的含义。 3. 熟悉放大电路的静态和动态分析方法。掌握调整静态工作点的方法。 4. 掌握计算三种组态放大电路的静态工作点和动态指标。 三、放大器的频率参数 [考试内容] 频率特性的基本概念与分析方法；放大器频率分析，三极管的频率参数；共射极接法放 大电路的频率特性；场效应高频等效电路，运算放大器的高频等效电路。 [考试要求] 1. 理解阻容耦合共射放大电路的频率特性。 2. 理解三极管的频率参数。 3. 了解多级放大电路频率特性的概念。 四、放大电路中的负反馈 [考试内容] 负反馈的基本概念；负反馈对放大器性能的影响；深度负反馈的计算；反馈放大电路的 稳定性分析。 [考试要求] 1. 理解反馈，正反馈，负反馈，直流反馈，交流反馈，开环，闭环，反馈系数，反馈 深度，电压反馈，电流反馈，串联反馈，并联反馈等概念。 2. 熟悉负反馈类型的判断。 3. 掌握各种基本组态负反馈对放大电路性能的影响。 4. 掌握深度负反馈放大电路增益的估算方法。
2020年暨南大学823电子技术基础考研初试大纲(含参考书目)
更多考研资料就上精都考研网https://www.360docs.net/doc/6e5426891.html, 暨南大学硕士研究生入学考试自命题科目 823《电子技术基础》考试大纲 (适用于通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、电路与系统、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、物理电子学共7个专业) 一、考查目标 要求考生掌握低频模拟电路的基本理论概念、原理和分析方法，通过对各种电子电路进行分析和近似计算，观察电路工作特点，结合理论，对电路本质特性能够理解和应用。 二、考试形式和试卷结构 1、考试形式 试卷满分为150分，考试时间为180分钟，答题方式为闭卷笔试 2、试卷结构 （1）题型结构 一、简答题。(共20分) 二、分析计算题 (共60分) 三、设计题 (共40分) 四、综合题 (共30分) （2）内容结构 1、集成运放及其基本应用（约25分） 2、半导体二极管及其基本应用电路（约5分） 3、晶体三极管及其基本放大电路（约15分） 4、场效应管及其基本放大电路（约15分） 5、集成运算放大电路（约25分） 6、放大电路中的反馈（约30分） 7、信号的运算和滤波（约15分） 8、波形的发生与变换电路（约15分） 9、直流电源（约5分） 三、考查范围 1、集成运放及其基本应用 放大的概念和放大电路的性能指标，集成运算放大电路，理想运放组成的基本运算电路（比例运算电路，加减运算电路，积分运算电路和微分运算电路），理想运放组成的电压比较器（单限比较器，滞回比较器） 2、半导体二极管及其基本应用电路 半导体基础知识，半导体二极管及其基本应用电路，稳压二极管及其基本应用电路3、晶体三极管及其基本放大电路 晶体三极管及其放大电路的组成原则和基本分析方法（图解法，等效电路法）,晶体管放大电路的三种接法,放大电路的频率响应
电子技术基础与技能电子教案(综合)
《电子技术基础与技能》电子教案 项目一二极管单向导电板的制作 教案编号：01—01—01 一、教学目标 1、了解什么是半导体、P型半导体和N型半导体； 2、了解PN结的形成过程及其特性； 3、掌握二极管的符号、特性及特性曲线等； 4、会用万用表判断二极管的质量。 二、重点难点 重点：二极管的符号及单向导电特性。 难点：PN结的形成过程 三、学情分析 有关半导体、二极管等概念，学生第一次接触到，而且这些内容十分抽象难理解，所以学生学起来有一定困难。但学生在初中阶段已经接触到了电阻、导体及绝缘体等相关内容，而半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，因此，教师要如此引入过渡，学生是容易接受的。 四、教学方法 讲解法、观察法、图形演示法 五、教具准备 各种不同形状的二极管、幻灯片及幻灯机、实物投影仪等 六、课时安排：2课时 七、教学过程 1、导入新课： 大家在初中学习了电阻，电阻就是导体对电流的阻碍作用。而导体就是能够导电的物质，如铁、铝、铜等金属；不能导电的物质就是绝缘体，如干木头、黑板等。那么世界上有没有导电能力介于导体和绝缘体之间的物质呢？这就是今天我们要学习的内容——半导体 2、新授阶段
（1）出示投影（课本图1-1 二极管单向导电电路图） 让生认识电路图，了解图中的各元器件。并强调指出其中的二极管是电路中的关键元件，今天我们就来重点学习这种元件。 （2）先了解半导体、P型半导体和N型半导体以及PN结等。 1）半导体：由自然界的物质按导电性能的分类引出半导体。半导体的最外层有4个价电子。如硅和锗等。半导体有光敏性、热敏性和掺杂性三种特性，特别是其掺杂性是形成半导体元件的重要基础。 2）P型半导体和N型半导体 先介绍本征半导体，然后根据在本征半导体中掺入不同的杂质离子可形成两种半导体，即N型半导体和P型半导体。（可结合投影出示本征半导体的原子排列图以及和掺入两种不同杂质时形成两种半导体的形成过程图）。 3）PN结：出示投影（课本图1-2 PN的结构示意图），简单从电子转移的角度介绍PN结的形成过程。 给生时间理解并自己动手画图记忆 （3）二极管 1）出示投影（课本图1-3 二极管的结构示意图及其符号） 讲解二极管的定义、结构及其符号等 给生时间理解并自己动手画图记忆 2）实物投影展示各种不同形状的二极管外形，之后拿出实物让生观察，增强学生的感性意识。 3）二极管的特性曲线 出示投影（课本图1-5 二极管的伏安特性曲线） 讲解二极管特性曲线的定义、二极管的正向电压和反向电压等概念。 讲述二极管特性曲线的形成规律及其特点。要让学生记住死区电压：对于硅管是0.5V，锗管是0.2V；导通电压：对于硅管是0.7V；对于锗管是0.3V。 给生时间理解并自己动手画图记忆 4）二极管的种类及参数：师简单介绍
中职电子技术教案课件教材资料
项目一半导体的基础知识 一、半导体： 1、半导体的导电性介于导体与绝缘体之间。 2、导体： 3、绝缘体 二、本征半导体 1、本征半导体：纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。常用的半导体材料有：硅和锗。它们都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个价电子，当把硅或锗制成晶体时，它们是靠的作用而紧密联系在一起。 2、空穴：共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由 电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。 3、空穴电流: 在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。在晶体中存在两种载流子，即带负电自由电子和带正电空穴，它们是成对出现的。 三：杂质半导体 1、杂质半导体:在本征半导体中两种载流子的浓度很低，因此导电性很差。我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性，这种半导体被称为杂质半导体。 1）.N型半导体 在本征半导体中，掺入5价元素，使晶体中某些原子被杂质原子所代替，因为杂质原子最外层有5个价电子，它与周围原子形成共价键后，还多余一个自由电子，因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是，电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数，与掺杂无关。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 2）.P型半导体 在本征半导体中，掺入3价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有3个价电子，它与周围的原子形成共价键后，还多余一个空穴，因此使其中的空穴浓
度远大于自由电子的浓度。在P型半导体中，自由电子是少数载流子，空穴使多数载流子。 四、PN结 一、PN结基础知识 1、 PN结：我们通过现代工艺，把一块本征半导体的一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，于是这两种半导体的交界处就形成了P—N结，它是构成其它半导体的基础，我们要掌握好它的特性！2：异形半导体接触现象 1）扩散运动：在形成的P—N结中，由于两侧的电子和空穴的浓度相差很大，因此它们会产生扩散运动（高浓度向低浓度扩散）：电子从N区向P区扩散；空穴从P去向N区扩散。因为它们都是带电粒子，它们向另一侧扩散的同时在N区留下了带正电的空穴，在P区留下了带负电的杂质离子，这样就形成了空间电荷区，也就是形成了电场(自建场). 它们的形成过程如图（1），（2）所示 2）漂移运动：在电场的作用下，载流子将作漂移运动，它的运动方向与扩散运动的方向相反，阻止扩散运动。电场的强弱与扩散的程度有关，扩散的越多，电场越强，同时对扩散运动的阻力也越大，当扩散运动与漂移运动相等时，通过界面的载流子为0。此时，PN结的交界区就形成一个缺少载流子的高阻区，我们又把它称为阻挡层或耗尽层。
F1001电子技术基础考试大纲.doc
F1001《电子技术基础》考试大纲 一、复习资料 1.《电子线路（线性部分）》（第5版），冯军、谢嘉奎编，高等教育出版社，2010年8月。 2.《数字电子技术基础》（第6版），阎石、王红编，高等教育出版社，2016年4月。 二、考试内容及要求 （一）模拟电子线路 包括半导体器件及应用，基本组态放大电路，组合放大电路，反馈放大电路，差分放大电路，集成运算放大电路及其应用。 1．半导体器件及应用 考试内容： PN结，晶体二极管，晶体三极管，场效应管（MOSFET）。 考试要求： （1）掌握PN结的基本特性；掌握晶体二极管伏安特性、数学模型、简化电路模型、相关性能参数及基本应用；掌握晶体三极管在放大模式下的电流分配关系、伏安特性、数学模型、直流简化模型、小信号电路模型及基本应用；掌握MOSFET的伏安特性、数学模型、小信号电路模型及基本应用；掌握半导体器件应用电路的图解分析法、简化分析法和小信号等效电路分析法。 （2）理解半导体器件各模型中参数的物理意义；理解晶体二极管构成的整流、稳压、限幅等功能电路的结构、工作原理、技术指标；理解晶体三极管构成的电流源、放大器和跨导线性电路的结构和工作原理。
（3）了解MOSFET构成的有源电阻和模拟开关电路的结构和工作原理。 2．放大器基础 考试内容： 三极管和场效应管三种基本组态放大电路，差分放大电路，多级组合放大电路。 考试要求： （1）掌握三极管和场效应管偏置电路及其直流分析方法；掌握基本组态放大电路的增益、输入、输出电阻的分析方法。 （2）理解差分放大电路的性能特点；掌握差分电路直流偏置、差模增益、共模增益、共模抑制比、输入电阻、输出电阻的计算方法；理解差分放大器动态范围的概念；掌握差分放大器动态范围扩展的方法。 （3）理解放大电路频率响应的概念；理解传输函数与波特图的对应关系；掌握波特图的绘制方法；掌握器件与基本放大电路频率响应的分析方法。 （4）理解多级放大器的耦合方式；掌握多级放大器性能指标的计算方法。 3．电流源电路 考试内容：镜像电流源、比例电流源、微电流源，恒流源负载。 （1）理解镜像电流源、比例电流源、微电流源及其改进型电路的工作原理；掌握电流源电路的电流与输出电阻的分析方法。 （2）理解恒流源负载放电器的特点，掌握恒流源负载放大器与差分放大器性能的分析计算方法。 4．放大器中的负反馈 考试内容：
中职《电子技术基础》期末试卷(含参考答案)
2015学年第1学期 《电子技术基础》期末试卷 （A卷，四大题型34小题） 考试形式：闭卷 一、填 空题 （10小 题，20空格，每空格1分，共20分。） 1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。 2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR越大，抑制零漂的能力越强。 3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。 4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。 5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。 6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。 7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。 8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。 9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。 10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。 二、判断题（11小题，每小题2分，共22分。将叙述 班级： 姓名：学号：题号一二三四总分 得分 题 号 123456789101112 答 案
《电子技术基础》研究生入学考试大纲
《电子技术基础》研究生入学考试大纲 课程名称：模拟电子技术、数字电子技术 一、考试的总体要求 模拟电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度，要求学生能分析计算基本放大电路、集成运算放大电路等模拟电子电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 数字电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度，要求学生能够运用基本理论分析、设计组合逻辑电路及时序逻辑电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 二、考试内容及比例： 模拟部分： 1、半导体器件（5～10％） （1）理解二极管单向导电特性，掌握二极管伏安特性； （2）理解三极管放大原理，掌握三极管的输入、输出特性曲线； （3）掌握MOS管的转移特性曲线、漏极特性曲线。 2、放大电路的基本原理（20～25％） （1）掌握基本放大电路的结构、工作原理及静态工作点计算； （2）掌握放大电路微变等效电路分析法，理解放大电路的图解分析法。 3、放大电路的频率响应（5～10％） 放大电路的上限频率、下限频率、通频带的概念。正确理解Bode图。 4、集成运算放大器（10～20％） （1）理解零点漂移的概念，理解差动电路克服温漂的原理； （2）掌握差动电路的分析与计算。 5、放大电路中的反馈（5～10％） （1）理解反馈的概念，掌握反馈类型的判断方法，能根据要求引入负反馈； （2）理解反馈对放大器性能的影响； （3）掌握放大电路在深度负反馈条件下的分析计算； （4）理解自激的概念，能根据波特图判断负反馈放大电路是否自激。
6、摸拟信号运算电路（20～25％） （1）理解集成运放电路中“虚短”、“虚断”概念。 （2）掌握基本运算电路的工作原理及分析计算。 7、信号处理电路（10～15％） 掌握信号处理电路原理及分析计算。 8、波形发生电路（10～20％） （1）掌握正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅措施及分析计算； （2）能用相位平衡条件判断各种振荡电路能否起振。 9、功率放大电路（15～20％） OCL、OTL电路的工作原理及分析计算。 10、直流稳压电源（0～10％） （1）整流电路的工作原理及分析计算； （2）电容滤波电路的工作原理及分析计算； （3）稳压电路的工作原理及分析计算。 数字部分： 一、逻辑代数基础（5～10％） （1）逻辑代数基本概念、公式和定理； （2）逻辑函数的化简方法。 二、门电路（15～20％） （1）掌握分立器件门电路的分析方法； （2）理解TTL集成门电路的结构特点，掌握其外特性； （3）理解COMS集成门电路的结构特点，掌握其外特性。 三、组合逻辑电路（30～40％） （1）掌握组合逻辑电路的分析方法及设计方法； （2）熟悉典型组合逻辑电路的设计及逻辑功能表示方法； （3）掌握用中规模集成芯片MSI（译码器、数据选择器等）实现组合逻辑函数。 四、触发器（15～20％） （1）熟悉触发器电路的结构特点； （2）掌握各种结构触发器的功能特点、功能表示方法及应用。
中职《电子技术基础》期中试卷及及参考答案
《电子技术基础》期中试卷 一、填空题（每空1分，共32分） 1、晶体二极管加一定的电压时导通，加电压时，这一导电特性成为二极管的特性。 结处于导通状态时电阻_______，处于截止状态时电阻_________。 3.用万用表“R x 1K "挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。 4.场效应管是一种_____控制器件,是_______电压来控制漏极电流。场效应管有_______场效应管和_______场效应管两大类,每类又有P沟道和_______沟道的区分。 5.试判断下图中各三极管处于何种工作状态，并指出管型。 管型（1）_______（2）_______（3）_______（4）_______工作状态（1）_______（2）_______（3）_______（4）_______ 称为三极管的_______电流，它反映三极管的_______，Iceo越_______越好。 7.画直流通路时,将_______视为开路,其余不变;画交流通路时将_______视为_______，将直流电源视为_______。 8.放大器的输入电阻_______,则放大器要求信号源提供_______越小,信号源负担就越轻。放大器的输出电阻_______,放大器_______越强。 二、判断题（每题2分，共14分） l.放大器放大信号说明三极管的放大倍数起到了能量的提升作用。（）2.在基本共射极放大电路中,当电源电压Vcc增大时,若电路其他参数不变,则电压放大倍数Av值应增大。（） 3.在共射极单管放大电路中,若电源电压不变,只要改变集电极电阻Rc就 班级：姓名：学号：题号一二三四五六七八九总分得分
中职《 电子技术基础 》期末试卷(含参考答案)
2015 学年第 1 学期 《电子技术基础》期末试卷 （A卷，四大题型34小题） 考试形式：闭卷 一、填空题（10小题，20空格，每空格1分，共20分。） 1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。 2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR 越大，抑制零漂的能力越强。 3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。 4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。 5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。 6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。 7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。 8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。 9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。 10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。 二、判断题（11小题，每小题2分，共22分。将叙述正确的每小题用√填写在下面表格对应的序号中，叙述错误的每小题用x填写在下面表格对应的序号中。） 1、衡量一个直流放大器零漂的程度只需看输出零漂电压的大小。 2、理想运算放大器两输入端的电位相等并且恒等于0V。 3、差分放大器的放大倍数与组成它的单管放大器的放大倍数相同。 4、反相输入比例运算放大器的反馈类型是电压串联负反馈。 5、两个电压放大倍数不同的直流放大器，若它们输出端的零漂电压相同，则电压放大倍数小的直流放大器，其零漂现象要严重些。 6、共集电极放大器属电压串联负反馈放大器，所以该电路的输入阻抗高，输出阻抗低。 7、负反馈能使放大器的通频带扩展，也能减小放大器的波形失真。 8、在共射极单管放大电路中，若电源电压不变，只要改变集电极电阻Rc就能改变集电极电流Ic值。 9、固定偏置放大电路中，若更换三极管，则基极偏流电阻必须重新调整。 10、全波整流电路中，二极管与负载串联，流过二极管的电流和负载电流相等。 11、二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流迅速增大。 三、选择题（10小题，每小题2分，共20分。将每小题正确的选项答案填写在下面 题号123456789101112 答案 1、同相输入比例运算放大器的反馈类型是_________。 A、电流串联负反馈 B、电流并联负反馈 C、电压串联负反馈 D、电压并联负反馈 2、引起直流放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是_________。 A、半导体器件参数的变化 B、电路中电容和电阻数值的变化 C、电源电压的变化 班级： 姓名：学号：题号一二三四总分得分
(完整word版)中等职业学校《电子技术基础》教案.doc
第1、2课时 课题半导体特性、 PN 结、二极管课型 教学了解半导体的特性和PN 结的形成与特性 目的掌握二极管、稳压管的特性 重点PN结的形成与特性 难点二极管的伏安特性 教学过程 一、半导体的导电特性 1、光敏性、热敏性、可掺杂性 2、本征半导体：纯净的半导体称为本征半导体。 3、 N 型半导体 结构形成方式：掺入五价杂质元素使载流子数目增多，自由电子是多子 4、 P 型半导体 结构形成方式：掺入三价杂质元素使载流子数目增多，空穴是多子 二、 PN结的形成与特性 1、形成过程 2、特性：单向导电性 三、二极管 1、结构、外形、分类： (1)按材料分 : 有硅二极管，锗二极管和砷化镓二极管等。 (2 ）按结构分 : 根据 PN结面积大小 , 有点接触型、面接触型二极管。 (3 ）按用途分 : 有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (4 ）按封装形式分: 有塑封及金属封等二极管。 (5)按功率分 : 2、主要参数 3、判别办法：用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。 4、二极管的伏安特性。 5、特殊功能二极管：稳压管、发光二极管 课后小结半导体有自由电子和空穴两种载流子参与导电 PN结具有单向导电性普通 二极管电路的分析主要采用模型分析法 稳压二极管和光电二极管结构与普通二极管类似，均由 PN 结构成。但稳压二极管工作在反向击穿区
第 3、4 课时 课题半导体三极管课型 教学1、了解三极管的结构与特性；2、掌握三极管的类型和电流放大原理； 目的3、理解三极管的特性曲线和主要参数。 重点三极管的电流放大原理 难点三极管的输入输出特性 教学过程 一、三极管的基本结构和类型 二、三极管在电路中的联接方式 三、三极管的电流放大作用及原理 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。 1）发射区向基区发射电子的过程 2）电子在基区的扩散和复合过程 I C I B 3）电子被集电区收集的过程 二、特性曲线和主要参数 1、输入特性：i B=f(u BE)u CE常数 2、输出特性：i C=f(u CE)i B常数 课后小结了解三极管的结构与特性；掌握三极管的类型和电流放大原理；理解三极管的特性曲线和主要参数。