半导体导论翻译
半导体导论 P124-125
CHAPTER 3 The Semiconductor in Equilibrium
(d) T = 400 K, N d = 0, N a = 1014 cm-3
(e) T = 500 K, N d = 1014 cm-3, Na = 0
3.37 Repeat problem 3.36 for GaAs.
3.38 Assume that silicon, germanium, and gallium arsenide each have dopant concentrations of Nd = 1X1013 cm-3 and Na = 2.5 x 1014 cm-3 at T=300K.For each of the three materials(a) Is this material n type or p type?(b) Calculate n0 and p0.
3.39 A sample of silicon at T =450K is doped with boron at a concentration 0f 1.5x1015 cm-3and with arsenic at a concentration of 8 X 1014 cm-3 .(a) Is the material n type or p type? (b) Determine the electron and hole concentrations .(c) Calculate the total ionized impurity concentration.
3.40 The thermal equilibrium hole concentration in silicon at T = 300 K is p0=2x1015cm-3.Determine the thermal-equilibrium electron concentration .Is the material n type or p type?
3.41 In a sample of GaAs at T = 200 K, we have experimentally determined that n0 = 5 p0 and that Na = 0. Calculate n0, p0, and N d.
3.42 Consider a sample of silicon doped at N d = 1014 cm-3 and Na = 0 Calcu1ate the majority-carrier concentration at (a) T = 300 K, (b) T = 350 K,(C ) T = 400 K (d) T = 450 K, and (e) T = 500 K.
3.43 Consider a sample of silicon doped at N d= 0 and Na = 1014cm-3 .Plot the majority-carrier concentration versus temperature over the range 200≤T≤500K.
3.44 The temperature of a sample of silicon is T = 300 K and the acceptor doping concentration is Na = 0. Plot the minority-carrier concentration (on a log-log plot) versus Nd over the range 1015≤N d≤1018 cm-3.
3.45 Repeat problem 3.44 for GaAs.
3.46 A particular semiconductor material is doped at N d = 2 x 1013 cm-3, Na = 0, and the intrinsic carrier concentration is ni = 2 x 1013 cm-3. Assume complete ionization. Determine the thermal-equilibrium majority-and minority-carrier concentrations.
3.47 (a) Silicon at T = 300 K is uniformly doped with arsenic atoms at a concentration of 2 x 1016 cm-3 and boron atoms at a concentration of 1 x1013 cm-3. Determine the thermal-equilibrium concentrations of majority and minority carriers.
(b) Repeat part (a) if the impurity concentrations are 2 x1015 cm-3 phosphorus atoms and 3 x 1016 cm-3 boron atoms.
3.48 In silicon at T = 300 K, we have experimentally found that n0=
4.5 x 104 cm-3and N d=5x1015cm-3. (a) Is the material n type or p type? (b) Determine the majority and minority-carrier concentrations. (c) What types and concentrations of impurity atoms exist in the material?
Section 3.6 Position of Fermi Energy Level
3.49 Consider germanium with an acceptor concentration of Na = 1015 cm-3 and a donor concentration of N d = 0. Consider temperatures of T = 200, 400,and 600 K. Calculate the position of the Fermi energy with respect to the intrinsic Ferrni level at these temperatures.
3.50 Consider germanium at T = 300 K with donor concentrations of N d= 104, 1016and1018 cm-3 .Let Na = 0. Calculate the position of the Fermi energy level with respect to the intrinsic Fermi level for these doping concentrations.
3.51 A GaAs device is doped with a donor concentration of 3X1015cm-3 .For the device to operate properly ,the intrinsic carrier concentration must remain less than 5 percent of the total electron concentration .What is the maximum temperature that the device may operate?
3.52 Consider germanium with an concentration of Na=1015cm-3and a donor concentration of N d=0.Plot the position of the Fermi energy with respect to the intrinsic Fermi level as a function of temperature over the range 200 ≤T ≤600 K.
3,53 Consider silicon at T =300K with Na=0. Plot the position of the Fermi energy with respect to the intrinsic Fermi level as a function of the donor doping concentration over the range 1014≤N d≤1018cm-3.
3.54 For a particular semiconductor,Eg=1.50eV,m*p=10m*n，T=300K，and ni=105cm-3. (a)Determine the position of the intrinsic Fermi energy level with respect to the center of the bandgap. (b)Impurity atoms are added so that the Fermi energy level is 0.45eV below the center of the bandgap .(i)Are acceptor or donor atoms added? (ii)What is the concentration if impurity atoms added?
3.55 Silicon at T = 300 K contains acceptor atoms at a concentration of Na = 5 x1015cm-3 . Donor atoms are add forming an n-type compensated semiconductor such that the Fermi level is 0.215 eV below the conduction band edge .What concentration of donor atoms are added?
3.56 Silicon at T = 300 K is doped with acceptor atoms at a concentration of Na = 7 x1015cm-3. (a) Determine E f-E v. (b) Calculate the concentration of additional acceptor atoms that must be added to move the Fermi level a distance kT closer to the
valence-band edge.
3.57 (a) Determine the position of the Fermi level with respect to the intrinsic Fermi level in silicon at T = 300 K that is doped with phosphorus atoms at a concentration of 1015cm-3. (b) Repeat part (a) if the silicon is doped with boron atoms at a concentration of 1015cm-3. (c) Calculate the electron concentration in the silicon for parts (a) and (b).
3.58 Gallium arsenide at T = 300 K contains acceptor impurity atoms at a density of 1015cm-3. Additional impurity atoms are to be added so that the Fermi level is 0.45 eV below the intrinsic level. Determine the concentration and type (donor or acceptor) of impurity atoms to be added.
3.59 Determine the Fermi energy level with respect to the intrinsic Fermi level for each condition given in Problem 3.36.
3.60 Find the Fermi energy level with respect to the valence band energy for the conditions given in Problem 3.37.
3.61 Calculate the position of the Fermi energy level with respect to the intrinsic Fermi for the conditions given in Problem 3.48.
Summary and Review
3.62 A special semiconductor material is to be “designed. ” The semiconductor is to
be n type and doped with 1 x 1015 cm -3donor atoms . Assume complete ionization and assume N a=0. The effective density of states functions are given by N c=N v=1.5x1019cm-3 and ate independent of temperature .A particular semiconductor device fabricated with this material requires the electron concentration to be no greater than 1.01x1019cm-3 at T=400K. What is the minimum value of the bandgap energy ?
译文
第三章半导体的平衡
(d) T = 400 K, N d = 0, N a = 1014 cm-3
(e) T = 500 K, N d = 1014 cm-3, Na = 0
3.37重复3.36砷化镓的问题
3.38假设硅，锗，镓砷化物各有厘米的Nd = 1X1013 cm-3掺杂浓度和Na = 2.5 ×1014 cm-3
在T = 300K. 对于每三种材料（一）这是N型还是P型材料？（二）计算N0和P0。
3.39甲硅样品在T = 450K与硼掺杂浓度1.5x1015 cm-3和砷浓度在8 ×1.5x1014 cm-3。（a）
是n型或p物质类型？（二）确定的电子和空穴浓度。（c）计算的总电离杂质浓度。
3.40在硅中的热平衡孔在T = 300 K的浓度为P0 = 2x1015 cm-3。确定热平衡电子浓度。材
料是N型或P型？
3.41在砷化镓在T = 200 K的样品，我们已经确定，N0的实验= 5 ,P0和Na= 0. 计算n0时，
P0和N d。
3.42考虑一个硅样品在N d=1014 cm-3掺杂和Na= 0。计算多数载流子浓度（一）当T = 300
K时，（二）T= 350 K时，（三）T= 400 K时（四）T= 450 K和（五）T= 500K。
3.43考虑一个硅样品在掺N d= 0和Na =1014 cm-3。多数载流子浓度范围内与超过200≤T
≤500K的温度。
3.44一类硅样品的温度为T = 300 K和受体掺杂浓度为Na = 0。少数载流子浓度（以对数
图）范围内与超过1015≤N d≤1018 cm-3。
3.45为砷化镓3.44重复问题。
3.46一个特殊的半导体材料掺杂N d= 2 ×1013 cm-3，而Na= 0，本征载流子浓度是ni = 2
x 1013 cm-3。假设完全电离。确定热平衡多数和少数载流子浓度。
3.47（一）硅在T = 300 K是均匀掺砷原子在一个2 ×1016 cm-3和硼原子以1 x1013 cm-3
的浓度。确定多数与少数载流子的热平衡浓度。（二）重复第（一）如果杂质浓度为2 x1015 cm-3磷原子和3 x 1016 cm-3硼原子。
3.48硅在T= 300 K，我们实验发现，n0=
4.5 ×104cm-3和N d= 5x1015cm-3。（a）是n
型或p物质类型？（二）确定的多数和少数载流子浓度。（三）什么类型和浓度的杂质原子在物质中存在吗？
第3.6节费米能级的位置
3.49考虑与Na= 1015 cm-3受体浓度和N d施主浓度= 0。考虑温度的T = 200, 400,和600 K
的温度计算费米能级的位置相对于这些内在的费米水平。
3.50考虑锗在T = 300 K的施主浓度N d= 1014，1016和1018 cm-3。让Na= 0。计算相对于
这些内在的费米掺杂浓度水平费米能级的位置。
3.51砷化镓是一个掺杂了3X1015 cm-3施主浓度。对于设备正常运作，内在载流子浓度必
须保持不少于总数的5电子浓度百分比。什么是最高温度，该装置可以操作？
3.52考虑浓度锗与Na=1015cm-3和一对Nd = 0施主浓度。画出相对于费米能级位置，关
于费米能级以上的内在范围温度：T≤200≤600作为温度函数光。
3.53考虑硅在T = 300K与Na = 0的情况下。绘制的费米能量本征费米方面作为施主掺杂
在范围1014≤Nd≤1018cm-3浓度的功能级别的地位。
3.54对于一个特定的半导体，如Eg=1.50eV, m*p=10m*n，T=300K，n i=105cm-3.
（一）确定的内在费米就到了带隙中心的能级位置。（二）添加杂质原子，使费米能级低于带隙中心0.45eV. （i）是否受体或施主原子加入？（ii）什么是杂质原子的浓度增加？
3.55硅在T = 300 K的含有的Na = 5 x1015cm-3浓度受体原子。供体原子形成一个添加n
型半导体，这样的补偿费米能级低于0.215 eV的导带的边缘。什么样的施主浓度增加？
3.56硅在T= 300 K与受体原子掺杂的Na = 7 x1015cm-3浓度。（一）确定E f—E v. （b）
计算的受体必须添加到移动的距离kT的费米能级靠近价带边缘的原子浓度。
3.57（一）确定相对于费米能级位置，在硅的内在费米= 300 K的水平是与磷原子掺杂在
一个1015cm-3浓度的T （二）重复第（一）如果是在一个硅的1015cm-3浓度的硼原子掺杂。（三）计算硅在电子浓度的（a）及（b）。
3.58砷化镓在T = 300 K的包含了1015cm-3密度受主杂质原子。额外的杂质原子是要添加，
使费米能级为0.45电子伏特以下的内在水平。确定浓度和类型杂质原子（供体或受体）以复加。
3.59确定与费米能级方面的内在费米水平,每一个给定的条件在第3.36个问题。
3.60发现费米能级关于在给的条件的化学价带能量在第3.37个问题。
3.61计算费米能级的位置关于指定的条件的内在费米在第3.48个问题。
总结和回顾
3.62 一种特殊的半导体材料是“设计的。”半导体是为n型和1 ×1015 cm -3的施主原子掺杂。假设完全电离并且假设Na=0。Nc=Nv=1.5x1019 cm -3测量有效的密度态函数并且说明和温度无关。某特定半导体器件用这种材料制作的电子浓度要求不大于 1.01x1015 cm -3在T = 400K的情况下。什么是带隙能量的最小值？
传感器技术论文中英文对照资料外文翻译文献
中英文对照资料外文翻译文献 附件1：外文资料翻译译文 传感器新技术的发展 传感器是一种能将物理量、化学量、生物量等转换成电信号的器件。输出信号有不同形式，如电压、电流、频率、脉冲等，能满足信息传输、处理、记录、显示、控制要求，是自动检测系统和自动控制系统中不可缺少的元件。如果把计算机比作大脑，那么传感器则相当于五官，传感器能正确感受被测量并转换成相应输出量，对系统的质量起决定性作用。自动化程度越高，系统对传感器要求越高。在今天的信息时代里，信息产业包括信息采集、传输、处理三部分，即传感技术、通信技术、计算机技术。现代的计算机技术和通信技术由于超大规模集成电路的飞速发展，而已经充分发达后，不仅对传感器的精度、可靠性、响应速度、获取的信息量要求越来越高，还要求其成本低廉且使用方便。显然传统传感器因功能、特性、体积、成本等已难以满足而逐渐被淘汰。世界许多发达国家都在加快对传感器新技术的研究与开发，并且都已取得极大的突破。如今传感器新技术的发展，主要有以下几个方面： 利用物理现象、化学反应、生物效应作为传感器原理，所以研究发现新现象与新效应是传感器技术发展的重要工作，是研究开发新型传感器的基础。日本夏普公司利用超导技术研制成功高温超导磁性传感器，是传感器技术的重大突破，其灵敏度高，仅次于超导量子干涉器件。它的制造工艺远比超导量子干涉器件简单。可用于磁成像技术，有广泛推广价值。 利用抗体和抗原在电极表面上相遇复合时，会引起电极电位的变化，利用这一现象可制出免疫传感器。用这种抗体制成的免疫传感器可对某生物体内是否有这种抗原作检查。如用肝炎病毒抗体可检查某人是否患有肝炎，起到快速、准确作用。美国加州大学巳研制出这类传感器。 传感器材料是传感器技术的重要基础，由于材料科学进步，人们可制造出各种新型传感器。例如用高分子聚合物薄膜制成温度传感器；光导纤维能制成压力、流量、温度、位移等多种传感器；用陶瓷制成压力传感器。
步进电机及单片机英文文献及翻译
外文文献： Knowledge of the stepper motor What is a stepper motor： Stepper motor is a kind of electrical pulses into angular displacement of the implementing agency. Popular little lesson: When the driver receives a step pulse signal, it will drive a stepper motor to set the direction of rotation at a fixed angle (and the step angle). You can control the number of pulses to control the angular displacement, so as to achieve accurate positioning purposes; the same time you can control the pulse frequency to control the motor rotation speed and acceleration, to achieve speed control purposes. What kinds of stepper motor sub-： In three stepper motors: permanent magnet (PM), reactive (VR) and hybrid (HB) permanent magnet stepper usually two-phase, torque, and smaller, step angle of 7.5 degrees or the general 15 degrees; reaction step is generally three-phase, can achieve high torque output, step angle of 1.5 degrees is generally, but the noise and vibration are large. 80 countries in Europe and America have been eliminated; hybrid stepper is a mix of permanent magnet and reactive advantages. It consists of two phases and the five-phase: two-phase step angle of 1.8 degrees while the general five-phase step angle of 0.72 degrees generally. The most widely used Stepper Motor. What is to keep the torque (HOLDING TORQUE) How much precision stepper motor? Whether the cumulative： The general accuracy of the stepper motor step angle of 3-5%, and not cumulative.
无线传感器网络论文中英文资料对照外文翻译
中英文资料对照外文翻译 基于网络共享的无线传感网络设计 摘要：无线传感器网络是近年来的一种新兴发展技术，它在环境监测、农业和公众健康等方面有着广泛的应用。在发展中国家，无线传感器网络技术是一种常用的技术模型。由于无线传感网络的在线监测和高效率的网络传送，使其具有很大的发展前景，然而无线传感网络的发展仍然面临着很大的挑战。其主要挑战包括传感器的可携性、快速性。我们首先讨论了传感器网络的可行性然后描述在解决各种技术性挑战时传感器应产生的便携性。我们还讨论了关于孟加拉国和加利 尼亚州基于无线传感网络的水质的开发和监测。 关键词：无线传感网络、在线监测 1.简介 无线传感器网络，是计算机设备和传感器之间的桥梁，在公共卫生、环境和农业等领域发挥着巨大的作用。一个单一的设备应该有一个处理器，一个无线电和多个传感器。当这些设备在一个领域部署时，传感装置测量这一领域的特殊环境。然后将监测到的数据通过无线电进行传输，再由计算机进行数据分析。这样，无线传感器网络可以对环境中各种变化进行详细的观察。无线传感器网络是能够测量各种现象如在水中的污染物含量，水灌溉流量。比如，最近发生的污染涌流进中国松花江，而松花江又是饮用水的主要来源。通过测定水流量和速度，通过传感器对江水进行实时监测，就能够确定污染桶的数量和流动方向。 不幸的是，人们只是在资源相对丰富这个条件下做文章，无线传感器网络的潜力在很大程度上仍未开发，费用对无线传感器网络是几个主要障碍之一，阻止了其更广阔的发展前景。许多无线传感器网络组件正在趋于便宜化（例如有关计算能力的组件），而传感器本身仍是最昂贵的。正如在在文献[5]中所指出的，成功的技术依赖于
单片机外文翻译
杭州电子科技大学信息工程学院毕业设计（论文）外文文献翻译 毕业设计（论文）题目用单片机实现的数字时钟电路设计文献综述题目单片机控制系统系电子工程 专业电子信息科学与技术 姓名郭筱楠 班级08091911 学号08919115 指导教师王维平
单片机控制系统 广义地说，微型计算机控制系统（单片机控制系统）是用于处理信息的，这种被用于处理的信息可以是电话交谈，也可以是仪器的读数或者是一个企业的帐户，但是各种情况下都涉及到相同的主要操作：信息的处理、信息的存储和信息的传递。在常规的电子设计中，这些操作都是以功能平台方式组合起来的，例如计数器，无论是电子计数器还是机械计数器，都要存储当前的数值，并且按要求将该数值增加1。一个系统例如采用计数器的电子钟之类的任一系统要使其存储和处理能力遍布整个系统，因为每个计数器都能存储和处理一些数字。 现如今，以微处理器为基础的系统从常规的处理方法中分离了出来，它将信息的处理，信息的存储和信息的传输三个功能分离形成不同的系统单元。这种主要将系统分成三个主要单元的分离方法是冯-诺依曼在20世纪40年代所设想出来的，并且是针对微计算机的设想。从此以后基本上所有制成的计算机都是用这种结构设计的，尽管他们包含着宽广的物理形式与物理结构，但从根本上来说他们均是具有相同基本设计的计算机。 在以微处理器为基础的系统中，处理是由以微处理器为基础的系统自身完成的。存储是利用存储器电路，而从系统中输入和输出的信息传输则是利用特定的输入/输出（I/O）电路。要在一个以微处理器为基础的时钟中找出执行具有计数功能的一个特殊的硬件组成部分是不可能的，因为时间存储在存储器中，而在固定的时间间隔下由微处理器控制增值。但是，规定系统运转过程的软件却规定了包含实现计数器计数功能的单元部分。由于系统几乎完全由软件所定义，所以对微处理器结构和其辅助电路这种看起来非常抽象的处理方法使其在应用时非常灵活。这种设计过程主要是软件工程，而且在生产软件时，就会遇到产生于常规工程中相似的构造和维护问题。 图1.1 微型计算机的三个组成部分 图1.1显示出了微型计算机中这三个单元在一个微处理器控制系统中是如何按照机器中的信息通信方式而联接起来的。该系统由微处理器控制，微处理器能够对其自身的存储器和输入/输出单元的信息传输进行管理。外部的连接部分与
专有名词翻译方法
专有名词和事物名词的常用翻译方法 我们在英译汉时，常常会碰到一些专有名词和事物名词。对于这些词，有时我们可以在字典或其他工具书里找到相对应的译词，有时则需要译者自己灵活掌握。我们在翻译这些专有名词和事物名词时，经常采用表意法、谐音法、表形法、谐音加表意法、部分谐音部分表意法等五种方法，其中表意法和谐音法用得最为广泛。 一、表意法（semantic translation） 这是最常用的一种译法，即在汉语中找出同原词含义相同的词。在大多数情况下，我们是可以在字典或其他工具书里找到相应的译词的。如： computer：计算机 magnifier：放大镜 perambulator：童车 transformer：变压器 有时我们可以用表意法将英语中两个或两个以上的名词仅从字面上翻译成汉语中的一个词或名词性词组。一般情况下，译文和原文的含义是相符的。如： down coat；羽绒服 moon cake：月饼 table cloth：桌布 head worker：脑力劳动者 应当注意，这种情况下的表意法不是绝对靠得住的。因为有时当英语中两个或两个以上名词固定搭配在一起时，他们表示的可能是与字面意思完全不同的另外一个意思。此时我们就不能仅从字面上去表意，而应深入一步从含义和惯用法上去表意。如： honey cooler不能译为“甜冷饮”，而应译为“讨好女人的男子”；
night cart不能译为“夜车”，而应译为“粪车”； hand money不能译为“手中之财”，而应译为“定金、保证金”； fish story不能译为“钓鱼故事”，而应译为“牛皮、大话”； dog days不能译为“狗的日子”，而应译为“三伏天”； cat suit不能译为“猫服”，而应译为“喇叭裤”； pig head不能译为“猪头”，而应译为“顽固分子”； pig tail不能译为“猪尾巴”，而应译为“辫子”： donkey’s breakfast不能译为“驴子的早餐”，而应译为“草垫”。 二、谐音法（transliteration） 谐音法就是用汉语中同原词发音相近的字来翻译原词。这种方法多用来翻译人名、地名、药名、计量单位以及一些从外国传入中国的药品的名称。如： 1．译人名 Marx：马克思到 Shakespeare：莎士比亚 Bacon：培根 Einstein：爱因斯坦 2．译地名 Vienna：维也纳 Berlin：柏林 Cyprus：塞浦路斯 Somalia：索马里 3．译药名 aspirin：阿斯匹林 analgin：安乃静 quinine：奎宁 procaine：普鲁卡因 4．译计量单位
压力传感器外文翻译
压力传感器 合理进行压力传感器的误差补偿是其应用的关键。压力传感器主要有偏移量误差、灵敏度误差、线性误差和滞后误差，本文将介绍这四种误差产生的机理和对测试结果的影响，同时将介绍为提高测量精度的压力标定方法以及应用实例。 目前市场上传感器种类丰富多样，这使得设计工程师可以选择系统所需的压力传感器。这些传感器既包括最基本的变换器，也包括更为复杂的带有片上电路的高集成度传感器。由于存在这些差异，设计工程师必须尽可能够补偿压力传感器的测量误差，这是保证传感器满足设计和应用要求的重要步骤。在某些情况下，补偿还能提高传感器在应用中的整体性能。 本文以摩托罗拉公司的压力传感器为例，所涉及的概念适用于各种压力传感器的设计应用。 摩托罗拉公司生产的主流压力传感器是一种单片压阻器件，该器件具有 3 类： 1.基本的或未加补偿标定； 2.有标定并进行温度补偿； 3.有标定、补偿和放大。 偏移量、范围标定以及温度补偿均可以通过薄膜电阻网络实现，这种薄膜电阻网络在封装过程中采用激光修正。 该传感器通常与微控制器结合使用，而微控制器的嵌入软件本身建立了传感器数学模型。微控制器读取了输出电压后，通过模数转换器的变换，该模型可以将电压量转换为压力测量值。传感器最简单的数学模型即为传递函数。该模型可在整个标定过程中进行优化，并且模型的成熟度将随标定点的增加而增加。 从计量学的角度看，测量误差具有相当严格的定义：它表征了测量压力与实际压力之间的差异。而通常无法直接得到实际压力，但可以通过采用适当的压力标准加以估计，计量人员通常采用那些精度比被测设备高出至少 10 倍的仪器作为测量标准。 由于未经标定的系统只能使用典型的灵敏度和偏移值将输出电压转换为压 力，测得的压力将产生如图 1 所示的误差。 这种未经标定的初始误差由以下几个部分组成： a.偏移量误差。由于在整个压力范围内垂直偏移保持恒定，因此变换器扩散和激光调节修正的变化将产生偏移量误差。 b.灵敏度误差，产生误差大小与压力成正比。如果设备的灵敏度高于典型值，灵敏度误差将是压力的递增函数（见图 1）。如果灵敏度低于典型值，那么灵敏度误差将是压力的递减函数。该误差的产生原因在于扩散过程的变化。
1翻译导论
翻译导论 定义： 广义的说它包括的范围很广，甚至可以包括语言和非语言符号之间的信息转换。狭义上说，就是指如何将某一语言产物转换到另一语言中去的过程。严格的说，翻译还包括某一语言内不同变体之间的信息转化，如将屈原的诗译成现代诗，将曹植的《洛神赋》译成白话文，都属于翻译。所以美国加洲蒙特瑞国际研究学院教授叶子南说，翻译就是在某一特定的社会环境内进行交流的过程，或者是把原文中的意义在译文中表达出来。上海外国语大学孙万彪教授认为，翻译是使用不同语言的人们互相沟通的纽带和桥梁，是把一种语言（原语/source language）所表达的信息用另一种语言（译语/target language/目的语）传达出来的过程。武汉大学郭著章教授则认为翻译是一种语言所表达的信息在另一种语言里再现或再造的过程。 同时也需要指出的是：翻译是一门科学，同时也是艺术，是技巧。说它是科学，是因为翻译和其他的学科一样，有其自身的特点和规律，需要译者去潜心探讨，摸索掌握；说它是艺术，是因为翻译不象其他学科一样，某些原则，理论可以作为标准或者定律得到普遍的认同和广泛的应用，而是需要译者的创造性加工------任何两种语言文字之间的翻译，决不是简单的机械转换或一成不变的文字“对号入座”；说它是技巧，是因为翻译和其他的艺术一样，光凭空洞的理论知识是不够的，需要经过大量的实践才能真正掌握它，运用它，即我们常说的“熟能生巧”。 分类： 翻译的类别可以根据不同的需要来划分。按其所涉及的语言，可以分为本族语译成外语（from native language to foreign language），外语译成本族语(from foreign language to native language)两种，或者语言内翻译（inter-language translation），语际翻译（inter-lingual translation），和符际翻译（inter-semi translation）；按照其工作方式，有口译(interpretation/包括连续翻译constant interpretation和同声翻译simultaneous interpretation)，笔译(translation)，以及机器翻译(machine / machine-aided / computer-aided translation)三种；按照其翻译材料，有科技材料的翻译(scientific translation)，文学作品的翻译(literary translation)，政论作品的翻译(political translation)和其他应用文的翻译(pragmatic translation )等等；按照其具体的处理方式，又可以分为全译(complete translation)，摘译(editing translation)，编译(incomplete translation)等。 性质： 无论何种翻译，其目的都是要把别人的意思用译语就可能的准确无误的传达出来，而不是用译者自己的意思来代替别人的意思。翻译这一性质，决定了从事翻译的人只能充当“代言人”的角色，起传递信息的作用，而不能越俎代庖，随意篡改别人的意思。因此，翻译的成败得失，取决于翻译出来的意思是否和原文的意思保持一致，这也是评判翻译好坏优劣的根本标准。 翻译课的任务： 翻译课首先是一门实践课，其任务是培养和提高学生的实际翻译能力，为今后从事翻译工作奠定良好的基础。翻译能力的培养和提高，主要是通过大量的，系统的翻译实践，而不是靠传授翻译理论来完成的。 初学翻译的人，没有多少翻译实践，也就没有什么经验可谈。翻译课的开设，是让学生通过翻译实践来获的感性认识，从中领悟出一些道理，从而掌握翻译的基本规律。 翻译作为一门课程，历来都是当作一门技巧来进行教学的。同其他的任何一门技巧一样，
单片机外文文献翻译
外文文献一单片机简介 单片机是一种集成在电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计时器等功能（可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路）集成到一块硅片上构成的一个小而完善的计算机系统。单片机也被称为微控制器（Microcontroller），是因为它最早被用在工业控制领域。单片机由芯片内仅有CPU的专用处理器发展而来。最早的设计理念是通过将大量外围设备和CPU集成在一个芯片中，使计算机系统更小，更容易集成进复杂的而对体积要求严格的控制设备当中。INTEL的Z80是最早按照这种思想设计出的处理器，从此以后，单片机和专用处理器的发展便分道扬镳。 二、单片机的发展趋势 现在可以说单片机是百花齐放，百家争鸣的时期，世界上各大芯片制造公司都推出了自己的单片机，从8位、16位到32位，数不胜数，应有尽有，有与主流C51系列兼容的，也有不兼容的，但它们各具特色，互成互补，为单片机的应用提供广阔的天地。 纵观单片机的发展过程，可以预示单片机的发展趋势，大致有： 1.低功耗CMOS MCS-51系列的8031推出时的功耗达630mW，而现在的单片机普遍都在100mW左右，随着对单片机功耗要求越来越低，现在的各个单片机制造商基本都采用了CMOS(互补金属氧化物半导体工艺)。象80C51就采用了HMOS(即高密度金属氧化物半导体工艺)和CHMOS(互补高密度金属氧化物半导体工艺)。CMOS虽然功耗较低，但由于其物理特征决定其工作速度不够高，而CHMOS则具备了高速和低功耗的特点，这些特征，更适合于在要求低功耗象电池供电的应用场合。所以这种工艺将是今后一段时期单片机发展的主要途径。 2.微型单片化 现在常规的单片机普遍都是将中央处理器(CPU)、随机存取数据存储(RAM)、只读程序存储器(ROM)、并行和串行通信接口，中断系统、定时电路、时钟电路集成在一块单一的芯片上，增强型的单片机集成了如A/D转换器、PMW(脉宽调制电路)、WDT(看门狗)、有些单片机将LCD(液晶)驱动电路都集成在单一的芯片上，这样 单片机包含的单元电路就更多，功能就越强大。甚至单片机厂商还可以根据用户的要求量身定做，制造出具有． 自己特色的单片机芯片。此外，现在的产品普遍要求体积小、重量轻，这就要求单片机除了功能强和功耗低外，还要求其体积要小。现在的许多单片机都具有多种封装形式，其中SMD(表面封装)越来越受欢迎，使得由单片机构成的系统正朝微型化方向发展。 3.主流与多品种共存 现在虽然单片机的品种繁多，各具特色，但仍以80C51为核心的单片机占主流，兼容其结构和指令系统的有PHILIPS公司的产品，ATMEL公司的产品和中国台湾
一些专有名词的翻译
simulation 仿真；模拟 simulation algorithm 仿真算法 simulation algorithm libray 仿真算法库simulation block diagram 仿真（方）框图simulation centre 仿真中心 simulation clock 仿真时钟 simulation data base 仿真数据库 simulation environment 仿真环境 simulation equipment 仿真设备 simulation evaluation 仿真评价 simulation experiment 仿真实验 simulation experiment modelibrary 仿真实验模式库simulation expert system 仿真专家系统 simulation graphic library 仿真图形库 simulation information library 仿真信息库simulation job 仿真作业 simulation knowledge base 仿真知识库 simulation laboratoryt 仿真实验室 simulation language 仿真语言 simulation methodology 仿真方法学 simulation model 仿真模型 simulation model library 仿真模型库
simulation process 仿真过程 simulation process time 仿真过程时间 simulation program 仿真程序 simulation result 仿真结果 simulation run 仿真运行 simulation software 仿真软件 simulation support system 仿真支持系统 simulation system 仿真系统 simulation technique 仿真技术 simulation type 仿真类型 simulation velocity 仿真速度 simulation work station 仿真工作站 simulator 仿真器 simultancous comparison method 同时比较法simultaneous technique 同时联用技术；同时并用技术sing around method 声环法 sing-around velocimeter 环鸣声速仪 single acting positioner 单作用定位器 single arm measurement 单臂测量 single beam spectrum radiator 单光束光谱辐射计single board microcomputer 单片微（型）计算机single bounce technique 一次反射法
传感器外文翻译
Basic knowledge of transducers A transducer is a device which converts the quantity being measured into an optical, mechanical, or-more commonly-electrical signal. The energy-conversion process that takes place is referred to as transduction. Transducers are classified according to the transduction principle involved and the form of the measured. Thus a resistance transducer for measuring displacement is classified as a resistance displacement transducer. Other classification examples are pressure bellows, force diaphragm, pressure flapper-nozzle, and so on. 1、Transducer Elements Although there are exception ,most transducers consist of a sensing element and a conversion or control element. For example, diaphragms,bellows,strain tubes and rings, bourdon tubes, and cantilevers are sensing elements which respond to changes in pressure or force and convert these physical quantities into a displacement. This displacement may then be used to change an electrical parameter such as voltage, resistance, capacitance, or inductance. Such combination of mechanical and electrical elements form electromechanical transducing devices or transducers. Similar combination can be made for other energy input such as thermal. Photo, magnetic and chemical,giving thermoelectric, photoelectric,electromaanetic, and electrochemical transducers respectively. 2、Transducer Sensitivity The relationship between the measured and the transducer output signal is usually obtained by calibration tests and is referred to as the transducer sensitivity K1= output-signal increment / measured increment . In practice, the transducer sensitivity is usually known, and, by measuring the output signal, the input quantity is determined from input= output-signal increment / K1. 3、Characteristics of an Ideal Transducer The high transducer should exhibit the following characteristics a) high fidelity-the transducer output waveform shape be a faithful reproduction of the measured; there should be minimum distortion. b) There should be minimum interference with the quantity being measured; the presence of the transducer should not alter the measured in any way. c) Size. The transducer must be capable of being placed exactly where it is needed.
翻译专业本科人才培养方案
翻译专业本科人才培养方案 一、培养目标 立足湖南，面向全国，将翻译专业与英语专业、翻译专业硕士有机结合，坚持翻译理论与技巧教学与实践应用并重，培养面向全球一体化、适应中国国情与区域人才市场需要的“基础厚，口径宽，能力强，素质高”的应用型翻译专门人才。 二、专业特色及实现途径 专业特色： 英语翻译专业本着“厚基础、宽口径、强能力、高素质”的培养原则，将通识教育与专业教育相结合，在“通识”中突出“专才”，打造真正适合社会的高级英语人才。本专业学生除受到基础语言技能训练外，系统地学习口译与笔译的技巧，掌握林业、工程机械、经贸等工程领域翻译的基本技巧，掌握基本的翻译理论知识；同时，学生进一步学习汉语文学知识，提高汉语应用能力；广泛了解中国文化与英语国家的文化，从而获得作为职业译员的基本素养，工作能力和研究能力。 实现途径： （1）科学合理、与时俱进的课程体系； （2）英汉双语优良师资； （3）依托我院多年来积累的高水平实践、实习基地，多年来翻译口译大赛的承办及参赛经验以及系统完善的口笔译实训、实习经验， 保证学生翻译实践技能的培养。 （4）依托我校林业优势，借我校工程机械专业优秀师资之力，为培养“专才”铺路。 三、培养要求及保障措施 培养要求：翻译专业本科学生毕业时应达到以下知识、能力和素质要求。 （1）知识要求 通识知识：翻译专业本着“厚基础、宽口径、强能力、高素质”的培养原则，将通识教育与专业教育相结合，在“通识”中突出“专才”，打造真正适合社会的高级英语人才。学生除专业技能外，将进一步学习汉语文学知识，提高汉语应用能力；广泛了解中国文化与英语国家的文化，从而获得作为职业
单片机外文翻译--STC89C52处理芯片
外文资料翻译 STC89C52 processi ng chip Prime features: With MCS - 51 SCM product compatibility, 8K bytes in the system programmable Flash memory, 1000 times CaXie cycle, the static operation: 0Hz ~ 33Hz, triple encryption program memory, 32 programmed I/O port, three 16 timer/counter, the eight uninterrupted dual-career UART serial passage, low power consumption, leisure and fall after fall electric power mode can be awakened and continuous watchdog timer and double-number poin ter, power ide ntifier. Efficacy: characteristics STC89C52 is one kind of low power consumption, high CMOS8 bit micro-co ntroller, 8K in system programmable Flash memory. Use high-de nsity nonv olatile storage tech no logy, and in dustrial 80C51 product in structi on and pin fully compatible. The Flash memory chips allows programs in the system, also suitable for programmable conventional programming. In a single chip, have clever 8 bits CPU and on li ne system programmable Flash, in crease STC89C52 for many embedded control system to provide high vigorous application and useful solutions. STC89C52 has following standard efficacy: 8k byte Flash RAM, 256 bytes, 32 I/O port, the watchdog timer, two, three pointer numerical 16 timer/counter, a 6 vector level 2 continuous structure, the serial port, working within crystals and horological circuit. In addition, 0Hz AT89S52 can drop to the static logic operation, support two software can choose power saving mode. Idle mode, the CPU to stop working, and allows the RAM, timer/c oun ters, serial, continu ous to work. Protectio n asa na patter n, RAM content is survival, vibrators frozen, SCM, until all the work under a continuous or hardware reset. 8-bit microcontrollers 8K bytes in the system programmable Flash AT89S52 devices. Mouth: P0 P0 mouth is a two-way ope n drain I/O. As export, each can drive eight TTL logic level. For P0 port to write "1", foot as the high impeda nee in put. When access to exter nal programs and nu merical memory, also known as
传感器技术外文文献及中文翻译
Sensor technology A sensor is a device which produces a signal in response to its detecting or measuring a property ,such as position , force , torque , pressure , temperature , humidity , speed , acceleration , or vibration .Traditionally ,sensors (such as actuators and switches )have been used to set limits on the performance of machines .Common examples are (a) stops on machine tools to restrict work table movements ,(b) pressure and temperature gages with automatics shut-off features , and (c) governors on engines to prevent excessive speed of operation . Sensor technology has become an important aspect of manufacturing processes and systems .It is essential for proper data acquisition and for the monitoring , communication , and computer control of machines and systems . Because they convert one quantity to another , sensors often are referred to as transducers .Analog sensors produce a signal , such as voltage ,which is proportional to the measured quantity .Digital sensors have numeric or digital outputs that can be transferred to computers directly .Analog-to-coverter(ADC) is available for interfacing analog sensors with computers . Classifications of Sensors Sensors that are of interest in manufacturing may be classified generally as follows: Machanical sensors measure such as quantities as positions ,shape ,velocity ,force ,torque , pressure , vibration , strain , and mass . Electrical sensors measure voltage , current , charge , and conductivity . Magnetic sensors measure magnetic field ,flux , and permeablity . Thermal sensors measure temperature , flux ,conductivity , and special heat . Other types are acoustic , ultrasonic , chemical , optical , radiation , laser ,and fiber-optic . Depending on its application , a sensor may consist of metallic , nonmetallic , organic , or inorganic materials , as well as fluids ,gases ,plasmas , or semiconductors .Using the special characteristics of these materials , sensors covert the quantity or property measured to analog or digital output. The operation of an ordinary mercury thermometer , for example , is based on the difference between the thermal expansion of mercury and that of glass. Similarly , a machine part , a physical obstruction , or barrier in a space can be detected by breaking the beam of light when sensed by a photoelectric cell . A proximity sensor ( which senses and measures the distance between it and an object or a moving member of a machine ) can be based on acoustics , magnetism , capacitance , or optics . Other actuators contact the object and take appropriate action ( usually by electromechanical means ) . Sensors are essential to the conduct of intelligent robots , and are being developed with capabilities that resemble those of humans ( smart sensors , see the following ). This is America, the development of such a surgery Lin Bai an example, through the screen, through a remote control operator to control another manipulator, through the realization of the right abdominal surgery A few years ago our country the
翻译学导论
第一章翻译学的主要方面 小结：翻译研究是一个相对较新的研究领域，近年来获得了迅猛发展。翻译以前是作为语言学习的一种方法，或是比较文学、翻译工作坊和对比语言学课程的一部分。这门新的学科在很大程度上应该归功于詹姆斯.霍姆斯，他在《翻译研究的名与实》一文中不但为该领域提供了一个名称，而且还规划了该学科的结构。翻译理论研究、描述性翻译研究和应用翻译学是互相关联的，近年来都有发展，逐渐在翻译理论与翻译实践之间架起了一座桥梁。 1. 翻译实践历史悠久，翻译学却是一门新兴学科。 2. 翻译实践和翻译理论之间的割裂持续存在。 3. James S. Holmes的《翻译研究的名与实》(The name and nature of translation studies, 1988年才为人所知)被认为是翻译学的“成立宣言” 4. 翻译可以指翻译研究领域、翻译产品(译本)或者翻译过程(产生译本的行为) 5. 俄裔美国结构主义学家Roman Jakobson在《论翻译的语言学方面》提出三种翻译类型： 语内翻译(intralingual)，语际翻译(interlingual)，符际翻译(intersemiotic) 6. 翻译研究作为一个学术研究领域是最近50年的事，它被称为“翻译学translatology”多亏了James S. Holmes. 7. 对翻译的探讨，从公元前1世纪的西塞罗、贺拉斯和公元4世纪的圣哲罗姆(《七十子希腊文本圣经》)就开始了，后者被翻译成拉丁文时所用的手法影响了其后的圣经翻译。 8. 18世纪晚期到20世纪60年代，语法-翻译教学法统治了中学语言学习(死记硬背外语的语法规则和结构)，20世纪六七十年代，直接法或交际法兴起，语言学习摒弃对翻译的摒弃，翻译局限于高层次大学语言课程和专业译员培训。 9. 翻译也是对比分析(contrastive analysis)领域的一个研究方向。 10. 霍姆斯的“描述性翻译理论”探讨三个方面：翻译产品(已有译作，探讨特定时期、某种语言/文本类型的翻译)，翻译功能(哪些书籍何时何地被翻译，何种影响)，翻译过程(挖掘译者大脑中发生的事情) 11. 翻译理论、描述性翻译研究和应用翻译学还是会互相影响的。 12. 20世纪70年代，对比分析衰落，语言学导向的翻译科学在德国保持强劲势头，等值观念风光不再，文本类型和文本目的的翻译理论在德国兴起，Halliday的话语分析和系统功能语法将语言看成社会文化背景之下的交际行为，盛行于澳大利亚和英国。20世纪70年代末和80年代见证了描述性翻译研究的兴起。多元系统学者赫尔曼斯《文学的操纵：文学翻译研究》导致了“操纵派”的诞生。这种动态的、以文化研究为导向的方法在其后的十年大行其道，而语言学方法则较为沉寂。 第二章20世纪前的翻译理论 小结：从西塞罗至20世纪的翻译理论大多围绕着翻译是该直译（“字对字”）还是意译（“意对意”）这一对矛盾进行，这是一个反复出现又毫无结果的争论，圣哲罗姆在用拉丁文翻译《圣经》时曾对这一对矛盾进行过着名的探讨。有关《圣经》及其他宗教文本翻译的争论一千余年来一直在翻译理论中占据着中心地位。早期的翻译理论家们大多在译着序言中为自己采用的翻译方法进行辩护，他们常常很少关注（或者根本无法获得）前人相关的着述。德莱顿在17世纪末提出的三种翻译方法标志着更系统、更精确地研究翻译的开始，而施莱尔马赫对异质文本的尊重则对当代的学者产生了重大的影响。 1. 直译与意译之分开始于公元前1世纪的西塞罗与公元4世纪晚期的圣哲罗姆，为数世纪以来乃至今日所有重要翻译的基石。 2. 西塞罗对直译是不屑一顾的，圣哲罗姆援引西塞罗的翻译方法为自己在《七十子希腊文本》之《旧约全书》的拉丁译文中所用的方法进行申辩。 3. 人们一般认为，圣哲罗姆最清晰地论述了翻译中的“直译”和“意译”，不过，在中国及阿拉伯等有着古老而丰富翻译传统的国家也存在着类似的争论。